JPS6130749B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130749B2 JPS6130749B2 JP55156354A JP15635480A JPS6130749B2 JP S6130749 B2 JPS6130749 B2 JP S6130749B2 JP 55156354 A JP55156354 A JP 55156354A JP 15635480 A JP15635480 A JP 15635480A JP S6130749 B2 JPS6130749 B2 JP S6130749B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- lead frame
- plated
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置に用いられるリ
ードフレームに関するものである。
ードフレームに関するものである。
従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導
体装置の製法は次の通りである。リードフレーム
が準備され、その半導体ダイ搭置部にダイが固着
され、そのダイの外部引出電極部と内部リードの
ステツチ部とが金属細線にて接続され、この半導
体ダイをトランスフアモールド成型等により樹脂
にて封止し、その後外部リードは錫メツキがなさ
れ、更にデユアルインライン型等に成形して組立
てられる。
体装置の製法は次の通りである。リードフレーム
が準備され、その半導体ダイ搭置部にダイが固着
され、そのダイの外部引出電極部と内部リードの
ステツチ部とが金属細線にて接続され、この半導
体ダイをトランスフアモールド成型等により樹脂
にて封止し、その後外部リードは錫メツキがなさ
れ、更にデユアルインライン型等に成形して組立
てられる。
この従来の製法に従うと、トランスフアモール
ド成型以後錫メツキ工程までの製造工程が長い。
この間の工程を詳しく述べると、モールド成型、
樹脂キユア、メツキの前処理として外部リードに
はみでている樹脂の除去作業、錫メツキである。
これらの工程中特にはみ出し樹脂の除去作業は困
難を極める。つまり化学薬品による除去の場合、
その薬品による公害の問題を引き起し、封止樹脂
表面にも悪影響を及ぼし、又薬品が弱いと除去で
きなくなつたりして品質を悪くする。更に機械的
な除去の場合、即ちブラシで取つたり、やすり、
ナイフで削り取るには量産性に欠け、量産しよう
とすれば大きな設備投資となり、しかも外部リー
ドの表面を傷つけ、錫メツキの品質を悪くする等
の問題があつた。そこであらかじめ外部リード部
に錫メツキを施したリードフレームを使用するこ
とが考えられた。しかし半導体ダイをダイ搭量部
に固着させるには、リードフレームをヒータブロ
ツク上に置き、半導体ダイと金又は金の合金とに
よつて金シリコンの合金を形成させる工程が必要
であり、通常ヒータブロツクの温度は450℃前後
であることから錫メツキされたリードフレーム上
の錫は溶けてしまい、又次工程の熱圧着ワイヤボ
ンデイングでもやはり300℃程度のヒータブロツ
ク上にリードフレームは置かれるため錫メツキは
溶けてしまう。従つて従来は、あらかじめ錫メツ
キされたリードフレームは使用することができな
かつた。
ド成型以後錫メツキ工程までの製造工程が長い。
この間の工程を詳しく述べると、モールド成型、
樹脂キユア、メツキの前処理として外部リードに
はみでている樹脂の除去作業、錫メツキである。
これらの工程中特にはみ出し樹脂の除去作業は困
難を極める。つまり化学薬品による除去の場合、
その薬品による公害の問題を引き起し、封止樹脂
表面にも悪影響を及ぼし、又薬品が弱いと除去で
きなくなつたりして品質を悪くする。更に機械的
な除去の場合、即ちブラシで取つたり、やすり、
ナイフで削り取るには量産性に欠け、量産しよう
とすれば大きな設備投資となり、しかも外部リー
ドの表面を傷つけ、錫メツキの品質を悪くする等
の問題があつた。そこであらかじめ外部リード部
に錫メツキを施したリードフレームを使用するこ
とが考えられた。しかし半導体ダイをダイ搭量部
に固着させるには、リードフレームをヒータブロ
ツク上に置き、半導体ダイと金又は金の合金とに
よつて金シリコンの合金を形成させる工程が必要
であり、通常ヒータブロツクの温度は450℃前後
であることから錫メツキされたリードフレーム上
の錫は溶けてしまい、又次工程の熱圧着ワイヤボ
ンデイングでもやはり300℃程度のヒータブロツ
ク上にリードフレームは置かれるため錫メツキは
溶けてしまう。従つて従来は、あらかじめ錫メツ
キされたリードフレームは使用することができな
かつた。
本発明の目的は上記した製造工程の問題点を取
り除き、高品質の半導体装置を製造するに適した
リードフレームを提供することにある。
り除き、高品質の半導体装置を製造するに適した
リードフレームを提供することにある。
本発明は樹脂封止型半導体装置に用いられるリ
ードフレームにおいて、その樹脂封止される内部
リードのステツチ部及びダイ搭置部に金又は銀メ
ツキが施されていてかつ樹脂封止されていない外
部リード部分に錫メツキが施されていてかつその
ステツチ部及びダイ搭置部から樹脂封止端に至る
途中の内部リード及びダイ支持部の幅が他の部分
に比べ著しく狭くなつている部分がありかつこの
幅の狭い部分のリード裏側を電気的に不良導体で
かつ熱伝導の良くない材料で一体に補強してある
ことを特徴とするリードフレームである。
ードフレームにおいて、その樹脂封止される内部
リードのステツチ部及びダイ搭置部に金又は銀メ
ツキが施されていてかつ樹脂封止されていない外
部リード部分に錫メツキが施されていてかつその
ステツチ部及びダイ搭置部から樹脂封止端に至る
途中の内部リード及びダイ支持部の幅が他の部分
に比べ著しく狭くなつている部分がありかつこの
幅の狭い部分のリード裏側を電気的に不良導体で
かつ熱伝導の良くない材料で一体に補強してある
ことを特徴とするリードフレームである。
次に本発明のリードフレームの一実施例を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
第２図はその実施例を示す斜視図、第３図はそ
のリードフレームを用いて組立てられた樹脂封止
型半導体装置の内部構造を示す斜視図である。リ
ードフレーム１の内部リードの金又は銀メツキが
施されたステツチ部５から樹脂封止端に至る途中
の一部分及び金又は銀メツキが施されたダイ搭置
部２とリードフレームの枠体部１２とをつないで
いる支持部の一部分に切り込みを入れ、その部分
の内部リード幅を著しく狭くした部分９を設け、
この部分から先のステツチ部及びダイ搭置部を補
強するためこれら内部リード及び支持部の幅を狭
くした部分９を裏面から一体にカプトンテープの
ような熱的に強い樹脂テープ１０で補強してあ
る。（カプトンは商品名）なお図面ではステツチ
部を補強した場合が示されている。カプトン樹脂
テープは、短時間ならば350℃位の耐熱性があ
り、ダイボンデイングやワイヤボンデイングに要
する程度の時間ならば十分耐え得る。又このテー
プはリードフレームに熱圧着で貼り付けてあるた
め加熱しても剥がれることがない。この補強材と
しては、カプトン樹脂に限らず耐熱性を備えかつ
電気的に不良導体で熱伝導性の良くない材料であ
れば使用可能である。通常リードフレームはダイ
ボンデイングや次工程のワイヤボンデイングの
際、前者はダイ搭置部のみを局部的に加熱し、後
者はダイ搭置部及びステツチ部のみを局部的に加
熱する。この場合熱伝導や輻射熱の影響で上記局
部加熱の場合でも、本発明のように幅の狭い部分
９が設けられていないと、外部リードに予め錫メ
ツキのなされているリードフレームでは錫メツキ
８を融かす恐れがある。しかし本発明のリードフ
レームでは内部リードの中間部に他の部分より著
しく幅を狭くした部分９があるため熱伝導を妨
げ、又補強のため用いられた樹脂テープ１０は輻
射熱を遮断する効果がある。又外部リードの錫メ
ツキは樹脂封止端よりやや内部リード側まで入り
込んでメツキされているので、本発明のリードフ
レームを用いると樹脂封止時に上下金型ではさん
だ際、錫メツキが施されているためその表面は軟
らかく、従つて上下金型間の隙間はほとんどなく
なりはみ出し樹脂１１はほとんど無視できるもの
となる。
のリードフレームを用いて組立てられた樹脂封止
型半導体装置の内部構造を示す斜視図である。リ
ードフレーム１の内部リードの金又は銀メツキが
施されたステツチ部５から樹脂封止端に至る途中
の一部分及び金又は銀メツキが施されたダイ搭置
部２とリードフレームの枠体部１２とをつないで
いる支持部の一部分に切り込みを入れ、その部分
の内部リード幅を著しく狭くした部分９を設け、
この部分から先のステツチ部及びダイ搭置部を補
強するためこれら内部リード及び支持部の幅を狭
くした部分９を裏面から一体にカプトンテープの
ような熱的に強い樹脂テープ１０で補強してあ
る。（カプトンは商品名）なお図面ではステツチ
部を補強した場合が示されている。カプトン樹脂
テープは、短時間ならば350℃位の耐熱性があ
り、ダイボンデイングやワイヤボンデイングに要
する程度の時間ならば十分耐え得る。又このテー
プはリードフレームに熱圧着で貼り付けてあるた
め加熱しても剥がれることがない。この補強材と
しては、カプトン樹脂に限らず耐熱性を備えかつ
電気的に不良導体で熱伝導性の良くない材料であ
れば使用可能である。通常リードフレームはダイ
ボンデイングや次工程のワイヤボンデイングの
際、前者はダイ搭置部のみを局部的に加熱し、後
者はダイ搭置部及びステツチ部のみを局部的に加
熱する。この場合熱伝導や輻射熱の影響で上記局
部加熱の場合でも、本発明のように幅の狭い部分
９が設けられていないと、外部リードに予め錫メ
ツキのなされているリードフレームでは錫メツキ
８を融かす恐れがある。しかし本発明のリードフ
レームでは内部リードの中間部に他の部分より著
しく幅を狭くした部分９があるため熱伝導を妨
げ、又補強のため用いられた樹脂テープ１０は輻
射熱を遮断する効果がある。又外部リードの錫メ
ツキは樹脂封止端よりやや内部リード側まで入り
込んでメツキされているので、本発明のリードフ
レームを用いると樹脂封止時に上下金型ではさん
だ際、錫メツキが施されているためその表面は軟
らかく、従つて上下金型間の隙間はほとんどなく
なりはみ出し樹脂１１はほとんど無視できるもの
となる。
本発明のリードフレームは、あらかじめ外部リ
ードに錫メツキがなされているので、樹脂封止後
にメツキを行う製法にくらべて錫メツキの品質も
よく、又このリードフレームを用いた半導体装置
の製造工程は、ダイボンデイング、ワイヤボンデ
イング、樹脂封止、リード成型となり、従来の樹
脂封止後の錫メツキ工程がなくなり、製造工程が
短縮される効果がある。
ードに錫メツキがなされているので、樹脂封止後
にメツキを行う製法にくらべて錫メツキの品質も
よく、又このリードフレームを用いた半導体装置
の製造工程は、ダイボンデイング、ワイヤボンデ
イング、樹脂封止、リード成型となり、従来の樹
脂封止後の錫メツキ工程がなくなり、製造工程が
短縮される効果がある。
第１図は従来用いられているリードフレームの
斜視図、第２図は本発明のリードフレームの一実
施例を示す斜視図、第３図は本発明のリードフレ
ームを用いて組立てられた樹脂封止型半導体装置
の内部構造を示す斜視図である。 １……リードフレーム、２……ダイ搭置部、３
……ダイ、４……外部引出電極部、５……ステツ
チ部、６……金属細線、７……封止樹脂、８……
錫メツキ、９……幅を狭くした部分、１０……樹
脂テープ、１１……はみ出し樹脂、１２……リー
ドフレーム枠体部。
斜視図、第２図は本発明のリードフレームの一実
施例を示す斜視図、第３図は本発明のリードフレ
ームを用いて組立てられた樹脂封止型半導体装置
の内部構造を示す斜視図である。 １……リードフレーム、２……ダイ搭置部、３
……ダイ、４……外部引出電極部、５……ステツ
チ部、６……金属細線、７……封止樹脂、８……
錫メツキ、９……幅を狭くした部分、１０……樹
脂テープ、１１……はみ出し樹脂、１２……リー
ドフレーム枠体部。
Claims (1)
- １ 樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフ
レームにおいて、その内部リードのステツチ部及
びダイ搭置部に金又は銀メツキが施され、かつ樹
脂封止されない外部リード部分に錫メツキが施さ
れ、内部リード及びダイ搭置部支持リードの樹脂
封止される部分の一部が細幅に形成され、この細
幅部分が電気的に不良導体でかつ熱伝導の良くな
い材料で一体に補強されていることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55156354A JPS5779653A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Lead frame for resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55156354A JPS5779653A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Lead frame for resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5779653A JPS5779653A (en) | 1982-05-18 |
| JPS6130749B2 true JPS6130749B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=15625916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55156354A Granted JPS5779653A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Lead frame for resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5779653A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396947A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| US4876587A (en) * | 1987-05-05 | 1989-10-24 | National Semiconductor Corporation | One-piece interconnection package and process |
| FR2629272B1 (fr) * | 1988-03-22 | 1990-11-09 | Bull Sa | Support de circuit integre de haute densite et appareil d'etamage selectif des conducteurs du support |
-
1980
- 1980-11-06 JP JP55156354A patent/JPS5779653A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5779653A (en) | 1982-05-18 |
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