JPS6038865B2 - 水洗装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薬品による表面処理等を行なう工程において、
処理後の水洗を行なう水洗装置に関する。

従来、薬品による表面処理は多くの製造業において用い
られているが、半導体装置の製造にも、各種の薬品によ
る基板の表面処理が何回もくり返して行なわれる。

この場合、処理後の水洗は一般に捌け○抑‐１程度の純
水を使用した２段あるいは３段のカスケード水洗である
。カスケード水洗において、上段から中段、下段へと純
水の比抵抗が下がり、上段で捌け○肌−１の比抵抗の場
合、中、下段では５〜１０ＭＱ弧−１になる。

純水の流量が一定の場合、この比抵抗は一定に保たれる
が、汚れあるいは処理液の水洗槽内への持ち込みによる
大きな変化に対しては、同一流量では比抵抗の回復が遅
い欠点を持っている。例えば、２％の弗化水素酸を含む
表面処理液で処理を行なった半導体基板をそのままカス
ケード水洗槽に入れた場合、純水の比抵抗は０．１ＭＱ
仇‐１以下に下がり、流量を情以上に増加しても容易に
元の比抵抗に回復しない。特に基板がアルミニウム等の
活性金属薄膜を有する場合には、水洗槽内においてきわ
めて薄い酸によるエッチング反応が起り、水洗中にアル
ミ等が溶解する。このように従来の水洗装置は水の比抵
抗の回復が遅く、また比抵抗回復には多量の水を必要と
する欠点があつた。本発明は上記欠点を除き、高価な純
水を大量消費する事ないこ短時間で最大の水洗効果を得
る水洗装置を提供するものである。

本発明の水洗装置は、カスケード水洗槽と、前記水洗槽
の排水を一時貯蔵するタンクと、前記貯蔵された排水を
加圧するポンプと、前記加圧された排水をスプレィする
ノズルを上部に備え底部には開閉バルブを備えた大型排
出口を有する水洗槽とを含むことを特徴とする。

本発明によれば水洗時間を短縮し、水洗に要する水量を
最小に押えられる効果がある。

本発明を実施例により説明する。

第１図は本発明の水洗装置の１実施例の断面図、第２図
は、第１図の部分拡大断面図である。

カスケード水洗槽１よりの比抵抗が５〜１００仇‐１の
排純水を落差によりタンク２に貯蔵する。水洗槽３には
最初タンク２の排純水が満たされた状態になっており、
表面処理後の物体、例えば半導体基板８を水洗槽３に入
れると同時に底部のバルブ４が開いて数秒で全排水する
と共に上部のスプレィノズル５よりタンク２の排純水が
ポンプ６により加圧されて基板に噴射される。一定時間
擬純水が噴射された後バルブ４が閉じると共にバイパス
７から排純水が檀内に注入され槽内が排純水で満たされ
、上部よりあふれるとポンプ６が停止する。しかる後に
基板８をカスケード水洗槽１に移し最終水洗を行なえば
水洗が完了する。スプレィの時間は糟の大きさ、基板の
大きさ等により異なるが、大体１〜２分前後で元の排純
水の比抵抗５〜１０ＭＱ弧‐１に回復し、基板をカスケ
ード水洗槽に入れた時にもはやその比抵抗を下げる事は
ない。水洗効果を確認するため、従来方法と本発明の水
洗方法で水洗したものの半導体基板上のアルミニウムの
熔解量を測定したところ、従釆方法では２０００〜４０
００△の厚さ分溶解されるのに対して、本発明の方法で
は２００〜５００Ａ厚さ分と、大幅な向上が認められた
。

また、水洗時間も従来方法の半分程度で良い事も確認さ
れた。上記実施例は半導体基板を水洗する場合について
説明したが、他の物体の水洗にも本発明の水洗装置を使
用できることは勿論である。

以上詳細に説明したように本発明によれば従来より短時
間に効果的な水洗を行なう事ができ、しかも高価な純水
を節約できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の水洗装置の１実施例の断面図、第２図
は第１図の部分拡大断面図である。 １・・・…カスケード水洗槽、２・・・・・・排純水貯
蔵タンク、３・…・・水洗槽、４・・・・・・ドレーン
バルプ、５……スプレイノズル、６…・・・加圧ポンプ
、７・・・・・・バイパス、８・・・・・・半導体基板
。 繁’図 多２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ カスケード水洗槽と、前記水洗槽の排水を一時貯蔵
   するタンクと、前記貯蔵された排水を加圧するポンプと
   、前記加圧された排水をスプレイするノズルを上部に備
   え底部には開閉バルブを備えた大型排出口を有する水洗
   槽とを含むことを特徴とする水洗装置。