JPS6046540B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置の製造方法Info
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- JPS6046540B2 JPS6046540B2 JP53161516A JP16151678A JPS6046540B2 JP S6046540 B2 JPS6046540 B2 JP S6046540B2 JP 53161516 A JP53161516 A JP 53161516A JP 16151678 A JP16151678 A JP 16151678A JP S6046540 B2 JPS6046540 B2 JP S6046540B2
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- mould
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/08—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers by depositing layers on the chip or wafer, e.g. "chip-first" RDLs
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/9413—Dispositions of bond pads on encapsulations
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/01—Manufacture or treatment
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子部品の回路基板の成形時に、電子部品を同
時に埋め込む様にし、生産性の向上をはかつた半導体装
置の製造方法に関する。
時に埋め込む様にし、生産性の向上をはかつた半導体装
置の製造方法に関する。
従来、電子部品、主として半導体チップを絶縁材料によ
り形成された回路基板に埋め込み、かつ、半導体チップ
の表面と、回路基板表面とをほぼ同一高さとし、その後
、半導体チップの電極を含む様に、配線パターンを形成
する場合第1図に示す如き方法が提案されていた。
り形成された回路基板に埋め込み、かつ、半導体チップ
の表面と、回路基板表面とをほぼ同一高さとし、その後
、半導体チップの電極を含む様に、配線パターンを形成
する場合第1図に示す如き方法が提案されていた。
すなわち、第1図において、回路基板1に設けられた半
導体チップ2の埋込部3に、FEP等の樹脂を適量投入
し、半導体チップ2を投入し、平板で押圧する事により
、前記樹脂を成形し緩衝層4を形成する。
導体チップ2の埋込部3に、FEP等の樹脂を適量投入
し、半導体チップ2を投入し、平板で押圧する事により
、前記樹脂を成形し緩衝層4を形成する。
その後図示してない配線パターンを形成すれば電子装置
は完成する。この場合緩衝層4は埋込部3の形状誤差及
び半導体チップ2の形状誤差により、半導体チップ2と
埋込部3との間にスキマが生じ、通常用いられる蒸着法
等による薄膜配線が出来なくなる事を防ぐはたらきをす
る。この様なはたらきがある事から明らかな様に緩衝層
4は、半導体チップ2の表面5及び回路基板1の表面7
とほぼ同一高さの表面6を有さなければならない。この
ためには埋込部3及び半導体・チップ2各々の形状を高
精度にしなければならない他、FEP等の樹脂の定量供
給にも非常に高い精度を要する事から、以上の技術によ
つては各々の高さを一定レベルにする事は非常に困難で
ある。従つてこの様な方法での量産は難しく、又量・産
する場合歩留まりの低下と、製造工数の増大につながる
。以上を改善する手段として、FEP等の樹脂を多めに
埋込部3に投入し、半導体チップ2より盛り上がつたも
のについては、機械的、化学的研磨により除去する事が
提案されている。この場合、形状等は高精度なものは不
要となるが、反面、研磨は高度な技術が要求され少くと
も半導体チップへのダメージはあつてはならない。この
様な要求を満たす技術は前述した、形状精度を高めて埋
め込む場合に比べても高り技術レベルが要求され、生産
工数が多くかかつていた。本発明はかかる欠点を除去す
るためのもので、予じめ半導体チップを回路基板の成形
型中に投入し、その他樹脂を充填し回路基板を成形する
事により、生産工数を削減し、断線による信頼性の低下
を無くしたものである。
は完成する。この場合緩衝層4は埋込部3の形状誤差及
び半導体チップ2の形状誤差により、半導体チップ2と
埋込部3との間にスキマが生じ、通常用いられる蒸着法
等による薄膜配線が出来なくなる事を防ぐはたらきをす
る。この様なはたらきがある事から明らかな様に緩衝層
4は、半導体チップ2の表面5及び回路基板1の表面7
とほぼ同一高さの表面6を有さなければならない。この
ためには埋込部3及び半導体・チップ2各々の形状を高
精度にしなければならない他、FEP等の樹脂の定量供
給にも非常に高い精度を要する事から、以上の技術によ
つては各々の高さを一定レベルにする事は非常に困難で
ある。従つてこの様な方法での量産は難しく、又量・産
する場合歩留まりの低下と、製造工数の増大につながる
。以上を改善する手段として、FEP等の樹脂を多めに
埋込部3に投入し、半導体チップ2より盛り上がつたも
のについては、機械的、化学的研磨により除去する事が
提案されている。この場合、形状等は高精度なものは不
要となるが、反面、研磨は高度な技術が要求され少くと
も半導体チップへのダメージはあつてはならない。この
様な要求を満たす技術は前述した、形状精度を高めて埋
め込む場合に比べても高り技術レベルが要求され、生産
工数が多くかかつていた。本発明はかかる欠点を除去す
るためのもので、予じめ半導体チップを回路基板の成形
型中に投入し、その他樹脂を充填し回路基板を成形する
事により、生産工数を削減し、断線による信頼性の低下
を無くしたものである。
本発明を電子時計の回路ブロックに応用した、製造方式
の一実施例を第2図第3図について説明する。
の一実施例を第2図第3図について説明する。
第2図、第3図において、従来の方法で説明したのと同
様な半導体チップ2を、位置決めピン10を有する下型
11のフラット状の上面に、図示していない外部取出電
極の表面を下向きに密着載置する。
様な半導体チップ2を、位置決めピン10を有する下型
11のフラット状の上面に、図示していない外部取出電
極の表面を下向きに密着載置する。
この状態において半導体チップ2は、下型11に対し位
置決めされる(第2図a)。次に上型12をおおい、前
記チップ2の上面と各側面に空隙14aが形成されるよ
うに締め、注入口13より、樹脂Aを充填し、緩衝層1
4を形成する(第2図b)。その後、上型12を開放し
、不要部分、すなわち注入口13に固化した樹脂を取り
さり、その後、上型15を上型12と同様におおい、前
記緩衝層14の上面と各側面に空隙17aが形成される
ように上型15の下面が下型11の下面に密着するよう
に締め、樹脂Bを上型15の注入口16より充填し、回
路基板17を形成する.(第2図c)。次に上型15を
開放し、下型11より回路基板17を取り出し、注入口
16に固化した部分を除去する(第2図d)。20は位
置決めピン10により出来た空隙である。
置決めされる(第2図a)。次に上型12をおおい、前
記チップ2の上面と各側面に空隙14aが形成されるよ
うに締め、注入口13より、樹脂Aを充填し、緩衝層1
4を形成する(第2図b)。その後、上型12を開放し
、不要部分、すなわち注入口13に固化した樹脂を取り
さり、その後、上型15を上型12と同様におおい、前
記緩衝層14の上面と各側面に空隙17aが形成される
ように上型15の下面が下型11の下面に密着するよう
に締め、樹脂Bを上型15の注入口16より充填し、回
路基板17を形成する.(第2図c)。次に上型15を
開放し、下型11より回路基板17を取り出し、注入口
16に固化した部分を除去する(第2図d)。20は位
置決めピン10により出来た空隙である。
しかる後、半導体チップ2の図示していない外部取出電
極を含.む配線パターン18をスクリーン印刷法を用い
、導電性ペーストを印刷する事により形成する。これに
より、半導体チップ2、緩衝層1牡回路基板17、配線
パターン18から成る回路ブロック19は完成する(第
2図e)。以上の説明から明らかな様に、半導体チップ
2は下型11に、表面を密着した状態で樹脂A及びBが
注入されるため、半導体チップ2、緩衝層14及び、回
路基板17の各々の表面は、高度な技術を用いず、各々
4〜5μm以下の段差に押える事ができる。
極を含.む配線パターン18をスクリーン印刷法を用い
、導電性ペーストを印刷する事により形成する。これに
より、半導体チップ2、緩衝層1牡回路基板17、配線
パターン18から成る回路ブロック19は完成する(第
2図e)。以上の説明から明らかな様に、半導体チップ
2は下型11に、表面を密着した状態で樹脂A及びBが
注入されるため、半導体チップ2、緩衝層14及び、回
路基板17の各々の表面は、高度な技術を用いず、各々
4〜5μm以下の段差に押える事ができる。
一このために製造歩留まりが向上する他、配線パターン
18の断差部での断線が無くなり、信頼性が向上する。
本発明の説明においては、独立した、下型11、上型A
l2、上型Bl5の独立した3個の型により、緩衝層1
牡回路基板17を形成したが、緩衝層14をさらに一層
増加させる場合においては4ケの型が必要となる等これ
らは、回路ブ”ロック19の型状により種々選択できる
。
18の断差部での断線が無くなり、信頼性が向上する。
本発明の説明においては、独立した、下型11、上型A
l2、上型Bl5の独立した3個の型により、緩衝層1
牡回路基板17を形成したが、緩衝層14をさらに一層
増加させる場合においては4ケの型が必要となる等これ
らは、回路ブ”ロック19の型状により種々選択できる
。
もち論、前述した型及び動作をメカ的に結合し機械化し
てもよい。この場合においては、通常行なわれる射出成
形と同様に考えられ、製造に要する工数は減少する等、
機械化、自動化しやすい、製造方式である事はいうまで
もない。本発明の説明においては、樹脂A及びBを各々
、緩衝層14、回路基板17として形成したが、樹脂ば
かりでなく、無機物質、セラミック等、絶縁材料であり
、機械的、電気的特性を満足するものであればどの様な
ものでもよい。
てもよい。この場合においては、通常行なわれる射出成
形と同様に考えられ、製造に要する工数は減少する等、
機械化、自動化しやすい、製造方式である事はいうまで
もない。本発明の説明においては、樹脂A及びBを各々
、緩衝層14、回路基板17として形成したが、樹脂ば
かりでなく、無機物質、セラミック等、絶縁材料であり
、機械的、電気的特性を満足するものであればどの様な
ものでもよい。
本発明の説明については電子時計の回路ブロックに応用
した例について説明したが、電卓、カメラ、ラジオ等、
電子部品を用いる機器であれば、同様に応用できる。
した例について説明したが、電卓、カメラ、ラジオ等、
電子部品を用いる機器であれば、同様に応用できる。
又回路構成により半導体チップ2を1個ばかりてなく、
複数個同時に埋め込む事も可能であり、抵抗、コンデン
サー等他の電子部品も複合させて埋込む事も可能である
。本発明の説明においては、位置決めピン10は、L字
型のものを2ケ用いたが、第4図に示す如く複数個の丸
ピン21を用いてもよく、配線パターン18を防げない
様な構成であれば種々考えられる。又真空等による位置
決めを採用する事によりピンを用いない事も可能である
。さらに、形状精度が不要の場合においては、第5図に
示す如く下型22に半導体チップ2をその図示してない
外部電極取出し部を下側にし固定し、上方から樹脂を充
填し回路基板23を形成しても良い。本発明の説明にお
いては配線パターン形成は、導電性ペーストをスクリー
ン印刷により行なつたが、真空蒸着法により全面に金属
膜を形成した後、写真法により形成しても良い。
複数個同時に埋め込む事も可能であり、抵抗、コンデン
サー等他の電子部品も複合させて埋込む事も可能である
。本発明の説明においては、位置決めピン10は、L字
型のものを2ケ用いたが、第4図に示す如く複数個の丸
ピン21を用いてもよく、配線パターン18を防げない
様な構成であれば種々考えられる。又真空等による位置
決めを採用する事によりピンを用いない事も可能である
。さらに、形状精度が不要の場合においては、第5図に
示す如く下型22に半導体チップ2をその図示してない
外部電極取出し部を下側にし固定し、上方から樹脂を充
填し回路基板23を形成しても良い。本発明の説明にお
いては配線パターン形成は、導電性ペーストをスクリー
ン印刷により行なつたが、真空蒸着法により全面に金属
膜を形成した後、写真法により形成しても良い。
以上の如く本発明は、回路基板の成形型中に電子部品を
投入した後、樹脂を充填する事により、断線による信頼
性の低下を無くしたものである。
投入した後、樹脂を充填する事により、断線による信頼
性の低下を無くしたものである。
第1図は従来の方法による半導体装置の断面図、第2図
は本発明の工程の一実施例を示す工程図、第3図は下型
の平面図、第4図は下型のその他の一例を示す平面図、
第5図は他の製造方法を示す断面図。 2・・・・・・半導体チップ、11・・・・・・下型、
12・・上型All4・・・・・緩衝層、15・・・・
・・上型Bll7・・・・・回路基板、18・・・・・
・配線パターン、19・・回路ブロック。
は本発明の工程の一実施例を示す工程図、第3図は下型
の平面図、第4図は下型のその他の一例を示す平面図、
第5図は他の製造方法を示す断面図。 2・・・・・・半導体チップ、11・・・・・・下型、
12・・上型All4・・・・・緩衝層、15・・・・
・・上型Bll7・・・・・回路基板、18・・・・・
・配線パターン、19・・回路ブロック。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次の各工程からなることを特徴とする電子装置の製
造方法。 (1)電子部品2を、その外部取出電極を有する面を下
向きにして下型11のフラット状の上面に密着載置する
第1の工程。 (2)前記電子部品2の上面と各側面に空隙14aが設
けられるように上型12が前記電子部品2をおおい、上
型12の下面を前記下型11の上面に密着載置し、前記
上型12の注入口13より前記空隙14aに緩衝用絶縁
材料14を充填する第2の工程。 (3)前記上型12を取り外し、前記注入口13に固化
した前記絶縁材料14を取り除く第3の工程。 (4)前記絶縁材料14の上面と各側面に空隙17aが
設けられるように上型15がおおい、上型15の下面が
前記下型11の前記上面に密着載置し、前記上型15の
注入口16より回路基板用絶縁材料17を充填する第4
の工程。 (5)前記第4の工程により得られた電子装置から前記
下型11を取り除く第5の工程。 (6)前記電子部品2の外部取出電極に配線パターン1
8を接続形成する第6の工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53161516A JPS6046540B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53161516A JPS6046540B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 電子装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5587450A JPS5587450A (en) | 1980-07-02 |
| JPS6046540B2 true JPS6046540B2 (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=15736548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53161516A Expired JPS6046540B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046540B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240169829A (ko) * | 2023-05-25 | 2024-12-03 | 인하대학교 산학협력단 | 잠재성 경화제 화합물 및 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136641A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Toppan Printing Co Ltd | 集積回路チツプ実装体及び集積回路チツプ実装方法 |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP53161516A patent/JPS6046540B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240169829A (ko) * | 2023-05-25 | 2024-12-03 | 인하대학교 산학협력단 | 잠재성 경화제 화합물 및 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5587450A (en) | 1980-07-02 |
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