JPS607380B2 - Electron beam exposure equipment - Google Patents
Electron beam exposure equipmentInfo
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- JPS607380B2 JPS607380B2 JP51134550A JP13455076A JPS607380B2 JP S607380 B2 JPS607380 B2 JP S607380B2 JP 51134550 A JP51134550 A JP 51134550A JP 13455076 A JP13455076 A JP 13455076A JP S607380 B2 JPS607380 B2 JP S607380B2
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- Japan
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- electron beam
- stage
- signal
- speed
- amplifier
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム露光装置の改良に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in an electron beam exposure apparatus.
電子ビームで露光すると小さいパターンを露光すること
が可能であるが反面露光時間が長くなる欠点がある。When exposed with an electron beam, it is possible to expose a small pattern, but the disadvantage is that the exposure time becomes long.
このために種々の改良がなされており、この中の1つと
して、ステージを移動させながら露光する方法がある。Various improvements have been made for this purpose, one of which is a method of exposing while moving the stage.
又他の方法としてスポット状の電子ビームではなく、矩
形のビームを用いて露光する方法がある。Another method is to use a rectangular beam for exposure instead of a spot-shaped electron beam.
本発明者等は、露光スピードをできるだけ早くするため
に矩形の電子ビームを用いて、ステージを移動させなが
ら露光する露光装置を開発しているが、ステージを移動
させるために偏向信号を補正する必要がある。このため
にステージの移動量をレーザー干渉側長器で測定してパ
ルス信号でカウンタに入力し、カウンタの出力と偏向信
号を加算器で加算して補正することを先に提案した。The present inventors have developed an exposure apparatus that uses a rectangular electron beam to expose while moving the stage in order to increase the exposure speed as quickly as possible, but it is necessary to correct the deflection signal in order to move the stage. There is. To this end, we have previously proposed that the amount of movement of the stage be measured with a laser interference measuring device, input as a pulse signal to a counter, and then corrected by adding the output of the counter and the deflection signal with an adder.
ところが露光すべきパターンの密度が異なるために、一
定のスピードでステージを移動させて、移動した分だけ
偏向信号を補正しようとすると、パターンの密度が大き
い部分ではステージの移動スピードーこ対して露光スピ
ードが遅くなるのでステージの進行に大きく偏向しなけ
ればならないので露光したパターンの精度が悪くなって
しまう。However, since the densities of the patterns to be exposed differ, if you try to move the stage at a constant speed and correct the deflection signal by the amount of movement, in areas where the pattern density is large, the stage movement speed will be lower than the exposure speed. Since the movement of the light beam becomes slow, it is necessary to make a large deflection as the stage advances, and the accuracy of the exposed pattern deteriorates.
又パターンの密度の小さい所では露光スピードがステー
ジの移動スピードがより早くなり、ステージの進行方向
と逆方向に大きく偏向する様になり、パターンの精度が
悪くなる。本発明はこの様な欠点を除去することを目的
とし、この様な目的は、被露光体を移動させながらスリ
ットにより所定の形状に整形した電子ビームにより該被
露光体を露光する様にした電子ビーム露光装置において
、該被露光体を一定のスピードで移動させるための基準
信号を平滑回路を通じた偏向信号で変調することにより
露光すべきパターン密度が高い部分はパターン密度の低
い部分より該披露光体の移動速度を遅くしたことを特徴
とする電子ビーム露光装置によって達成される。Further, in areas where the pattern density is low, the exposure speed becomes faster than the stage movement speed, and the stage is largely deflected in the direction opposite to the advancing direction, resulting in poor pattern accuracy. The purpose of the present invention is to eliminate such drawbacks, and the purpose is to use an electron beam that is shaped into a predetermined shape by a slit and exposes the object to exposure while moving the object. In a beam exposure device, a reference signal for moving the object to be exposed at a constant speed is modulated by a deflection signal passed through a smoothing circuit, so that areas with a high pattern density to be exposed are exposed to more light than areas with a lower pattern density. This is achieved by an electron beam exposure device characterized by slow body movement speed.
以下本発明を実施例に基づいて説明する。第1図は本発
明の一実施例を示す図である。The present invention will be explained below based on examples. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
図中1は偏向器、2は被露光体例えばウェハー、3はス
テージ、4はパターン位置情報を記憶したメモリ、5,
8,1 1なDAコンバータ、6はしーザー干渉側長器
、7はカウンタ、9,12,15はアンプ、1川まステ
ージ3の基準移動スピードを指定する信号を記憶したメ
モリ、13は差動アンプ、14は直流サーボモータ、1
6は平滑コンデンサである。動作を説明すると、メモリ
ー10からのステ−ジ3の移動スピードを指定する信号
をDAコンバータ11によりアナログ信号に変換しアン
プ12を介して差動アンプ13の十端子に入力する。In the figure, 1 is a deflector, 2 is an object to be exposed, such as a wafer, 3 is a stage, 4 is a memory that stores pattern position information, 5,
8, 1 is a DA converter, 6 is a Caesar interference detector, 7 is a counter, 9, 12, 15 is an amplifier, 1 is a memory that stores a signal specifying the standard movement speed of stage 3, 13 is a differential dynamic amplifier, 14 is a DC servo motor, 1
6 is a smoothing capacitor. To explain the operation, a signal specifying the moving speed of the stage 3 from the memory 10 is converted into an analog signal by the DA converter 11 and inputted to the terminal of the differential amplifier 13 via the amplifier 12.
差動アンプ13からの出力にあり直流サーボモーター4
を回転させて、ステージ3を移動させる。一方メモリ4
からのパターン位置情報をDAコンバータ5によりアナ
ログ信号に変換しアンプ9増幅して偏向信号として偏向
器1に加え矩形の電子ビームを偏向する。ここでステー
ジ3が移動しているので補正する必要がある。The DC servo motor 4 is located at the output from the differential amplifier 13.
Rotate to move stage 3. On the other hand, memory 4
The pattern position information is converted into an analog signal by a DA converter 5, amplified by an amplifier 9, and applied as a deflection signal to the deflector 1 to deflect a rectangular electron beam. Since the stage 3 is moving here, it is necessary to correct it.
このためにレーザー干渉側長器を用いてステ−ジ3の移
動距離を側長する。For this purpose, a laser interference lengthening device is used to lengthen the moving distance of the stage 3.
すなわちレーザー干渉側長器6からは例えば、ステージ
3がレーザーの波長入の1/8づっ移動するたびに1パ
ルス出力する。That is, the laser interference side length device 6 outputs one pulse, for example, each time the stage 3 moves by 1/8 of the wavelength of the laser.
側長器6からのパルスをカウンタによりカウントし、下
位の4ビットぐらいをDAコンバータ8に入力する。The pulses from the length transmitter 6 are counted by a counter, and the lower 4 bits are input to the DA converter 8.
DAコンバータ8からのアナログ信号はアンプ9に加え
られる。The analog signal from DA converter 8 is applied to amplifier 9.
アンプ9にはDAコンバータ5からの出力とDAコンバ
ータ8からの出力が一緒に加えられており、ここで補正
が行なわれる。The output from the DA converter 5 and the output from the DA converter 8 are applied together to the amplifier 9, and correction is performed here.
次にパターンの密度に応じたステージ3の移動スピード
の制御について述べる。Next, control of the moving speed of the stage 3 according to the pattern density will be described.
アンプ9に加える信号を分岐してアンプ15により増幅
して平滑コンデンサー6に加える。The signal applied to amplifier 9 is branched, amplified by amplifier 15, and applied to smoothing capacitor 6.
平滑コンデンサの時定数は偏向スピ−ドの20〜5ぴ音
程度としておき小さい密度変化は無視する。平滑コンデ
ンサ16からの信号は差動アンプ13の一端子に加えら
れる。ここで平滑コンデンサ16からの出力の大きさは
露光スピードとステージ3の移動スピードの比によって
定まる。The time constant of the smoothing capacitor is set to about 20 to 5 tones of the deflection speed, and small density changes are ignored. A signal from smoothing capacitor 16 is applied to one terminal of differential amplifier 13. Here, the magnitude of the output from the smoothing capacitor 16 is determined by the ratio of the exposure speed and the moving speed of the stage 3.
すなわち、パターンの密度が高いと露光スピードが移動
スピードより遅くなる。That is, when the pattern density is high, the exposure speed becomes slower than the movement speed.
この状態では、DAコンバータからの出力が大きくなる
ので、偏向信号は正の大きな電圧となる。In this state, the output from the DA converter increases, so the deflection signal becomes a large positive voltage.
従って平滑コンデンサの出力は大きくなる。又、パター
ンの密度が低いと露光スピードが移動スピードより早く
なる。この状態ではDAコンバータの出力が小さくなり
、偏向信号は負の電圧となる。Therefore, the output of the smoothing capacitor becomes large. Furthermore, if the pattern density is low, the exposure speed will be faster than the movement speed. In this state, the output of the DA converter becomes small and the deflection signal becomes a negative voltage.
このために平滑コンデンサー6からの信号を菱動アンプ
13の一端子に入力し、アンプ12からの信号を十端子
に入力して、移動スピードが早い場合には、アンプ12
からの信号と平滑コンデンサからの信号の間で減算を行
なってモータ14に加える電圧を低くし移動スピ−ドが
遅い場合には、アンプ12からの信号と平滑コンデンサ
からの信号の間で加算を行なってモー外幼ロえる電圧を
高くする。For this purpose, the signal from the smoothing capacitor 6 is input to one terminal of the rhombic amplifier 13, and the signal from the amplifier 12 is input to the ten terminal.
When the voltage applied to the motor 14 is lowered by subtracting between the signal from the amplifier 12 and the signal from the smoothing capacitor, and the moving speed is slow, addition is performed between the signal from the amplifier 12 and the signal from the smoothing capacitor. Increase the voltage to remove the battery.
以上の様に本発明によれば、パターンの密度が高い場合
にはステージの移動速度を遅くし、パターンの密度が低
い場合には、ステージの移動速度を早くする様にしてい
るのでパターンの精度の向上を行なうことができる。As described above, according to the present invention, when the density of the pattern is high, the moving speed of the stage is slowed down, and when the density of the pattern is low, the moving speed of the stage is increased, thereby improving the accuracy of the pattern. can be improved.
第1図は本発明の実施例を示す図である。
図中1は偏向器、2はウェハー、3はステージ、4,1
0はメモリ、5,8,1 1はDAコンバータ、6は
しーザー干渉側長器、7はカウン夕、9,15,12は
アン13は差敷アンプ、14は直流サーボモータである
。
家ノ図FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a deflector, 2 is a wafer, 3 is a stage, 4,1
0 is a memory, 5, 8, 11 is a DA converter, 6 is a Caesar interference converter, 7 is a counter, 9, 15, 12 is an amplifier 13 is an insert amplifier, and 14 is a DC servo motor. house diagram
Claims (1)
状に整形した電子ビームにより該被露光体を露光する様
にした電子ビーム露光装置において、該被露光体を一定
のスピードで移動させるための基準信号を平滑回路を通
した偏回信号で変調することにより、露光すべきパター
ン密度が高い部分はパターン密度の低い部分より該被露
光体の移動速度を遅くしたことを特徴とする電子ビーム
露光装置。1. In an electron beam exposure apparatus that exposes an exposed object with an electron beam shaped into a predetermined shape using a slit while moving the exposed object, a reference signal for moving the exposed object at a constant speed. 1. An electron beam exposure apparatus characterized in that the moving speed of the exposed object is made slower in areas with a high pattern density to be exposed than in areas with a low pattern density by modulating this with a polarization signal passed through a smoothing circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51134550A JPS607380B2 (en) | 1976-11-09 | 1976-11-09 | Electron beam exposure equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51134550A JPS607380B2 (en) | 1976-11-09 | 1976-11-09 | Electron beam exposure equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5359374A JPS5359374A (en) | 1978-05-29 |
| JPS607380B2 true JPS607380B2 (en) | 1985-02-23 |
Family
ID=15130927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51134550A Expired JPS607380B2 (en) | 1976-11-09 | 1976-11-09 | Electron beam exposure equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607380B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633832A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Electron exposure device |
| JPS56144537A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Toshiba Corp | Patterning device using electron beam |
| JPS5746835U (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-16 | ||
| JPS5748230A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-19 | Jeol Ltd | Electron ray exposure |
| JP2669727B2 (en) * | 1991-03-20 | 1997-10-29 | 富士通株式会社 | Charged particle beam exposure apparatus and charged particle beam exposure method |
-
1976
- 1976-11-09 JP JP51134550A patent/JPS607380B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5359374A (en) | 1978-05-29 |
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