JPS6117064B2 - - Google Patents
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- JPS6117064B2 JPS6117064B2 JP4982278A JP4982278A JPS6117064B2 JP S6117064 B2 JPS6117064 B2 JP S6117064B2 JP 4982278 A JP4982278 A JP 4982278A JP 4982278 A JP4982278 A JP 4982278A JP S6117064 B2 JPS6117064 B2 JP S6117064B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブルメモリデバイスに関するもので
ある。一般に、バブルメモリデバイスは磁性薄膜
およびこの磁性薄膜上に形成された軟強磁性体薄
膜のパタンよりなる磁気バブルメモリチツプと、
上記チツプと外部回路間との信号伝搬を行なうリ
ード線と、上記チツプ面に水平な回転磁界を与え
るコイルブロツクと、上記チツプに対して垂直な
バイアス磁界を与える磁石ブロツクとから主に構
成されており、上記軟強磁性体薄膜のパタンに磁
気バブルを発生、転送および分割させることによ
つて所望の情報を書込み、記憶、読出しを行なつ
ている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to bubble memory devices. Generally, a bubble memory device includes a magnetic bubble memory chip consisting of a magnetic thin film and a pattern of a soft ferromagnetic thin film formed on the magnetic thin film.
It mainly consists of lead wires for signal propagation between the chip and an external circuit, a coil block that applies a rotating magnetic field horizontal to the chip surface, and a magnet block that applies a bias magnetic field perpendicular to the chip. Desired information is written, stored, and read by generating, transferring, and dividing magnetic bubbles in the pattern of the soft ferromagnetic thin film.
第1図は従来のバブルメモリデバイス、特に上
記バブルメモリデバイスを構成するセラミツクパ
ツケージ内部の一例を示す要部斜視図である。同
図において、1はセラミツクなどにより形成され
た絶縁基板であり、この絶縁基板1の中央部分に
は凹溝が形成され、この凹溝内にバブルメモリチ
ツプ2が配置されている。また上記絶縁基板1の
表面には、上記バブルメモリチツプ2の微少入出
力信号を授受する信号配線3が被着形成され、前
記絶縁基板1の端部に設けられた複数本の端子4
にそれぞれ接続されている。また、上記バブルメ
モリチツプ2、信号配線3および端子4が組み込
まれた絶縁基板1は、第2図にその簡略斜視図を
示したように、その外周面側にそれぞれX軸方向
にXコイル4a、Y軸方向にYコイル4bが互に
直交して巻回され、上記バブルメモリチツプ2に
回転磁界を印加する。該Xコイル4a、Yコイル
4bの外面側には、上記バブルメモリチツプ2に
バイアス磁界を均一に与える板状の一対の磁石6
a、一対の整磁板6b等がサンドウイツチ状に配
置され、第3図にその要部斜視図で示した如くシ
ールドケース7内に収納され、その周囲の面に樹
脂8が充填されてバブルメモリデバイスが構成さ
れている。 FIG. 1 is a perspective view of essential parts of a conventional bubble memory device, particularly showing an example of the inside of a ceramic package constituting the bubble memory device. In the figure, reference numeral 1 denotes an insulating substrate made of ceramic or the like. A groove is formed in the center of the insulating substrate 1, and a bubble memory chip 2 is placed in the groove. Further, on the surface of the insulating substrate 1, a signal wiring 3 for transmitting and receiving minute input/output signals of the bubble memory chip 2 is formed, and a plurality of terminals 4 provided at the end of the insulating substrate 1 are formed.
are connected to each. In addition, as shown in a simplified perspective view in FIG. 2, the insulating substrate 1 in which the bubble memory chip 2, signal wiring 3, and terminal 4 are installed has an X coil 4a extending in the X-axis direction on its outer peripheral surface. , Y coils 4b are wound perpendicularly to each other in the Y-axis direction, and apply a rotating magnetic field to the bubble memory chip 2. A pair of plate-shaped magnets 6 are provided on the outer surfaces of the X coil 4a and Y coil 4b to uniformly apply a bias magnetic field to the bubble memory chip 2.
a, a pair of magnetic field shuffling plates 6b, etc. are arranged in a sandwich-like manner, and as shown in the perspective view of the main part in FIG. Device is configured.
またバブルメモリデバイスの動作マージン(一
般にバイアス磁界強度を基準とし各種の条件をバ
ラメータとしている)を測定するための、バイア
ス磁界可変用コイル6cが設置され、該バイアス
磁界可変用コイル6cに電流を流すことによつて
バイアス磁界を変化させている。 Further, a bias magnetic field variable coil 6c is installed to measure the operating margin of the bubble memory device (generally, the bias magnetic field strength is used as a reference and various conditions are used as parameters), and a current is passed through the bias magnetic field variable coil 6c. This changes the bias magnetic field.
このように構成されたバブルメモリデバイスに
おいて、バブルメモリチツプ2内のバブル検出器
によつて検出された微少信号は信号配線3および
端子4を介して図示しない外部の差動増幅器に供
給され、増幅されるとともに、その検出信号の差
信号によつて所定値のバブルメモリ出力信号を得
ている。 In the bubble memory device configured in this way, a minute signal detected by the bubble detector in the bubble memory chip 2 is supplied to an external differential amplifier (not shown) via the signal wiring 3 and the terminal 4, and is amplified. At the same time, a bubble memory output signal of a predetermined value is obtained by the difference signal between the detection signals.
上記構成によるバブルメモリデバイスにおい
て、外来磁界によつて内部のバブルメモリチツプ
2に与える磁界の影響を防止するため、その外周
面にシールドケース7を配置し外来磁界を磁気し
やへいさせる構成となつている。 In the bubble memory device having the above configuration, in order to prevent the influence of the external magnetic field on the internal bubble memory chip 2, a shielding case 7 is disposed on the outer peripheral surface of the bubble memory chip 2, thereby making the external magnetic field less susceptible to magnetization. ing.
バブルメモリチツプの寸法は6×6×0.4mmで
ありこのチツプの各部に±2%の一様な回転磁界
を印加させるためのYコイル5bの寸法は12×13
×3.5mmとなり、このコイルを0.2mmφのマダネツ
トワイヤを2層巻きすることによつて製作したと
きにコイルのインダクタンスは48μHとなり必要
な正弦波電流の振幅は0.4Aとなる。一般に回転
磁界用コイルに周波数100〜200KHzの正弦波電流
を流すにはコイルとコンデンサを直列に接続した
LC直列共振駆動回路が用いられている。このと
きコイルの端子に発生する端子電圧Vcは
Vc≒IωL(v)
であらわされ、今160KHzで駆動したときの端子
電圧は19Vとなる。この値はバブル出力電圧
(4mV)に比べて極めて大きい値であり、コイル
の端子電圧がバブル出力電圧に対して悪影響を与
えないように対策する必要がある。 The dimensions of the bubble memory chip are 6 x 6 x 0.4 mm, and the dimensions of the Y coil 5b to apply a uniform rotating magnetic field of ±2% to each part of this chip are 12 x 13 mm.
x3.5mm, and when this coil is manufactured by winding two layers of 0.2mmφ madanet wire, the inductance of the coil is 48μH and the required amplitude of the sine wave current is 0.4A. Generally, to send a sine wave current with a frequency of 100 to 200 KHz through a rotating magnetic field coil, the coil and capacitor are connected in series.
An LC series resonant drive circuit is used. At this time, the terminal voltage Vc generated at the terminals of the coil is expressed as Vc≈IωL(v), and the terminal voltage when driven at 160KHz is 19V. This value is extremely large compared to the bubble output voltage (4 mV), and it is necessary to take measures to prevent the terminal voltage of the coil from having an adverse effect on the bubble output voltage.
コイルの端子電圧はコイル5a,5bとシール
ドケース7間のカツプリング容量Cによつてシー
ルドケースに伝搬されて静電結合ノイズとなると
ともにシールドケース7と出力端子4間にも同様
な現象が発生し、出力端子4にそのノイズは重畳
してしまうなどの欠点があり、この欠点を解消さ
せるためにはシールドケースをリードピンと電気
的に接続し、リードピンを接地することによつて
防いでいる。 The terminal voltage of the coil is propagated to the shield case by the coupling capacitance C between the coils 5a, 5b and the shield case 7, resulting in capacitive coupling noise, and a similar phenomenon occurs between the shield case 7 and the output terminal 4. , the noise is superimposed on the output terminal 4, and this problem can be overcome by electrically connecting the shield case to the lead pin and grounding the lead pin.
第5図は従来のデバイスにおけるピン配列を示
したものであり5a,5a′はバブル出力検出用リ
ードピン、5bはシールドケースを接地させるた
めのリードピン、5b′は無接触の空ピン、5c,
5c′はバイアス磁界可変用コイル端子、5dはX
コイル端子、5d′はYコイル端子、5e,5e′は
チツプ内の各機能にパルス電流を送る端子であ
る。以上説明した如く従来のデバイスではリード
ピンが22本であり特に5b′の無接触ピンがあるな
どの無駄があつた。またリードピンのピツチは
2.54mmでありデバイス寸法が大きくなるという欠
点があつた。 Fig. 5 shows the pin arrangement of a conventional device. 5a and 5a' are lead pins for bubble output detection, 5b is a lead pin for grounding the shield case, 5b' is a non-contact empty pin, 5c,
5c' is the bias magnetic field variable coil terminal, 5d is X
Coil terminals 5d' are Y coil terminals, and 5e and 5e' are terminals for sending pulse current to each function within the chip. As explained above, the conventional device has 22 lead pins, and in particular, there is a 5b' non-contact pin, which is wasteful. Also, the pitch of the lead pin is
The disadvantage was that the device size was 2.54mm, making the device larger.
本発明は上述した欠点を解消するためになされ
たものでありバイアス磁界可変用コイルの一方の
リードピンをシールドケース接地用リードピンと
共通にすることにより無接触リードピンをなくし
リードピン数を20本にしたものである。 The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks, and by making one lead pin of the variable bias magnetic field coil common to the lead pin for grounding the shield case, the number of non-contact lead pins is eliminated and the number of lead pins is reduced to 20. It is.
第7図は本発明によるリードピン接続部の簡易
説明図でありコイル6gの端子6c,6dはそれ
ぞれリードピン5b,5c′に溶接されている。ま
た一方の端子6dを接続したリードピン5c′とシ
ールドケース6fはワイヤー6eによつて溶接法
により接続されている。 FIG. 7 is a simple explanatory diagram of a lead pin connection section according to the present invention, in which terminals 6c and 6d of a coil 6g are welded to lead pins 5b and 5c', respectively. Further, the lead pin 5c' to which one terminal 6d is connected and the shield case 6f are connected by welding via a wire 6e.
バイアス磁界を正負方向に変化させるためには
リードピン5c′を接地電位とし、リードピン5b
を正、負電位にすることにより正負方向に変化さ
せることが可能であり、いずれの場合にもシール
ドケースは接地電位となつているため前述したノ
イズは発生しない。 In order to change the bias magnetic field in the positive and negative directions, the lead pin 5c' is set to the ground potential, and the lead pin 5b is set to the ground potential.
It is possible to change it in the positive and negative directions by setting it to a positive or negative potential, and in either case, the above-mentioned noise does not occur because the shielding case is at the ground potential.
以上説明した如く本発明により従来のリードピ
ンの本数を2本少なくすることができデバイスを
小型化することができる。 As explained above, according to the present invention, the number of conventional lead pins can be reduced by two, and the device can be made smaller.
第1図はセラミツクパツケージの斜視図、第2
図はコイルを示した図、第3図はデバイス外観
図、第4,5図はデバイスの断面略図、第6図は
従来デバイスのピン配列を示す図、第7図は本発
明による接続図、第8図は本発明によるデバイス
のピン配列図である。
5a……リードピン、5b……シールドケー
ス、5c……端子、5e……チツプ、6g……コ
イル、6c……端子、6a,6b……リードピ
ン。
Figure 1 is a perspective view of the ceramic package, Figure 2
The figure shows a coil, FIG. 3 is an external view of the device, FIGS. 4 and 5 are schematic cross-sectional views of the device, FIG. 6 is a diagram showing the pin arrangement of a conventional device, and FIG. 7 is a connection diagram according to the present invention. FIG. 8 is a pin-out diagram of a device according to the invention. 5a... Lead pin, 5b... Shield case, 5c... Terminal, 5e... Chip, 6g... Coil, 6c... Terminal, 6a, 6b... Lead pin.
Claims (1)
該チツプに対するバイアス磁界を可変にするため
のバイアスコイルと、上記チツプに電気的に接続
された複数のリードピンと、上記チツプを外部か
ら磁気的にシールドするためのシールドケースと
を具備して成り、上記バイアスコイルの一端と上
記シールドケースとを上記複数のリードピンの一
つに共通に電気的に接続して成ることを特徴とす
る磁気バブルメモリデバイス。1. A magnetic valve memory chip that stores information,
It comprises a bias coil for varying the bias magnetic field for the chip, a plurality of lead pins electrically connected to the chip, and a shield case for magnetically shielding the chip from the outside, A magnetic bubble memory device characterized in that one end of the bias coil and the shield case are commonly electrically connected to one of the plurality of lead pins.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4982278A JPS54142944A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4982278A JPS54142944A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54142944A JPS54142944A (en) | 1979-11-07 |
| JPS6117064B2 true JPS6117064B2 (en) | 1986-05-06 |
Family
ID=12841788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4982278A Granted JPS54142944A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Bubble memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54142944A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178682A (en) * | 1983-03-30 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | Bubble device incorporating initial coil |
-
1978
- 1978-04-28 JP JP4982278A patent/JPS54142944A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54142944A (en) | 1979-11-07 |
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