JPS6136290B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6136290B2 JPS6136290B2 JP13880678A JP13880678A JPS6136290B2 JP S6136290 B2 JPS6136290 B2 JP S6136290B2 JP 13880678 A JP13880678 A JP 13880678A JP 13880678 A JP13880678 A JP 13880678A JP S6136290 B2 JPS6136290 B2 JP S6136290B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- disk
- magnetic
- target
- magnetic disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク装置、特に、磁気デイス
ク及びその製造方法に関するものである。
ク及びその製造方法に関するものである。
現在、磁気デイスク装置における記録密度の向
上及び書き込み読み出し速度の向上が急速に進め
られている。そして、高密度記録化のためにビツ
ト密度（BPI）及びトラツク密度（TPI）の向上
が必要であり、さらに次のような関連技術の改良
が行なわれている。すなわち、(1)記録媒体の磁気
特性、(2)磁気ヘツドの書き込み読み出し特性、(3)
記録媒体と磁気ヘツドとの微小間隙を保持する技
術、(4)記録トラツクへの磁気ヘツドの正確な位置
決め技術、(5)記録再生方式を含めた書き込み／読
み出し回路などである。
上及び書き込み読み出し速度の向上が急速に進め
られている。そして、高密度記録化のためにビツ
ト密度（BPI）及びトラツク密度（TPI）の向上
が必要であり、さらに次のような関連技術の改良
が行なわれている。すなわち、(1)記録媒体の磁気
特性、(2)磁気ヘツドの書き込み読み出し特性、(3)
記録媒体と磁気ヘツドとの微小間隙を保持する技
術、(4)記録トラツクへの磁気ヘツドの正確な位置
決め技術、(5)記録再生方式を含めた書き込み／読
み出し回路などである。
磁気デイスクにおいては、デイスクが高速回転
してデイスク板上の空気の表面流によつてスライ
ダ（磁気ヘツド）が浮上する。デイスク板の外側
の方が内側よりも周速が速いため磁気ヘツドの浮
上間隙も大きい。例えば、周速とヘツド浮上量と
の関係は第１図に示したようになる、そのため
に、磁気ヘツドに流す書き込み電流はデイスクの
外側で大きく、一方、内側で小さくしなければな
らない。また、磁気ヘツドに同一周波数で記録す
るので必然的に内側の方の記録密度が外側よりも
高くなる。そして、記録密度をパラメーターとし
て書き込み電流と出力との関係は第２図のように
なり、記録密度が高い程最適書き込み電流値Im
は小さくなる傾向にある。したがつて、浮上量の
関係から求められる以上にデイスクの内側は電流
を小さくする必要がある。さらに、一定の書き込
み電流ではデイスクの位置によつてＯ／Ｗ特性
（Over／Write特性、重ね書き特性）が第３図の
ように変化して、デイスクの外側の方が内側より
悪くなる。したがつて、従来の磁気デイスク装置
ではデイスクの適当な位置で書き込み電流を外側
の方が内側より大きくなるように変えている。そ
のために書き込み回路系が複雑となつており、ま
たデイスクの内側での出力は外側に比べ周速の比
率によるよりもさらに小さくなる。
してデイスク板上の空気の表面流によつてスライ
ダ（磁気ヘツド）が浮上する。デイスク板の外側
の方が内側よりも周速が速いため磁気ヘツドの浮
上間隙も大きい。例えば、周速とヘツド浮上量と
の関係は第１図に示したようになる、そのため
に、磁気ヘツドに流す書き込み電流はデイスクの
外側で大きく、一方、内側で小さくしなければな
らない。また、磁気ヘツドに同一周波数で記録す
るので必然的に内側の方の記録密度が外側よりも
高くなる。そして、記録密度をパラメーターとし
て書き込み電流と出力との関係は第２図のように
なり、記録密度が高い程最適書き込み電流値Im
は小さくなる傾向にある。したがつて、浮上量の
関係から求められる以上にデイスクの内側は電流
を小さくする必要がある。さらに、一定の書き込
み電流ではデイスクの位置によつてＯ／Ｗ特性
（Over／Write特性、重ね書き特性）が第３図の
ように変化して、デイスクの外側の方が内側より
悪くなる。したがつて、従来の磁気デイスク装置
ではデイスクの適当な位置で書き込み電流を外側
の方が内側より大きくなるように変えている。そ
のために書き込み回路系が複雑となつており、ま
たデイスクの内側での出力は外側に比べ周速の比
率によるよりもさらに小さくなる。
本発明の目的は、書き込み電流をデイスクの内
側及び外側で同じにできる磁気デイスクを提供す
ることであり、このことによつて書き込み回路系
が簡単になる。
側及び外側で同じにできる磁気デイスクを提供す
ることであり、このことによつて書き込み回路系
が簡単になる。
本発明の別の目的は、従来の磁気デイスクに比
べて内側での出力を従来より相対的に増やすこと
である。
べて内側での出力を従来より相対的に増やすこと
である。
前述の目的が、磁気デイスクにおいて、磁気記
録媒体のCo含有酸化鉄膜のCo含有量が磁気デイ
スクの半径方向で内側から外側へ減少しており、
該デイスクの半径方向で内側の磁気記録媒体の保
磁力が外側の磁気記録媒体の保磁力よりも大きい
ことを特徴とする磁気デイスクによつて達成され
る。
録媒体のCo含有酸化鉄膜のCo含有量が磁気デイ
スクの半径方向で内側から外側へ減少しており、
該デイスクの半径方向で内側の磁気記録媒体の保
磁力が外側の磁気記録媒体の保磁力よりも大きい
ことを特徴とする磁気デイスクによつて達成され
る。
本発明にしたがつてデイスクの内側磁気記録媒
体の保磁力を高めることによつて、その内側部分
の記録密度（BPI）を上げることかつ書き込み電
流を強めることが可能となり出力も大きくなる。
体の保磁力を高めることによつて、その内側部分
の記録密度（BPI）を上げることかつ書き込み電
流を強めることが可能となり出力も大きくなる。
前述の磁気記録媒体がCoを含有したFe3O4膜又
はγFe2O3膜であることは好ましい。γFe2O3膜
はFe3O4膜よりも一般に保磁力が小さいが機械的
強度が高い。
はγFe2O3膜であることは好ましい。γFe2O3膜
はFe3O4膜よりも一般に保磁力が小さいが機械的
強度が高い。
さらに、磁気記録媒体の保磁力はその酸化膜中
のCo含有量によつて第４図のように変化する。
すなわち、Co含有量が多くなる程保磁力も大き
くなる。したがつて、磁気デイスクの内側の磁気
媒体中のCo含有量を外側の磁気媒体よりも高め
ることで保磁力も内側の方を高めることが可能に
なる。
のCo含有量によつて第４図のように変化する。
すなわち、Co含有量が多くなる程保磁力も大き
くなる。したがつて、磁気デイスクの内側の磁気
媒体中のCo含有量を外側の磁気媒体よりも高め
ることで保磁力も内側の方を高めることが可能に
なる。
また、本発明の目的は、上述したデイスクの半
径方向で磁気記録媒体の保磁力が異なる本発明の
磁気デイスクの製造方法を提供することである。
径方向で磁気記録媒体の保磁力が異なる本発明の
磁気デイスクの製造方法を提供することである。
この目的が次のような製造方法によつて達成さ
れる。すなわち、Feターゲツトをスパツタリン
グしてデイスクの基板上にαFe2O3膜を形成し、
次に該αFe2O3膜を還元してFe3O4膜を形成し、
必要ならば該Fe3O4膜を酸化してγFe2O3膜を形
成する磁気デイスクの製造方法において、本発明
によると、前述のFeターゲツトをCo含有量の異
なる複数のFeターゲツトあるいはCo含有量の局
部的に異なるFeターゲツトに作り、そして、該
Feターゲツトを用いスパツタリングし、還元、
必要ならば酸化を施してデイスク半径方向でCo
含有量の異なるFe3O4膜又はγFe2O3膜を形成す
ることを特徴とする磁気デイスクの製造方法であ
る。
れる。すなわち、Feターゲツトをスパツタリン
グしてデイスクの基板上にαFe2O3膜を形成し、
次に該αFe2O3膜を還元してFe3O4膜を形成し、
必要ならば該Fe3O4膜を酸化してγFe2O3膜を形
成する磁気デイスクの製造方法において、本発明
によると、前述のFeターゲツトをCo含有量の異
なる複数のFeターゲツトあるいはCo含有量の局
部的に異なるFeターゲツトに作り、そして、該
Feターゲツトを用いスパツタリングし、還元、
必要ならば酸化を施してデイスク半径方向でCo
含有量の異なるFe3O4膜又はγFe2O3膜を形成す
ることを特徴とする磁気デイスクの製造方法であ
る。
磁気記録媒体の保磁力を同一デイスク上で変え
ることは、塗膜コーテイング法及び電着法では原
理的に不可能であるがスパツタリング法による酸
化磁性膜において可能になる。これはスパツタリ
ングに使用するFeターゲツト中のCo含有量を変
えることによつて容易に形成した酸化磁性膜中
Co含有量を変えてその保磁力を変えることがで
きるからであり、Feターゲツト中のCo含有量と
形成した酸化膜中のCo含有量は第５図に示すよ
うに完全に比例することによる。
ることは、塗膜コーテイング法及び電着法では原
理的に不可能であるがスパツタリング法による酸
化磁性膜において可能になる。これはスパツタリ
ングに使用するFeターゲツト中のCo含有量を変
えることによつて容易に形成した酸化磁性膜中
Co含有量を変えてその保磁力を変えることがで
きるからであり、Feターゲツト中のCo含有量と
形成した酸化膜中のCo含有量は第５図に示すよ
うに完全に比例することによる。
上述のスパツタリングを行なうスパツタ装置に
は、例えば、本出願人が特願昭52―085571及び52
―085572にて提案したスパツタ装置がある。そし
て、これら装置を使つてαFe2O3膜かFe3O4膜を
選択的に形成することも可能である。
は、例えば、本出願人が特願昭52―085571及び52
―085572にて提案したスパツタ装置がある。そし
て、これら装置を使つてαFe2O3膜かFe3O4膜を
選択的に形成することも可能である。
以下、本発明を実施例によつてさらに説明す
る。
る。
実施例 １
第６図のように1at％のCo含有Feターゲツト
Ａ、2at％のCo含有FeターゲツトＢ及び3at％の
Co含有FeターゲツトＣを14インチのデイスク基
板１に対して配置した。２×10-2Torrの50％Ar
―50％O2雰囲気中で基板１を回転させながらFe
ターゲツトＡ，Ｂ及びＣを交互に10分間ずつ
1kWで３回（合計90分）スパツタリングして、
基板１上にαFe2O3膜（第６図中の斜線部）を
0.15μｍ厚で形成した。得られたαFe2O3膜を
WetH2雰囲気中300℃で還元してFe3O4膜を形成
し、さらに、該Fe3O4膜を空気中300℃で酸化し
てγFe2O3膜を形成した。このようにして得られ
たγFe2O3膜の保磁力とデイスク位置との関係を
第７図に示す。図から明らかなようにデイスクの
内側の方が外側よりも高い。そして、この得られ
たγFe2O3膜のＯ／Ｗ特性は書き込み電流が
70mAで第８図のようになり、一定の書き込み電
流でデイスク全体に記録を書き込むことができ
る。
Ａ、2at％のCo含有FeターゲツトＢ及び3at％の
Co含有FeターゲツトＣを14インチのデイスク基
板１に対して配置した。２×10-2Torrの50％Ar
―50％O2雰囲気中で基板１を回転させながらFe
ターゲツトＡ，Ｂ及びＣを交互に10分間ずつ
1kWで３回（合計90分）スパツタリングして、
基板１上にαFe2O3膜（第６図中の斜線部）を
0.15μｍ厚で形成した。得られたαFe2O3膜を
WetH2雰囲気中300℃で還元してFe3O4膜を形成
し、さらに、該Fe3O4膜を空気中300℃で酸化し
てγFe2O3膜を形成した。このようにして得られ
たγFe2O3膜の保磁力とデイスク位置との関係を
第７図に示す。図から明らかなようにデイスクの
内側の方が外側よりも高い。そして、この得られ
たγFe2O3膜のＯ／Ｗ特性は書き込み電流が
70mAで第８図のようになり、一定の書き込み電
流でデイスク全体に記録を書き込むことができ
る。
実施例 ２
第９図のように1at％のCo含有FeターゲツトＡ
と、2at％のCo含有FeターゲツトＢと、3at％の
Co含有ターゲツトＣとを電子ビームで溶接して
一体のFeターゲツト３を作つた。２×10-2Torr
の50％Ar―50％O2雰囲気中で実施例１と同じ基
板１を回転させながらFeターゲツト３を90分間
1kWでスパツタリングして基板１上にαFe2O3膜
（第９図中の斜線部）を0.15μｍ厚で形成した。
得られたαFe2O3膜をWetH2雰囲気中300℃で還
元し、さらに、空気中300℃で酸化してγFe2O3
膜を形成した。このようにして得られたγFe2O3
膜の保磁力とデイスク位置との関係を第１０図に
示す。実施例１と同様に保磁力はデイスクの内側
の方が外側より高い。
と、2at％のCo含有FeターゲツトＢと、3at％の
Co含有ターゲツトＣとを電子ビームで溶接して
一体のFeターゲツト３を作つた。２×10-2Torr
の50％Ar―50％O2雰囲気中で実施例１と同じ基
板１を回転させながらFeターゲツト３を90分間
1kWでスパツタリングして基板１上にαFe2O3膜
（第９図中の斜線部）を0.15μｍ厚で形成した。
得られたαFe2O3膜をWetH2雰囲気中300℃で還
元し、さらに、空気中300℃で酸化してγFe2O3
膜を形成した。このようにして得られたγFe2O3
膜の保磁力とデイスク位置との関係を第１０図に
示す。実施例１と同様に保磁力はデイスクの内側
の方が外側より高い。
第１図は、磁気デイスクの回転周速とヘツド浮
上量との関係を表わす図であり、第２図は、従来
の磁気デイスクにおいて記録密度をパラメータと
したときの書き込み電流と出力との関係を表わす
図であり、第３図は、従来の磁気デイスクにおけ
るデイスク位置によるＯ／Ｗ特性を表わす図であ
り、第４図は、記録媒体酸化膜のCo含有量と保
磁力との関係を表わす図であり、第５図は、Fe
ターゲツトのCo含有量と形成した記録媒体酸化
膜のCo含有量との関係を表わす図であり、第６
図は、本発明に係る磁気デイスク製造方法の実施
態様におけるCo含有Feターゲツトとデイスク基
板との位置関係を表わす図であり、第７図は、本
発明に係る磁気デイスクの記録媒体の保磁力を表
わす図であり、第８図は、本発明に係る磁気デイ
スクの記録媒体のＯ／Ｗ特性を表わす図であり、
第９図は、本発明に係る磁気デイスク製造方法の
実施態様におけるCo含有Feターゲツトとデイス
ク基板との位置関係を表わす図であり、及び、第
１０図は、本発明に係る磁気デイスクの記録媒体
の保磁力を表わす図である。 Ａ…1at％Co含有Feターゲツト、Ｂ…2at％Co
含有Feターゲツト、Ｃ…3at％Co含有Feターゲ
ツト、１，２…デイスク基板、３…Feターゲツ
ト。
上量との関係を表わす図であり、第２図は、従来
の磁気デイスクにおいて記録密度をパラメータと
したときの書き込み電流と出力との関係を表わす
図であり、第３図は、従来の磁気デイスクにおけ
るデイスク位置によるＯ／Ｗ特性を表わす図であ
り、第４図は、記録媒体酸化膜のCo含有量と保
磁力との関係を表わす図であり、第５図は、Fe
ターゲツトのCo含有量と形成した記録媒体酸化
膜のCo含有量との関係を表わす図であり、第６
図は、本発明に係る磁気デイスク製造方法の実施
態様におけるCo含有Feターゲツトとデイスク基
板との位置関係を表わす図であり、第７図は、本
発明に係る磁気デイスクの記録媒体の保磁力を表
わす図であり、第８図は、本発明に係る磁気デイ
スクの記録媒体のＯ／Ｗ特性を表わす図であり、
第９図は、本発明に係る磁気デイスク製造方法の
実施態様におけるCo含有Feターゲツトとデイス
ク基板との位置関係を表わす図であり、及び、第
１０図は、本発明に係る磁気デイスクの記録媒体
の保磁力を表わす図である。 Ａ…1at％Co含有Feターゲツト、Ｂ…2at％Co
含有Feターゲツト、Ｃ…3at％Co含有Feターゲ
ツト、１，２…デイスク基板、３…Feターゲツ
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気デイスクにおいて、磁気記録媒体のCo
含有酸化鉄膜のCo含有量が前記磁気デイスクの
半径方向で内側から外側へ減少しており、該デイ
スクの半径方向で内側の磁気記録媒体の保磁力が
外側の磁気記録媒体の保磁力よりも大きいことを
特徴とする磁気デイスク。 ２ 前記磁気記録媒体がCo含有Fe3O4膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
デイスク。 ３ 前記磁気記録媒体がCo含有γFe2O3膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気デイスク。 ４ Feターゲツトをスパツタリングしてデイス
クの基板上にαFe2O3膜を形成し、次に該Fe2O3
膜を還元してFe3O4膜を形成する磁気デイスクの
製造方法において、Co含有量の異なる複数の前
記FeターゲツトあるいはCo含有量が局部的に異
なるFeターゲツトを作り、そして、該Feターゲ
ツトを用いて前記スパツタリング及び還元を施し
てデイスク半径方向でCo含有量の異なる前記
Fe3O4膜を前記基板上に形成することを特徴とす
る磁気デイスクの製造方法。 ５ Feターゲツトをスパツタリングしてデイス
クの基板上にαFe2O3膜を形成し、該αFe2O3膜
を還元してFe3O4膜を形成し、次に該Fe3O4膜を
酸化してγFe2O3膜を形成する磁気デイスクの製
造方法において、前記FeターゲツトをCo含有量
の異なる複数のFeターゲツトあるいはCo含有量
が局部的に異なるFeターゲツトに作り、そし
て、該Feターゲツトを用い前記スパツタリン
グ、還元及び酸化を施してデイスク半径方向で
Co含有量の異なる前記γFe2O3膜を前記基板上に
形成することを特徴とする磁気デイスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13880678A JPS5567942A (en) | 1978-11-13 | 1978-11-13 | Magnetic disk and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13880678A JPS5567942A (en) | 1978-11-13 | 1978-11-13 | Magnetic disk and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5567942A JPS5567942A (en) | 1980-05-22 |
| JPS6136290B2 true JPS6136290B2 (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=15230663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13880678A Granted JPS5567942A (en) | 1978-11-13 | 1978-11-13 | Magnetic disk and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5567942A (ja) |
-
1978
- 1978-11-13 JP JP13880678A patent/JPS5567942A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5567942A (en) | 1980-05-22 |
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