JPS6018124B2 - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
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- JPS6018124B2 JPS6018124B2 JP55080579A JP8057980A JPS6018124B2 JP S6018124 B2 JPS6018124 B2 JP S6018124B2 JP 55080579 A JP55080579 A JP 55080579A JP 8057980 A JP8057980 A JP 8057980A JP S6018124 B2 JPS6018124 B2 JP S6018124B2
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- thin film
- resistive thin
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- nickel
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- Expired
Links
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係が小さいこと、ま
た抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が小
さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等の種
々にわたる特性が要求される。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係が小さいこと、ま
た抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が小
さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等の種
々にわたる特性が要求される。
さらに、近年はこの抵抗温度係数に対して中心値が０〜
２勃肌′℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム黍着，
抵抗加熱蒸着により、基体上に被着することにより作ら
れている。
２勃肌′℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム黍着，
抵抗加熱蒸着により、基体上に被着することにより作ら
れている。
そして、薄膜材料としては、窒化タンタル（ＴａＮ）、
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケル−クローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ−
Ｃｒ−Ａそ）合金、ニッケルークローム−シリコン（Ｎ
ｉ−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、
ＴＩＮやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜
を必要とするため、制御が簸かしく、再現性が得にくし
、。また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は
繊密で耐熱性，耐薬品性とも優れてはいるが、この抵抗
温度係数は１００〜１５０脚／ｑＣと大きい。さらに、
Ｎｉ−Ｃｒ一ＡＺ、Ｎｉ‐Ｃ【一Ｓｉは繊密で耐熱性，
耐薬品性に富み、抵抗温度係数も小さいが、Ａそもしく
はＳｉ量が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数
は大きくなるため、ＡそもしくはＳｉの微妙な量の加減
が必要であり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に
継続して作るには高度の製造技術が必要である。本発明
は上記のような点に鑑みてなされたものであり、以下そ
の実施例について詳細に説明する。
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケル−クローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ−
Ｃｒ−Ａそ）合金、ニッケルークローム−シリコン（Ｎ
ｉ−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、
ＴＩＮやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜
を必要とするため、制御が簸かしく、再現性が得にくし
、。また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は
繊密で耐熱性，耐薬品性とも優れてはいるが、この抵抗
温度係数は１００〜１５０脚／ｑＣと大きい。さらに、
Ｎｉ−Ｃｒ一ＡＺ、Ｎｉ‐Ｃ【一Ｓｉは繊密で耐熱性，
耐薬品性に富み、抵抗温度係数も小さいが、Ａそもしく
はＳｉ量が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数
は大きくなるため、ＡそもしくはＳｉの微妙な量の加減
が必要であり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に
継続して作るには高度の製造技術が必要である。本発明
は上記のような点に鑑みてなされたものであり、以下そ
の実施例について詳細に説明する。
まず、アルミナ円柱形の基体にＤＣマグネトロンスパツ
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａそ）、ランタン
（Ｙ）をスパッタリングして着膜させた。
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａそ）、ランタン
（Ｙ）をスパッタリングして着膜させた。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、着膜ごせた基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
０℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた着
膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、
試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各１の
固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表
２には参考としてニッケル，クロームを用い、上記と同
一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。な
お、抵抗温度係数は十２５ｑ０、十７５００の２点間で
測定した。＜表 １＞ ＜表 ２＞ Ｇ注）成分比はＮｉ−○ｒ（８０：２０）に対する添加
成分比を示す。
ついで、着膜ごせた基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
０℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた着
膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、
試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各１の
固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表
２には参考としてニッケル，クロームを用い、上記と同
一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。な
お、抵抗温度係数は十２５ｑ０、十７５００の２点間で
測定した。＜表 １＞ ＜表 ２＞ Ｇ注）成分比はＮｉ−○ｒ（８０：２０）に対する添加
成分比を示す。
上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
また、ランタンを除いたＮｉ−Ｃｒ−Ａその場合、Ａそ
の比率を０．７〜６程度変えた時、抵抗温度係数は２０
〜３倣ｐ／。Ｃ程度変動する。このようにニッケル，ク
ローム，アルミニウムおよびランタンよりなる抵抗薄膜
は抵抗温度係数が小さく、また一部の成分の比率が変わ
ってもその抵抗温度係数の値は安定しているため、製造
時に比率の微妙な加減をしないで、比較的楽に所望の抵
抗薄膜を得ることができる。
の比率を０．７〜６程度変えた時、抵抗温度係数は２０
〜３倣ｐ／。Ｃ程度変動する。このようにニッケル，ク
ローム，アルミニウムおよびランタンよりなる抵抗薄膜
は抵抗温度係数が小さく、また一部の成分の比率が変わ
ってもその抵抗温度係数の値は安定しているため、製造
時に比率の微妙な加減をしないで、比較的楽に所望の抵
抗薄膜を得ることができる。
また、電流雑音は完成抵抗値１０皿○で０．０４〃Ｖ′
Ｖ程度、第３高調波指数は同１０血○で１３のＢ程度と
良い特性を示した。さらに、温度１２５℃で定格電力（
例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切るというこ
とを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示すよ
うな結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：ＡＺ
：Ｌａ＝８０：２０：３：０．７）による特性ａ、従来
品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ａ夕＝８０：２０：３）による特性ｂ
、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による特性
ｃを比較したものである。図より２００ｑ時間の加速試
験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態においても安
定であり、寿命的にも効果のあることが鱗る。０ 以上
のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良好
な値を示し、かつ安価にして安定的に製作することがで
き、その産業性は大なるものである。
Ｖ程度、第３高調波指数は同１０血○で１３のＢ程度と
良い特性を示した。さらに、温度１２５℃で定格電力（
例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切るというこ
とを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示すよ
うな結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：ＡＺ
：Ｌａ＝８０：２０：３：０．７）による特性ａ、従来
品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ａ夕＝８０：２０：３）による特性ｂ
、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による特性
ｃを比較したものである。図より２００ｑ時間の加速試
験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態においても安
定であり、寿命的にも効果のあることが鱗る。０ 以上
のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良好
な値を示し、かつ安価にして安定的に製作することがで
き、その産業性は大なるものである。
ク 図に本発明品と従来品による負荷寿命試験結果を比
較して示す図である。
較して示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル，クローム，アルミニウムおよびランタン
からなることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080579A JPS6018124B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080579A JPS6018124B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575304A JPS575304A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6018124B2 true JPS6018124B2 (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=13722249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080579A Expired JPS6018124B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018124B2 (ja) |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080579A patent/JPS6018124B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575304A (en) | 1982-01-12 |
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