JPS6120166B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6120166B2 JPS6120166B2 JP15686580A JP15686580A JPS6120166B2 JP S6120166 B2 JPS6120166 B2 JP S6120166B2 JP 15686580 A JP15686580 A JP 15686580A JP 15686580 A JP15686580 A JP 15686580A JP S6120166 B2 JPS6120166 B2 JP S6120166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- electrode transmission
- dielectric resonator
- gate electrode
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、誘電体共振器を帰還回路として用
いたマイクロ波半導体発振器に関するものであ
り、特に誘電体共振器の位置決め用としてドレイ
ン電極伝送線路およびゲート電極伝送線路のそれ
ぞれ一部にガラスコート部を設けたマイクロ波半
導体発振器に関するものである。
いたマイクロ波半導体発振器に関するものであ
り、特に誘電体共振器の位置決め用としてドレイ
ン電極伝送線路およびゲート電極伝送線路のそれ
ぞれ一部にガラスコート部を設けたマイクロ波半
導体発振器に関するものである。
第１図は従来のこの種のマイクロ波半導体発振
器の一例を示す平面図であり、第２図は誘電体共
振器配置部付近の断面図である。
器の一例を示す平面図であり、第２図は誘電体共
振器配置部付近の断面図である。
これらの図において、１はマイクロ波帯で、低
誘電損をもつアルミナや弗素樹脂等のマイクロ波
集積回路用の基板１，２，３および４は銀−パラ
ジウム等の導体を印刷・焼成により形成し、はん
だデイツプを施したマイクロストリツプ線路より
なるドレイン電極伝送線路、ゲート電極伝送線路
およびソース電極伝送線路、５はドレイン電極
Ｄ、ゲート電極Ｇおよびソース電極Ｓを各々の伝
送線路２，３および４に接続した電界効果トラン
ジスタ（以下FETと称する）、６は前記FET５の
ドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇに対応して接続し
たドレイン電極伝送線路２およびゲート電極伝送
線路３間に電磁的結合するように配置した酸化チ
タン系等の誘電体共振器である。この誘電体共振
器６は実験的に最適位置を決定し、接着剤にて固
定する。なお、この最適位置は通常、伝送線路幅
の1/4程度なる位置とされている。
誘電損をもつアルミナや弗素樹脂等のマイクロ波
集積回路用の基板１，２，３および４は銀−パラ
ジウム等の導体を印刷・焼成により形成し、はん
だデイツプを施したマイクロストリツプ線路より
なるドレイン電極伝送線路、ゲート電極伝送線路
およびソース電極伝送線路、５はドレイン電極
Ｄ、ゲート電極Ｇおよびソース電極Ｓを各々の伝
送線路２，３および４に接続した電界効果トラン
ジスタ（以下FETと称する）、６は前記FET５の
ドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇに対応して接続し
たドレイン電極伝送線路２およびゲート電極伝送
線路３間に電磁的結合するように配置した酸化チ
タン系等の誘電体共振器である。この誘電体共振
器６は実験的に最適位置を決定し、接着剤にて固
定する。なお、この最適位置は通常、伝送線路幅
の1/4程度なる位置とされている。
このようなマイクロ波半導体発振器において
は、誘電体共振器６の位置決めが非常に重要であ
り、わずかな位置ずれによつて、発振が停止した
り不要のモードの発振を生じたりする欠点があ
る。また、第２図に示すように、伝送線路にはは
んだデイツプによるふくらみが100μ程度以上あ
るため、基板１の上面との高さの差が大きく、誘
電体共振器６を接着剤で固定した場合の接着性が
悪く、信頼性を悪化させていた。
は、誘電体共振器６の位置決めが非常に重要であ
り、わずかな位置ずれによつて、発振が停止した
り不要のモードの発振を生じたりする欠点があ
る。また、第２図に示すように、伝送線路にはは
んだデイツプによるふくらみが100μ程度以上あ
るため、基板１の上面との高さの差が大きく、誘
電体共振器６を接着剤で固定した場合の接着性が
悪く、信頼性を悪化させていた。
この発明は、上述の点にかんがみてなされたも
ので、ドレイン電極伝送線路およびゲート電極伝
送線路の一部にガラスコート部を設け、誘電体共
振器の位置決め用を容易にするとともに、誘電体
共振器を接着剤で固定した場合の接着性を良く
し、信頼性の向上を図つたものである。以下、こ
の発明について説明する。
ので、ドレイン電極伝送線路およびゲート電極伝
送線路の一部にガラスコート部を設け、誘電体共
振器の位置決め用を容易にするとともに、誘電体
共振器を接着剤で固定した場合の接着性を良く
し、信頼性の向上を図つたものである。以下、こ
の発明について説明する。
第３図はこの発明の一実施例を示す平面図、第
４図はガラスコート部をわかりやすくするために
第３図から誘電体共振器を取り除いた平面図、第
５図は誘電体共振器配置部付近の断面図である。
４図はガラスコート部をわかりやすくするために
第３図から誘電体共振器を取り除いた平面図、第
５図は誘電体共振器配置部付近の断面図である。
これらの図において、第１図および第２図と同
一符号は同様なものを示し、７および８は実験的
に最適位置を決定し、印刷・焼成により形成した
ガラスコート部である。ガラスコート部７，８は
伝送線路上の必要部分に、ガラス粒を溶剤に混ぜ
てペースト状にしたものを印刷し、1000℃程度の
温度で数時間焼成して形成する。この実施例にお
いては、基板１をはんだデイツプした場合、ガラ
スコート部７，８にははんだ付着しない。したが
つて、これらのガラスコート部７，８を誘電体共
振器６の位置決め用として利用できるため、誘電
体共振器６を最適位置に容易に配置できる。ま
た、当該部分の高さはガラスコートの厚みを含め
ても、15μ程度以下であるため基板１の上面との
高さの差が少なく、誘電体共振器６を接着剤で固
定した場合の接着性が良くなり、信頼性が向上す
る。
一符号は同様なものを示し、７および８は実験的
に最適位置を決定し、印刷・焼成により形成した
ガラスコート部である。ガラスコート部７，８は
伝送線路上の必要部分に、ガラス粒を溶剤に混ぜ
てペースト状にしたものを印刷し、1000℃程度の
温度で数時間焼成して形成する。この実施例にお
いては、基板１をはんだデイツプした場合、ガラ
スコート部７，８にははんだ付着しない。したが
つて、これらのガラスコート部７，８を誘電体共
振器６の位置決め用として利用できるため、誘電
体共振器６を最適位置に容易に配置できる。ま
た、当該部分の高さはガラスコートの厚みを含め
ても、15μ程度以下であるため基板１の上面との
高さの差が少なく、誘電体共振器６を接着剤で固
定した場合の接着性が良くなり、信頼性が向上す
る。
以上説明したように、この発明のマイクロ波半
導体発振器においては、帰還回路を構成する誘電
体共振器の位置決め用としてドレイン電極伝送線
路およびゲート電極伝送線路の一部にガラスコー
ト部を設けたため、誘電体共振器を最適位置に容
易に配置でき、作業性が非常に良くなる。また、
基板上面とガラスコート部上面との高さの差が非
常に小さくなるため、誘電体共振器を接着剤で固
定した場合合の接着剤が非常に良くなり、信頼性
が向上する利点がある。
導体発振器においては、帰還回路を構成する誘電
体共振器の位置決め用としてドレイン電極伝送線
路およびゲート電極伝送線路の一部にガラスコー
ト部を設けたため、誘電体共振器を最適位置に容
易に配置でき、作業性が非常に良くなる。また、
基板上面とガラスコート部上面との高さの差が非
常に小さくなるため、誘電体共振器を接着剤で固
定した場合合の接着剤が非常に良くなり、信頼性
が向上する利点がある。
第１図はマイクロ波半導体発振器の一例を示す
平面図、第２図は第１図の誘電体共振器配置部付
近の拡大断面図、第３図はこの発明のマイクロ波
半導体発振器の一実施例を示す平面図、第４図は
第３図から誘電体共振器を取り除いた平面図、第
５図は第３図の誘電体共振器配置部付近の拡大断
面図である。 図中、１は基板、２はドレイン電極伝送線路、
３はゲート電極伝送線路、４はソース電極伝送線
路、５は電界効果トランジスタ、６は誘電体共振
器、７，８はガラスコート部である。なお、図中
の同一符号は同一または相当部分を示す。
平面図、第２図は第１図の誘電体共振器配置部付
近の拡大断面図、第３図はこの発明のマイクロ波
半導体発振器の一実施例を示す平面図、第４図は
第３図から誘電体共振器を取り除いた平面図、第
５図は第３図の誘電体共振器配置部付近の拡大断
面図である。 図中、１は基板、２はドレイン電極伝送線路、
３はゲート電極伝送線路、４はソース電極伝送線
路、５は電界効果トランジスタ、６は誘電体共振
器、７，８はガラスコート部である。なお、図中
の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ マイクロ波集積回路基板上に、ドレイン電極
伝送線路、ゲート電極伝送線路およびソース電極
伝送線路をそれぞれ分離して形成し、前記ドレイ
ン電極伝送線路およびゲート電極伝送線路間に誘
電体共振器を配置して帰還回路を構成したマイク
ロ波半導体発振器において、前記誘電体共振器の
位置決め用として、前記ドレイン電極伝送線路お
よびゲート電極伝送線路のそれぞれ一部にガラス
コート部を設けたことを特徴とするマイクロ波半
導体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15686580A JPS5780806A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Microwave semiconductor oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15686580A JPS5780806A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Microwave semiconductor oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5780806A JPS5780806A (en) | 1982-05-20 |
| JPS6120166B2 true JPS6120166B2 (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=15637074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15686580A Granted JPS5780806A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Microwave semiconductor oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5780806A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770887B2 (ja) * | 1986-05-19 | 1995-07-31 | 日本電気株式会社 | 半導体素子の整合回路 |
-
1980
- 1980-11-06 JP JP15686580A patent/JPS5780806A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5780806A (en) | 1982-05-20 |
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