JPS6024564B2 - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
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- JPS6024564B2 JPS6024564B2 JP55080583A JP8058380A JPS6024564B2 JP S6024564 B2 JPS6024564 B2 JP S6024564B2 JP 55080583 A JP55080583 A JP 55080583A JP 8058380 A JP8058380 A JP 8058380A JP S6024564 B2 JPS6024564 B2 JP S6024564B2
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- thin film
- resistive thin
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- nickel
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Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が４・ごし、こと、抵抗温度係数が小さいこ
と、また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑
音が小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと
等の種々にわたる特性が要求ごれる。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が４・ごし、こと、抵抗温度係数が小さいこ
と、また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑
音が小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと
等の種々にわたる特性が要求ごれる。
さらに、近年はこの抵抗温度係数に対して中心値が０〜
２劫四／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
２劫四／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
そして、薄膜材料としては、窒化タンタル（ＴａＮ）、
室化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークローム−アルミニウム（Ｎｉ−
Ｃｒ一Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＮは微量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化膜は繊密で
耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度係
数は１００〜１５の幼／℃と大きい。さらに、Ｎｉ−Ｃ
ｒ−山、Ｎｉ一Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬品性に
富み、抵抗温度係数も４・さし、が、山もしくはＳｉ量
が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大きく
なるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要で
あり、４・さし、抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続
して作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上
記のような点に鑑みてなされたものであり、以下その実
施例について詳細に説明する。まず、アルミナ円柱形の
基体にＤＣマグネトロンスパツタリング法により合金タ
ーゲットからニッケル（Ｎｉ）、クローム（Ｃｒ）、ア
ルミニウム（Ｎ）、ユーロピワム（Ｅｒ）をスパッタリ
ングして着膜させた。
室化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークローム−アルミニウム（Ｎｉ−
Ｃｒ一Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＮは微量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化膜は繊密で
耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度係
数は１００〜１５の幼／℃と大きい。さらに、Ｎｉ−Ｃ
ｒ−山、Ｎｉ一Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬品性に
富み、抵抗温度係数も４・さし、が、山もしくはＳｉ量
が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大きく
なるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要で
あり、４・さし、抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続
して作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上
記のような点に鑑みてなされたものであり、以下その実
施例について詳細に説明する。まず、アルミナ円柱形の
基体にＤＣマグネトロンスパツタリング法により合金タ
ーゲットからニッケル（Ｎｉ）、クローム（Ｃｒ）、ア
ルミニウム（Ｎ）、ユーロピワム（Ｅｒ）をスパッタリ
ングして着膜させた。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、着膜された基体を加熱炉−に入れ、空気中で４
００℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた
着膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし
、試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各ｌ
ｑ固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、
表２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と
同一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。
なお、抵抗温度係数は十２５℃、十７５℃の２点間で測
定した。く表 １＞く表２＞ （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
ついで、着膜された基体を加熱炉−に入れ、空気中で４
００℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた
着膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし
、試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各ｌ
ｑ固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、
表２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と
同一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。
なお、抵抗温度係数は十２５℃、十７５℃の２点間で測
定した。く表 １＞く表２＞ （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
また、従来より抵抗薄膜として使用されているＮｉ−Ｃ
ｒ−山の場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０脚′ｑＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、アルミニウムおよびユ
ーロピウムよりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、
また一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の
値は安定しているため、製造時に比率の微妙な加減をし
ないで、比較的楽に所望の抵抗薄膜を得ることができる
。また、電流雑音は完成抵抗値２０雌０で０．０４〃Ｖ
′Ｖ程度、第３高調波指数は同２０腿○で１３ＭＢ程度
と良い特性を示した。さらに、温度１２５ｑｏで定格電
力（例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切るとい
うことを綴り辺す負荷寿命試験を行ったところ、図に示
すような結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：
ＡＩ：Ｅｒ＝８０：２０：３：０．３５）による特性ａ
、従来品（Ｎｉ：Ｃｒ：ＡＩ＝８０：２０：３）による
特性ｂ、同じく従釆品（Ｎｉ：Ｃｔ＝８０：２０）によ
る特性ｃを比較したものである。図より２００餌寿間の
加速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態におい
ても安定であり、寿命的にも効果のあることが解る。以
上のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良
好な値を示しかつ安価にして安定的に製作することがで
き、その産業性は大なるものである。
ｒ−山の場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０脚′ｑＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、アルミニウムおよびユ
ーロピウムよりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、
また一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の
値は安定しているため、製造時に比率の微妙な加減をし
ないで、比較的楽に所望の抵抗薄膜を得ることができる
。また、電流雑音は完成抵抗値２０雌０で０．０４〃Ｖ
′Ｖ程度、第３高調波指数は同２０腿○で１３ＭＢ程度
と良い特性を示した。さらに、温度１２５ｑｏで定格電
力（例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切るとい
うことを綴り辺す負荷寿命試験を行ったところ、図に示
すような結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：
ＡＩ：Ｅｒ＝８０：２０：３：０．３５）による特性ａ
、従来品（Ｎｉ：Ｃｒ：ＡＩ＝８０：２０：３）による
特性ｂ、同じく従釆品（Ｎｉ：Ｃｔ＝８０：２０）によ
る特性ｃを比較したものである。図より２００餌寿間の
加速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態におい
ても安定であり、寿命的にも効果のあることが解る。以
上のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良
好な値を示しかつ安価にして安定的に製作することがで
き、その産業性は大なるものである。
図は本発明品と従来品による負荷寿命試験結果を比較し
て示す図である。
て示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル、クローム、アルミニウムおよびユーロピ
ウムからなることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080583A JPS6024564B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080583A JPS6024564B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575308A JPS575308A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6024564B2 true JPS6024564B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=13722362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080583A Expired JPS6024564B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024564B2 (ja) |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080583A patent/JPS6024564B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575308A (en) | 1982-01-12 |
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