Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6038793B2 - Contiguous disk type magnetic bubble element - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6038793B2 - Contiguous disk type magnetic bubble element - Google Patents

Contiguous disk type magnetic bubble element

Info

Publication number
JPS6038793B2
JPS6038793B2 JP57083730A JP8373082A JPS6038793B2 JP S6038793 B2 JPS6038793 B2 JP S6038793B2 JP 57083730 A JP57083730 A JP 57083730A JP 8373082 A JP8373082 A JP 8373082A JP S6038793 B2 JPS6038793 B2 JP S6038793B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
pattern
transfer path
edge
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57083730A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58200489A (en
Inventor
公秀 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Original Assignee
DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI filed Critical DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Priority to JP57083730A priority Critical patent/JPS6038793B2/en
Publication of JPS58200489A publication Critical patent/JPS58200489A/en
Publication of JPS6038793B2 publication Critical patent/JPS6038793B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • G11C19/0883Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はコンディギュアスディスク型磁気バブル素子に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a contiguous disk type magnetic bubble element.

磁気バブル(以下単にバブルという)を情報の担体とし
て用いる記憶素子において、従来、バフルの転送は、パ
ーマロィの如き欧磁性膜でできたパタン(以下パーマロ
ィパターンという)を外部から印加する面内回転磁界に
よって磁化することによって生じる磁極にバブルを引き
つけることによって行なわれている(このようなパーマ
ロイパタンによりバブルの転送を行なう従来の磁気バブ
ル素子を以下コンベンショナル型磁気バブル素子という
)。
In storage devices that use magnetic bubbles (hereinafter simply referred to as bubbles) as information carriers, baffle transfer has conventionally been carried out by in-plane rotation in which a pattern made of a European magnetic film such as Permalloy (hereinafter referred to as Permalloy pattern) is externally applied. This is done by attracting bubbles to magnetic poles generated by magnetization by a magnetic field (conventional magnetic bubble devices that transfer bubbles using such permalloy patterns are hereinafter referred to as conventional magnetic bubble devices).

しかしながら前記のパーマロィパタンは互いに、非常に
狭い間隙を介して形成されなければならず、この間隙の
形成が微細加工上の限界となり記憶密度の向上を防げて
いる。また、パーマロィパタン間の間隙は転送中のバブ
ルに対して磁気的な楠促力を与えるため、バブルの高速
転送を行なううえでも不都合である。このようなコンベ
ンショナル型磁気バブル素子の有する欠点を克服するた
めに、既に米国特許382832計号明細書において、
磁性薄膜上に選択的にイオン注入を施すことにより形成
される非注入領域からなる転送パタンに沿ってバブルの
転送を行なうコンディギュアスディスク型磁気バブル素
子と呼ばれる新しいタイプの磁気バブル素子が提案され
ている。
However, the above-mentioned permalloy patterns must be formed with very narrow gaps between them, and the formation of these gaps becomes a limit in microfabrication and prevents an increase in storage density. Furthermore, the gaps between the permalloy patterns exert a magnetic force on the bubbles being transferred, which is inconvenient for high-speed bubble transfer. In order to overcome the drawbacks of such conventional magnetic bubble elements, in US Pat. No. 3,828,32,
A new type of magnetic bubble device called a contiguous disk type magnetic bubble device has been proposed, which transfers bubbles along a transfer pattern consisting of non-implanted regions formed by selectively implanting ions onto a magnetic thin film. ing.

コンディギュアスディスク型磁気バブル素子において、
効率的なバブルのアクセスを行うためには、前記コンベ
ンショナル型磁気バブル素子で既に採用されているよう
なメジャー・マナー構成を実現することがぜひとも必要
である。メジャー・マイナー構成の磁気バブル素子にお
いて必須の機能要素の一つはメジャー転送路のバブルを
制御性よくマイナーループに移す機能(トランスファー
・ィン)である。通常このような機能を果たす要素はト
ランスファー・ィン・ゲートと呼ばれている。本発明の
説明に先立ち従来のトランスファー・ィン・ゲートの特
徴及び欠点を図面を用いて説明する。
In the conditional disk type magnetic bubble element,
In order to access bubbles efficiently, it is absolutely necessary to implement a major manner configuration such as that already adopted in the conventional magnetic bubble element. One of the essential functional elements in a magnetic bubble element with a major/minor configuration is a function (transfer in) of transferring the bubble in the major transfer path to the minor loop with good controllability. The element that performs this function is usually called a transfer-in gate. Prior to explaining the present invention, the features and disadvantages of the conventional transfer-in gate will be explained with reference to the drawings.

第1図はアール・ウオール(R.Wolfe)氏らによ
り19.81年3月に、ジャーナル・オブ・アブライト
・フイジクス(Journal of Applied
Physics)誌第52登第3号第2377頁〜第2
379頁に発表された論文に示されているトランフアー
・ィン・ゲートの一例である。
Figure 1 was published in the Journal of Applied Physics in March 1981 by R. Wolfe et al.
Physics) Magazine No. 52, No. 3, pp. 2377-2
This is an example of transfer-in-gate shown in the paper published on page 379.

参照数字1および2は各々バブルを保持し得る立方晶系
の磁性材料の(111)面を膜面とした磁性薄膜上に形
成された非注入領域からなる第1の転送パタン及び第2
の転送パターンである。同数字6は導体パターン、同数
字18,19は各々導体パタン6の第1のエッジ及び第
2のエッジである。矢印15はバイアス磁界の方向を表
わしている。矢印14は第1の転送パタンと第2の転送
パタンとの最近接点3(第1漣伝送パタン側から)から
4(第2の転送パタン側)へ向かう方向を、矢印13は
第1の転送パタンの実質的な配列方向〔011〕方向)
を表わしている。同数字5は矢印13の方向と矢印14
の方向とのなす角度を表わしている。第1の転送パタン
及び第2の転送パタンは角度5が、1200前後となる
ように形成されている。〔011〕方向に直線状に形成
された第1の転送パタンの、〔211〕側のエッジ部か
らなる転送路は一般にスーパー転送路と呼ばれており、
最も良好な転送特性が得られることはすでに公知である
。矢印16で示される〔211)方向に形成された第2
の転送パタンの長手方向の両側のエッジ部では共に平均
的な転送特性が得られることはすでに公知であり、この
ような転送路は一般にグッド転送路と呼ばれている。〔
111〕面を膜面とした磁性薄膜は磁気的な膜面内3回
対称性を有しているため、(110〕方向に形成された
転送パタンの〔112〕側エッジ部、及び〔101〕方
向に形成された転送パタン〔121〕側エッジ部は全て
スーパー転送路と呼ばれている。また、同様の理由によ
り、〔112〕方向及び〔121〕方向に形成された転
送パタンの長手方向の両側のエッジ部はすべてグッド転
送路と呼ばれている。以下ではこれらの等価的な3方向
のうちの1方向で代表して説明する第1の転送パタンの
スーパー転送路側のエッジ部に沿って転送中のバブルが
位置9に釆たときに導体パタン6に矢印17の向きの電
流パルスをEO加すると第2のエッジ19近傍が磁気的
ポテンシャルの谷となるような磁界分布が誘起これバブ
ルは位置1011‘こ転送される。
Reference numerals 1 and 2 indicate a first transfer pattern and a second transfer pattern, each consisting of a non-injected region formed on a magnetic thin film whose film surface is a (111) plane of a cubic magnetic material capable of retaining bubbles.
This is the transfer pattern. The same numeral 6 is a conductive pattern, and the same numerals 18 and 19 are a first edge and a second edge of the conductive pattern 6, respectively. Arrow 15 represents the direction of the bias magnetic field. The arrow 14 indicates the direction from the closest point 3 (from the first transfer pattern side) to the closest point 4 (from the second transfer pattern side) between the first transfer pattern and the second transfer pattern, and the arrow 13 indicates the direction from the nearest point 3 (from the first transfer pattern side) to 4 (the second transfer pattern side). Practical pattern arrangement direction [011] direction)
It represents. The same number 5 is the direction of arrow 13 and arrow 14
represents the angle formed with the direction of The first transfer pattern and the second transfer pattern are formed so that the angle 5 is approximately 1200 degrees. The transfer path consisting of the edge part on the [211] side of the first transfer pattern formed linearly in the [011] direction is generally called a super transfer path.
It is already known that the best transfer properties are obtained. The second one formed in the [211) direction indicated by the arrow 16
It is already known that average transfer characteristics are obtained at both edges in the longitudinal direction of the transfer pattern, and such a transfer path is generally called a good transfer path. [
Since a magnetic thin film with the film plane as the [111] plane has three-fold magnetic in-plane symmetry, the [112] side edge portion of the transfer pattern formed in the (110] direction and the [101] The edges of the transfer patterns formed in the [121] direction are all called super transfer paths.For the same reason, the longitudinal edges of the transfer patterns formed in the [112] and [121] directions are called super transfer paths. The edge portions on both sides are all called good transfer paths.Hereinafter, along the edge portion on the super transfer path side of the first transfer pattern, which will be explained in one of these three equivalent directions as a representative. When the bubble being transferred is at position 9, applying a current pulse in the direction of arrow 17 to the conductor pattern 6 induces a magnetic field distribution such that the vicinity of the second edge 19 becomes a valley of magnetic potential. The location 1011' is transferred.

以後、面内回転磁界により、位置1 1および12に順
次転送されトランスファー・ィン動作が実現される。し
かしながら、従来のトランスファー・ィン・ゲートを用
い、上記のような原理に基づいてトランスファー・ィン
動作を行う場合には、電流パルス17により生じる磁気
的ポテンシャルの谷は導体パタンの第2のエッジに沿っ
て一様な深さを有している。
Thereafter, the in-plane rotating magnetic field sequentially transfers the light to positions 11 and 12, thereby realizing a transfer-in operation. However, when using a conventional transfer-in gate and performing a transfer-in operation based on the principle described above, the valley of the magnetic potential caused by the current pulse 17 is located at the second edge of the conductor pattern. It has a uniform depth along.

このため本来位置9から位置10に向ってトランスファ
ー・インされるべきバルブが位置100または101に
生じるチャージドゥオールに引きつけられ隣接する第1
の転送パタンに転送されてしまうといった誤動作が非常
に起こりやすいという欠点を有している。本発明の目的
はバブルのトランスファー・ィソ動作を非常に安定かつ
確実に行ない得るトランスファー・ィン・ゲートを有す
るコンディギユアスディスク型磁気バブル素子を提供す
ることにある。
Therefore, the valve that should originally be transferred in from position 9 to position 10 is attracted to the charge dual generated at position 100 or 101, and is transferred to the adjacent first valve.
This has the disadvantage that malfunctions such as data being transferred to the same transfer pattern are very likely to occur. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a contiguous disk type magnetic bubble element having a transfer-in gate that can perform a bubble transfer operation very stably and reliably.

次に、実施例にもとづいて、本発明の原理を説明する。Next, the principle of the present invention will be explained based on examples.

第2図は本発明の第1の実施例を示す図である。第2図
において、参照数字25は導体パタン6の第2のエッジ
に周期的に設けられた切り込み、同数字9,10,11
および12はトランスファー・ィン動作中のバブルの転
送位置である。バブルが位置9にきたときに導体パタン
6に矢印17の向きに電流バブルを印加すると、該電流
パルスにより譲超された磁界勾配によりバブルは矢印2
7の向きの駆動力を受ける。一方、第2のエッジに設け
られた切り込み近傍には電流密度の乱れが生じているた
め、位置26を磁気的にポテンシャルの谷とするような
局所的な磁界分布が生じる。このため、位置27から矢
印9の方向に向って駆動されたバブル位置26に近づく
につれて位層26に向かう駆動力を強く受けるようにな
る。したがって、バブルは、上記の電流パルスにより譲
起された磁界勾配及び第1の転送パタンのチャージドウ
オールにより位置9から位置10に向かって安定に転送
された。第3図は導体パタンに印加する電流パルスの位
相及びパルス幅の一例を示したものである。第3図では
、第1の転送パタンの配列方向011方向)を回転磁界
の1800方向にとっている。矢印30及び31は各々
電流パルスの開始及び停止位相を、矢印32は電流パル
スの印加位相範囲を示している。以上のような本発明の
原理によれば、バブルのトランスファー・ィン動作を非
常に安定かつ確実に実現することができる。
FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 2, the reference numeral 25 indicates notches provided periodically on the second edge of the conductor pattern 6, and the same numerals 9, 10, 11.
and 12 is the transfer position of the bubble during the transfer-in operation. When a current bubble is applied to the conductor pattern 6 in the direction of arrow 17 when the bubble reaches position 9, the bubble moves in the direction of arrow 2 due to the magnetic field gradient exceeded by the current pulse.
Receives driving force in direction 7. On the other hand, since the current density is disturbed near the notch provided on the second edge, a local magnetic field distribution occurs such that the position 26 becomes a magnetic potential valley. Therefore, as the bubble approaches the bubble position 26 driven in the direction of the arrow 9 from the position 27, the driving force toward the layer 26 becomes stronger. Therefore, the bubble was stably transferred from position 9 toward position 10 due to the magnetic field gradient induced by the current pulse and the charged wall of the first transfer pattern. FIG. 3 shows an example of the phase and pulse width of the current pulse applied to the conductor pattern. In FIG. 3, the arrangement direction (011 direction) of the first transfer pattern is taken as the 1800 direction of the rotating magnetic field. Arrows 30 and 31 indicate the start and stop phases of the current pulse, respectively, and arrow 32 indicates the application phase range of the current pulse. According to the principle of the present invention as described above, the bubble transfer-in operation can be realized very stably and reliably.

本発明のコンディギュアスディスク型磁気バブル素子は
、磁気バブルを保持し得る立方晶系の磁性材料の(11
1)面を膜面とした磁性薄膜に選択的にイオン注入を施
すことにより、〔011〕,〔101〕,〔110〕の
いずれかの方向に間隙を隔てて周期的かつ直線状に配列
された複数個の凸部を有する非注入領域からなる第1の
転送パタンのスパー転送路側エッジ部をメジャー転送路
として用い、該メジャー転送路の反対側に位置する前記
第1の転送パタンの凸部と予め定めた間隔を有する間隔
部を介してグッド転送路方向に形成された珠数玉状の非
注入領域からなる第2の転送パタンのエッジ部をマイナ
ーループ転送路として用いるメジャー・マイナー方式の
磁気バブル素子において、前記第1の転送パタンに沿っ
て設けられた実質的に帯状の導体パタンであって、該導
体パタンの両側の2つのエッジのうち第1のエッジは前
記メジャー転送路の近傍に位置し、第2のエッジはメジ
ャー転送路以外の場所で前記第1の転送路と交叉し、か
つ、該第2のエッジには前記第1の転送パタンの配列周
期と等しい周期で切り込みが形成されている。
The conditional disk type magnetic bubble element of the present invention is made of a cubic magnetic material (11
1) By selectively implanting ions into a magnetic thin film whose surface is the film surface, ions are periodically and linearly arranged with gaps in the [011], [101], or [110] directions. A spur transfer path side edge portion of a first transfer pattern consisting of a non-implanted region having a plurality of convex portions is used as a major transfer path, and a convex portion of the first transfer pattern located on the opposite side of the major transfer path. The major-minor method uses the edge part of the second transfer pattern consisting of a bead-shaped non-injected region formed in the direction of the good transfer path through a gap having a predetermined interval as a minor loop transfer path. In the magnetic bubble element, a substantially band-shaped conductor pattern is provided along the first transfer pattern, and a first edge of two edges on both sides of the conductor pattern is near the major transfer path. , the second edge intersects the first transfer path at a location other than the major transfer path, and the second edge has cuts at a period equal to the arrangement period of the first transfer pattern. It is formed.

第4図は導体パタン30の第1のエッジ18にも切り込
み35を設けた本発明の第2の実施例を示す。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention in which a notch 35 is also provided on the first edge 18 of the conductive pattern 30. As shown in FIG.

切り込み35近傍の電流分布の乱れにより位置36をボ
デシャルの山とするような磁界分布が生じる。このため
、位置9から位置101こ向かう磁界勾配は第1の実施
例の場合よりも一層強められより安定なトランスファー
・ィン動作が実現できる。第5図は導体パタン40の切
り込み25を第1の転送パタンの凸部に設けた本発明の
第3の実施例を示す。
The disturbance in the current distribution near the notch 35 causes a magnetic field distribution such that the position 36 is a peak of the body shape. Therefore, the magnetic field gradient directed from position 9 to position 101 is stronger than in the first embodiment, and a more stable transfer-in operation can be realized. FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention in which the notch 25 of the conductor pattern 40 is provided in the convex portion of the first transfer pattern.

第6図及び第7図はそれぞれ第1の転送パタンの形状を
変えた本発明の第4及び第5の実施例を示す。
FIGS. 6 and 7 show fourth and fifth embodiments of the present invention, respectively, in which the shape of the first transfer pattern is changed.

参照数字50および60は導体パタン同数字80および
9川ま第1の転送パタンである。以上に述べたように本
発明を用いればバルブのトランスファー・ィン動作を非
常に安定かつ確実に行なうことができる。
Reference numerals 50 and 60 are the same as the conductor patterns 80 and 9, which are the first transfer patterns. As described above, by using the present invention, the transfer-in operation of the valve can be performed very stably and reliably.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はトランスファー・ゲートを示す図である。 1は第1の転送パタン、2は第2の転送パタン、3,4
は第1の転送パタンと第2の転送パタンとの最近接点、
14は最近接点3から最近接点4へ向かって引かれた直
線の方向を示す矢印、13は第1の転送パタンの実質的
な配列方向を示す矢印、5は13及び14の矢印で示さ
れる2つの方向のなす角度、16は磁性薄膜の〔211
〕方向を示す矢印、6は導体パタン、18,19は各々
導体パタン6の第1及び第2のエッジ、17は導体パタ
ンに印加する電流パタン6の第1及び第2のエッジ、1
7は導体パタンに印加する電流パルスの方向を示す矢印
、9,10,11,12はバブルの転送位置、100,
101は転送エラーを起こしたバブルの位置、15のは
バイアス磁界の方向を示す矢印である。 第2図及び第3図は本発明の第1の実施例を示す図であ
る。2川ま導体パタン、25は第2のエッジ19に設け
られた切り込み、26は磁気的なポテンシャルの谷の位
置、27はバブルが受ける駆動力の方向を示す矢印、3
0,31は各々電流パルスの開始及び停止位相示す矢印
、32は電流パルスの印加位相範囲である。 第4図〜第7図はそれぞれ本発明の第2〜第5の実施例
を示す図である。80,90は第1の転送パタン、30
,40,50,60を示す図である。 80,9川ま第1の転送パタン、30,40,50,6
川ま導体パタン、35は第1のエッジ18に設けられた
切り込み、36は磁気的ポテンシャルの山の位置である
。 矛′図 矛2図 矛J図 力4図 オS図 矛6図 オ7図
FIG. 1 is a diagram showing a transfer gate. 1 is the first transfer pattern, 2 is the second transfer pattern, 3, 4
is the closest point between the first transfer pattern and the second transfer pattern,
14 is an arrow indicating the direction of a straight line drawn from the nearest point 3 to the nearest point 4, 13 is an arrow indicating the substantial arrangement direction of the first transfer pattern, and 5 is 2 indicated by arrows 13 and 14. The angle formed by the two directions, 16, is [211
] An arrow indicating the direction, 6 a conductor pattern, 18 and 19 the first and second edges of the conductor pattern 6, respectively, 17 the first and second edges of the current pattern 6 applied to the conductor pattern, 1
7 is an arrow indicating the direction of the current pulse applied to the conductor pattern; 9, 10, 11, 12 are bubble transfer positions; 100,
Reference numeral 101 indicates the position of the bubble that caused the transfer error, and reference numeral 15 indicates the direction of the bias magnetic field. FIGS. 2 and 3 are diagrams showing a first embodiment of the present invention. 2 river conductor patterns, 25 a notch provided on the second edge 19, 26 the position of the valley of magnetic potential, 27 an arrow indicating the direction of the driving force received by the bubble, 3
0 and 31 are arrows indicating the start and stop phases of the current pulse, respectively, and 32 is the application phase range of the current pulse. FIGS. 4 to 7 are diagrams showing second to fifth embodiments of the present invention, respectively. 80 and 90 are the first transfer patterns, 30
, 40, 50, 60. 80,9 river first transfer pattern, 30,40,50,6
In the river conductor pattern, 35 is a notch provided on the first edge 18, and 36 is the position of a peak of magnetic potential. 2 figures of spears, 2 figures of spears, 4 figures of O S figures, 6 figures of O 7 figures

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁気、バブルを保持し得る立方晶系の磁性材料の(
111)面を膜面とした磁性薄膜上に選択的にイオン注
入を施すことにより、〔011〕,〔101〕,〔〔1
10〕のいずれかの方向に間隙を隔てて周期的かつ直線
状に配列された複数個の凸部を有する非注入領域からな
る第1の転送パターンのスーパー転送路側エツジ部をメ
ジヤー転送路として用い、該メジヤー転送路の反対側に
位置する前記第1の転送パターンの凸部と予め定めた間
隔を有する間隙部を介してグツド転送路方向に形成され
た珪数玉状の非注入領域からなる第2の転送パターンの
エツジ部をマイナーループ転送路として用いるメジヤー
・マイナー方式の磁気バルブ素子において、前記第1の
転送パターンに沿つて設けられた実質的に帯状の導体パ
タンであつて、該導体パタンの両側の2つのエツジのう
ち、第1のエツジは前記メジヤー転送路の近傍に位置し
、第2のエツジはメジヤー転送路以外の場所で前記第1
の転送路と交叉し、かつ、該第2のエツジには前記第1
の転送パターンの配列周期と等しい周期で切り込みが形
式されたことを特徴とするコンデイギユアスデイスク型
磁気バブル素子。
[Claims] 1. Magnetic, cubic magnetic material capable of holding bubbles (
By selectively implanting ions onto a magnetic thin film with the 111) plane as the film surface, [011], [101], [[1
10] The super transfer path side edge portion of the first transfer pattern consisting of a non-implanted region having a plurality of convex portions arranged periodically and linearly with gaps in either direction is used as a major transfer path. , consisting of a silica bead-shaped non-implanted region formed in the direction of the medium transfer path through a gap having a predetermined distance from the convex portion of the first transfer pattern located on the opposite side of the medium transfer path. In a major-minor type magnetic valve element that uses an edge portion of a second transfer pattern as a minor loop transfer path, a substantially band-shaped conductor pattern provided along the first transfer pattern; Of the two edges on both sides of the pattern, the first edge is located near the major transfer path, and the second edge is located at a location other than the major transfer path.
The second edge intersects with the transfer path of the first edge.
1. A contiguous disk type magnetic bubble element, characterized in that the notches are formed at a period equal to the arrangement period of the transfer pattern.
JP57083730A 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element Expired JPS6038793B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083730A JPS6038793B2 (en) 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083730A JPS6038793B2 (en) 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58200489A JPS58200489A (en) 1983-11-22
JPS6038793B2 true JPS6038793B2 (en) 1985-09-03

Family

ID=13810633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57083730A Expired JPS6038793B2 (en) 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6038793B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6427293U (en) * 1987-08-10 1989-02-16

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6427293U (en) * 1987-08-10 1989-02-16

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58200489A (en) 1983-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4885649A (en) Thin film head having a magneto-restrictive read element
US4086661A (en) Cylindrical magnetic domain element
EP0011137B1 (en) Manufacture of a magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins
JPS6038793B2 (en) Contiguous disk type magnetic bubble element
US4231107A (en) Serriform strip crosstie memory
US3988722A (en) Single sided, high density bubble domain propagation device
US4494216A (en) Magnetic bubble memory device
EP0044708B1 (en) Magnetic bubble memory device
US4414648A (en) Magnetic bubble domain swap gate circuit
JPS6038794B2 (en) Contiguous disk type magnetic bubble element
JPS6038795B2 (en) Contiguous disk type magnetic bubble element
US4042916A (en) Magnetic bubble track crossover element
US4027297A (en) Gapless magnetic bubble propagation path structure
US4559617A (en) Magnetic bubble memory device
US4791605A (en) Hybrid junction for a magnetic bubble memory
US4547865A (en) Magnetic bubble replicator
JPH04155687A (en) Bloch line memory element
JPS6149754B2 (en)
JPS6338797B2 (en)
JPS5965990A (en) Magnetic bubble transfer gate
JPS5928290A (en) Ion-implanted bubble memory element
JPS6059671B2 (en) magnetic bubble memory element
JPH0456393B2 (en)
JPS6236306B2 (en)
JPS63306587A (en) Magnetic bubble transfer pattern