JPS6115562B2 - - Google Patents
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- JPS6115562B2 JPS6115562B2 JP15023278A JP15023278A JPS6115562B2 JP S6115562 B2 JPS6115562 B2 JP S6115562B2 JP 15023278 A JP15023278 A JP 15023278A JP 15023278 A JP15023278 A JP 15023278A JP S6115562 B2 JPS6115562 B2 JP S6115562B2
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- Japan
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- temperature
- thermistor
- sensitive coating
- coating
- sensitive
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は任意の温度において任意の抵抗値を有
するように選択できる構造を有するサーミスタに
係わる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a thermistor having a structure that can be selected to have any resistance value at any temperature.
物体あるいは雰囲気の温度を計測する方法の一
つにサーミスタによる計測がある。ところでサー
ミスタ素子単独での温度計測は精度が充分得られ
ず、そこで従来これより改良された計測法として
第1図に示すように定温度点を一点にとつたブリ
ツジ型温度計測法においては、抵抗値のバランス
をとる必要から、可変抵抗器等を余分に必要とし
た。すなわち第1図に示すように、抵抗1および
2と、サーミスタ3および4、可変抵抗器5とに
よりブリツジ回路を構成し、点A,Bよりオペア
ンプ6に入力された2つの信号から出力7をとり
出し、サーミスタ3,4の温度差を求めるもの
で、この時、該ブリツジのバランスをとるため、
可変抵抗器5を必要としていた。本発明はこのよ
うなブリツジ型サーミスタ温度センサの温度計測
システム、あるいは湿度計測システム等におい
て、外部取付けによる可変抵抗器等を必要とする
ことなく温度あるいは湿度計測システムを構成せ
しめることを可能とし、回路の簡略化、安定化を
はかろうとするもので以下に図面を用い本発明の
実施例を説明する。 One method of measuring the temperature of an object or atmosphere is to use a thermistor. By the way, temperature measurement using a thermistor element alone does not provide sufficient accuracy, so in the bridge-type temperature measurement method, which uses a single constant temperature point as shown in Figure 1, which is an improved measurement method, the resistance Due to the need to balance the values, an extra variable resistor was required. That is, as shown in FIG. 1, a bridge circuit is configured by resistors 1 and 2, thermistors 3 and 4, and variable resistor 5, and output 7 is obtained from two signals inputted to operational amplifier 6 from points A and B. The temperature difference between the thermistors 3 and 4 is determined by taking out the temperature, and at this time, in order to balance the bridge,
A variable resistor 5 was required. The present invention makes it possible to configure a temperature or humidity measurement system using such a bridge-type thermistor temperature sensor or humidity measurement system without requiring an externally attached variable resistor. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図は、本発明の第1の実施例であるサーミ
スタを用いた温度計測システムを示す。 FIG. 2 shows a temperature measurement system using a thermistor, which is a first embodiment of the present invention.
図に示すように、抵抗11および12、サーミ
スタ13および14により、ブリツジ回路を形成
し、点C,Dよりオペアンプ15に入力し、出力
16を得るものである。ここでサーミスタ14は
本発明によるものであり、サーミスタの温度特性
は変えずに、抵抗値のみを変化させて、温度計測
回路にマツチした抵抗値にすることにより、回路
を簡単にし、安定性、信頼性を向上させるもので
ある。このように可変抵抗型になつたサーミスタ
の構造を第3図に具体的に示す。図に示すように
アルミナ等よりなる基板21の表面に、炭化珪
素、あるいはマンガン、コバルト、鉄系酸化物等
よりなる感温被膜22を、スパツタリング蒸着、
蒸着あるいはスクリーン印刷等の方法で半円形状
に設ける。この被膜22の両端には、金属電極部
23,24を設け、該電極部23,24にはリー
ド線25,26を設ける。次に被膜22上を接触
しながら移動する接触子27を固定子28により
取りつける。固定子28は接触子27が回転でき
るようにとめてあるものである。なお被膜22
は、図に示すように、電極部23,24に近接す
る部分で狭く中央部で広くすると、中央部分にお
ける抵抗値の微調整がより簡単となり、所望の抵
抗値を一段と得易くすることができる。また、幅
の狭い部分は熱時定数が小さいので微小温度変化
に対する抵抗変化の微係数が大きく、このため、
熱感度が高サーミスタとなる。 As shown in the figure, resistors 11 and 12 and thermistors 13 and 14 form a bridge circuit, which is input to an operational amplifier 15 from points C and D to obtain an output 16. Here, the thermistor 14 is according to the present invention, and by changing only the resistance value without changing the temperature characteristics of the thermistor, and making the resistance value match the temperature measurement circuit, the circuit is simplified, stability is improved, This improves reliability. The structure of such a variable resistance type thermistor is specifically shown in FIG. As shown in the figure, a temperature-sensitive film 22 made of silicon carbide, manganese, cobalt, iron-based oxide, etc. is deposited on the surface of a substrate 21 made of alumina or the like by sputtering vapor deposition.
It is provided in a semicircular shape by a method such as vapor deposition or screen printing. Metal electrode parts 23 and 24 are provided at both ends of this coating 22, and lead wires 25 and 26 are provided in the electrode parts 23 and 24, respectively. Next, a contactor 27 that moves while contacting the coating 22 is attached by a stator 28 . The stator 28 is fixed so that the contact 27 can rotate. Note that the coating 22
As shown in the figure, if it is narrower in the portions close to the electrode parts 23 and 24 and widened in the center, it becomes easier to finely adjust the resistance value in the center portion, making it easier to obtain the desired resistance value. . In addition, the narrow part has a small thermal time constant, so the differential coefficient of resistance change with respect to minute temperature changes is large.
A thermistor with high thermal sensitivity.
第4図は本発明の第2の実施例であるサーミス
タを示し、アルミナ等の基板31の表面に、炭化
珪素、マンガン−コバルト−鉄系酸化物等よりな
る感温被膜32を、スパツタリング蒸着、蒸着あ
るいはスクリーン印刷等の方法で図のように帯状
に設ける。この被膜32の両端に、金属電極部3
3,34を設け、その電極部33,34にはリー
ド線35,36を設ける。次に被膜32上を接触
しながら移動することのできる接触子37をはめ
合わせ等の方法で取りつける。なお接触子37
は、電極34と接続された細長い電極部38をも
同時接触しながら移動できるようになつている。
また被膜32は、図のように、電極部33,34
の近傍では巾が狭く、中央部で広くすると第1の
実施例同様中央部における抵抗値の微調整がより
簡単となり所望の抵抗値を一段と得易くすること
ができる。また、幅の狭い部分は熱時定数が小さ
いので微小温度変化に対する抵抗変化の微係数が
大きく、このため、熱感度が高いサーミスタとな
る。 FIG. 4 shows a thermistor according to a second embodiment of the present invention, in which a temperature-sensitive film 32 made of silicon carbide, manganese-cobalt-iron oxide, etc. is deposited on the surface of a substrate 31 made of alumina or the like by sputtering vapor deposition. It is provided in a band shape as shown in the figure using a method such as vapor deposition or screen printing. Metal electrode portions 3 are provided at both ends of this coating 32.
3 and 34 are provided, and lead wires 35 and 36 are provided to the electrode portions 33 and 34, respectively. Next, a contactor 37 that can move while contacting the coating 32 is attached by fitting or the like. In addition, contact 37
can move while simultaneously touching the elongated electrode portion 38 connected to the electrode 34.
Further, the coating 32 has electrode parts 33 and 34 as shown in the figure.
If the width is narrow in the vicinity of , and widened in the center, fine adjustment of the resistance value in the center becomes easier as in the first embodiment, making it easier to obtain the desired resistance value. Furthermore, since the narrow portion has a small thermal time constant, the differential coefficient of resistance change with respect to minute temperature changes is large, resulting in a thermistor with high thermal sensitivity.
なお第3図、第4図において、接触子27,3
7はそれぞれ電極24,34と電気的に接続され
ているが、この接続を切断し、接触子27,37
をそれぞれ、中間タツプとして使用できることは
勿論である。 In addition, in FIGS. 3 and 4, the contacts 27, 3
7 are electrically connected to the electrodes 24 and 34, respectively, but this connection is cut and the contacts 27 and 37 are connected to each other.
Of course, each can be used as an intermediate tap.
第5図は、本発明の第3の実施例であるサーミ
スタを示す。第3図における場合と同様に、アル
ミナ等の基板41の表面に、炭化珪素、マンガン
−コバルト−鉄系酸化物等よりなる感温被膜42
を、蒸着、スパツタリング蒸着、スクリーン印刷
等の方法で図のように半円状に設ける。この被膜
42の両端に金属電極部43,44を設け、該電
極43,44にはリード線45,46を設ける。
次に被膜42上から図のように、半円被膜の中心
付近に向つて放射線状に多数の金属端子部47を
設ける。端子部47は、例えば、金、白金等を蒸
着などの方法で被着することにより設けられる。
次に金属端子部47に接触しながら回動される接
触子48を設ける。その接触子48は、第3の電
極49に接続されるようにして固定子50で回動
自在に固定され、また電極49には、リード線5
1を設ける。このようにして構成された可変抵抗
型サーミスタは、第3図の場合のものに比べ、さ
らに、雑音が少なく、性能が向上している。なお
感温被膜42は、第3図同様の形状とすることが
できる。また必要に応じて、被膜42の部分を、
絶縁性を有する炭化珪素、酸化珪素等の絶縁被膜
52で覆つても良い。 FIG. 5 shows a thermistor according to a third embodiment of the invention. Similar to the case in FIG. 3, a temperature-sensitive coating 42 made of silicon carbide, manganese-cobalt-iron oxide, etc. is coated on the surface of a substrate 41 made of alumina or the like.
are provided in a semicircular shape as shown in the figure by a method such as vapor deposition, sputtering vapor deposition, or screen printing. Metal electrode portions 43 and 44 are provided at both ends of this coating 42, and lead wires 45 and 46 are provided to the electrodes 43 and 44, respectively.
Next, as shown in the figure, a large number of metal terminal portions 47 are provided radially from above the coating 42 toward the vicinity of the center of the semicircular coating. The terminal portion 47 is provided, for example, by depositing gold, platinum, or the like by a method such as vapor deposition.
Next, a contact 48 that is rotated while contacting the metal terminal portion 47 is provided. The contact 48 is rotatably fixed to a stator 50 so as to be connected to a third electrode 49, and a lead wire 5 is attached to the electrode 49.
1 will be provided. The variable resistance thermistor constructed in this manner has even less noise and improved performance than the one shown in FIG. Note that the temperature-sensitive coating 42 can have a shape similar to that shown in FIG. In addition, if necessary, the portion of the coating 42 may be
It may be covered with an insulating film 52 made of silicon carbide, silicon oxide, or the like having insulating properties.
第6図は本発明の第4の実施例であるサーミス
タを示す。この場合には第5図の構成のものを第
4図のように横長に変形したものである。 FIG. 6 shows a thermistor according to a fourth embodiment of the present invention. In this case, the configuration shown in FIG. 5 is modified to be horizontally elongated as shown in FIG.
なお図中各要素に付した記号は第5図に共通さ
せその説明は省略する。 Note that the symbols attached to each element in the figure are the same as those in FIG. 5, and the explanation thereof will be omitted.
なお、第5図、第6図における端子部47の間
隔を種々変えることにより、所望の抵抗値を得易
いものとすることもできる。 Note that by varying the spacing between the terminal portions 47 in FIGS. 5 and 6, it is possible to easily obtain a desired resistance value.
以上のように構成したサーミスタは、温度セン
サ、計測システムにおいて、回路の簡略化ばかり
でなく、安定性、信頼性にも秀れたものとするこ
とができる。 The thermistor configured as described above not only simplifies the circuit but also provides excellent stability and reliability in temperature sensors and measurement systems.
第1図は従来のサーミスタを用いた温度計測シ
ステムの回路図、第2図は本発明の第1の実施例
であるサーミスタを用いた温度計測システムの回
路図、第3図は同サーミスタの正面図、第4図、
第5図、第6図はそれぞれ本発明の第2、第3、
第4それぞれの実施例であるサーミスタの正面図
である。
21,31,41……基板、22,32,42
……感温被膜、23,24,33,34,38,
43,44,49……電極部、27,37,47
……接触子。
Figure 1 is a circuit diagram of a temperature measurement system using a conventional thermistor, Figure 2 is a circuit diagram of a temperature measurement system using a thermistor according to the first embodiment of the present invention, and Figure 3 is a front view of the thermistor. Figure, Figure 4,
FIGS. 5 and 6 show the second, third, and third embodiments of the present invention, respectively.
It is a front view of the thermistor which is each 4th Example. 21, 31, 41...Substrate, 22, 32, 42
...temperature-sensitive coating, 23, 24, 33, 34, 38,
43, 44, 49... Electrode part, 27, 37, 47
...Contact child.
Claims (1)
い領域とを有する感温被膜を設け、上記感温被膜
上の異なつた位置で上記感温被膜と電気的に接続
されるように位置移動が可能になつた接触子とを
備えるとともに少なくとも上記感温被膜の一端お
よび上記接触子の一端に外部取出し用の端子を備
えることを特徴とするサーミスタ。 2 感温被膜の形状が円周に沿つた帯状又は真直
な帯状になつた特許請求の範囲第1項記載のサー
ミスタ。 3 接触子が感温被膜から引き出された複数の導
体片を介して接続されるようになつた特許請求の
範囲第1項記載のサーミスタ。 4 感温被膜に感温性を有する炭化珪素あるいは
マンガン・コバルト・鉄系酸化物を用いた特許請
求の範囲第1項記載のサーミスタ。 5 感温被膜の表面が絶縁性を有する炭化珪素あ
るいは酸化珪素よりなる被膜により覆われた特許
請求の範囲第3項記載のサーミスタ。[Claims] 1. A temperature-sensitive coating having a relatively wide area and a relatively narrow area is provided on an insulating substrate, and the temperature-sensitive coating is electrically connected to the temperature-sensitive coating at different positions on the temperature-sensitive coating. What is claimed is: 1. A thermistor comprising: a contact whose position can be moved so as to be connected; and a terminal for external extraction at at least one end of the temperature-sensitive coating and one end of the contact. 2. The thermistor according to claim 1, wherein the temperature-sensitive coating has a shape of a circumferential band or a straight band. 3. The thermistor according to claim 1, wherein the contacts are connected via a plurality of conductor pieces drawn out from the temperature-sensitive coating. 4. The thermistor according to claim 1, wherein the temperature-sensitive film is made of silicon carbide or manganese-cobalt-iron oxide. 5. The thermistor according to claim 3, wherein the surface of the temperature-sensitive film is covered with a film made of insulating silicon carbide or silicon oxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15023278A JPS5575203A (en) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15023278A JPS5575203A (en) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Thermistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5575203A JPS5575203A (en) | 1980-06-06 |
| JPS6115562B2 true JPS6115562B2 (en) | 1986-04-24 |
Family
ID=15492430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15023278A Granted JPS5575203A (en) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5575203A (en) |
-
1978
- 1978-12-04 JP JP15023278A patent/JPS5575203A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5575203A (en) | 1980-06-06 |
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