JPS604609B2 - Ｆｍ変調器 - Google Patents
Ｆｍ変調器Info
- Publication number
- JPS604609B2 JPS604609B2 JP17759281A JP17759281A JPS604609B2 JP S604609 B2 JPS604609 B2 JP S604609B2 JP 17759281 A JP17759281 A JP 17759281A JP 17759281 A JP17759281 A JP 17759281A JP S604609 B2 JPS604609 B2 JP S604609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- variable capacitance
- diode
- capacitance diode
- modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
- H03C3/222—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode using bipolar transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発振周波数の基本波と高周波の振幅の比と位
相を制御して変調特性を直線化するとともに、温度によ
る変調特性の変化を補償したＦＭ変調器に関するもので
ある。
相を制御して変調特性を直線化するとともに、温度によ
る変調特性の変化を補償したＦＭ変調器に関するもので
ある。
可変容量ダイオードを用いたＦＭ変調器において、その
変調器の入力電圧対発振周波数の変移の直線性（以下変
調器の直線性という）は、可変容量ダイオードの電圧対
容量特性に支配されている。
変調器の入力電圧対発振周波数の変移の直線性（以下変
調器の直線性という）は、可変容量ダイオードの電圧対
容量特性に支配されている。
いま可変容量ダイオードの電圧対容量特性をＣ＝Ｃ。Ｖ
。‐ｎ ‘１１ここに
Ｖｏ：動作電圧Ｃｏ：動作点の容量 ｎ：動作点の容量変化率 で表わすと、この可変容量ダイオードを変調器の共振回
路の１部に使用したとき、その発振周波数ｆは１
【２｝ ｆ＝宏力云 ここにＬ：共振回路のインダクタンス 式‘１１，■より ｆ＝点Ｖ。
。‐ｎ ‘１１ここに
Ｖｏ：動作電圧Ｃｏ：動作点の容量 ｎ：動作点の容量変化率 で表わすと、この可変容量ダイオードを変調器の共振回
路の１部に使用したとき、その発振周波数ｆは１
【２｝ ｆ＝宏力云 ここにＬ：共振回路のインダクタンス 式‘１１，■より ｆ＝点Ｖ。
蓑 ‘３’となり、ｎ＝２の条件を満たす範囲が広い程
、変調器の直線性は広帯域となる。
、変調器の直線性は広帯域となる。
しかし従来この可変容量ダイオードを変調器に実装した
場合、変調器の直線曲ま、上式に示すように可変容量ダ
イオードの動作電圧Ｖｏ、動作点容量Ｃｏおよび動作点
の容量変化率ｎにより影響をうけ、ｎ＝２を広帯域に亘
って満足させることはダイオード製作上困難であり、ま
たダイオード製作上の特性の不均一性があるため、大容
量ＦＭ変調器として使用するには、動作電圧の範囲を制
限するとか所要の発振周波数帯城に対し容量補償を行な
う等の方法が探られているが、いずれも広帯域に亘つて
行なうことは回路が複雑となり困難であった。これに対
し原発明である特許第１０１３７５８号では、前記変調
器の発振回路に発振周波数の高調波を発生する手段と、
該発振周波数の基本波と高調波の振幅の比と位相を変化
する手段を具え、該発振周波数の変移に対応して、該発
振周波数の基本波と高周波の振幅の比と位相を、共振回
路の１部に設けられた可変容量ダイオードの容量変化率
が２となるように制御して該基本波と高調波を該可変容
量ダィオード‘こ加えて、広帯域に亘る直線性を得るＦ
Ｍ変調器を提供している。
場合、変調器の直線曲ま、上式に示すように可変容量ダ
イオードの動作電圧Ｖｏ、動作点容量Ｃｏおよび動作点
の容量変化率ｎにより影響をうけ、ｎ＝２を広帯域に亘
って満足させることはダイオード製作上困難であり、ま
たダイオード製作上の特性の不均一性があるため、大容
量ＦＭ変調器として使用するには、動作電圧の範囲を制
限するとか所要の発振周波数帯城に対し容量補償を行な
う等の方法が探られているが、いずれも広帯域に亘つて
行なうことは回路が複雑となり困難であった。これに対
し原発明である特許第１０１３７５８号では、前記変調
器の発振回路に発振周波数の高調波を発生する手段と、
該発振周波数の基本波と高調波の振幅の比と位相を変化
する手段を具え、該発振周波数の変移に対応して、該発
振周波数の基本波と高周波の振幅の比と位相を、共振回
路の１部に設けられた可変容量ダイオードの容量変化率
が２となるように制御して該基本波と高調波を該可変容
量ダィオード‘こ加えて、広帯域に亘る直線性を得るＦ
Ｍ変調器を提供している。
第１図は原発明のＦＭ変調器の構成を示す説明図である
。
。
第１図はハートレー形発振器の共振回路のキャパシタン
スを可変容量ダイオードとし、その動作電圧として変調
入力を与えたＦＭ変調器である。
スを可変容量ダイオードとし、その動作電圧として変調
入力を与えたＦＭ変調器である。
すなわち、トランジスタ２の電源（十１０Ｖ）を供給し
たコレクタとべ‐ス間に、コンデンサ７と接地を介して
可変容量ダイオード３とコンデンサ４の直列回路とィン
ダクタンス６の並列共振回路を接続し、このィンダクタ
ンス６を介してバイアス（一１０Ｖ）を供給したェミッ
タに帰還させ、可変容量ダイオード３とコンデンサ４の
間に変調入力１を入れ、可変容量ダイオード３の電圧対
容量特性によりＦＭ変調を行なう。以上の従来のＦＭ変
調器の構成に対し、原発明の変調器は、ブロックで示す
ように共振回路に並列に高調波発生器８を挿入し、変調
入力１を分岐し直流増幅器９を経て高調波発生器８を制
御する。
たコレクタとべ‐ス間に、コンデンサ７と接地を介して
可変容量ダイオード３とコンデンサ４の直列回路とィン
ダクタンス６の並列共振回路を接続し、このィンダクタ
ンス６を介してバイアス（一１０Ｖ）を供給したェミッ
タに帰還させ、可変容量ダイオード３とコンデンサ４の
間に変調入力１を入れ、可変容量ダイオード３の電圧対
容量特性によりＦＭ変調を行なう。以上の従来のＦＭ変
調器の構成に対し、原発明の変調器は、ブロックで示す
ように共振回路に並列に高調波発生器８を挿入し、変調
入力１を分岐し直流増幅器９を経て高調波発生器８を制
御する。
さらにィンダクタンス６からェミツタへの帰還回路に振
幅制御回路１０を挿入するとともに、ヱミッタのバイア
ス電源回路にェミツタ電流制御回路１１を挿入する。こ
のような構成により、変調入力１より分岐した直流増幅
器９の出力レベルにより、高調波発生器８の発生するた
とえば第２次高調波成分の振幅と正負の位相を制御し、
これをィンダクタンス６を介して振幅制御回路１０１こ
送り、一方ェミッタ電流制御回路１１により発振周波数
の振幅を制御し、前記振幅制御回路１０‘こおいてさら
に基本波に対する高調波の振幅の比を制御することによ
り、広帯域に亘る直線性を確保することができるもので
ある。
幅制御回路１０を挿入するとともに、ヱミッタのバイア
ス電源回路にェミツタ電流制御回路１１を挿入する。こ
のような構成により、変調入力１より分岐した直流増幅
器９の出力レベルにより、高調波発生器８の発生するた
とえば第２次高調波成分の振幅と正負の位相を制御し、
これをィンダクタンス６を介して振幅制御回路１０１こ
送り、一方ェミッタ電流制御回路１１により発振周波数
の振幅を制御し、前記振幅制御回路１０‘こおいてさら
に基本波に対する高調波の振幅の比を制御することによ
り、広帯域に亘る直線性を確保することができるもので
ある。
以上の原発明のＦＭ変調器においては、可変容量ダイオ
ード３の容量は変調入力電圧により変化するものとし、
温度に対する補償が行なわれていない。
ード３の容量は変調入力電圧により変化するものとし、
温度に対する補償が行なわれていない。
実際には第２図に示すように変調特性は周囲温度により
大幅に変化する。同図は横軸に周波数、たとえば１４の
ＭＨＺ士２０ＭＨＺにとり、縦軸に変調特性を傭分特性
で表示したもので、温度の変化をパラメータとして低温
時−５００、常温時＋２５℃、高温時＋５５ｑｏをプロ
ットしたものである。すなわち原発明における高調波成
分による改善を施した結果、２５０Ｃ付近においてはほ
ぼ平坦な特性を示すのに対し、一５℃では１２０ＭＨＺ
付近の微分利得は高くなり傾斜は下降特性を示し、逆に
十５５午○では１２０ＭＨｚ付近の微分利得は低下する
が傾斜は上昇得性に転ずる。この変調器の温度による変
調特性の直線性の劣化は「可変容量ダイオードたとえば
バラクタの温度特性が支配的である。すなわち低温では
バラクタのＱの増加による発振振幅の増大によるもので
あり、高温ではそのＱの低下による発振振幅の低下によ
るものである。本発明の目的は基本波と高調波の振幅の
比と位相を制御して変調特性を直線化するとともに、温
度による変調特性を補償したＦＭ変調器を提供すること
である。前記目的を達成するため、本発明のＦＭ変調器
は、発振回路の共振回路の１部に可変容量ダイオードを
設け該可変容量ダイオードの容量を外部電圧により変化
させ発振周波数を変移させるＦＭ変調器において、前記
発振回路の共振回路を含む帰還ループ内に前記発振周波
数の高調波を発生する高調波発生器と該基本波と高調波
の振幅の比と位相を制御する振幅制御回路を具え、前記
発振周波数の基本波と高調波の振幅の比と位相を前記可
変容量ダイオードの容量変化率が２となるように制御し
て該基本波と高調波を前記可変容量ダイオードに加える
とともに、前記振幅制御回路が温度により変化するバイ
アス電圧によりそれぞれ動作するダイオードと可変容量
ダイオードより成る温度補償部を具えたことを特徴とす
るものである。
大幅に変化する。同図は横軸に周波数、たとえば１４の
ＭＨＺ士２０ＭＨＺにとり、縦軸に変調特性を傭分特性
で表示したもので、温度の変化をパラメータとして低温
時−５００、常温時＋２５℃、高温時＋５５ｑｏをプロ
ットしたものである。すなわち原発明における高調波成
分による改善を施した結果、２５０Ｃ付近においてはほ
ぼ平坦な特性を示すのに対し、一５℃では１２０ＭＨＺ
付近の微分利得は高くなり傾斜は下降特性を示し、逆に
十５５午○では１２０ＭＨｚ付近の微分利得は低下する
が傾斜は上昇得性に転ずる。この変調器の温度による変
調特性の直線性の劣化は「可変容量ダイオードたとえば
バラクタの温度特性が支配的である。すなわち低温では
バラクタのＱの増加による発振振幅の増大によるもので
あり、高温ではそのＱの低下による発振振幅の低下によ
るものである。本発明の目的は基本波と高調波の振幅の
比と位相を制御して変調特性を直線化するとともに、温
度による変調特性を補償したＦＭ変調器を提供すること
である。前記目的を達成するため、本発明のＦＭ変調器
は、発振回路の共振回路の１部に可変容量ダイオードを
設け該可変容量ダイオードの容量を外部電圧により変化
させ発振周波数を変移させるＦＭ変調器において、前記
発振回路の共振回路を含む帰還ループ内に前記発振周波
数の高調波を発生する高調波発生器と該基本波と高調波
の振幅の比と位相を制御する振幅制御回路を具え、前記
発振周波数の基本波と高調波の振幅の比と位相を前記可
変容量ダイオードの容量変化率が２となるように制御し
て該基本波と高調波を前記可変容量ダイオードに加える
とともに、前記振幅制御回路が温度により変化するバイ
アス電圧によりそれぞれ動作するダイオードと可変容量
ダイオードより成る温度補償部を具えたことを特徴とす
るものである。
以下本発明の原理と実施例につき詳述する。いま、可変
容量ダイオードの電圧対容量特性が｛１）式で表される
ものとし、この関係式をバラクタの動作点電圧Ｖｏから
の変位電圧ｖによって多項式で表示するとＣ＝Ｃ。
容量ダイオードの電圧対容量特性が｛１）式で表される
ものとし、この関係式をバラクタの動作点電圧Ｖｏから
の変位電圧ｖによって多項式で表示するとＣ＝Ｃ。
（Ｖ。十ｖ）一ｏ＝Ｃｏｗ−ｎ＋ＯＷ−ｎ−１（−ｎ〉
Ｖ＋Ｃｏｗ−。
Ｖ＋Ｃｏｗ−。
‐２ｎ（ｎ＋，）Ｖ２２！十‐‐‐‐‐‐＋ＣＯＷ−ｎ
−ｋ（−・）ｋ（ｎ苛ｋ）！Ｖｋ（４）ｋ！となる。
−ｋ（−・）ｋ（ｎ苛ｋ）！Ｖｋ（４）ｋ！となる。
この変容量ダイオードにｖなる変位電圧が印加されたと
き流れる電流ｉはｉ＝誌（ＶＣ） 【５１ 容量Ｃが一定、ｖ＝ａ，ｃｏｓのｔであるときは電流ｉ
はｉ＝−Ｃａ，■ｓｉｎｗｔ
側（Ｃ一定）容量値は Ｃ＝−」−
′ｄｔとなる。
き流れる電流ｉはｉ＝誌（ＶＣ） 【５１ 容量Ｃが一定、ｖ＝ａ，ｃｏｓのｔであるときは電流ｉ
はｉ＝−Ｃａ，■ｓｉｎｗｔ
側（Ｃ一定）容量値は Ｃ＝−」−
′ｄｔとなる。
次に容量Ｃが一定でない場合は式■を式【５｝‘こ代入
し※ｉ＝群（Ｃ十Ｖ砦）‘７｝ ｉ＝群ｋ≧。
し※ｉ＝群（Ｃ十Ｖ砦）‘７｝ ｉ＝群ｋ≧。
Ｃ。Ｖ。−ｎ−ｋ（−州ｎ−１十ｋ）！比！ ）（ｎ−
１）！（１十ｋ）ｖｋ 側 式｛６｝′より Ｃ＝卓。
１）！（１十ｋ）ｖｋ 側 式｛６｝′より Ｃ＝卓。
机‐ｎ−ｋｕ小１十ｋ）！水！ ）（ｎ−１）ｋ
（１十ｋ）ｖｋ （９ｒ
変位電圧ｖが高調波を含み
ｑ
ｖ＝ｐ≧ｌａｐｃｏｓｐのｔ ‘１０
ここにａｐこＰ次高調波振幅
であるときの電流は式皿を式‘９｝に代入すれば得られ
る。
る。
いま、簡単に式■を２次高調波までを考慮してＶニａｌ
■Ｓのｔ＋ａ２ＣＯＳ２のｔ （１１）とし
たときの電流を計算すると‘９’式より−Ｉ；６；＝を
（Ｓｉｎのｔ）Ｘ〔１−Ｍ２Ｖ。
■Ｓのｔ＋ａ２ＣＯＳ２のｔ （１１）とし
たときの電流を計算すると‘９’式より−Ｉ；６；＝を
（Ｓｉｎのｔ）Ｘ〔１−Ｍ２Ｖ。
→十善くａ亭＋冴室）Ｖ。｝ｎ（ｎ十１）−壱（傘亭ａ
２十粉茎）Ｖ。ぷｎ（ｎ＋１）（ｎ＋２）〕十２（Ｓｉ
ｎのｔ）Ｘ〔ａ２一芸・ａ≧‐Ｖ。」ｎ＋善（２≧を十
ａ墓）Ｖ。ゼｎ（ｎ＋１）−宏雌十泌≧）Ｖ。−３ｎく
ｎ＋１）（ｎ＋２）〕十３Ｇｉｎのｔ）Ｘ〔−ａ・もＶ
。一ｎ＋さ（ａ葦十粉．ａ参）Ｖ。）ｎ（ｎ＋．）−量
（ａを２十をａ茎）Ｖ。−３ｎ（ｎ十１）（ｎ＋２）〕 （１２） 式（１２）において基本波のみに着目すれば基本波に対
する容量値Ｃ，は式■′からＣ＝Ｃｙａｎ｛１一肌２Ｖ
。
２十粉茎）Ｖ。ぷｎ（ｎ＋１）（ｎ＋２）〕十２（Ｓｉ
ｎのｔ）Ｘ〔ａ２一芸・ａ≧‐Ｖ。」ｎ＋善（２≧を十
ａ墓）Ｖ。ゼｎ（ｎ＋１）−宏雌十泌≧）Ｖ。−３ｎく
ｎ＋１）（ｎ＋２）〕十３Ｇｉｎのｔ）Ｘ〔−ａ・もＶ
。一ｎ＋さ（ａ葦十粉．ａ参）Ｖ。）ｎ（ｎ＋．）−量
（ａを２十をａ茎）Ｖ。−３ｎ（ｎ十１）（ｎ＋２）〕 （１２） 式（１２）において基本波のみに着目すれば基本波に対
する容量値Ｃ，は式■′からＣ＝Ｃｙａｎ｛１一肌２Ｖ
。
一十善（ａ字＋松琴）Ｖ。−２ｎくｈ十１）−毒（傘亭
‐ａ２十＄茎）Ｖ。ゴｎ＋（ｎ＋１）くｎ十２）｝ （
１３）すなわち可変容量ダィオード‘こかかる電圧が基
本波のみである場合の動作電圧に対する容量値は式｛９
｝′で示され、変容量ダィオード‘こかかる電圧が基本
波のほかに２次高調波を含む場合の動作電圧に対する容
量値は式（１３）で示される。一般に容量変イＧ率ｎは
と表現できる。
‐ａ２十＄茎）Ｖ。ゴｎ＋（ｎ＋１）くｎ十２）｝ （
１３）すなわち可変容量ダィオード‘こかかる電圧が基
本波のみである場合の動作電圧に対する容量値は式｛９
｝′で示され、変容量ダィオード‘こかかる電圧が基本
波のほかに２次高調波を含む場合の動作電圧に対する容
量値は式（１３）で示される。一般に容量変イＧ率ｎは
と表現できる。
このときＣ＝ＣｏＶｍで＊ ｎ′：ｎ
（１５）となり、（１４）式が妥当であ
ることがわかる。
（１５）となり、（１４）式が妥当であ
ることがわかる。
式（１３）を式（１４）に代入すれば可変容量ダイオー
ドに基本波と高調波の合成波が印放された場合の容量変
化率ｎ′が求められる。すなわちｄ＝ｎＸＩ−（ｎ＋１
）は２Ｖｏ−１十（。十，）（ｎ＋２）さぜ十２。季）
Ｗ‐２１‐ｎＱ２Ｗ‐１十ｎ（ｎ＋・）すめ＋２べ）昨
２・くｎ−．）（ｎ＋２）（ｎ＋３）台（４Ｑ≧。２十
３＆）仇−３ ０句‐ｎ（ｎ十・）（ｎ＋２）も（４Ｑ
≧Ｑ２十３０室）Ｗ‐３いま２次高調波に対するｎ′の
変化をみるため、バラクタの特性をｎ＝２，ａ，／Ｖｏ
＝１／３として、ａ２／Ｖｏを変化した場合のｎ′の変
化の１例を示すと第３図のごとくなる。
ドに基本波と高調波の合成波が印放された場合の容量変
化率ｎ′が求められる。すなわちｄ＝ｎＸＩ−（ｎ＋１
）は２Ｖｏ−１十（。十，）（ｎ＋２）さぜ十２。季）
Ｗ‐２１‐ｎＱ２Ｗ‐１十ｎ（ｎ＋・）すめ＋２べ）昨
２・くｎ−．）（ｎ＋２）（ｎ＋３）台（４Ｑ≧。２十
３＆）仇−３ ０句‐ｎ（ｎ十・）（ｎ＋２）も（４Ｑ
≧Ｑ２十３０室）Ｗ‐３いま２次高調波に対するｎ′の
変化をみるため、バラクタの特性をｎ＝２，ａ，／Ｖｏ
＝１／３として、ａ２／Ｖｏを変化した場合のｎ′の変
化の１例を示すと第３図のごとくなる。
第３図より
ａ２＞０のときはげ＜ｎｖｏ
ａ２＜０のときはげ＞ｎｖｏ
ここでｎｖｏは、可変容量ダィオードーこ高調波が印加
されていない場合の動作電圧Ｖｏ点での容量変化率を示
す。
されていない場合の動作電圧Ｖｏ点での容量変化率を示
す。
すなわち、２次高調波の振幅が正ならば容量変化率は減
少し、負ならば容量変化率は増加する。従って２次高調
波成分の振幅と位相により容量変化率は増減することが
わかる。従ってこの原理を利用し、温度によるｎの変化
を、斧すなわち基柵と２次高調波の振幅の比と正負の位
相を制御することにより、原発明の場合と同様に変調特
性を直線化することができる。本発明においては、原発
明の回路に付加して温度に応動して前記制御を行なう回
路を設ければよい。温度による変調特性（微分利得）の
変化は、第２図に示すように、低温においては下降特性
を高温においては上昇特性を示す１次傾斜の変化と、各
特性の両側部における曲率の変化に分けられる。
少し、負ならば容量変化率は増加する。従って２次高調
波成分の振幅と位相により容量変化率は増減することが
わかる。従ってこの原理を利用し、温度によるｎの変化
を、斧すなわち基柵と２次高調波の振幅の比と正負の位
相を制御することにより、原発明の場合と同様に変調特
性を直線化することができる。本発明においては、原発
明の回路に付加して温度に応動して前記制御を行なう回
路を設ければよい。温度による変調特性（微分利得）の
変化は、第２図に示すように、低温においては下降特性
を高温においては上昇特性を示す１次傾斜の変化と、各
特性の両側部における曲率の変化に分けられる。
この１次傾斜の変化に対しては、第１図の振幅制御回路
１０に直列に温度補償用のダイオードを接続し、その両
端に感温可変抵抗素子を通してバイアス電圧を印加する
ことにより、たとえば共振回路の可変容量ダイオードを
常温に保持した場合の変調特性を、第４図のごとく第２
図の１次煩斜と逆の傾斜をもたせることができる。たと
えば低温−５℃では高いバイアス抵抗（４４０）で上昇
特性を、常温十２５こ０では中間バイアス抵抗（３３０
）で平坦特性を、高温＋５５ｑｏでは低いバイアス抵抗
（２２０）で下降特性をもたせることが可能である。一
方曲率の変化もこれと同様に、振幅制御回路１０‘こ直
列に可変容量ダイオードたとえばバラクタを接続し、そ
の両端に感温可変抵抗素子を通してバイアス電圧を加え
て補償が行なわれる。
１０に直列に温度補償用のダイオードを接続し、その両
端に感温可変抵抗素子を通してバイアス電圧を印加する
ことにより、たとえば共振回路の可変容量ダイオードを
常温に保持した場合の変調特性を、第４図のごとく第２
図の１次煩斜と逆の傾斜をもたせることができる。たと
えば低温−５℃では高いバイアス抵抗（４４０）で上昇
特性を、常温十２５こ０では中間バイアス抵抗（３３０
）で平坦特性を、高温＋５５ｑｏでは低いバイアス抵抗
（２２０）で下降特性をもたせることが可能である。一
方曲率の変化もこれと同様に、振幅制御回路１０‘こ直
列に可変容量ダイオードたとえばバラクタを接続し、そ
の両端に感温可変抵抗素子を通してバイアス電圧を加え
て補償が行なわれる。
すなわち第５図に示すように、常温２５℃では平坦特性
を示し低温−５℃では両側の曲率が大きくなり、高温＋
５５００では両側の曲率は小さく現われる。この曲率を
前述の一次傾斜とともに合成すれば第２図の変調特性の
温度による変化に対し十分良好な補償を行なうことがで
きる。第６図は、上記の原理に従った本発明の実施例の
構成を示す説明図である。
を示し低温−５℃では両側の曲率が大きくなり、高温＋
５５００では両側の曲率は小さく現われる。この曲率を
前述の一次傾斜とともに合成すれば第２図の変調特性の
温度による変化に対し十分良好な補償を行なうことがで
きる。第６図は、上記の原理に従った本発明の実施例の
構成を示す説明図である。
同図において第１図と異なる点は、振幅制御回路１０に
温度補償部２１を付加したことであり、他の構成は第１
図のとおりである。第１図の原発班のＦＭ変調器におけ
る振幅制御回路１０は、たとえば可変容量ダイオードと
ダイオードを直列に接続し、それぞれ所定のバイアス電
圧で動作させたものである。
温度補償部２１を付加したことであり、他の構成は第１
図のとおりである。第１図の原発班のＦＭ変調器におけ
る振幅制御回路１０は、たとえば可変容量ダイオードと
ダイオードを直列に接続し、それぞれ所定のバイアス電
圧で動作させたものである。
これに対し本発明の温度補償部２１は直列に接続したも
ので、たとえば第７図に１例を示すように、両端をコン
デンサで結合したダイオード３１と可変容量ダイオ−ド
３２を直列に接続し、ダイオード３１の両端よりチョー
クコイル３３，，３３２を介し、温度可変抵抗素子たと
えばサーミスタ３５を通して端子３７よりバイアス電圧
が与えられ、同様に可変容量ダイオード３２の両端より
チョークコイル３４，，３４２を介し、サーミスタ３６
を通し端子３８よりバイアス電圧が与えられる。このよ
うにしてダイオード３１および可変容量ダイオード３２
による変調特性に与える効果を、それぞれ第４図および
第５図に示す特性のようにすれば、第２図における温度
による変調特性の変化、すなわち１次傾斜の変化と曲率
の変化をそれぞれ有効に補償することが可能となる。
ので、たとえば第７図に１例を示すように、両端をコン
デンサで結合したダイオード３１と可変容量ダイオ−ド
３２を直列に接続し、ダイオード３１の両端よりチョー
クコイル３３，，３３２を介し、温度可変抵抗素子たと
えばサーミスタ３５を通して端子３７よりバイアス電圧
が与えられ、同様に可変容量ダイオード３２の両端より
チョークコイル３４，，３４２を介し、サーミスタ３６
を通し端子３８よりバイアス電圧が与えられる。このよ
うにしてダイオード３１および可変容量ダイオード３２
による変調特性に与える効果を、それぞれ第４図および
第５図に示す特性のようにすれば、第２図における温度
による変調特性の変化、すなわち１次傾斜の変化と曲率
の変化をそれぞれ有効に補償することが可能となる。
この場合本発明の温度補償部２１は振幅制御回路１０と
同様の機能を有するが、後者はたとえば常温に対する特
性を直線化することを目的とするのに対し、前者は後者
の温度補償をすることが目的であり、そのために温度可
変抵抗素子を別に設けたものである。従って振幅制御回
路１０と温度補償部２１の可変容量ダイオードをそれぞ
れ共通にして、常温における変調特性の直線化のための
バイアス抵抗素子と、温度補償のための感温可変抵抗素
子とを直列接続して、適当なバイアス電圧を印放しても
よい。以上説明したように、本発明は原発頭における基
本波と高調波成分による変調特性の直線化に加えて、さ
らにその温度補償を可能としたものである。
同様の機能を有するが、後者はたとえば常温に対する特
性を直線化することを目的とするのに対し、前者は後者
の温度補償をすることが目的であり、そのために温度可
変抵抗素子を別に設けたものである。従って振幅制御回
路１０と温度補償部２１の可変容量ダイオードをそれぞ
れ共通にして、常温における変調特性の直線化のための
バイアス抵抗素子と、温度補償のための感温可変抵抗素
子とを直列接続して、適当なバイアス電圧を印放しても
よい。以上説明したように、本発明は原発頭における基
本波と高調波成分による変調特性の直線化に加えて、さ
らにその温度補償を可能としたものである。
すなわち温度変化に基づく変調特性の１次傾斜と曲率の
変化を、それぞれ感溢可変抵抗素子を含むダイオードお
よび可変ダイオードより成る温度補償部により、有効に
補償することができるものである。追加の関係 本発明は、特許第１０１３７５８号５５一５２８３の追
加発明である。
変化を、それぞれ感溢可変抵抗素子を含むダイオードお
よび可変ダイオードより成る温度補償部により、有効に
補償することができるものである。追加の関係 本発明は、特許第１０１３７５８号５５一５２８３の追
加発明である。
原発明における発振周波数の基本波と高調波の振幅の比
を制御する手段に、温度により変化するバイアス電圧に
よりそれぞれ動作するダイオードと可変容量ダイオード
より成る温度補償部を設け、温度変化に基づく変調特性
の１次煩斜と曲率の変化を有効に補償する。
を制御する手段に、温度により変化するバイアス電圧に
よりそれぞれ動作するダイオードと可変容量ダイオード
より成る温度補償部を設け、温度変化に基づく変調特性
の１次煩斜と曲率の変化を有効に補償する。
第１図は原発明におけるＦＭ変調器の説明図、第２図は
温度に対する変調特性の変化の説明図、第３図〜第５図
は本発明の原理説明図、第６図は本発明の実施例の構成
を示す説明図、第７図は第６図の実施例の要部詳細図で
あり、図中、１は変調入力、２はトランジスタ、３は可
変容量ダイオード、４，７はコンデンサ、６はインダク
タソス、８は高調波発生器、９は直流増幅器、１０は振
幅制御回路、１１はェミッタ電流制御回路、２１は温度
補償部を示す。 汁１図 汁２図 、３図 オ４図 オ５図 オ６図 オフ図
温度に対する変調特性の変化の説明図、第３図〜第５図
は本発明の原理説明図、第６図は本発明の実施例の構成
を示す説明図、第７図は第６図の実施例の要部詳細図で
あり、図中、１は変調入力、２はトランジスタ、３は可
変容量ダイオード、４，７はコンデンサ、６はインダク
タソス、８は高調波発生器、９は直流増幅器、１０は振
幅制御回路、１１はェミッタ電流制御回路、２１は温度
補償部を示す。 汁１図 汁２図 、３図 オ４図 オ５図 オ６図 オフ図
Claims (1)
- １ 発振回路の共振回路の１部に可変容量ダイオードを
設け該可変容量ダイオードの容量を外部電圧により変化
させ発振周波数を変移させるＦＭ変調器において、前記
発振回路の共振回路を含む帰還ループ内に前記発振周波
数の高調波を発生する高調波発生器と該発振周波数の基
本波と高調波の振幅の比と位相を制御する振幅制御回路
を具え、前記発振周波数の基本波と高調波の振幅の比と
位相を前記可変容量ダイオードの容量変化率が２となる
ように制御して該基本波と高調波を前記可変容量ダイオ
ードに加えるとともに、前記振幅制御回路が温度により
変化するバイアス電圧を与えられて等価抵抗を変化する
ダイオードと温度により変化するバイアス電圧を与えら
れて等価容量を変化する可変容量ダイオードとを直列に
接続して成る温度補償部を具えたことを特徴とするＦＭ
変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17759281A JPS604609B2 (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | Ｆｍ変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17759281A JPS604609B2 (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | Ｆｍ変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57107613A JPS57107613A (en) | 1982-07-05 |
| JPS604609B2 true JPS604609B2 (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=16033682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17759281A Expired JPS604609B2 (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | Ｆｍ変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604609B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6250211U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-28 |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17759281A patent/JPS604609B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6250211U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57107613A (en) | 1982-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4560959A (en) | Temperature controlled crystal oscillator arrangement | |
| CA1134466A (en) | Temperature-compensated crystal oscillator | |
| JPH0316802B2 (ja) | ||
| US3068427A (en) | Frequency modulator including voltage sensitive capacitors for changing the effective capacitance and inductance of an oscillator circuit | |
| GB2141299A (en) | Variable frequency oscillator | |
| KR940003189A (ko) | 이득이 낮으며, 범위를 프로그램할 수 있고, 온도보상되는 전압제어 발진기 | |
| JPS604609B2 (ja) | Ｆｍ変調器 | |
| US5034706A (en) | Voltage-controlled variable oscillator, in particular for phase-lock loops | |
| US5648741A (en) | Circuit having overall transfer function providing temperature compensation | |
| US4916412A (en) | Voltage-controlled oscillator using a phase control loop for establishing an accurate idling frequency and temperature stabilized control sensitivity | |
| US4607237A (en) | Temperature-compensated crystal oscillator circuit | |
| US3200349A (en) | Crystal controlled oscillator with temperature compensation | |
| US3360746A (en) | Crystal controlled frequency modulated oscillator | |
| JPS604608B2 (ja) | Ｆｍ変調器 | |
| US3534295A (en) | Linearized frequency modulated crystal oscillators compensated for ambient temperature variations | |
| US2162520A (en) | Constant frequency oscillation generator | |
| JPS55125710A (en) | Tone control circuit | |
| JPS6029216Y2 (ja) | 温度補償型圧電発振器 | |
| SU587595A1 (ru) | Кварцевый автогенератор | |
| JP4538913B2 (ja) | 温度補償圧電発振器 | |
| JPH08191214A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| SU1092696A1 (ru) | Генератор низкочастотных синусоидальных колебаний | |
| Chung et al. | A design of LC-tuned sinusoidal VCOs using OTA-C active inductors | |
| JPH0441606Y2 (ja) | ||
| JPH10126153A (ja) | 水晶発振回路 |