JPS6039110B2 - 炭火水素の連続変換法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化水素の変換に関し、特に炭化水素のハイド
ロリホーミング法に関するものである。

本発明はまた、飽和または不飽和ガソリン（例えば熱分
解ガソリン、特にスチーム・クラッキング・ガソリン、
あるいは接触改質ガソリン）から出発するが、あるいは
脱水素により芳香族炭化水素に変換し得るナフテン系炭
化水素から出発して芳香族炭化水素例えばベンゼン、ト
ルヱン及びキシレン（オルト、メタあるいはパラ）を生
成する方法にも関するものである。本法においては、リ
ホーミング反応あるいは芳香族炭化水素生成を行うため
に、少なくとも１基の反応装置あるいは反応帯城、望ま
しくは数基例えば３乃至４基の反応装置あるいは反応帯
城を用いるが、この反応装置は触媒の流動床を包含して
いるものである。

装入物は鞠方向または半径方向（即ち中心より周囲に向
って、あるいは周囲より中心に向って）の流れに従って
、各々の反応装置あるいは反応帯城の中を順次に循環す
る。

反応帯城は、装入物が各反応帯城の間で中間的に加熱さ
れてこれらの反応帯城の各々を順次通過して流れるよう
に、連続して配置してある。新しい触媒は、新しい装入
物を入れる反応帯域の上部に入れる。次いで、触媒はこ
の反応帯域の上から下へ漸次流れて行き、その下部から
あらゆる適当な方法（特にリフト）によって取り出す。
次いで触媒は次の反応帯域の上部に運ばれ、その中を同
じく上から下へ漸次流れて行き、以下同様に最後の反応
帯域まで行き、その下部において触媒は同じく漸次取出
し、次いで再生帯城へ送る。以下に、ユニット図が連続
した３つの接触帯城のあるこの型の配置を示しているが
、この型の配置は例えばフランス特許Ｎｏ．２１６０２
６９に記載するものである。

反応帯城は並べて配置するのが望ましい。各反応帯城か
らの触媒の取出しもこついて、適切な煩度と比率を採用
すれば、反応帯城の作用及び選択度の水準を常に一定に
維持することができる。

各反応帯域からの触媒の取出いま、上に示した如く、「
漸次」行う。

「漸次」なる用語は、触媒は下記のように取出すことが
できる、という意味である。即ち、‘ａ｝ 一度に一部
分例えば触媒の全量の０．５乃至１５％より多〈取出さ
ず、周期的に例えば１／１０乃至１０日目の頻度を以て
行う。

但し、この触媒を一層高い頻度（例えば、分単位あるい
は秒単位で）を以て、取出す量をそれに比例して少なく
して取出すこともまた可能である。｛ｂ）連続して行う
。

これはいまいま好んで用いられる方法である。１つの反
応帯城の下部から他の反応帯城の上部への、また最後の
反応帯城の下部から再生帯城への、さらに再生帯城から
第１反応帯域の上部への触媒の循環は、明細書の後段及
び特許請求の範囲において「リフト」なる語で示す一切
の既知の揚卸装置を用いて実施する。

触媒を送り出すのに用いられるリフトの流体は、如何な
る気体でも（例えば窒素、あるいは水素、特に精製水素
、もしくはまた再循環水素の如きもの）よい。反応帯城
から反応帯域へ、また再生帯城へ向って移動する固体は
、例えば、適宜の担体を有する粒状の触媒であってもよ
い。

この触媒は、例えば、一般には１乃至３柳、望ましくは
、１．５乃至２肌の範囲の直径の球形になっていること
もある。但し、これらの数値は限定的なものではない。
触媒のバラの状態における比重は、一には０．４乃至１
、望ましくは０．５乃至０．９、特に０．６乃至０．８
の間に含まれるものである。但し、これらの数値は限定
的なものはない。本発明による方法が好んで適用される
反応はこの特許出願明細書の冒頭に掲げたものであるが
、明らかに以下の２つのグループに区分することができ
る。

即ち、【１｝ その１つは、１」ホーミング反応である
。

接触ハイドロリホーミング反応の一般的条件は次のりで
ある。即ち、各反応帯城における平均温度は約４８０乃
至６００午０、あるいは５３０乃至６００００の範囲に
あり、圧力約５乃至２０ｋｇ′地の範囲にあり、時速は
触媒１客に対して液体ナフサ０．５乃至１舷客の範囲に
あり、再循環率は装入物１モルに対し水素１乃至１０モ
ルの範囲にある。リホーミング反応の具体例として以下
のものを挙げることができる。

即ち装入物：約６０００乃至約２２０００の範囲で溜出
するナフサ、特に直溜ナフサ。

触媒：触媒はアルミナあるいは等価の化合物の担体に保
持された少なくとも１種の白金族の金属、換言すれば白
金、パラジウム、イリジウム・ルテニウム、オスミウム
の如き貴金属のうちの１種を含んでいる（例：白金−ア
ルミナ−ハロゲン、または白金ーイリジウムーアルミナ
ーハロゲン）。

貴金属の含量は触媒に対し、重量にして０．１乃至２％
、ハロゲン望ましくは塩素あるし・は弗素の含量は０．
１乃至１０％である。アルミナーハロゲンの結合をその
他の担体、例えばシリカーアルミナを以て代えることが
できる。触媒には、元素周期表上の各族にわたって選ん
だ少なくとも１種の金属助触媒を含むこともある。■
他の１つは、飽和もしくは不飽和ガソリンからの芳香族
炭化水素の生成反応である。

袋入物が不飽和である場合、換言すればジオレフィン及
びモノオレフィンを含んでいる場合は、先ず選択水素添
加あるいは全水素添加によってそれらを除去しなければ
ならない。

次いで、装入物がオレフィン類を含んでいる時は、必要
に応じて、水素添加によりそのオレフィンのすべて及び
モノオレフィンを相当程度に除去した装入物は、各反応
帯城において、少なくとも１種の金属、例えば１種の第
血族の貴金属（白金属）及び／または元素周期表から適
宜選んだ少なくとも１種の金属助触媒を含む触媒の存在
下において、約５００乃至６００００範囲の温度、１乃
至６０ｋ９／均の範囲の圧力下において、液体装入物の
１時間あたり容積流量を触媒の容積の０．１乃至１０倍
程度、水素／炭化水素（モル比）を０．５乃至２０程度
として、水素による処理を受ける。ここで用いられる触
媒は二機能触媒である。

即ち酸機能（坦体）と脱水素機能を含んでいる。酸機能
は、ァルミナ、及び塩素及び／または弗素を含むアルミ
ナ、もしくはシリカーアルミナ、シリカーマグネシア、
シリカートリア、アルミナーマグネシア等の酸性化合物
のもたらすものであり、脱水素機能は、例えば白金、ィ
リジウム、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、オスミ
ウム、ニッケル、コバルト、レニウム、タングステン、
硫化モリブデンもし〈は然らミーるモリブデンの如き、
酸性担体の保持する適宜選択した１種または数種の金属
のもたらすものである。触媒の脱水素金属の重量による
含有量は一般には０．０１乃至５％、有利には０．０５
乃至１％、望ましくは約０．１０乃至０．６％の範囲の
ものである。

触媒は、その他にまた、重量にして約１０％までのハロ
ゲンを含んでいてもよい。厳密な意味での触媒の再生は
、一切の既知の方法を以て行うことができる。

好んで行われるのは、｛ａ）触媒を、分子状酸素を含む
気体の力を借りて燃焼せしめること、｛ｂ｝ 分子状酸
素を含む気体及び同時にハロゲン、あるいは、例えばハ
ロゲン化水素酸もしくはハロゲン化アルキルを用いてオ
キシ塩素化すること、（ｃー 分子状酸素を含む気体の
力を借りて最終処理を受けることである。

再生は、触媒から残留酸素ガスのすべての痕跡を除去す
るために、例えば窒素によるパージを伴うものである。

一般に、再生触媒は、第１反応帯城に到達する以前に、
還元、換言すれば、触媒中に存在するある種の酸化物特
に金属酸化物を還元する目的で、水素による処理を受け
るが、この処理は約４５０乃至５６０ＣＯの間で行われ
る。従来の技術においては、流動床の反応帯城において
操作を行う時は、前記の還元は反応装置の上部、即ち反
応装置の内部そのものにおいて行われ、触媒は繊密な流
動床の形で本来の反応帯城より上に位置する第１反応帯
城、即ち還元の行われる第１反応帯城を通って降下して
行く。

還元帯城の加熱は反応装置そのものの加熱法、特に処理
すべき高熱の装入物との間接接触によって確保する。還
元が完了すると、触媒は、依然として流動床の形で、本
来の反応帯城に到達する。同じく一般に、再生触媒は、
本来の反応帯域に到達する以前に、進行中に、触媒の含
むすべての金属が明らかに硫化される如き硫化を受ける
ことが望ましい。

硫化反応は反応装置の頭部、即ち、還元の行われるもの
と同じ反応帯城か、あるいは還元帯域のすぐ下にありか
つその中で触媒はやはり流動床の形で流れる帯城かで行
われる。硫化帯城においては、従来の技術では、還元が
行われるための温度、即ち５００乃至６００ｏｏの範囲
で操作が行われる。その上、還元帯域硫化帯城において
、触媒が、ＩＪホーミング反応あるいは芳香族炭化水素
生成反応のための温度に近い温度であるためには、５０
０乃至６００℃の範囲で操作することが必要である。用
いられる硫化剤は、純硫化水素もしくは炭化水素ガスで
希釈した硫化水素であり、または水素で希釈したジメチ
ルジスルフイドであり、または硫化アルキル、アルキル
メルカブタンの如き他の硫黄化合物の水素で希釈したも
のである。

用いられる圧力は、ＩＪホーミングあるいは芳香族炭化
水素生成の反応装置自身の中を支配する圧力であり、硫
化反応の持続時間は、選択した操作条件に応じ、数分か
ら数印こまで変動する。流動触媒床はこのようにして硫
化帯城を通り、次いでリホーミング反応あるいは芳香族
炭化水素生成反応の行われる反応帯城へ入り込んで行く
。還元反応硫化反応を第１反応帯域の上部で実施する、
従来の技術による方法は各種の重大な難点を示している
。

即ち【ａ｝ 先ず第一に、各反応帯城は極めて大きい熱
的慣性を示すので、例えば、第１反応帯城の上部の温度
を急速に変動させる方法がない。

従って、この事より、還元温度も硫化温度も正確に調節
することが不可能であり、かくて、これらの温度は、実
際上、リホーミング反応あるいは芳香族炭化水素生成反
応の行われる温度と等しくなる。【ｂ’次に、硫化温度
は従って、常に、還元の行われる温度則ち５００００で
あるという結果になる。

しかして、この硫化がより効果的であるためには、即ち
硫黄が触媒の金属に一層よく定着するためには、硫化温
度は４００℃以下であることが望ましい。ところで、理
想的な硫化温度は３００乃至４００ｏｏ、なおより良く
は３２０乃至３７０００、望ましくは３１０乃至３８０
ｑｏであろう。最低温度が５００ｑｏであるというのは
、従って、法外である。｛ｃ｝ また、還元温度は事実
上反応装置自身の温度の規定するところである。

ところで、反応装贋内においては、ＩＪホーミング反応
あるいは芳香族炭化水素生成反応はいまいま５２０午○
以上、さらには５３０午○以上の温度で行われるので、
還元温度は、事実上、４８０乃至５３０ｏ０もしく′は
４８０乃至５２０こ○の範囲であるのが望ましいに、や
はり５２０００（あるいは５３０ｑＣ）以上になってい
る。‘ｄ｝ 終りに、従来の技術の体系においては、安
全条件がなお十分ではない。事実、触媒の再生に続く触
媒の窒素によるパージは、原則として、再生の進行中に
活動した酸素ガスとすべて除去し、かくして反応帯域内
における爆発の危険を避けることを可能にする。しかし
ながら、高圧あるいは偶然的な漏れの如き不定の原因で
、この爆発が突発すれば、それは直ちに硫化帯城及びリ
ホーミング及び芳香族炭化水素生成の反応帯城に拡大す
るであろう。何故ならば、還元反応、硫化反応の各帯域
は、第１反応装置の頭部に配置されて、互に近接してい
るからである。本発明による本方法はこれらの不都合を
克服するものである。本方法においては、還元帯城及び
硫化帯城は、一方においては、互に別々に区分されてお
り、他方においては、第１反応装置の外部に置かれてい
る。次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

なお、第１図および第２図においては、それぞれ３基の
反応装置を用いる。実施例 １ 第１図において、まず装入物は導管１、炉２、流路３及
び４を通って第１反応装置２９に導かれる。

第１反応装置２９からの流出液は導管３０１こよって取
出され、炉３７及び導管３８を通って、第２反応装置４
２へ送られる。第２反応装置４２からの流出液は導管４
３によって取出され、炉５０及び導管５１を通って、第
３反応装置５５へ送られる。第３反応装置５５からの流
出液は導管５６によって取出される。新しい触媒は、ユ
ニットの始動に際して、第１図に示していない導管によ
って第１反応装置２９に導入される。再生触媒は導管あ
るいはリフト１９ならびに複数の導管２７，２８につて
第１反応装置２９に入り込む。触媒は一方においては導
管２７，２８を、他方においては第１反応装置９内を、
流動床として進んで行く。触媒は、第１反応装置９から
複数の導管３１，３２ならぴに触媒をリフト・ポット３
４へ達させる導管３によって取出される。

この取出し‘ま、一切の適当なゲート弁方式によって周
期的になされるか、またはさらに良い方法としては、ゲ
ート弁方式を用いず、連続してなされる。そして触媒の
流量の調節は、リフト・ポット３４の高さにおいて、図
には示していない導管によって注入される純水素あるい
はユニットの生成した水素の力を借りる古典的な手段で
確保される。反応流出液の一部が触媒粒子とともに運び
去られるのを阻止するために、ユニットのガス流量を適
量にして送る。

次いで、触媒は、本明細書においては「リフト」なる語
を以て指す一切の既知の錫卸装置によって、リフト・ポ
ット３４から第２反応装置４２に向って運ばれる。リフ
ト３６の流体は、導管３５から入れる再循環水素あるい
はユニットの生成した水素であればよい。このようにし
てリフト３６に運ばれた触媒は、受器３９に到達し、そ
こから複数の導管４０，４１によって、第２反応装置４
２に到達する。

ここで受器３９ならびに導管４０，４１は、場合によっ
ては第２反応装置４２の一部を成すこともある。触媒は
、流動床として第２反応装置４２を通り、第１反応装置
２９についての如く、複数の導管４４，４５によって、
第２反応装置４２から取出され、導管４６によってリフ
ト・ポット４７に到達する。例えば、導管４８を通って
来る再循環水素あるいはユニットの水素の供給を受ける
リフト４９によって、触媒は受器５２に達し、そこから
複数の導管５３，５４によって、流動床の第３反応装置
５５に達する。触媒は、第１及び第２反応装置２９，４
２についてと同様に、複数の導管５７，５８によって第
３反応装置５５から取出される。この使用済触媒は導管
９によってリフト・ポット６０‘こ到達する。次いで、
この使用済触媒は、例えば導管６１によってリフト・ポ
ット６０に送り込まれる再循環水素の供給を受けるリフ
ト６を用いて、「アキユミユレーター・デカンター」フ
ラスコ７に送る。使用済触媒は、ゲート弁システム８及
び導管９を通って再生帯域１０‘こ到達する。触媒の再
生が完了し、再生触媒のパージを行って分子状酸素を除
去した後（再生及びパージに必要な種々の供給用導管は
常套的なものであるので、図には示してない）、この再
生触媒を流路１１，１３ならびにゲート弁システム１２
を通して受けフラスコ１５に送る。その中では、場合に
よっては、受けフラスコ１５内においてリフト・ポット
１７に対し軽度の高圧を維持する目的で、導管１４を通
して送り込まれる純水素気流によって前記再生触媒を一
掃する。従って、導管１６によってフラスコ１５から取
出した触媒は、リフト・ポット１７に達し、そこから導
管１８により送り込まれる純水素により第１反応装置２
９の上部におかれている還元帯城２０に向うリフト１９
に運ばれる。還元帯城２０は、リフト１９の純水素が還
元を引受けるのに十分でない場合には、必要に応じて、
導管２１により送り込まれる水素の供給を受ける。還元
帯域２０は、導管５及び導管２２を介して、袋入物の一
部との間接接触によって加熱される。しかして、装入物
のこの分流部分は、このようにして還元帯城２０の加熱
に用いられた後、一般には、次いで２基の反応装置４２
あるいは５５のいずれか一方に直接送られる。また、こ
の熱は、流路５６から出て来る第３反応装置５５からの
流出液の少なくとも一部を同様の方式で分流させてもな
される。このように導管５に向って分流した装入物ある
いは流出液の一部は、導管１の当初の装入物の全量ある
いは導管５６の当初の流出液の全量の１乃至５重量％に
なっておればよい。

触媒は、還元帯城２０の中を、流動床として流れる。次
いで、触媒は、複数の導管２７，２８によって、還元帯
城２０から取出されるが、これらの導管の中でもまた、
触媒は流動床として流れる。硫黄化合物、また場合によ
っては、キヤリヤー・ガスとして用いられる純水素の力
を借りて触媒の硫化のなされるのは、導管または脚２７
，２８の中においてである。この合流ガス導管２４，２
５及び２６によって導管２７，２８内に導かれる。導管
または脚２７，２８の中においては、ガスの乱流が甚だ
強く、かくして順調な硫化反応を確保できる。導管２７
，２８は、一般に、触媒、合流ガスならびに導管１８，
１９，２１の水素の過剰分で一杯になっているので、過
剰の純水素を離脱導管２３によって排出することが必要
になることがある。その後再生触媒は、還元され硫化さ
れて導管２７，２８を通って第１反応装置２９に入り込
む。実施例 ２ 第２図においては、再生帯城は還元帯城及び硫化帯城よ
り上部に配置されている。

この重層配置は、特に反応装置が適度の大きさのもので
ある時に好ましい。同図において、装入物は導管１、炉
２、流路３，４を通って第１反応装置２９に導かれる。

第１反応装置２９よりの流出液は導管３０‘こよって取
出され、炉３７及び導管３８を通って、第２反応装置４
２からの流出液は導管４３によって取出され、炉５０及
び導管５１を通って、第３反応装置５５へ送られる。第
３反応装置５５からの流出液は導管５６によって取出さ
れる。新しい触媒は、ユニットの始動に際し、図には示
していない導管によって、第１反応装置２９に入れられ
る。再生触媒は、複数の導管２７，２８によって第１反
応装置２９に入り込む。触媒は、一方においては導管２
７，２８の中を、また他方においては第１反応装置２９
の中を、それぞれ流動床として進んで行く。

触媒は、第１反応装置２９から複数の導管３１，３２及
び触媒をリフト・ポット３４に到達させる導管３３によ
って取出される。

この取出しは、一切の適当なゲート弁方式によって周期
的になされるか、またはさらに良い方法としては、ゲー
ト弁方式を用いず、連続してなされる。そして触媒の流
量の調節は、図２に示していない導管によって注入する
純水素あるいはユニットの生成する水素力を借りる古典
的な手段によって確保される。反応流出液の一部が触媒
粒子とともに運び去られるのを阻止するために、ユニッ
トのガス流量を適量にして送る。

次いで、触媒は、本明細書においては「リフト」なる語
を以て指す一切の既知の揚卸装置によって、リフト・ポ
ット３４から第２反応装置４２に向って運ばれる。リフ
ト・ポット３６の流体は、導管３５から入れる再循環水
素あるいはユニットの生成した水素であればよい。この
ようにしてリフト３６に運ばれた触媒は受器３９に到達
し、そこから、複数の導管４０，４１によって、第２反
応装置４２に到達する。ここで受器３９ならびに導管４
０，４１は、場合によっては第２反応装置４２の一部を
成していることもある。触媒は、流動床として第２反応
装置４２を通り、第１反応装置２９についての如く、複
数の導管４４，４５によって、第２反応装置４２から取
出され、導管４６によってリフト・ポット４７に到達す
る。例えば、導管４８を通って来る再循環水素あるいは
ユニットの水素の供給を受けるリフト４９によって、触
媒は受器５２に達し、そこから複数の導管５３，５４に
よって、流動床の第３反応装置５５に達する。触媒は、
第１及び第２反応装置２９，４２についてと同様に、複
数の導管５７，５８によって第３反応装置５５から取出
される。この使用済触媒は導管５９によってリフト・ポ
ット６０‘こ到達する。次いで、この使用済触媒は、例
えば導管６１によってリフト・ポット６０に送り込まれ
る再循環水素の供給を受けるリフト６に用いて、第１反
応装置２９より上部に置かれた「アキユミユレーター・
デカンタ−」フラスコ７に送る。使用済触媒は、ゲート
弁システム８及び導管９を通って再生帯城１０‘こ到達
する。触媒の再生が完了し、再生触媒のパージを行って
分子内酸素を除去した後（再生及びパージに必要な種々
の供給用導管は常套的なものであるので、図には示して
ない）、この再生触媒を流路１１，１３、ならびにゲー
ト弁システム１２を通して受けフラスコ１５に送る。そ
の中では、場合によっては、フラスコ１５内で、還元帯
城２川こ対して軽度の高圧を保つ目的で、導管１４を通
って送り込まれる純水素気流によって前記再生触媒を一
掃する。場合によっては、受けフラスコ１５は還元帯城
２０の頭部に直接配置することもできる。

こうしてフラスコ１５から導管１６によってまた場合に
よってはゲート弁システム１７及び導管１８によって取
出された触媒は、再生帯域１０より下部でかつ第１反応
装置２９より上部に位置する還元帯域２０に到達する。
還元帯城２川ま、導管２１によって送り込まれる純水素
の供給を受ける。還元帯域２川ま、導管５，２２を介し
て装入物の一部との間接接触によって、あるいは導管５
６からの流出液の一部によって加熱される。触媒は還元
帯城２０の中を流動床として流れる。次いで、触媒は還
元帯域２０から複数の導管２７，２８によって取出され
るが、これらの導管の中でもまた、触煤は流動床として
流れる。硫黄化合物、また場合によっては、キヤリヤー
・ガスとして用いられる純水素の力を借りて、触媒の硫
化がなされるのは、導管または脚２７，２８においてで
ある。この硫黄化合物は、導管２４，２５及び２６によ
り、導管２７，２８に導かれる。導管または脚２７，２
８の中では、ガスの乱流が極めて強く、かくして、順調
な硫化反応が確保される。導管２７，２８は、一般に、
触媒、硫黄化合物及び純水素で一杯の状態であるので、
離脱導管２３によって過剰の純水素を排出するとが必要
になることがある。再生触媒は、還元され、硫化されて
、それから、導管２７及び２８によって、第１反応装置
２９に入り込む。本発明による本方法は、かくて、従前
の技術の方法の有していなかった種々の利点を示してい
る。

第１図及び第２図の還元帯城２０及び硫化帯城たる導管
２７，２８の加熱方式は第１反応装置２９の加熱方式と
全く無関係である。これらの２つの帯城においては、熱
的慣性はもはや存在せず、例えば、装入物の一部の分流
（第１図及び第２図の導管５）の力を借り還元温度を、
第１図及び第２図の導管２４と導管２７，２８の力を借
りて硫化温度を、希望する値に容易に調節することがで
きる。特に、還元温度を、一般には４８０乃至５２０ｑ
ｏあるいは４８０乃至５３０ｏ０の間に含まれる最適温
度に調節することができる。同様に、従前の技術の方法
においては、硫化帯城が２つの高温の帯城の間に含めら
れているので、この帯城の温度を低下させることは不可
能であった。

これに対し、この発明では、温度を低下させるには、硫
化反応の生起している導管２７，２８を適宜伝熱性にす
れば十分であり、かくして硫化帯城たる導管２７，２８
は還元帯城２０１きと、高温でなくなるのであるから、
硫化を３００乃至４００℃、望ましくは３１０乃至３８
０００、例えば３２０乃至３７０℃で実施することが可
能になっている。導管２４の温度を利用して、硫化温度
の制御を助けることもまた可能である。

また、この方法においては、酸素の除去を行ったのに拘
らずもし再生触媒の中に酸素の痕跡が残存していて還元
帯域内に爆発を惹き起したとしても、この爆発が、還元
帯域２０から十分に隔てられている反応装置２９そのも
のに拡がることは先ずあり得ない。

同様に、必要の際は、還元帯城２０あるいは硫化帯域た
る導管２７，２８内における加熱をカットオフするのは
容易であるが、これは、これらの２つの帯城が第１反応
装置２９の頭部に取付鉄けてある時は不可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はいずれも本発明の実施例を示す管
系統図である。 第２図 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 触媒の存在下における炭化水素の連続変換法であつ
   て、炭化水素及び水素より成る当初の装入物を、少なく
   とも１基の流動床型反応帯域に循環せしめ、触媒は前記
   反応帯域の上部から下部へ漸次流れて、流動床として前
   記反応帯域を通して循環し、次いで触媒を反応帯域の下
   部から漸次取出し、再生帯域に送る方法において、（ａ
   ） 再生触媒が、反応帯域は区別されておりかつ水素の
   供給を受けかつ前記装入物あるいは反応流出液の一部に
   よつて加熱される還元帯域に送られ、該還元帯域は４８
   ０乃至５３０℃の範囲の温度において作動すること、及
   び（ｂ） 再生され還元された触媒は、還元帯域及び反
   応帯域とは区別されている硫化帯域を形成する複数の導
   管を通つて、還元帯域から反応帯域の上部に向つて送ら
   れ、その導管内で、再生され還元された触媒は流動床と
   して循環し、同じくその導管内で前記の再生され還元さ
   れた触媒は、硫黄化合物を含む気体によつて、還元温度
   ならびに反応温度以下の３００乃至４００℃の範囲の温
   度において硫化を受けることを特徴とする方法。 ２ 反応帯域の温度が４８０乃至６００℃の範囲にあり
   、炭化水素のハイドロリホーミングを行う特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３ 前記温度が５３０乃至６００℃の範囲にある特許請
   求の範囲第２項記載の方法。 ４ 反応帯域の温度が５３０乃至６００℃の範囲であり
   、芳香族炭化水素の製造を行う特許請求の範囲第１項記
   載の方法。 ５ 硫化温度が３１０乃至３８０℃の範囲にある特許請
   求の範囲第１項記載の方法。 ６ 還元帯域の加熱に用いられた装入物あるいは反応流
   出液の一部が、当初の装入物全量あるいは反応流出液の
   約１乃至５重量％である特許請求の範囲第１項記載の方
   法。 ７ 硫黄化合物が硫化水素あるいはジメチルジスルフイ
   ドである特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８ 硫黄化合物が純水素気流によつて運ばれる特許請求
   の範囲第１項記載の方法。 ９ 触媒が反応帯域から再生帯域に向つて連続して取出
   される特許請求の範囲第１〜８項のうちいずれか１項記
   載の方法。 １０ 特許請求の範囲第２〜８項のうちいずれか１項記
   載の方法であつて、連続して配置され明らかに垂直の並
   べて配置された少なくとも２基の反応帯域であつて、こ
   れらの反応帯域の各々が流動床型であるものを通して、
   装入物を循環させ、装入物は各反応帯域内を順次循環し
   、触媒もまた流動床として反応帯域の各々の上から下へ
   と漸次流れて、各反応帯域を通つて順次循環し、触媒は
   装入物の通過した最後の反応帯域の下部から漸次取出さ
   れ、再生帯域に送られる方法において、再生触媒を第１
   反応帯域に送り返す以前に、（ａ） この再生触媒は、
   純水素の供給を受け前記装入物あるいは反応流出液の一
   部によつて加熱される第１反応帯域とは区別されている
   還元帯域に送られ、還元帯域４８０乃至５３０℃の範囲
   にある温度において作動するものであること、及び（ｂ
   ） 再生され還元された触媒は、還元帯域及び反応帯域
   とは区別されている硫化帯域を形成する複数の導管を通
   つて、還元帯域から、装入物の通過した第１反応帯域の
   上部に向つて送られ、その導管内で再生され還元された
   触媒は流動床として循環し、同じくその導管内で前記の
   再生され還元された触媒は、硫黄化合物を含む気体によ
   つて、還元温度ならびに反応温度以下の、３００乃至４
   ００℃の範囲の温度において硫化を受けることを特徴と
   する方法。 １１ 触媒が各反応帯域から連続して取出される特許請
   求の範囲第１０項記載の方法。 １２ 第１反応帯域の温度が５３０乃至６００℃の範囲
   にあり、炭化水素のハイドロリホーミングを行う特許請
   求の範囲第１０項記載の方法。 １３ 第１反応帯域の温度が５３０乃至６００℃の範囲
   にあり、芳香族炭化水素の製造を行う特許請求の範囲第
   １０項記載の方法。 １４ 再生帯域から取出した触媒が還元帯域次いで硫化
   帯域に順次導かれることを可能にする再上昇の方法とし
   て、再生帯域が反応帯域と並んで配置され、前記還元帯
   域および硫化帯域自身が、再生され還元され次いで硫化
   された触媒が入れられる反応帯域より上方に位置してい
   る特許請求の範囲第１〜１３項のうちいずれか１項記載
   の方法。 １５ 再生帯域が還元帯域及び硫化帯域より上方に配置
   され、前記還元帯域及び硫化帯域自身が、再生され還元
   され次いで硫化された触媒が入れられる反応帯域より上
   方に位置している特許請求の範囲第１〜１３項のうちい
   ずれか１項記載の方法。