Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6038794B2 - Contiguous disk type magnetic bubble element - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6038794B2 - Contiguous disk type magnetic bubble element - Google Patents

Contiguous disk type magnetic bubble element

Info

Publication number
JPS6038794B2
JPS6038794B2 JP57083731A JP8373182A JPS6038794B2 JP S6038794 B2 JPS6038794 B2 JP S6038794B2 JP 57083731 A JP57083731 A JP 57083731A JP 8373182 A JP8373182 A JP 8373182A JP S6038794 B2 JPS6038794 B2 JP S6038794B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
pattern
edge
transfer pattern
bubble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57083731A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58200490A (en
Inventor
公秀 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Original Assignee
DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI filed Critical DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Priority to JP57083731A priority Critical patent/JPS6038794B2/en
Publication of JPS58200490A publication Critical patent/JPS58200490A/en
Publication of JPS6038794B2 publication Critical patent/JPS6038794B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • G11C19/0883Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
    • G11C19/0891Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders using hybrid structure, e.g. ion doped layers

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はコンティギュアスディスク型磁気バブル素子に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a continuous disk type magnetic bubble element.

磁気バルブ(以下単にバブルという)を情報の担体とし
て用いる記憶素子において、従来、バブルの転送はパー
マロィの如き敏磁性膜でできたパタン(以下パーマロィ
パタンという)を外部から印加する面内回転磁界によっ
て磁化することによって生じる磁極にバルブを引きつけ
ることによって行なわれている(このようなパーマロィ
パタンによりバルブの転送を行なう従来の磁気バルブ素
子を以下コンベンショナル型磁気バブル素子という)。
しかしながら前記のパーマロィパタンは互いに非常に狭
い間隙を介して形成されなければならず、この間隙の形
成が微細加工上の限界となり記憶密度の向上を防げてい
る。また、パーマロィパタン間の間隙は転送中のバブル
に対し磁気的な捕捉力を与えるため、バブルの高速転送
を行なううえでも不都合である。このようなコンベンシ
ョナル型磁気バブル素子の有する欠点を克服するために
、既に米国特許第3828329自明細書において、磁
性薄膜上に選択的にイオン注入を施すことにより形成さ
れる非注入領域からなる転送パタンに沿ってバブルの転
送を行なうコンティギュァスディスク型磁気バブル素子
と呼ばれる新しいタイプの磁気バブル素子が提案されて
いる。
In storage devices that use magnetic valves (hereinafter simply referred to as bubbles) as information carriers, bubble transfer has conventionally been carried out by externally applying an in-plane rotating magnetic field to a pattern made of a magnetically sensitive film such as permalloy (hereinafter referred to as a permalloy pattern). (Conventional magnetic valve elements that perform valve transfer using such permalloy patterns are hereinafter referred to as conventional magnetic bubble elements).
However, the above-mentioned permalloy patterns must be formed with very narrow gaps between them, and the formation of these gaps becomes a limit in microfabrication and prevents an increase in storage density. Furthermore, the gaps between the permalloy patterns provide a magnetic trapping force to the bubbles being transferred, which is inconvenient for high-speed bubble transfer. In order to overcome the drawbacks of such conventional magnetic bubble elements, US Pat. A new type of magnetic bubble element called a continuous disk type magnetic bubble element has been proposed, which transfers bubbles along the .

コンティギュアスディスク型磁気バブル素子において、
効率的なバブルのアクセスを行なうためには、前記コン
ベンショナル型磁気バブル素子で既に採用されているよ
うなメジャー・マイナー構成を実現することがぜひとも
必要である。メジャー・マイナー構成の磁気バブル素子
において必須の機能要素の一つはマイナーループのバブ
ルを制御性よくメジャー転送路に移す機能(以下トラン
スフア・アウトという)及びメジャー転送路のバブルを
制御性よくマイナーループに移す機能(トランスファー
・ィン)である。通常このような機能を果たす要素はト
ランスファー・ゲートと呼ばれている。本発明の説明に
先立ち従来のトランスファー・ゲートの特徴及び欠点を
図面を用いて説明する。
In a continuous disk type magnetic bubble element,
In order to access bubbles efficiently, it is absolutely necessary to implement a major/minor configuration such as that already adopted in the conventional magnetic bubble element. One of the essential functional elements in a magnetic bubble element with a major/minor configuration is the ability to transfer bubbles in the minor loop to the major transfer path with good control (hereinafter referred to as transfer out), and the ability to transfer bubbles in the major transfer path to the minor transfer path with good control. This is a function to transfer to a loop (transfer in). The element that performs this function is usually called a transfer gate. Prior to explaining the present invention, the features and disadvantages of a conventional transfer gate will be explained using the drawings.

第1図はアール・ウオルフ(R.Wolfe)氏らによ
り1981年3月に、ジャーナル・オブ・アプライド・
フイジクス(Jourrnal of Applied
Physics)誌第52隻第3号第2377頁〜23
79頁発表された論文に示されているトランスファー・
ゲートの一例である。参照数字1および2は各々バブル
を保磁し得る立方晶系の磁性材料の、111面を膜面と
した磁性薄膜上に形成された非注入領域からなる第1の
転送パタン及び第2の転送パタンである。上記磁性薄膜
の〔011〕方向に直線状に形成された第1の転送パタ
ンの〔211〕側のエッジ部からなる転送路は一般にス
ーパー転送路と呼ばれており、最も良好な転送特性が得
られないことはすでに公知である。
Figure 1 was published in March 1981 by R. Wolfe et al. in the Journal of Applied
Physics (Journal of Applied
Physics) Magazine No. 52, No. 3, pp. 2377-23
The transfer method shown in the paper published on page 79
This is an example of a gate. Reference numerals 1 and 2 indicate a first transfer pattern and a second transfer pattern, each consisting of a non-injected region formed on a magnetic thin film with the 111 plane as the film surface, of a cubic magnetic material capable of coercive bubbles. It is a pattern. The transfer path consisting of the edge portion on the [211] side of the first transfer pattern formed linearly in the [011] direction of the magnetic thin film is generally called a super transfer path, and provides the best transfer characteristics. It is already known that this cannot be done.

第2の転送パタンは矢印16で示される〔211〕方向
に形成されている。
The second transfer pattern is formed in the [211] direction indicated by arrow 16.

〔211〕方向に形成された第2の転送パタンにおいて
は第2の転送パタンの長手方向の両側のエッジ部で共に
平均的な転送特性が得られることはすべに公知であり、
このような転送路は一般にグッド転送路と呼ばれている
。111面を膿面とした磁性薄膜は磁気的な濃面内3回
対称性を有しているため、〔110〕方向に形成された
転送パタンの〔112〕側エッジ部、及び〔101〕方
向に形成された転送パタンの〔121〕側エッジ部は全
てスーパ−転送路と呼ばれている。
It is well known that in the second transfer pattern formed in the [211] direction, average transfer characteristics can be obtained at both edges in the longitudinal direction of the second transfer pattern.
Such a transfer path is generally called a good transfer path. Since the magnetic thin film with the 111 plane as the pus side has 3-fold symmetry within the magnetic dense plane, the [112] side edge part of the transfer pattern formed in the [110] direction and the [101] direction The [121] side edge portions of the transfer pattern formed in are all called super transfer paths.

また、同様の理由により〔112〕方向及び〔121〕
方向に形成された転送パタンの長手方向の両側のエッジ
部はすべてグッド転送路と呼ばれている。以下ではこれ
らの等価的な3方向の内の1方向を代表して説明も続け
る。矢印14は第1の転送パタンと第2の転送パタンと
の最近接点3(第1の転送パタン側)から4(第2の転
送パタン側)へ向かう方向を、矢印I3は第1の転送パ
タン上で実質的なバブルの転送方向(〔011〕方向)
を表わしている。
Also, for the same reason, [112] direction and [121]
All edge portions on both sides in the longitudinal direction of the transfer pattern formed in the direction are called good transfer paths. In the following, explanation will be continued using one of these three equivalent directions as a representative. Arrow 14 indicates the direction from the closest point 3 (first transfer pattern side) to 4 (second transfer pattern side) between the first transfer pattern and the second transfer pattern, and arrow I3 indicates the direction from the closest point 3 (first transfer pattern side) to 4 (second transfer pattern side). Effective bubble transfer direction ([011] direction)
It represents.

参照数字5は矢印13の方向と矢印14の方向とのなす
角度を表わしている。第1の転送パタン及び第2の転送
パタンは、角度5が1200前後となるように形成され
ている。矢印15はバイアス磁界の方向を表わしている
Reference numeral 5 represents the angle between the direction of arrow 13 and the direction of arrow 14. The first transfer pattern and the second transfer pattern are formed so that the angle 5 is approximately 1200 degrees. Arrow 15 represents the direction of the bias magnetic field.

面内回転磁界によりバブルは第1の転送パタンのスーパ
ー転送路側のエッジ部に沿って7,8の位置を経て順次
転送される。位置9にバブルがきたときに帯状の導体パ
タン6に矢印7の向きに電流パルスを印加することによ
りバブルは10の位置へ転送される。以下、面内回転磁
界により位置11および12に順次転送されるトランス
ファー・ィン動作が実現される。一方、バブルのトラン
スファー・アウト動作を行なう場合には第2の転送パタ
ンを周回中のバブルが位置12に釆たときに面内回転磁
界の回転方向を反転し、位置10および9を順次経て〆
ジャー転送路へ転送する。この後、再び面内回転磁界を
反転しもとの回転方向に戻す。このような面内回転磁界
の反転を行なうため、従来のトランスファー・ゲートで
双方向のトランスファー動作を実現するためには非常に
複雑なバブル駆動回路が必要である。本発明の目的は非
常に簡単なバブル駆動回路によりバブルのトランスファ
ー・ィン動作及びトランスフア−・アウト動作が可能な
トランスファー・ゲートを有するコンティギュアスディ
スク型磁気バブル素子を提供することにある。
Due to the in-plane rotating magnetic field, the bubbles are sequentially transferred through positions 7 and 8 along the edge portion of the first transfer pattern on the super transfer path side. When the bubble reaches position 9, the bubble is transferred to position 10 by applying a current pulse to the strip-shaped conductor pattern 6 in the direction of arrow 7. Thereafter, a transfer-in operation is realized in which the in-plane rotating magnetic field sequentially transfers to positions 11 and 12. On the other hand, when performing a bubble transfer-out operation, when the bubble orbiting the second transfer pattern reaches position 12, the direction of rotation of the in-plane rotating magnetic field is reversed, and the bubble passes through positions 10 and 9 sequentially and then exits. transfer to the jar transfer path. After this, the in-plane rotating magnetic field is reversed again to return to the original rotation direction. In order to perform such reversal of the in-plane rotating magnetic field, a very complex bubble drive circuit is required to achieve bidirectional transfer operation with a conventional transfer gate. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a continuous disk type magnetic bubble element having a transfer gate that allows bubble transfer-in and transfer-out operations using a very simple bubble drive circuit.

本発明のコンティギュアスディスク型磁気バブル素子は
磁気バブルを保持し得る立方晶系の磁性材料の111面
を膜面とした磁性薄膜上に選択的にイオン注入を施すこ
とにより〔011〕,〔101〕,〔110〕のいずれ
かの方向に間隙を隔てて周期的かつ直線状に配列された
複数個の凸部を有する非注入領域からなる第1の転送パ
タンのスーパー転送路側エッジ部をメジャー転送路とし
て用い、該メジャー転送路の反対側に位置する第1の転
送パタンの凸部と予め定めた間隙を有する間隔部を介し
てグッド転送路方向に形成された珠数玉状の非注入領域
からなる第2の転送パタンのエッジ部をマイナーループ
転送路として用いるメジャー・マイナー方式の磁気バブ
ル素子において、前記第1の転送パタンに沿って設けら
れた実質的に帯状の導体パタンであって該導体パタンの
両側の2つのエッジのうち、第1のエッジは前記メジャ
ー転送路の近傍に位置し、第2のエッジは前記第1の転
送パタンと前記第2の転送パタンとの間隙部近傍もしく
は前記第2の転送パタンの一部を被うように位置し、か
つ前記第2のエッジには前記第1の転送パタンの配列周
期と等しい周期で切り込みが形成されれている。
The continuous disk type magnetic bubble element of the present invention is produced by selectively implanting ions into a magnetic thin film with the 111 plane of a cubic magnetic material capable of retaining magnetic bubbles. Measure the super transfer path side edge portion of the first transfer pattern consisting of a non-implanted region having a plurality of convex portions arranged periodically and linearly with gaps in either direction [101] or [110]. A bead-shaped non-injected non-injector is used as a transfer path and is formed in the direction of the good transfer path through a convex portion of the first transfer pattern located on the opposite side of the major transfer path and an interval portion having a predetermined gap. In a major/minor type magnetic bubble element that uses an edge portion of a second transfer pattern consisting of a region as a minor loop transfer path, the substantially band-shaped conductor pattern is provided along the first transfer pattern. Of the two edges on both sides of the conductor pattern, the first edge is located near the major transfer path, and the second edge is located near the gap between the first transfer pattern and the second transfer pattern. Alternatively, the notches are located so as to partially cover the second transfer pattern, and the second edge is formed with cuts at a period equal to the arrangement period of the first transfer pattern.

次に、実施例をもとに本発明の原理を説明する。Next, the principle of the present invention will be explained based on examples.

第2図は本発明の第1の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

参照数字25は導体パタン17の第1のエッジ、同数字
26は第2のエッジである。第1の転送パタン1からの
第2の転送パタン2へのトランスファー・ィン動作、及
び第2の転送パタン2から第1の転送パタンへのトラン
スファー・アウト動作は、各々導体パタン17に印加す
る第1の電流パルス及び第2の電流パルスを用いて実現
される。
Reference numeral 25 is the first edge of the conductive pattern 17, and reference numeral 26 is the second edge. The transfer-in operation from the first transfer pattern 1 to the second transfer pattern 2 and the transfer-out operation from the second transfer pattern 2 to the first transfer pattern are performed by applying voltage to the conductor pattern 17, respectively. This is achieved using a first current pulse and a second current pulse.

矢印18は第1及び第2の電流パルスの方向を表わして
いる。第3図は該電流パルスの位相およびパルス幅の一
例を示したものである。
Arrow 18 represents the direction of the first and second current pulses. FIG. 3 shows an example of the phase and pulse width of the current pulse.

第3図では第1の転送パタンの配列方向(〔011〕方
向)を面内回転磁界の1800方向にとつている。トラ
ンスファー・ィン動作は以下のような原理に基づき実現
される。面内回転磁界が矢E030で示される方向のと
き第1の転送パタンのメジャー転送路を転送中のバブル
は第2図の位置9にある。
In FIG. 3, the arrangement direction ([011] direction) of the first transfer pattern is set in the 1800 direction of the in-plane rotating magnetic field. The transfer-in operation is realized based on the following principle. When the in-plane rotating magnetic field is in the direction indicated by arrow E030, the bubble that is being transferred through the major transfer path of the first transfer pattern is at position 9 in FIG.

この位相から矢印34で示される位相範囲で導体パタン
17に第1の電流パルスを印カロすると、第1の電流パ
ルスにより誘起された磁界勾配により、バブルは矢EP
27の向きに駆動力を受ける。矢印33は第1の電流パ
ルスを停止するときの面内回転磁界の方向である。第1
の電流パルスに起因した駆動力と第1の転送パタンのチ
ャージドウオールとの作用によりバブルは位置10およ
び11に順次転送される。この後バブルは第2の転送パ
タンのチャージドウオールにより位置12を経て第2の
転送パタンへ転送されトランスファー・ィン動作が実現
される。一方、トランスファー・アウト動作は以下のよ
うな原理に基づき実現される。
When a first current pulse is applied to the conductor pattern 17 in the phase range shown by the arrow 34 from this phase, the bubble is caused to move in the direction indicated by the arrow EP due to the magnetic field gradient induced by the first current pulse.
It receives driving force in the direction of 27. Arrow 33 is the direction of the in-plane rotating magnetic field when stopping the first current pulse. 1st
The bubble is sequentially transferred to positions 10 and 11 by the action of the driving force caused by the current pulse and the charged wall of the first transfer pattern. Thereafter, the bubble is transferred to the second transfer pattern through position 12 by the charged wall of the second transfer pattern, thereby realizing a transfer-in operation. On the other hand, the transfer out operation is realized based on the following principle.

面内回転磁界が矢印32の方向のときバブルは第2図の
位置2川こある。この位相から矢印34で示される位相
範囲で導体パタン17に第2の電流パルスを印加すると
、第2のエッジ26に設られた切り込み24の周囲に電
流分の局所的な乱れが生じ、位置21が静磁気的なポテ
ンシャルの谷となるような磁界分布が誘起される。この
ためバブルは第2の電流パルスが印加されている間、位
置21に捕捉され続ける。第2の電流パルスが切れたと
き面内回転磁界は矢印33の方向を向いており、このと
き第1の転送パタン1には位置21バブルを引きつける
ようなチャージドウオールが形成されている。したがっ
て以後バブルは面内回転磁界によるこのチャージドウオ
ールの移動にともない位置22を経て〆ジャー転送路へ
転送されトランスファー・アウト動作が実現される。以
上のような本発明の原理によれば面内回転磁界を反転す
ることなく導体パタンに印加する電流パルスだけでトラ
ンスファー・ィン動作及びトランスファー・アウト動作
が行なえ、バブル駆動回路を非常に簡単にすることがで
きる。
When the in-plane rotating magnetic field is in the direction of arrow 32, the bubble is at position 2 in FIG. When a second current pulse is applied to the conductor pattern 17 in the phase range indicated by the arrow 34 from this phase, a local disturbance of the current occurs around the notch 24 provided in the second edge 26, and the current pulse at the position 21 A magnetic field distribution is induced such that is a valley in the magnetostatic potential. The bubble thus remains trapped at position 21 while the second current pulse is applied. When the second current pulse ends, the in-plane rotating magnetic field points in the direction of arrow 33, and at this time, a charged wall is formed in the first transfer pattern 1 that attracts the bubble at position 21. Therefore, as the charged wall moves by the in-plane rotating magnetic field, the bubbles are transferred to the final jar transfer path through the position 22, thereby realizing a transfer-out operation. According to the principle of the present invention as described above, transfer-in and transfer-out operations can be performed only by current pulses applied to the conductor pattern without reversing the in-plane rotating magnetic field, making the bubble drive circuit extremely simple. can do.

第4図は本発明の第2の実施例を示し、位置9から位置
1川こ向かう磁界勾配を強めバブルのトランスファー・
ィンン動作を安定に行なわせるために、第1のエッジ2
5にも切り込み30か設けてある。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention, in which the magnetic field gradient from position 9 to position 1 is strengthened to transfer bubbles.
In order to perform the finning operation stably, the first edge 2
5 also has 30 notches.

第5図は第1及び第2のエッジの切り込みに加えて導体
パタン17に開孔部41を設けた本発明の第3の実施例
を示す。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention in which an opening 41 is provided in the conductive pattern 17 in addition to the notches on the first and second edges.

本実施例において、導体パタン17に矢印18の向きの
第1の電流パルスを印加すると関孔部41の周囲に電流
分布の乱れが生じ位置10が静磁気的なポテンシャルの
谷となるような磁界分布が誘起される。このため、位置
9から位置10へのバブルの転送を非常に安定に行なう
ことができる。第6図は第1の転送パタン42の形状を
変えた本発明の第4の実施例を示す。
In this embodiment, when the first current pulse in the direction of the arrow 18 is applied to the conductor pattern 17, the current distribution is disturbed around the barrier part 41, and a magnetic field is generated such that the position 10 becomes a valley of the magnetostatic potential. distribution is induced. Therefore, the bubble can be transferred from position 9 to position 10 very stably. FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention in which the shape of the first transfer pattern 42 is changed.

第7図は第1の転送パタン43の形状及び第2のエッジ
の切り込み24の形状を変えた本発明の第5の実施例を
示す。
FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention in which the shape of the first transfer pattern 43 and the shape of the notch 24 on the second edge are changed.

第8図は第2のエッジの切り込みの位置を変えることに
より第1、第2、第3、第4及び第5の実施例とは逆極
性の電流パルスによりトランスファー・アウト動作を行
なう本発明の第6の実施例を示す。
FIG. 8 shows an embodiment of the present invention in which the transfer out operation is performed by a current pulse of opposite polarity to that of the first, second, third, fourth and fifth embodiments by changing the position of the notch on the second edge. A sixth example is shown.

本実施例において、第2の転送パタンを転送中のバブル
が位置501こ来たときに導体パタン17に矢印45の
向きの電流パルスを印加するとの*印60で示される位
置が磁気的なポンシャルの山となるような磁界分布が誘
起される。このためバブルは電流パルスが印加されてい
る間、位置501こ停留し続ける。電流パルスが切れた
後は第2図の実施例の場合と同様に第1の転送パタン側
のチャージドウオールにより位置51を経て転送路側へ
のトランスファー・アウト動作が実現される。第9図は
第1の転送パタンーと第2の転送パタン2との相対的な
位置関係を変えた本発明の第7の実施例を示す。
In this embodiment, when the bubble that is transferring the second transfer pattern reaches position 501, a current pulse in the direction of arrow 45 is applied to the conductor pattern 17. This induces a magnetic field distribution that looks like mountains. Therefore, the bubble continues to remain at position 501 while the current pulse is applied. After the current pulse is cut off, the charged wall on the first transfer pattern side realizes the transfer-out operation to the transfer path side via the position 51, as in the embodiment shown in FIG. FIG. 9 shows a seventh embodiment of the present invention in which the relative positional relationship between the first transfer pattern and the second transfer pattern 2 is changed.

本実施例において、トランスファー・ィン動作はバブル
が位置62に来たときに導体パタン17に矢印18の向
きの電流パルスを印加し、その後バブルが位置63に来
たときに矢印45の向きの電流パルスを印加することに
より実現される。トランスファー・アウト動作は第2の
転送パタンを転送中のバブルが位置64に来たときに矢
印45の向きに電流パルスを印加することにより実現さ
れる。以上に述べたように本発明を用いれば回転磁界を
反転することなく導体パタンに印加する電流パルスだけ
でトランスファー・ィン動作及びトランスファー・アウ
ト動作が行なえ、バブル駆動回路を非常に簡単にするこ
とができる。
In this embodiment, the transfer-in operation involves applying a current pulse in the direction of arrow 18 to the conductor pattern 17 when the bubble reaches position 62, and then applying a current pulse in the direction of arrow 45 when the bubble reaches position 63. This is achieved by applying current pulses. The transfer out operation is accomplished by applying a current pulse in the direction of arrow 45 when the bubble transferring the second transfer pattern reaches position 64. As described above, by using the present invention, transfer-in and transfer-out operations can be performed only by current pulses applied to the conductor pattern without reversing the rotating magnetic field, making the bubble drive circuit extremely simple. Can be done.

第1の転送パタン、第2の転送パタン、導体パタンなど
の形状としては第2図、第4図、第5図、第6図、第7
図、第8図に示した実施例以外にも種々の形状のものが
考えられるが第2図及び第3図を用いて説明した如き原
理によりバブルを転送し得る形状のものであればすべて
本発明に含まれることはいうまでもない。
The shapes of the first transfer pattern, second transfer pattern, conductor pattern, etc. are shown in Figures 2, 4, 5, 6, and 7.
Various shapes other than the embodiments shown in Figures 2 and 8 are possible, but all shapes that can transfer bubbles according to the principle explained using Figures 2 and 3 are suitable for use in this book. Needless to say, it is included in the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のトランスファーゲートを示す図である。 1は第1の転送パタン、2は第2の転送パタン、3,4
は第1の転送パタンと第2の転送パタンとの最近接点、
14は最近接点3から最近接点4へ向かって引かれた直
線の方向を示す矢印、13は第1の転送パタンの実質的
な配列方向を示す矢印、5は13及び14の矢印で示さ
れる2つの方向のなす角度、16は磁性薄膜の〔211
〕方を示す矢印、6は導体パタン、7は導体パタンに印
加する電流パルスの方向を示す矢印、15はバイアス磁
界の方向を示す矢印、9,10,11,12はバブルの
転送位置である。第2図及び第3図は本発明の第1の実
施例を示す図である。17は導体パタン、18は導体パ
タン17に印放する電流パルスの方向を示す矢印、25
,26は各々導体パタ17の第1及び第2のエッジ、2
4は第2のエッジに設けられた切り込み、20,21,
22はバブルの転送位置、27はバブルが受ける駆動力
の方向を示す矢印、30,31,32,33は回転磁界
の方向を示す矢印、34,35は電流パルスの印加位相
を示す矢印である。 第4図〜第9図はそれぞれ本発明の第2〜第7の実施例
を示す図である。42,43は第1の転送パタン、40
は第1のエッジに設けられた切り込み、41は導体パタ
ン17に設けられ、開孔、18は電流パルスの方向を示
す矢印、6川ま磁気的なポテンシャルの山の位置、50
,51,63,64はバブルの転送位置である。 オノ図 オ2図 矛3図 オ4図 矛S図 オ6図 オ7図 才8図 牙?図
FIG. 1 is a diagram showing a conventional transfer gate. 1 is the first transfer pattern, 2 is the second transfer pattern, 3, 4
is the closest point between the first transfer pattern and the second transfer pattern,
14 is an arrow indicating the direction of a straight line drawn from the nearest point 3 to the nearest point 4, 13 is an arrow indicating the substantial arrangement direction of the first transfer pattern, and 5 is 2 indicated by arrows 13 and 14. The angle formed by the two directions, 16, is [211
], 6 is the conductor pattern, 7 is the arrow indicating the direction of the current pulse applied to the conductor pattern, 15 is the arrow indicating the direction of the bias magnetic field, 9, 10, 11, 12 are the bubble transfer positions . FIGS. 2 and 3 are diagrams showing a first embodiment of the present invention. 17 is a conductor pattern; 18 is an arrow indicating the direction of the current pulse applied to the conductor pattern 17; 25
, 26 are the first and second edges of the conductor pattern 17, respectively.
4 is a notch provided on the second edge, 20, 21,
22 is the transfer position of the bubble, 27 is an arrow indicating the direction of the driving force received by the bubble, 30, 31, 32, 33 is an arrow indicating the direction of the rotating magnetic field, and 34, 35 is an arrow indicating the application phase of the current pulse. . FIGS. 4 to 9 are diagrams showing second to seventh embodiments of the present invention, respectively. 42 and 43 are first transfer patterns, 40
is a notch provided on the first edge; 41 is an opening provided in the conductor pattern 17; 18 is an arrow indicating the direction of the current pulse;
, 51, 63, and 64 are bubble transfer positions. Ax figure O 2 figure spear 3 figure O 4 figure spear S figure O 6 figure O 7 figure Sai 8 figure tusk? figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁気バブル保持し得る立方晶系の磁性材料の111
を膜面とした磁性薄膜上に選択的にイオン注入を施すこ
とにより〔011〕,〔101〕,〔110〕のいずれ
かの方向に間隙を隔てて周期的かつ直鎖状に配列された
複数個の凸部を有する非注入領域からなる第1の転送パ
タンのスーパー転送路側エツジ部をジヤー転送路として
用い、該メジヤー転送路の反対側に位置する前記第1の
転送パタンの凸部と予め定めた間隔を有する間隔部を介
してグツド転送路方向に形成された珠数玉状の非注入領
域からなる第2の転送パタンのエツジ部をマイナールー
プ転送部として用いるメジヤー・マイナー方式の磁気バ
ブル素子において、前記第1の転送パタンに沿つて設け
られた実質的に帯状の導体パタンであつて、該導体パタ
ンの両側の2つのエツジのうち、第1のエツジは前記メ
ジヤー転送路の近傍に位置し、第2のエツジは前記第1
の転送パタンと前記第2の転送パタンとの間隙部近傍も
しくは前記第2の転送パタンの一部を被うように位置し
、かつ前記第2のエツジには前記第1の転送パタンの配
列周期と等しい周期で切り込みが形成されたことを特徴
とするコンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子。
[Claims] 1. 111 of cubic magnetic material capable of retaining magnetic bubbles
By selectively implanting ions onto a magnetic thin film with a film surface of The edge portion on the super transfer path side of the first transfer pattern consisting of a non-implanted region having convex portions is used as a major transfer path, and the convex portion of the first transfer pattern located on the opposite side of the major transfer path is used in advance. A major-minor type magnetic bubble that uses the edge part of a second transfer pattern consisting of bead-shaped non-injected areas formed in the direction of the positive transfer path through interval parts having predetermined intervals as a minor loop transfer part. In the element, a substantially band-shaped conductor pattern is provided along the first transfer pattern, and among two edges on both sides of the conductor pattern, a first edge is located near the major transfer path. and the second edge is located at the first edge.
The edge is located near the gap between the transfer pattern and the second transfer pattern or so as to cover a part of the second transfer pattern, and the second edge has an arrangement period of the first transfer pattern. A contiguous disk type magnetic bubble element characterized in that notches are formed at a period equal to .
JP57083731A 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element Expired JPS6038794B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083731A JPS6038794B2 (en) 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083731A JPS6038794B2 (en) 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58200490A JPS58200490A (en) 1983-11-22
JPS6038794B2 true JPS6038794B2 (en) 1985-09-03

Family

ID=13810662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57083731A Expired JPS6038794B2 (en) 1982-05-18 1982-05-18 Contiguous disk type magnetic bubble element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6038794B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6230686U (en) * 1985-08-09 1987-02-24

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6230686U (en) * 1985-08-09 1987-02-24

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58200490A (en) 1983-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4086572A (en) Magnetic bubble domain replicator
US4075612A (en) Rounded serrated edge film strip geometry for cross-tie wall memory system
EP0255044B1 (en) Bloch line memory device
EP0011137B1 (en) Manufacture of a magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins
JPS6038794B2 (en) Contiguous disk type magnetic bubble element
US4079461A (en) Gap tolerant bubble domain propagation circuits
EP0044708B1 (en) Magnetic bubble memory device
US4042916A (en) Magnetic bubble track crossover element
JPS6038793B2 (en) Contiguous disk type magnetic bubble element
US4027297A (en) Gapless magnetic bubble propagation path structure
JPS6038795B2 (en) Contiguous disk type magnetic bubble element
US3914751A (en) Gapless multithickness propagation structure for magnetic domain devices
US4070659A (en) Magnetic bubble domain memory chip with major/minor bubble path configuration
US4494216A (en) Magnetic bubble memory device
US4316263A (en) Transfer and replication arrangement for magnetic bubble memory devices
US4914626A (en) Magnetic bubble memory device
US4434476A (en) Magnetic bubble memory device and method for operating the same
EP0101187B1 (en) Magnetic-bubble memory device
JPS5996592A (en) Magnetic storage element
US4791605A (en) Hybrid junction for a magnetic bubble memory
US4424577A (en) Conductorless bubble domain switch
JPS5998373A (en) Magnetic storage element
JP2616906B2 (en) Bloch line memory
US4357682A (en) Conductorless transfer for magnetic bubble memories
US4152776A (en) Magnetic bubble memory circuit with input swap and output replicate gates