JPS608034B2 - Photosensitive display element - Google Patents
Photosensitive display elementInfo
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- JPS608034B2 JPS608034B2 JP52039550A JP3955077A JPS608034B2 JP S608034 B2 JPS608034 B2 JP S608034B2 JP 52039550 A JP52039550 A JP 52039550A JP 3955077 A JP3955077 A JP 3955077A JP S608034 B2 JPS608034 B2 JP S608034B2
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低電力消費かつ長寿命を計ることを目的とした
高コントラスト半導体表示素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a high-contrast semiconductor display element intended for low power consumption and long life.
従来、受光性表示素子として液晶表示素子、電気荷動素
子およびェレクトロクロミック表示素子等が知られてい
る。BACKGROUND ART Conventionally, liquid crystal display elements, electrostatic display elements, electrochromic display elements, and the like are known as light-receptive display elements.
一方、発光性表示素子としては、発光ダイオード表示素
子(LED)及びェレクトロルミネツセンス表示素子が
知られている。これらの表示素子は、各々長所短所を有
しており、これらの特徴を利用した種々の表示装置が開
発されている。すなわち、受光性表示素子は一般に低電
力消費で表示しうる反面、被表示物質が電極表面で電気
化学反応を誘起しており、その結果として被表示物質を
劣下し、表示機能が消失する。この機能低下の防止法と
して、電極表面の加工、被表示物質中への電気化学反応
制御の添加等が施されている。しかしながら、これらの
工夫をこらしたとしても表示装置の寿命は被表示物質の
化学的安定性に影響される。また、これらの受光性表示
装置は一般に表示動作温度範囲が室温付近とされ、低温
(とくに一20q0以下)もしくは高温(とくに70℃
以上)での使用は困難であるという欠点を有している。
すなわち、液晶物質の相状態における液晶相の温度範囲
内で表示機能を示し、ェレクトロクロミックス及び露気
泳動等においては、分散溶媒の液体状態温度範囲内だけ
である。従って、冬期の戸外及び夏期の日射場所の如く
著しい低温や高温となる場所での表示には適さない。一
方、発光性表示素子は電気エネルギーへと変換して表示
するため、晴所においても鮮明な表示を与えるとともに
、これらの表示素子は一般に固体状態であるため動作温
度範囲も広くかつ長寿命等の数々の利点を有しており、
実用的な表示素子である。On the other hand, light emitting diode display elements (LEDs) and electroluminescent display elements are known as luminescent display elements. Each of these display elements has advantages and disadvantages, and various display devices have been developed that take advantage of these characteristics. That is, although light-receiving display elements can generally display images with low power consumption, the display substance induces an electrochemical reaction on the electrode surface, and as a result, the display substance deteriorates and the display function disappears. As a method for preventing this functional decline, processing of the electrode surface, addition of electrochemical reaction control to the display substance, etc. have been carried out. However, even with these efforts, the life of the display device is affected by the chemical stability of the substance to be displayed. Furthermore, the display operating temperature range of these light-receptive display devices is generally around room temperature, and cannot be used at low temperatures (especially below -20q0) or high temperatures (especially 70℃).
The disadvantage is that it is difficult to use in the above cases.
That is, the display function is exhibited within the temperature range of the liquid crystal phase in the phase state of the liquid crystal substance, and in electrochromics, dew pneumatic migration, etc., only within the liquid state temperature range of the dispersion solvent. Therefore, it is not suitable for display in places where the temperature is extremely low or high, such as outdoors in winter or in sunlight in summer. On the other hand, luminescent display elements display information by converting it into electrical energy, so they provide a clear display even in sunny places.Since these display elements are generally in a solid state, they have a wide operating temperature range and a long lifespan. It has many advantages,
It is a practical display element.
しかし、これらの発光性表示素子はエネルギー変換効率
が0.01〜2%と著しく低いため、上記受光性表示素
子に比して10〜100“音電力を消費するという決定
的な欠点がある。以上の観点から受光性表示素子は乾電
池、蓄電池の如き一次電池又は二次電池で駆動する回路
用表示器例えば電子卓上計算器用端末器、時計、小型計
測用表示器に利用され、他方、発光性表示素子は商用交
流電源から電力を得て駆動する電子計算器用端末器及び
種々の家庭電気製品用表示器として利用される。However, these luminescent display elements have extremely low energy conversion efficiency of 0.01 to 2%, and therefore have a decisive drawback of consuming 10 to 100" of acoustic power compared to the light-receptive display elements. From the above points of view, light-receptive display elements are used in circuit displays powered by primary or secondary batteries such as dry batteries and storage batteries, such as terminals for electronic desktop calculators, watches, and small measurement displays. Display elements are used as terminals for electronic computers and displays for various home appliances that are powered by power from a commercial AC power source.
従ってこれらの表示装置はいずれも大きな欠点があるた
め汎用表示器となり得なかった。Therefore, all of these display devices have major drawbacks and cannot be used as general-purpose display devices.
本発明は、上記点に鑑みなされたもので、表示物質の化
学反応の起こりにくい長寿命で高コントラストな受光性
表示装置を提供するものである。The present invention has been made in view of the above points, and provides a light-receiving display device with a long life and high contrast in which chemical reactions of display substances are unlikely to occur.
即ち電子受容性化合物および電子供与性化合物の混合物
を含む被表示層を互いに絶縁された電極間に設けた受光
性表示素子を提供するものである。次に本発明素子を図
面を参照して具体的に説明する。That is, the present invention provides a light-receiving display element in which a display layer containing a mixture of an electron-accepting compound and an electron-donating compound is provided between mutually insulated electrodes. Next, the device of the present invention will be specifically explained with reference to the drawings.
即ち電子供与性化合物および電子受容性化合物の両者を
露場下で電荷移動型錆体を形成しこのときに発現する電
荷移動型吸収帯を利用して透過光もしくは反射光の光量
を変化せしめて綾表示を行なうものである。That is, both an electron-donating compound and an electron-accepting compound are exposed to form a charge-transfer type rust body, and the amount of transmitted light or reflected light is changed using the charge-transfer type absorption band developed at this time. This is for twill display.
即ち第1図の如き表示装置構造にして電荷移動型錨体を
形成せしめる材料である電子供与性化合物および電子受
容性化合物とを混合して得た組成物3を対向する例えば
各ガラス板1上のネサ膜2を通して両端に電圧を印加し
て電荷移動型錆体化合物を形成せしめ、このときの鍵体
の色彩によって像表示を行なうものである。That is, a composition 3 obtained by mixing an electron-donating compound and an electron-accepting compound, which are materials for forming a charge transfer type anchor with a display device structure as shown in FIG. 1, is placed on each opposing glass plate 1, for example. A voltage is applied to both ends of the NESA film 2 to form a charge transfer type rust compound, and an image is displayed based on the color of the key body at this time.
このときの表示素子の分光特性を第2図に示す。従って
、像表示される色彩は、電子受容性化合物及び電子供与
性化合物との選択によって任意に得られる。さらに表示
電力を低減する目的で第3図の如き表示装置構造にして
、電子受容性化合物と電子供与性化合物との混合物から
成る被表示層を半導体層5とし、このものと一方の電極
例えば透明電極2との間に絶縁層4を設けてMIS構造
(金属−絶縁層一半導体層)にして像表示を行なうこと
も可能である。The spectral characteristics of the display element at this time are shown in FIG. Therefore, the color displayed in the image can be arbitrarily obtained by selecting an electron-accepting compound and an electron-donating compound. Furthermore, in order to reduce the display power, a display device structure as shown in FIG. It is also possible to provide an insulating layer 4 between the electrode 2 to form an MIS structure (metal-insulating layer-semiconductor layer) for image display.
すなわち、金属層2と半導体層5との0間で負のバイア
ス電圧を印加して、半導体層5内に電荷移動型銭体化合
物を形成し、このときの鎧体の色彩によって像表示を行
なうものである。さらには、第4図の如き表示装置構造
にして上記MIS構造において、電子受容性化合物もし
くは電子供与性化合物のいずれか一方を含む材料から成
る絶縁層6を設け半導体層7として絶縁層6に含まれな
い他方の材料を用いて形成し、上記と同様にして、金属
層2と半導体層7との間で負のバイアスを印加し、半導
体層7及び絶縁層6との界面で電荷移動型鍔体化合物を
生成せしめ、像表示を行なうものである。また、第4図
の如き表示素子構造において透明電極2上に無機半導体
薄膜7を形成し、このものの上方に電子供与性化合物も
しくは電子受容性化合物を含む絶縁層6を設けてMIS
構造とし、金属層2と半導体層7との間で負のバイアス
をかけて、無機半導体層7と絶縁層6との間で電荷移動
型鉛体を形成して像表示を行なってもよい。That is, a negative bias voltage is applied between the metal layer 2 and the semiconductor layer 5 to form a charge transfer type compound in the semiconductor layer 5, and an image is displayed by the color of the armor body at this time. It is something. Furthermore, in the above-mentioned MIS structure with a display device structure as shown in FIG. Similarly to the above, a negative bias is applied between the metal layer 2 and the semiconductor layer 7, and a charge transfer type collar is formed at the interface between the semiconductor layer 7 and the insulating layer 6. It is used to generate a body compound and display an image. Furthermore, in the display element structure as shown in FIG. 4, an inorganic semiconductor thin film 7 is formed on the transparent electrode 2, and an insulating layer 6 containing an electron-donating compound or an electron-accepting compound is provided above the inorganic semiconductor thin film 7.
image display may be performed by applying a negative bias between the metal layer 2 and the semiconductor layer 7, and forming a charge transfer type lead body between the inorganic semiconductor layer 7 and the insulating layer 6.
これとは逆に、上記無機半導体層7を電子供与性化合物
もしくは電子受容性化合物を含む材料を用い、これと絶
縁材料と電荷移動型錆体を形成せしめて象表示を行なう
ことも可能である。これらの被表示層を成す材料は、以
下に挙げるが、電子受容性化合物もしくは電子供与性化
合物の少なくとも一方を高分子化せしめることにより、
従来の平面表示装置のみならず立体的な表示装置をも形
成することができる。On the contrary, it is also possible to use a material containing an electron-donating compound or an electron-accepting compound for the inorganic semiconductor layer 7, and form a charge-transfer type rust body with this and an insulating material to display the image. . The materials forming these display layers are listed below, but by polymerizing at least one of an electron-accepting compound or an electron-donating compound,
Not only a conventional flat display device but also a three-dimensional display device can be formed.
加うるに、表示材料を高分子量化により被表示層を適宜
な方法、(例えば、印刷法、ホトェッチング法等)でパ
ターン化せしめることにより、液晶、ェレクトロミネツ
センス表示装置の様に、非表示部分にまで表示物質を存
在せしむることなくより少量の表示材料でかつ容易に製
造しうるという特徴を有している。In addition, by increasing the molecular weight of the display material and patterning the display layer using an appropriate method (e.g., printing method, photoetching method, etc.), it is possible to create a display layer that has a high molecular weight. It has the feature that it can be manufactured easily and with a smaller amount of display material without requiring the display material to be present in the display area.
本発明の表示素子は、テトラシアノキジメタン(TCN
Q)とテトラシアノエタン(TCNE)のうちの少なく
とも1種からなる電子受容性化合物と、次式で表わされ
る繰り返し単位を有するポリアミンとからなる電子供与
性化合物との電荷移動型錯体を被表示層材料として用い
るものである。The display element of the present invention comprises tetracyanoxydimethane (TCN).
Q), an electron-accepting compound consisting of at least one kind of tetracyanoethane (TCNE), and an electron-donating compound consisting of a polyamine having a repeating unit represented by the following formula, as a display layer. It is used as a material.
また、これらの電子受容性化合物及び電子供与性化合物
は、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ァセトン
等の適宜の有機溶媒に溶解せしめて用いても、さらには
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール、ポリビニルアルコール
等半固体中に分散もしくは溶解せしめてもよい。本発明
に用いられる透明電極としては例えばSOS(サファイ
ア上にシリコンを形成した基板)ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの透明導電体を形成せしめたも
ののみならず、金属ク。Further, these electron-accepting compounds and electron-donating compounds may be used by dissolving them in an appropriate organic solvent such as acetonitrile, dimethylformamide, acetone, etc., or they may be used by dissolving them in an appropriate organic solvent such as acetonitrile, dimethylformamide, acetone, etc. It may also be dispersed or dissolved in a semi-solid. Transparent electrodes used in the present invention include, for example, SOS (silicon on sapphire) glass substrates on which a transparent conductor such as tin oxide or indium oxide is formed, as well as metals.
ム等低抵抗体でかつ可視光線に対し吸収を有しなければ
いずれを用いてもかまわない。一方表示セルのMS構造
における絶縁層及び半導体層は、電子受容性化合物と電
子供与性化合物との粗成比とその濃度によって制御して
接合部を形成してもよい。Any material may be used as long as it is a low resistance material such as aluminum and does not absorb visible light. On the other hand, the insulating layer and the semiconductor layer in the MS structure of the display cell may be controlled by the coarse ratio of the electron-accepting compound and the electron-donating compound and their concentration to form a junction.
また、これらの支持体として上記の如く電荷移動型錆体
を形成し‘こくいポリマーおよびヱアロジル、酸化亜鉛
末、炭酸カルシウム粉末、ジルコニウム等を用いること
も可能である。本発明における被表示層は得られる像の
コントラストによって異なるが0.5〜50仏の範囲で
選択される。Further, as these supports, it is also possible to use a thick polymer which forms a charge-transfer type rust body as described above, as well as aerosil, zinc oxide powder, calcium carbonate powder, zirconium, and the like. The display layer in the present invention is selected in the range of 0.5 to 50 degrees, although it varies depending on the contrast of the image to be obtained.
また、表示セルにおける絶縁層及び半導体層は負のバイ
アスに対して耐性を有していればよく、一般には0.5
〜10りで充分である。このような構造の本発明による
表示素子の特性はコントラストの比が0.1〜20のも
のを得ることもでき、消費電力は10仏W′のと低消費
表示素子といわれる液晶表示素子に比して約1/10の
ものを得ることも可能である。さらにこの半導体表示素
子を集積回路基板上に形成せしめ同一基板上に駆動回路
例え‘まマトリックス回路及びCCD(電荷移送型素子
)をも設け一体化することにより、通常の集積回路技術
と同様な方法によって製造することができる。In addition, the insulating layer and semiconductor layer in the display cell only need to have resistance to negative bias, and generally 0.5
~10 is sufficient. The characteristics of the display element according to the present invention having such a structure are such that a contrast ratio of 0.1 to 20 can be obtained, and the power consumption is 10 French W', which is compared to a liquid crystal display element which is said to be a low consumption display element. It is also possible to obtain about 1/10 of the amount. Furthermore, by forming this semiconductor display element on an integrated circuit substrate and also providing and integrating a driving circuit, such as a matrix circuit, and a CCD (charge transfer type device) on the same substrate, the method similar to that of ordinary integrated circuit technology can be used. It can be manufactured by
本発明の詳細を実施例を挙げて説明する。The details of the present invention will be explained by giving examples.
実施例 1
電子供与性化合物の合成
電子供与性化合物として以下の方法によってポリアミン
を合成した。Example 1 Synthesis of electron-donating compound A polyamine was synthesized as an electron-donating compound by the following method.
縄拝器、冷却器温度計および滴下ロートを付した4つ口
フラスコに0.5モルN−メチルアニリンと200のZ
N・N′ジメチルホルムアミドを各々設ける。これと別
に0.5モルピベラジン2塩酸1水塩を500叫ピーカ
にとり200舷の水に溶解した後水袷する。これに1モ
ルの37%ホルマリン水溶液を徐々に添加し均一溶液と
して滴下ロートにうつす。4つ口フラスコの内容物を激
しく濃伴しながら水冷し滴下ロートからアミンのホルマ
リン水溶液を徐々に1時間かけて滴下する。0.5 mol N-methylaniline and 200 Z
N and N' dimethylformamide are provided respectively. Separately, 0.5 mol piverazine dihydrochloric acid monohydrate was dissolved in 200 m of water, and then poured into water. To this, 1 mol of 37% formalin aqueous solution was gradually added, and a homogeneous solution was transferred to the dropping funnel. The contents of the four-necked flask were cooled with water while vigorously concentrating, and an aqueous formalin solution of the amine was gradually added dropwise from the dropping funnel over 1 hour.
その後、5畑時間室温で反応させた後、反応液を2〜3
%NaOH水溶液10〆中に注下して再沈澱物は水で洗
浄した後、真空乾燥させる。乾燥試料はベンゼンに溶解
し石油エーテルで再沈澱させる。このものの融点は17
0q0であった。このポリアミン化合物IRスペクトル
、NM凪諏ベクトルから以下の化学式で示されると推定
した。(nは重合のくり返し数を示す。After that, after reacting at room temperature for 5 hours, the reaction solution was
The precipitate was poured into a 10% NaOH aqueous solution, and the reprecipitate was washed with water and then dried under vacuum. The dried sample is dissolved in benzene and reprecipitated with petroleum ether. The melting point of this thing is 17
It was 0q0. From the IR spectrum and NM Nagisu vector of this polyamine compound, it was estimated to be represented by the following chemical formula. (n indicates the number of repetitions of polymerization.
)25q0ベンゼン中の極限粘度は0.30であった。)25q0 The intrinsic viscosity in benzene was 0.30.
TCNE電荷移動銭体の生成‘1}式で示される重合体
を二塩化ェタン中に溶解し、5のmol′〆とし、この
ものの中にTCNEを0.5mmol′そとなるように
混合し、1昼夜室温で放置したところ、薄赤紫色のポリ
マー溶液が得られた。Formation of TCNE charge transfer body A polymer represented by the formula '1' was dissolved in ethane dichloride to give a concentration of 5 mol', and TCNE was mixed in this so that 0.5 mmol' was obtained. When the mixture was left at room temperature for one day and night, a pale reddish-purple polymer solution was obtained.
吸収スペクトルから、これらのものは電荷移動型鈴体化
合物を形成しているのを確めた。From the absorption spectra, it was confirmed that these compounds formed a charge-transfer type compound.
次に【1)式で示される重合体を二塩化ェタン中に溶解
し、5肌mol/ととし、このものの中にTCNEO.
lmmol/そとなるように混合し、1昼夜放置し、二
塩化ェタンを除去する。Next, the polymer represented by the formula (1) was dissolved in ethane dichloride to give a concentration of 5 mol/ml, and TCNEO.
Mix at a concentration of 1 mmol/sol and leave for one day to remove ethane dichloride.
次にTCNEをポリエチレングリコール(添川化学製#
1500)中に5mmol/そとなるようにした後、加
熱しながら上記重合体粉末とを混合し、透明電極板上に
50山となるように塗布した。Next, TCNE was added to polyethylene glycol (Soekawa Chemical #
1500), and mixed with the above polymer powder while heating, and coated on a transparent electrode plate in 50 mounds.
この塗膜上に透明電極を位置し第1図のごとき構造にし
た表示セルを作成し、両電極間に交流20Vを印加せし
めたところ濃赤紫色に発色し、この像は1:20のコン
トラストを有していた。電圧の印加前後における吸収ス
ペクトルを第5図に示す。次に上記で得た塗膜は107
0・肌の比抵抗を有すし、この半導体層上へ、透明電極
上に厚さ1000AのSi02薄膜を設けたものを位置
し第1図のような構造とした表示セルを作成し、両電極
間に直流20Vを印加せしめたところ、濃赤紫色に発色
し、この像は1:10のコントラストを有していた。A display cell with the structure shown in Figure 1 was created by placing transparent electrodes on this coating film, and when 20 V AC was applied between both electrodes, a deep reddish-purple color developed, and this image had a contrast ratio of 1:20. It had FIG. 5 shows the absorption spectra before and after voltage application. Next, the coating film obtained above is 107
A display cell with a structure as shown in Figure 1 was created by placing a 1000A thick Si02 thin film on a transparent electrode on top of this semiconductor layer, and connecting both electrodes. When a direct current of 20 V was applied between them, a deep reddish-purple color developed, and this image had a contrast of 1:10.
実施例 2
実施例1で得た重合体を二塩化ェタン中に溶解し5mm
olノ〆となるように混合し、このものの中にTCNQ
を0.1mmol/〆となるように混合し、SOS上(
サファイア上にシリコン(1000A)を形成した基板
)に1昼夜放置し二塩化ェタンを除去する。Example 2 The polymer obtained in Example 1 was dissolved in ethane dichloride to a size of 5 mm.
Mix it so that it becomes a solid mixture, and add TCNQ to this mixture.
Mix at 0.1 mmol/〆 and place on SOS (
The substrate (silicon (1000A) formed on sapphire) was left for one day and night to remove ethane dichloride.
この薄膜層は1び○・肌の比抵抗を有する半導体であっ
た。一方この薄膜上にTCNQをポリエチレングリコー
ル(添川化学製#1500)中に5mmol/そとなる
ように分散せしめたワックスを50ムの厚さで表示部分
をスクリーン印刷法で形成した。This thin film layer was a semiconductor having a resistivity of 1. Separately, on this thin film, a display portion was formed using a screen printing method using a wax in which TCNQ was dispersed in polyethylene glycol (#1500 manufactured by Soekawa Chemical Co., Ltd.) to a thickness of 50 μm.
この上方に透明電極を位置し、第4図の如く構造とした
表ホセルを作成した。この両透明電極間に15Vの直流
を印加したところ、濃赤紫色に発色しこの像のコントラ
ストは1:15であった。図面の簡単な説明第1図は本
発明素子の実施例を説明するための図、第2図は第1図
の分光特性曲線図、第3図および第4図は第1図の他の
実施例説明図、第5図は本発明素子の他の具体的実施例
の分光特性曲線図である。A transparent electrode was placed above this to create a front cell with a structure as shown in FIG. When a direct current of 15 V was applied between both transparent electrodes, a deep reddish-purple color developed, and the contrast of this image was 1:15. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the device of the present invention, FIG. 2 is a spectral characteristic curve diagram of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are other embodiments of FIG. 1. FIG. 5 is a spectral characteristic curve diagram of another specific example of the device of the present invention.
1は透明電極を保持するガラス層、2は透明電極、3は
電子供与性化合物と電子受容性化合物との混合物から成
る表示層、4は絶縁層、5は電子供与性化合物と電子受
容性化合物を含む半導体層、6は電子供与性化合物又は
電子受容性化合物を含む絶縁層、7は6に含まれる化合
物と電荷移動型鎖体化合物を形成する材料から成る半導
体層、8は電極間の厚さを保つためのスべ−サ。1 is a glass layer holding a transparent electrode, 2 is a transparent electrode, 3 is a display layer consisting of a mixture of an electron donating compound and an electron accepting compound, 4 is an insulating layer, and 5 is an electron donating compound and an electron accepting compound. 6 is an insulating layer containing an electron-donating compound or an electron-accepting compound; 7 is a semiconductor layer made of a material that forms a charge transfer type chain compound with the compound contained in 6; 8 is the thickness between the electrodes; A smoother to keep it clean.
第1図第2図第3図 第4図 第5図Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
に次の繰り返し単位を有するポリアミン;▲数式、化学
式、表等があります▼およびテトラシアノキシメタンと
テトラシアノエタンのうちの少なくとも1種の混合物を
含む被表示層を具備してなることを特徴とする受光性表
示素子。 2 前記混合物は半導体である特許請求の範囲第1項記
載の受光性表示素子。 3 前記被表示層は半導体層および絶縁体層の積層構造
を含むものである特許請求の範囲第1項記載の受光性表
示素子。 4 前記被素子層は無機半導体薄膜および電子供与性化
合物または電子受容性化合物を含む絶縁層の積層構造を
有するものである特許請求第1項記載の受光性表示素子
。 5 前記被表示層は電子供与性化合物又は電子受容性化
合物を含む半導体薄膜および絶縁層の積層構造を有する
ものである特許請求の範囲第1項記載の受光性表示素子
。[Scope of Claims] 1. A polyamine having substantially the following repeating units provided between electrodes, at least one of which is transparent; 1. A light-receiving display element comprising a display layer containing a mixture of at least one type of light-receiving display element. 2. The light-receiving display element according to claim 1, wherein the mixture is a semiconductor. 3. The light-receiving display element according to claim 1, wherein the display layer includes a laminated structure of a semiconductor layer and an insulating layer. 4. The light-receiving display element according to claim 1, wherein the element layer has a laminated structure of an inorganic semiconductor thin film and an insulating layer containing an electron-donating compound or an electron-accepting compound. 5. The light-receiving display element according to claim 1, wherein the display layer has a laminated structure of a semiconductor thin film containing an electron-donating compound or an electron-accepting compound and an insulating layer.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52039550A JPS608034B2 (en) | 1977-04-08 | 1977-04-08 | Photosensitive display element |
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| JP52039550A JPS608034B2 (en) | 1977-04-08 | 1977-04-08 | Photosensitive display element |
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| US4734338A (en) * | 1984-07-31 | 1988-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device |
| US4775820A (en) * | 1984-07-31 | 1988-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Multilayer electroluminescent device |
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| US4741976A (en) * | 1984-07-31 | 1988-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device |
-
1977
- 1977-04-08 JP JP52039550A patent/JPS608034B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53125278A (en) | 1978-11-01 |
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