JPS6024592B2 - ワイドギヤツプエミツタトランジスタの製造方法 - Google Patents
ワイドギヤツプエミツタトランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS6024592B2 JPS6024592B2 JP50010494A JP1049475A JPS6024592B2 JP S6024592 B2 JPS6024592 B2 JP S6024592B2 JP 50010494 A JP50010494 A JP 50010494A JP 1049475 A JP1049475 A JP 1049475A JP S6024592 B2 JPS6024592 B2 JP S6024592B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base layer
- semiconductor
- base
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＧａ船・Ｇａ，．Ｎｘふ系ワイドギャップェミ
ッタトランジスタの構造とその製造方法に関する。
ッタトランジスタの構造とその製造方法に関する。
ゲルマニウム、シリコンなかんずくシリコンはトランジ
スタを作るのに最も一般的な材料である。
スタを作るのに最も一般的な材料である。
これに対し硯化ガリウム（ＧａＡｓ）はシリコン、ゲル
マニウムに比較して禁制帯エネルギーが大きいので真性
半導体になる温度が高い。したがってＧａＡｓトランジ
スタは高温で使用できることおよび高出力が得られると
期待される。またＧａ．笛の電子の移動度が大きいので
、高速性、高周波特性が良好であることが期待できる。
こうした特徴が期待されるにも拘らず、Ｇａ公でつくっ
たトランジスタが実用になっていない原因は、シリコン
においては容易に実現できるベース、ェミツタの形成が
うまくいかないためである。またへテロ接合を用いたワ
イドギャップェミッタによりトランジスタの注入効率を
あげるという考えは、既にトランジスタが発明されてま
もなく指摘された事柄であるが、現在にいたるもまだ完
全に実施されたことがない。
マニウムに比較して禁制帯エネルギーが大きいので真性
半導体になる温度が高い。したがってＧａＡｓトランジ
スタは高温で使用できることおよび高出力が得られると
期待される。またＧａ．笛の電子の移動度が大きいので
、高速性、高周波特性が良好であることが期待できる。
こうした特徴が期待されるにも拘らず、Ｇａ公でつくっ
たトランジスタが実用になっていない原因は、シリコン
においては容易に実現できるベース、ェミツタの形成が
うまくいかないためである。またへテロ接合を用いたワ
イドギャップェミッタによりトランジスタの注入効率を
あげるという考えは、既にトランジスタが発明されてま
もなく指摘された事柄であるが、現在にいたるもまだ完
全に実施されたことがない。
これはへテロ接合の良好なものが得られなかったためで
ある。本発明の目的は以上述べた従来素子の難点をもた
ないトランジスタ、すなわちェミッタ注入効率が高く、
高速性に優れ、高出力が得られ、かつ高温まで使用可能
なＧａＡｓヘテロ接合トランジスタを提供することにあ
る。
ある。本発明の目的は以上述べた従来素子の難点をもた
ないトランジスタ、すなわちェミッタ注入効率が高く、
高速性に優れ、高出力が得られ、かつ高温まで使用可能
なＧａＡｓヘテロ接合トランジスタを提供することにあ
る。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
第１図ａは本発明の一実施例の断面を示したものである
。同図ｂは本トランジスタの表面を示したものである。
この構造のトランジスタをつくるにはまずｎ形Ｇａ偽基
板１上にｎ形Ｇａ餌２、ｐ形Ｃａ偽３、ｎ形Ｇａｏ．８
ＡＩ Ｏ．２Ａｓ４を液相ェピタキシャル法により連続
的に成長させる。これらの層の厚さは最初のｎ型ＧａＡ
ｓが３山、ベースとなるｐ型Ｇａ偽層が０．２ム、最後
のェミッタ層が２山である。最初のｎ形約ａＡｓ層２は
ベース層の厚さの再現性を良くするために成長させる。
直接ベース層であるｐ型ＧａＡｓ層３を基板上に成長さ
せると厚さの制御が難しくなるからである。ェミッタ層
は一般にｎ形Ｇａ，へＮｘ船を成長させるが、ｘはここ
で０．２を採用した。この値はもう少し小さくても十分
の効果が期待される。ついで第１図ａに示したようにｐ
層５を亜鉛の選択拡散により形成する。拡散は十分ベー
ス層となるｐ型ＧａＡｓ層３に達するだけの深さに行な
う。図に示すようにベースを少し通り越す程度の拡散を
実際には行なった。拡散終了後ェミツタ、ベースへのコ
ンタクト６，７を第１図に示したようにとり、コレクタ
へのコンタクト８はｎ形Ｇａ兆基板からとってトランジ
スタを形成した。第１図ｂはこのトランジスタの平面図
で、第１図ａと同一部位は同一符号で示している。
。同図ｂは本トランジスタの表面を示したものである。
この構造のトランジスタをつくるにはまずｎ形Ｇａ偽基
板１上にｎ形Ｇａ餌２、ｐ形Ｃａ偽３、ｎ形Ｇａｏ．８
ＡＩ Ｏ．２Ａｓ４を液相ェピタキシャル法により連続
的に成長させる。これらの層の厚さは最初のｎ型ＧａＡ
ｓが３山、ベースとなるｐ型Ｇａ偽層が０．２ム、最後
のェミッタ層が２山である。最初のｎ形約ａＡｓ層２は
ベース層の厚さの再現性を良くするために成長させる。
直接ベース層であるｐ型ＧａＡｓ層３を基板上に成長さ
せると厚さの制御が難しくなるからである。ェミッタ層
は一般にｎ形Ｇａ，へＮｘ船を成長させるが、ｘはここ
で０．２を採用した。この値はもう少し小さくても十分
の効果が期待される。ついで第１図ａに示したようにｐ
層５を亜鉛の選択拡散により形成する。拡散は十分ベー
ス層となるｐ型ＧａＡｓ層３に達するだけの深さに行な
う。図に示すようにベースを少し通り越す程度の拡散を
実際には行なった。拡散終了後ェミツタ、ベースへのコ
ンタクト６，７を第１図に示したようにとり、コレクタ
へのコンタクト８はｎ形Ｇａ兆基板からとってトランジ
スタを形成した。第１図ｂはこのトランジスタの平面図
で、第１図ａと同一部位は同一符号で示している。
なお１０はェミッタ電極用パッドを示している。このト
ランジスタにおいてェミツタ接地電流増幅率３を測定し
たところＢ＝５００という高い値が得られた。
ランジスタにおいてェミツタ接地電流増幅率３を測定し
たところＢ＝５００という高い値が得られた。
また高速性にも懐れた特徴が得られた。この例の如く、
ベース３を形成する半導体より禁制帯エネルギーの大き
い半導体４を用いてェミッタが形成されているため、ベ
ース領域からェミッタへの正孔の注入がなく、その結果
ヱミツ夕接合を通過する電流の中で電子電流の占める割
合が改善される。
ベース３を形成する半導体より禁制帯エネルギーの大き
い半導体４を用いてェミッタが形成されているため、ベ
ース領域からェミッタへの正孔の注入がなく、その結果
ヱミツ夕接合を通過する電流の中で電子電流の占める割
合が改善される。
即ち、ェミッタ効率を増大することができる。更に本発
明においてはベース領域とべ‐ス・コンタクト領域が同
一のェピタキシャル層内に設けられているため、ベース
に接続される実効的な直列抵抗が低くなり、トランジス
タの高周波特性に好ましいものである。
明においてはベース領域とべ‐ス・コンタクト領域が同
一のェピタキシャル層内に設けられているため、ベース
に接続される実効的な直列抵抗が低くなり、トランジス
タの高周波特性に好ましいものである。
以上述べたように本発明によるトランジスタは電流増幅
率が高く、高速性に優れ、高出力、高温動作可能といっ
た特徴を兼ねそなえたものでその実用的価値は非常に大
きいものがある。
率が高く、高速性に優れ、高出力、高温動作可能といっ
た特徴を兼ねそなえたものでその実用的価値は非常に大
きいものがある。
なお実施例においてはｎｐｎトランジスタを対象とした
が、ｐｎｐトランジスタももちろん可能である。
が、ｐｎｐトランジスタももちろん可能である。
また実施例のＧａＡｓはＧａ，ＮＡ１ｘＡｓにて置き換
えることが可能であり、さらにＧａ，★ＡＩｘＡｓ系半
導体を基本とする化合物半導体たとえばＧａ，すりｘＡ
ｓ，‐ｙＰｙ（０＜ｙ＜１）等で置き換えることも可能
である。
えることが可能であり、さらにＧａ，★ＡＩｘＡｓ系半
導体を基本とする化合物半導体たとえばＧａ，すりｘＡ
ｓ，‐ｙＰｙ（０＜ｙ＜１）等で置き換えることも可能
である。
さらに本発明の方法はＧａ粕ＩＣの製造方法にも適用で
き、また発光ダイオードとの組合せにより新しい機能を
持たせることもできる点で極めて実用性の高いものであ
る。
き、また発光ダイオードとの組合せにより新しい機能を
持たせることもできる点で極めて実用性の高いものであ
る。
第１図は本発明の一実施例を示したものである。
図において１はｎ形Ｇａ船基板、２はｎ形ＧａＡｓ成長
層、３はｐ形ＧａＡｓ、４はｎ形Ｇａｏ．８ＡＩＯ．２
Ａｓ、５はｐ形Ｇａｏ．＆り０．２Ａｓである。 ６，７，８はそれぞれェミッタ、ベース、コレクタ電極
である。 １０‘まェミッタ電極用パッドである。
層、３はｐ形ＧａＡｓ、４はｎ形Ｇａｏ．８ＡＩＯ．２
Ａｓ、５はｐ形Ｇａｏ．＆り０．２Ａｓである。 ６，７，８はそれぞれェミッタ、ベース、コレクタ電極
である。 １０‘まェミッタ電極用パッドである。
Claims (1)
- １ 所定の半導体基板上にＧａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡ
ｓ（０≦ｘ≦１）系化合物半導体ないし該半導体を基本
とする化合物半導体をもつてコレクタ層、ベース層、お
よび該ベース層と反対導電型を有し、且、該ベース層を
構成する半導体より禁制帯エネルギーの大きい半導体で
構成され、且、前記ベース層とヘテロ接合を構成するエ
ミツタ層を少なくとも含む複数層を積層成長させる工程
、該成長層の表面の所定領域より少なくとも該ベース層
に達する深さに該ベース層と同一導電型の不純物を選択
拡散せしめベースコンタクト用領域を形成する工程を有
することを特徴とするワイドギヤツプエミツタトランジ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50010494A JPS6024592B2 (ja) | 1975-01-27 | 1975-01-27 | ワイドギヤツプエミツタトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50010494A JPS6024592B2 (ja) | 1975-01-27 | 1975-01-27 | ワイドギヤツプエミツタトランジスタの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072772A Division JPS6035570A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | ワイドギヤツプエミツタトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5185677A JPS5185677A (ja) | 1976-07-27 |
| JPS6024592B2 true JPS6024592B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=11751729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50010494A Expired JPS6024592B2 (ja) | 1975-01-27 | 1975-01-27 | ワイドギヤツプエミツタトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024592B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0106724B1 (fr) * | 1982-09-17 | 1989-06-07 | ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre des PTT (Centre National d'Etudes des Télécommunications) | Transistor bipolaire balistique à hétérojonction |
| JPS6010774A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6050957A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Fujitsu Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラ半導体装置 |
| JPS60253267A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
| JPS61182257A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Nec Corp | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559830B2 (ja) * | 1973-01-24 | 1980-03-12 |
-
1975
- 1975-01-27 JP JP50010494A patent/JPS6024592B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5185677A (ja) | 1976-07-27 |
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