JPS6140126B2 - - Google Patents
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- JPS6140126B2 JPS6140126B2 JP1970578A JP1970578A JPS6140126B2 JP S6140126 B2 JPS6140126 B2 JP S6140126B2 JP 1970578 A JP1970578 A JP 1970578A JP 1970578 A JP1970578 A JP 1970578A JP S6140126 B2 JPS6140126 B2 JP S6140126B2
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- diffusion
- semiconductor substrate
- impurities
- solid phase
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- Expired
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法にかかり、特
に半導体基体に施される不純物拡散方法を改良す
るものである。
に半導体基体に施される不純物拡散方法を改良す
るものである。
半導体装置の製造において半導体基体に不純物
拡散を施す工程は不可欠である。そして深い拡散
領域、素子間の分離領域形成の如き深い拡散層を
得るには高温かつ長時間の、一例として1200℃に
て４〜５時間にわたる加熱工程を必要とする。
拡散を施す工程は不可欠である。そして深い拡散
領域、素子間の分離領域形成の如き深い拡散層を
得るには高温かつ長時間の、一例として1200℃に
て４〜５時間にわたる加熱工程を必要とする。
上記高温かつ長時間の加熱によると、
(1) ウエハに反（そ）り、結晶のスリツプ、格子
欠陥（Defect）等を生じ、素子特性の劣化、製
造歩留の低下等を招来する。
欠陥（Defect）等を生じ、素子特性の劣化、製
造歩留の低下等を招来する。
(2) 拡散用装置の損耗、たとえば耐熱管の変型な
らびに耐用期間の短化を招来する。
らびに耐用期間の短化を招来する。
などの問題点がある。
この発明は上記従来の問題点に対し、これを改
良する半導体装置の製造方法を提供するもので、
不純物の気相−固相拡散、または基体に被着され
た不純物を含む気相成長層からこの基体に施され
る該不純物の固相−固相拡散のいづれにおいても
不純物の拡散を超音波照射のもとで行なうことに
より所望の拡散を行うための所要時間を短縮させ
ることを特徴とする。
良する半導体装置の製造方法を提供するもので、
不純物の気相−固相拡散、または基体に被着され
た不純物を含む気相成長層からこの基体に施され
る該不純物の固相−固相拡散のいづれにおいても
不純物の拡散を超音波照射のもとで行なうことに
より所望の拡散を行うための所要時間を短縮させ
ることを特徴とする。
次に、この発明の製造方法につき図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
まず、この発明を実施するための装置の一例を
第１図に示す。図において、１は加熱炉、２は半
導体基板、３は前記半導体基板に対向した超音波
照射用ホーンで、超音波振動子４から超音波振動
を供給され、図に破線矢印で示される雰囲気気流
に超音波を照射し加熱炉中の気体分子を振動さ
せ、あるいは半導体基板に直接に超音波振動を伝
達させるものである。超音波振動子４は図示を省
略する整流器、発振器等からなる超音波発信装置
に電路４ａで接続されている。
第１図に示す。図において、１は加熱炉、２は半
導体基板、３は前記半導体基板に対向した超音波
照射用ホーンで、超音波振動子４から超音波振動
を供給され、図に破線矢印で示される雰囲気気流
に超音波を照射し加熱炉中の気体分子を振動さ
せ、あるいは半導体基板に直接に超音波振動を伝
達させるものである。超音波振動子４は図示を省
略する整流器、発振器等からなる超音波発信装置
に電路４ａで接続されている。
叙上の装置を用い、半導体基板に拡散させよう
とすると不純物を含む雰囲気中にて施される不純
物の気相−固相拡散の場合について説明する。
とすると不純物を含む雰囲気中にて施される不純
物の気相−固相拡散の場合について説明する。
半導体基板２に例えばＮ型導電領域を形成する
のに、加熱炉１中に不純物源のPOCl3を含むO2、
N2からなる雰囲気ガスを導入し、1100℃に加熱
し20〜30kHzの超音波照射を施しつつ30分間加熱
を行なうことにより所望のリン拡散が達成され
る。Ｐ型導電領域を形成するには不純物源として
BNを用い、上記と同様の条件で処理することに
よつて目的が達成される。
のに、加熱炉１中に不純物源のPOCl3を含むO2、
N2からなる雰囲気ガスを導入し、1100℃に加熱
し20〜30kHzの超音波照射を施しつつ30分間加熱
を行なうことにより所望のリン拡散が達成され
る。Ｐ型導電領域を形成するには不純物源として
BNを用い、上記と同様の条件で処理することに
よつて目的が達成される。
次に、半導体基板２に拡散させようとする不純
物を含む気相成長膜を被着し、この被着膜から半
導体基板に該不純物の拡散を施す固相−固相拡散
の場合を説明すると、半導体基板上にPSG（リン
シリケートガラス）またはBSG（ボロンシリケー
トガラス）を気相成長により被着形成し、N2雰
囲気中にて1100℃に加熱し、かつ20〜30kHzの超
音波照射を施すことにより所望の拡散を達成する
ことができる。
物を含む気相成長膜を被着し、この被着膜から半
導体基板に該不純物の拡散を施す固相−固相拡散
の場合を説明すると、半導体基板上にPSG（リン
シリケートガラス）またはBSG（ボロンシリケー
トガラス）を気相成長により被着形成し、N2雰
囲気中にて1100℃に加熱し、かつ20〜30kHzの超
音波照射を施すことにより所望の拡散を達成する
ことができる。
叙上の如く不純物拡散に超音波照射を施す本発
明の方法によれば、例えば第２図に拡散時間を横
軸に、拡散層の深さを縦軸に夫々とり、相互の関
係をプロツトした実線Ａに示すような結果が得ら
れる。
明の方法によれば、例えば第２図に拡散時間を横
軸に、拡散層の深さを縦軸に夫々とり、相互の関
係をプロツトした実線Ａに示すような結果が得ら
れる。
これを超音波照射以外の条件を同一にした従来
方法によるものをプロツトした破線Ｂと対比して
判るように、本発明によれば同じ拡散層の深さを
得るための拡散時間が著るしく短縮され、従つて
長時間の加熱が原因となつて生じる従来方法の欠
点が解消されるという効果が得られる。
方法によるものをプロツトした破線Ｂと対比して
判るように、本発明によれば同じ拡散層の深さを
得るための拡散時間が著るしく短縮され、従つて
長時間の加熱が原因となつて生じる従来方法の欠
点が解消されるという効果が得られる。
第１図はこの発明の半導体装置の製造方法の実
施に使用される製造装置の一部断面側面図、第２
図はこの発明の効果を説明するための曲線図であ
る。 １……加熱炉、２……半導体基板、３……超音
波照射用ホーン、４……超音波振動子。
施に使用される製造装置の一部断面側面図、第２
図はこの発明の効果を説明するための曲線図であ
る。 １……加熱炉、２……半導体基板、３……超音
波照射用ホーン、４……超音波振動子。
Claims (1)
- １ 半導体基体に施される不純物の気相−固相拡
散、または半導体基体に被着された不純物を含む
気相成長膜からこの基体に施される該不純物の固
相−固相拡散において不純物の拡散が超音波照射
のもとに行なわれることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1970578A JPS54113243A (en) | 1978-02-24 | 1978-02-24 | Production of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1970578A JPS54113243A (en) | 1978-02-24 | 1978-02-24 | Production of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54113243A JPS54113243A (en) | 1979-09-04 |
| JPS6140126B2 true JPS6140126B2 (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=12006683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1970578A Granted JPS54113243A (en) | 1978-02-24 | 1978-02-24 | Production of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54113243A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164135A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 収束イオンビ−ムを用いた半導体加工装置 |
| JPS5916327A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜の製造方法 |
-
1978
- 1978-02-24 JP JP1970578A patent/JPS54113243A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54113243A (en) | 1979-09-04 |
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