JPS6126785B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアミノカルボスチリル誘動体及びその
塩の新規な製造法に関する。 本発明で得られる化合物は一般式 〔式中R⁶及びR⁷の一方は水酸基を示し、他方はア
ミノ基を示す。またカルボスチリル骨格の３位及
び４位の炭素間結合は一重結合又は二重結合を示
す。〕で表わされるアミノカルボスチリル誘導体
及びその塩である。これらの化合物はいずれも公
知化合物であり、後記の通りβ−ブロツカー剤と
して有用な一般式（）の化合物を合成するため
の中間体として有用である。 従来一般式（）で表わされるアミノカルボス
チリル誘導体及びその塩の製造法としては、一般
式 〔式中R¹及びR²の一方は水酸基を示し、他方は水
素原子を示す。カルボスチリル骨格の３位及び４
位の炭素間結合は前記に同じ。〕で表わされるヒ
ドロキシカルボスチリル誘導体をニトロ化し、次
いで得られるニトロカルボスチリル誘導体を還元
することにより一般式（）のアミノカルボスチ
リル誘導体及びその塩を得る方法が知られている
〔特開昭51−6971号公報、特開昭51−6972号公
報、特開昭51−52178号公報及び特開昭51−52179
号参照〕。しかしながら斯かる方法によれば９〜
36％という極めて低収率で目的とする一般式
（）の化合物が得られるに過ぎない。これは一
般式（）の化合物のニトロ化に於て、ニトロ基
が一般式（）の化合物の水酸基に対してパラ位
よりはむしろオルト位に導入され易く、パラ位に
ニトロ基が導入された化合物が選択的に得られな
いことに基づくものである。従つて上記従来法は
工業的に有利な方法ではなかつた。 本発明者らは斯かる従来法の難点を解消すべく
鋭意研究を重ねてきた。その結果一般式（）の
化合物にアリールアミンのジアゾニウム塩をカツ
プリング反応させ、次いでこれを還元することに
より目的とする一般式（）の化合物が従来法に
よる場合に比し２倍以上という高収率で得られ、
本発明の所期の目的を達成し得ることを見い出し
た。本発明は斯かる知見に基づき完成されたもの
である。 即ち本発明は、アリールアミンのジアゾニウム
塩と一般式 〔式中R¹及びR²の一方は水酸基を示し、他方は水
素原子を示す。またカルボスチリル骨格の３位及
び４位の炭素間結合は一重結合又は二重結合を示
す。〕で表わされるヒドロキシカルボスチリル誘
導体とをカツプリング反応させ、次いで生成する
一般式 〔式中R³及びR⁴の一方は水酸基を示し、他方は基
−Ｎ＝Ｎ−R⁵（R⁵はアリール基）を示す。カル
ボスチリル骨格の３位及び４位の炭素間結合は前
記に同じ。〕で表わされるジアゾカルボスチリル
誘導体を還元することを特徴とする 〔式中R⁶及びR⁷の一方は水酸基を示し、他方はア
ミノ基を示す。カルボスチリル骨格の３位及び４
位の炭素間結合は前記に同じ。〕で表わされるア
ミノカルボスチリル誘導体及びその塩の製造法に
係る。 本発明の製造法によれば、一般式（）の化合
物のカツプリング反応に於て基−Ｎ＝Ｎ−R⁵が
一般式（）の化合物の水酸基に対してパラ位に
選択的に導入され、それ故目的とする一般式
（）の化合物を70％以上という従来法による場
合に比し遥かに高収率で製造し得る。従つて本発
明の製造法は工業的に極めて有利な方法である。 本発明に於て出発原料として用いられる一般式
（）の化合物はいずれも公知化合物である。ま
たアリールアミンのジアゾニウム塩も公知化合物
である。 アリールアミンのジアゾニウム塩はアリールア
ミンをジアゾ化することにより製造される。アリ
ールアミンを構成するアリール基としては代表的
にはナフチル基、フエニル基等を例示でき、斯か
るアリール基には低級アルコシキ基、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子、スルホニル基、ニトロ基、
シアノ基、カルボキシ基等が置換していてもよ
い。アリールアミンをジアゾ化するに際しては公
知のジアゾ化方法を広く適用できる。用いられる
ジアゾ化剤としては具体的には無機塩（濃塩酸、
濃硫酸等）と亜硝酸塩（亜硝酸ナトリウム、亜硝
酸カリウム等）との混合物、低級脂肪酸（酢酸
等）と亜硝酸塩との混合物、低級脂肪酸とニトロ
シル硫酸との混合物、リン酸とニトロシル硫酸と
の混合物、濃硫酸とニトロシル硫酸との混合物等
を例示できる。無機塩（リン酸を含む）や低級脂
肪酸は、ジアゾ化を無溶媒下に行なう場合にはア
リールアミンに対して大過剰量、水等の溶媒中で
行なう場合にはアリールアミンに対して通常２倍
モル〜過剰量、好ましくは2.5〜５倍モル量用い
るのがよい。また亜硝酸塩やニトロシル硫酸はア
リールアミンに対して通常等モル〜過剰量、好ま
しくは等モル〜２倍モル量を用いるのがよい。該
反応は通常−60〜０℃、好ましくは−10〜０℃に
て行なうのがよく、通常30分〜６時間で反応は完
結する。斯くして生成するアリールアミンのジア
ゾニウム塩は常法により単離して或いは単離する
ことなくそのままで次の反応に供される。 アリールアミンのジアゾニウム塩と一般式
（）の化合物とのカツプリング反応には従来公
知のカツプリング反応の条件を広く適用し得る。
アリールアミンのジアゾニウム塩と一般式（）
の化合物との使用割合としては特に限定されず広
い範囲内で適宜選択すればよいが、通常前者に対
して後者を0.5〜1.5モル、好ましくは等モル量用
いるのがよい。該反応は通常溶媒中にて行なわれ
る。溶媒としては例えば水、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等の低級アルコール、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等
を挙げることができる。一般式（）の化合物が
前記溶媒に溶解しない場合には溶解助剤として水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基性化合
物を反応系に添加してもよい。斯かる塩基性化合
物の添加量は通常一般式（）の化合物に対して
等モル〜３倍モル量、好ましくは等モル〜２倍モ
ル量である。該反応は通常−60〜50℃、好ましく
は−10℃〜室温にて行なわれ、通常１〜６時間程
度で反応は終了する。斯くして一般式（）で表
わされるジアゾカルボスチリル誘導体が生成す
る。 一般式（）の化合物の還元には公知の還元剤
を用いて行なう方法、電解還元による方法、接触
還元による方法等公知の還元方法を広く適用し得
る。上記還元剤としては亜ニチオン酸ナトリウ
ム、硫化ナトリウム、二硫化ナトリウム、硫化水
素ナトリウム、硫化アンモニウム等の硫黄化合
物、鉄−塩酸、亜鉛−酢酸、錫−塩酸、塩化第一
錫−塩酸等を例示できる。この中でも塩化第一錫
−塩酸が好ましい。斯かる還元剤の使用量として
は特に限定がなく広範囲から適宜選択されるが、
通常一般式（）の化合物に対して等モル〜過剰
量、好ましくは２〜５倍モル量用いるのがよい。
また接触還元に用いられる水添触媒としては公知
のものを広く使用でき、具体的にはパラジウム炭
素、ラネーニツケル、二酸化白金等を例示でき
る。接触還元による反応は水、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール等の低級アルコール
類、酢酸等の溶媒中で有利に進行する。還元の反
応条件としては何等限定されるものではなく上記
還元剤もしくは水添触媒の種類、使用量等に応じ
て適宜選択すればよいが、還元剤を用いる場合に
は通常０〜150℃、好ましくは50〜100℃にて反応
させればよく、また水添触媒を用いる場合には通
常水素圧が常圧で０〜100℃、好ましくは室温で
反応させればよい。 斯くして生成する一般式（）で表わされるア
ミノカルボスチリル誘導体は通常の分離手段、例
えば再結晶、過、蒸留、抽出、カラムクロマト
グルフイー、ブリパラテイブ薄層クロマトグラフ
イー等、により容易に単離精製される。 一般式（）の化合物は例えば塩酸、硫酸、臭
化水素等の無機酸もしくはシユウ酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸等の有機酸と容易に酸付加塩を形成
させることができる。 本発明で得られる一般式（）の化合物は下記
反応行程式に示す方法で公知のβ−ブロツカー剤
（）に誘導することができる〔西独公開特許第
2711719号公報参照〕。 （上記に於てR⁸はアルキルカルボニルアルキル
基、R⁹はβ−３・４−ジメトキシフエネチル基
を示す。） アリールアミンのジアゾニウム塩の製造例を参
考例として掲げ、次に実施例を掲げて本発明をよ
り一層明らかにする。 参考例 ベンゼンジアゾニウムクロライドの合成 濃塩酸600mlに氷2250ｇを加えた液にアニリン
192ｇを加え、次いで撹拌下に亜硝酸ナトリウム
150ｇを含む水300ml溶液を40分を要して滴下す
る。滴下終了後さらに30分間撹拌するとベンゼン
ジアゾニウムクロライドの溶液が得られる。 実施例 １ (a) ５−ヒドロキシ−３・４−ジヒドロカルボス
チリル340ｇを10％苛性ソーダ水溶液1350mlに
溶解し、これに氷３Kgを加える。次いで激しく
撹拌しつつ上記参考例で得られるベンゼンジア
ゾニウムクロライド溶液全部を１時間要して滴
下する。滴下後さらに２時間撹拌する。析出結
晶を取、十分に水洗した後乾燥して赤褐色針
状晶の５−ヒドロキシ−８−フエニルアゾ−
３・４−ジヒドロカルボスチリル518ｇを得
る。 収率 93％ 融点 239〜242℃（分解） 元素分析値（C₁₅H₁₃N₃O₂として） Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） 理論値 67.40 4.90 15.72 実測値 67.75 5.31 15.89 (b) ５−ヒドロキシ−８−フエニルアゾ−３・４
−ジヒドロカルボスチリル267ｇを濃塩酸700ml
に加え、次いで塩化第一錫二水塩451ｇを加え
て70〜80℃にて１時間撹拌する。反応終了後氷
冷し、析出結晶を取し、アセトンで十分に洗
浄後乾燥する。得られる粗結晶を水から再結晶
して白色針状晶の８−アミノ−５−ヒドロキシ
−３・４−ジヒドロカルボスチリル塩酸塩197
ｇを得る。 収率 92％ 融点 300℃以上 得られた化合物は赤外吸収スペクトル（KBr
錠）に於て、3360cm^-1、2600cm^-1、2640cm^-1、
1570cm^-1及び1505cm^-1にアミン塩酸塩の特性吸
収を示した。この化合物は別途合成した標品化
合物（特開昭51−6972号公報に記載）のものと
赤外吸収スペクトルが一致し、またまた混融試
験に於ても融点降下を示さなかつた。従つて得
られた化合物は８−アミノ−５−ヒドロキシ−
３・４−ジヒドロカルボスチリル塩酸塩である
と確認された。 実施例 ２ (a) ８−ヒドロキシ−３・４−ジヒドロカルボス
チリル340ｇを10％苛性ソーダ水溶液1300mlに
溶解し、これに氷３Kgを加える。次いで激しく
撹拌しつつ上記参考例で得られるベンゼンジア
ゾニウムクロライド溶液全部を１時間要して滴
下する。滴下後さらに２時間撹拌する。析出結
晶を取、十分に水洗した後乾燥して赤褐色針
状晶の８−ヒドロキシ−５−フエニルアゾ−
３・４−ジヒドロカルボスチリル501ｇを得
る。 収率 90％ 融点 234〜236℃（分解） 元素分析値（C₁₅H₁₃N₃O₂として） Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） 理論値 67.40 4.90 15.72 実測値 67.71 5.72 15.98 (b) ８−ヒドロキシ−５−フエニルアゾ−３・４
−ジヒドロカルボスチリル267ｇを濃塩酸700ml
に加え、次いで塩化第一錫二水塩451ｇを加え
て70〜80℃に１時間撹拌する。反応終了後氷冷
し、析出結晶を取し、アセトンで十分に洗浄
後乾燥する。得られる粗結晶を希塩酸から再結
晶して白色針状晶の５−アミノ−８−ヒドロキ
シ−３・４−ジヒドロカルボスチリル塩酸塩
190ｇを得る。 収率 89％ 融点 300℃以上 得られた化合物は赤外吸収スペクトル（KBr
錠）に於て3280cm^-1、2600cm^-1、1590cm^-1及び
1500cm^-1にアミノ塩酸塩の特性吸収を示した。
この化合物は別途合成した標品化合物（特開昭
51−52179号公報に記載）のものと赤外吸収ス
ペクトルが一致し、また混融試験に於ても融点
降下を示さなかつた。従つて得られた化合物は
５−アミノ−８−ヒドロキシ−３・４−ジヒド
ロカルボスチリル塩酸塩であると確認された。 実施例 ３ (a) ８−ヒドロキシカルボスチリル322ｇを10％
苛性ソーダ水溶液1300mlに溶解し、これに氷３
Kgを加える。次いで激しく撹拌しつつ上記参考
例と同様にして得られるｐ−メトキシベンゼン
ジアゾニウムクロライド溶液全部を１時間要し
て滴下する。滴下後さらに２時間撹拌する。析
出結晶を取、十分に水洗した後乾燥して暗赤
色結晶の８−ヒドロキシ−５−（ｐ−メトキシ
フエニルアゾ）カルボスチリル537ｇを得る。 収率 91％ 元素分析値（C₁₆H₁₃N₃O₃として） Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） 理論値 65.08 4.44 14.23 実測値 65.37 4.71 14.42 (b) ８−ヒドロキシ−５−（ｐ−メトキシフエニ
ルアゾ）カルボスチリル295ｇを濃塩酸700mlに
加え、次いで塩化第一錫二水塩451ｇを加えて
70〜80℃にて１時間撹拌する。反応終了後氷冷
し、析出結晶を取し、アセトンで十分に洗浄
後乾燥する。得られる粗結晶を水から再結晶し
て白色粉末状晶の５−アミノ−８−ヒドロキシ
カルボスチリル塩酸塩193ｇを得る。 収率 91％ 融点 300℃以上 得られた化合物は赤外吸収スペクトル（KBr
錠）に於て、3000cm^-1、2440cm^-1、1600cm^-1及
び1490cm^-1にアミン塩酸塩の特性吸収を示し
た。この化合物は別途合成した標品化合物（特
開昭51−52179号公報に記載）のものと赤外吸
収スペクトルが一致し、また混融試験に於ても
融点降下を示さなかつた。従つて得られた化合
物は５−アミノ−８−ヒドロキシカルボスチリ
ル塩酸塩であると確認された。 実施例 ４〜８ 上記実施例１〜３と同様にして下記第１表に示す
化合物を得る。この化合物は別途合成した標品化
合物（特開昭51−6972号公報に記載）のものと赤
外吸収スペクトルが一致し、また混融試験に於て
も融点降下を示さなかつた。尚第１表中の収率は
一般式（）の化合物からの収率である。 【表】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ アリールアミンのジアゾニウム塩と一般式 〔式中R¹及びR²の一方は水酸基を示し、他方は水
   素原子を示す。またカルボスチリル骨格の３位及
   び４位の炭素間結合は一重結合又は二重結合を示
   す。〕 で表わされるヒドロキシカルボスチリル誘導体と
   をカツプリング反応させ、次いで生成する一般式 〔式中R³及びR⁴の一方は水酸基を示し、他方は基
   −Ｎ＝Ｎ−R⁵（R⁵はアリール基）を示す。カル
   ボスチリル骨格の３位及び４位の炭素間結合は前
   記に同じ。〕 で表わされるジアゾカルボスチリル誘導体を還元
   することを特徴とする 〔式中R⁶及びR⁷の一方は水酸基を示し、他方はア
   ミノ基を示す。カルボスチリル骨格の３位及び４
   位の炭素間結合は前記に同じ。〕 で表わされるアミノカルボスチリル誘導体及びそ
   の塩の製造法。