JPS6141845B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6141845B2 JPS6141845B2 JP3816679A JP3816679A JPS6141845B2 JP S6141845 B2 JPS6141845 B2 JP S6141845B2 JP 3816679 A JP3816679 A JP 3816679A JP 3816679 A JP3816679 A JP 3816679A JP S6141845 B2 JPS6141845 B2 JP S6141845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron
- substrate
- mol
- chromium
- vanadium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012814 acoustic material Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- WFISYBKOIKMYLZ-UHFFFAOYSA-N [V].[Cr] Chemical compound [V].[Cr] WFISYBKOIKMYLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Description
本発明は、硼素構造材の製造方法にかかり、特
に硼素構造材を構成する硼素の膜質や機械的性質
の向上と、硼素構造材の製造歩留りおよび生産性
の向上を図ることを目的とするものである。 硼素は、ダイヤモンドに次ぐ硬度をもち、その
耐摩耗性も非常に大きいものであるため、切削工
具や摺動機械部品、軸受けなどに適した材料であ
る。また、比弾性率(弾性率/密度)が現在知ら
れている物質中では、最大という優れた特徴をも
つている。この性質は音波の伝幡速度が既存の物
質中で最大であることを意味し、音響材料として
特に有用である。 硼素応用製品を、鋳造や圧延といつた方法によ
つて、緻密な塊や薄板、薄肉パイプ等の状態で得
ることは困難なことである。このため、種々の硼
素応用製品の製作にあたつては、ほとんどの場
合、硼素以外の材料からなる基体上に、蒸着法
や、スパツタリング法、化学蒸着法(以下CVD
法という)などによつて硼素以外の材料からなる
基体上に硼素皮膜を形成した複合体として用いら
れている。 このような従来の方法で作られた複合構造材料
は、硼素の硬さやその優れた耐摩耗性を利用する
製品の場合には、大きな支障を生じるようなこと
がない。ところが、比弾性率の大きさを利用しよ
うとする、スピーカの振動板やカートリツジのカ
ンチレバーなどの音響材料などでは、きわめて重
大な支障となる。すなわち、複合体の密度や弾性
率は基体の性質に大きく左右され、硼素本来の性
質がそれによつて大きく減殺されるからである。
一方、硼素を化学的あるいは物理的な処理により
基体から分離させる試みは数多くあるが、蒸着さ
れた硼素皮膜と基体との間に熱膨脹率の違いなど
によつて歪が生じ、そのために、硼素皮膜にクラ
ツクなどが生じて、十分な機械的強度のある硼素
皮膜を歩留りよく得ることがむずかしかつた。 発明者らは、かかる従来の方法にあつた欠点を
除去するためには、タンタルやニオブ、モリブデ
ン、タングステン、チタンなどの金属を基体と
し、その表面にバナジウムを5.5モル%〜65.0モ
ル%含むクロムを所望の厚さに付着させ、この上
に化学蒸着することが有効であることを見出し
た。 以下、本発明の方法について具体的に説明す
る。硼素をCVD法により、基体上に形成するに
は、たとえば反応器内に置かれた基体を赤外線加
熱や高周波加熱、通電といつた方法で加熱し、次
式に示すような還元分解反応により硼素を析出さ
せる。 2BX3+3H2→2B+6HX (ただし、Xは、Cl、Br、Iなどのハロゲン元素
である。) CVD法に使用する原料ガスとしては、ハロゲ
ン化硼素BX3の他に、硼素の水素化合物などもあ
る。 また、この硼素析出反応においては、加熱温度
や、反応器への原料がこの流入量などにより、
種々の結晶形が得られる。各種の結晶形のうち
で、緻密で、機械的性質に優れた硼素皮膜を得る
ためには、βロンボヘドラル、テトラゴナル、あ
るいは非晶質の硼素が望ましい。 次に、化学的あるいは機械的な方法により、基
体を溶解除去あるいは剥離さしたりし、主に硼素
単体からなるパイプや板を得る。化学的方法とし
ては、主に弗酸を主とする液を使用することが考
えられる。また、特に効果的な液としては、無水
アルコールに、臭素、塩素、沃素、または、これ
ら2種以上の化合物や混合物を溶解させたものが
ある。 基体を構成するための金属としては、硼素の
CVDが高温度下(900℃以上)で行なわれるた
め、また、通電や高周波加熱が容易であることを
考えあわせると、タンタル、ニオブ、モルブデ
ン、チタン、タングステンなどが望ましい。これ
ら材料のうちでも、CVDが水素気流中で行われ
るため、水素脆化の程度の小さいタンタルとモリ
ブデン、タングステンがより望ましい。また、沈
積した硼素皮膜と基体との熱歪をちいさくするた
めには、熱膨脹係数が硼素に近いタンタルや、チ
タンがより望ましい。 本発明の方法の主要な点は、上記金属上にバナ
ジウムを5.5モル%〜65.0モル%含むクロムを電
気メツキ法やCVD法、スパツタ法、真空蒸着法
等により付着させ、それを所望の厚さの層で被覆
して、基体とすることにある。しかる後、硼素を
基体上に析出させ、さらに、基体を選択溶解した
り機械的に除去したりして、硼素からなる構造物
を得るわけである。従来、金属基体のみや金属基
体上にクロムのみを被覆した基体を用いたとき、
選択溶解や機械的な剥離を行なう過程で、硼素皮
膜が破壊したり、また得られた硼素構造物の機械
的性質があまりよくない場合があつた。本発明の
方法により、これらの点において、大巾な改善が
なされた。特に硼素が非晶質の場合大巾に改善さ
れた。これにより、たとえば基体を線状としたと
きにはパイプ状の硼素構造材が、またそれを板状
としたときには薄板状の硼素構造材がそれぞれ得
られる。 本発明において、クロムに含まれるバナジウム
の量を5.5モル%〜65.0モル%に限定したのは、
5.5モル%よりも少ないときには、基体を溶解除
去して得られるパイプの収率があまりよくない。
また、それが、65モル%よりも多くなると硼素
CVD時に基体変形してしまい、硼素の強度が低
下するためである。バナジウムを含むクロムの板
などを、そのまま基体として用いた場合、CVD
時において高い温度になると、基体そのものが変
形を起すために、硼素のCVD終了時に硼素皮膜
に割れが生じた。したがつて、本発明の効果を発
揮させるためには、バナジウムを5.5モル%〜
65.0モル%含むクロム層の厚みには、おのずから
望ましい厚さがある。この望ましい厚さは、基体
金属の厚みにも左右される。基体金属として、た
とえば太さ200〜300μmの線状のタンタルを使用
した場合には、バナジウムを含むクロム層の厚さ
は10μm以下であつた。それがあまり厚すぎる
と、硼素皮膜に割れが生じやすくなる。ただ、そ
れが0.05μm程度であると、本発明による改善効
果が明瞭には認められない。この場合のもつとも
望ましい被覆層の厚さは、0.3〜2.0μmであつ
た。 本発明による効果は、基体の金属としてタンタ
ルを使用したときにもつとも大きい。これは、熱
膨脹係数が硼素のそれに近いこと、および、水素
ぜい化の程度が比較的小さいことといつた理由に
よるものではないかと考えられる。 バナジウムを含むクロム層は、電気メツキ法、
スパツタ法、あるいはCVD法により基体上に被
覆形成することができる。どのような被覆方法を
とろうとも、その結果はほぼ同じであつた。 さらに詳しくは、実施例で説明する。 直径250μm、長さ800mmのタンタル線を準備し
た。タンタル線を脱脂、洗浄したのち、それにバ
ナジウムを5.5モル%含むクロムをスパツタ法で
付着させ、約1.0μmの層を形成した。次に、バ
ナジウム5.5モル%を含むクロム層で被複された
タンタル線を通電により発熱させて1000℃の温度
に保持し、これに三塩化硼素(BCl3)1容量部
と水素(H2)3容量部との混合ガスを毎分1
の割合で2.5分間流した。これにより約50μmの
厚さの硼素層が形成された。 このようにして作つた試料を5mmの長さにレー
ザー光を照射するなどして切断し、切断された試
料を市販の無水メタノール200mlに臭素50gを溶
解させた液に浸漬して、タンタルおよびクロム、
バナジウム等の硼化物を溶解させた。このとき硼
素は溶解しない。得られたパイプの寸法は、内径
250μm、外径350μm、長さ5mmであつた。X線
回析で調べた結果、その結晶形は、主に非晶質
(アモルフアス)であつた。 このパイプの抗折強度を測定した。測定は、梁
の長さ4mmとし、両端を支持梁の形で、荷重Wを
加えて、パイプを破壊したときの荷重より求める
という方法で行なつた。 次に、長さ800mmのサンプルから5mmに切断し
た試料が基体を溶解除去する過程で25%の数だけ
破壊した。すなわち収率は75%であつた。得られ
たパイプの平均の抗折強度は510gであつた。こ
の結果を下表の試料1としてまとめて示す。 上記実施例と同様にして、下表に示す試料2〜
9を作り、それらについても調べた。バナジウム
を含むクロムによるタンタル線の被覆方法として
は、バナジウム−クロムの圧粉パウダーターゲツ
トとして直流スパツタ法により被覆するという方
法を使用した。試料2〜13もすべて硼素が50μm
の膜厚になるようCVDの時間を調整した。 比較のため、クロムのみをタンタル線に被覆し
たとき(試料12)、あるいは、タンタル線のみの
ときも(試料13)50μmそれぞれ硼素を付着させ
た。そのときの硼素沈積温度、収率、平均抗折強
度、結晶系についても下表にまとめて示す。
に硼素構造材を構成する硼素の膜質や機械的性質
の向上と、硼素構造材の製造歩留りおよび生産性
の向上を図ることを目的とするものである。 硼素は、ダイヤモンドに次ぐ硬度をもち、その
耐摩耗性も非常に大きいものであるため、切削工
具や摺動機械部品、軸受けなどに適した材料であ
る。また、比弾性率(弾性率/密度)が現在知ら
れている物質中では、最大という優れた特徴をも
つている。この性質は音波の伝幡速度が既存の物
質中で最大であることを意味し、音響材料として
特に有用である。 硼素応用製品を、鋳造や圧延といつた方法によ
つて、緻密な塊や薄板、薄肉パイプ等の状態で得
ることは困難なことである。このため、種々の硼
素応用製品の製作にあたつては、ほとんどの場
合、硼素以外の材料からなる基体上に、蒸着法
や、スパツタリング法、化学蒸着法(以下CVD
法という)などによつて硼素以外の材料からなる
基体上に硼素皮膜を形成した複合体として用いら
れている。 このような従来の方法で作られた複合構造材料
は、硼素の硬さやその優れた耐摩耗性を利用する
製品の場合には、大きな支障を生じるようなこと
がない。ところが、比弾性率の大きさを利用しよ
うとする、スピーカの振動板やカートリツジのカ
ンチレバーなどの音響材料などでは、きわめて重
大な支障となる。すなわち、複合体の密度や弾性
率は基体の性質に大きく左右され、硼素本来の性
質がそれによつて大きく減殺されるからである。
一方、硼素を化学的あるいは物理的な処理により
基体から分離させる試みは数多くあるが、蒸着さ
れた硼素皮膜と基体との間に熱膨脹率の違いなど
によつて歪が生じ、そのために、硼素皮膜にクラ
ツクなどが生じて、十分な機械的強度のある硼素
皮膜を歩留りよく得ることがむずかしかつた。 発明者らは、かかる従来の方法にあつた欠点を
除去するためには、タンタルやニオブ、モリブデ
ン、タングステン、チタンなどの金属を基体と
し、その表面にバナジウムを5.5モル%〜65.0モ
ル%含むクロムを所望の厚さに付着させ、この上
に化学蒸着することが有効であることを見出し
た。 以下、本発明の方法について具体的に説明す
る。硼素をCVD法により、基体上に形成するに
は、たとえば反応器内に置かれた基体を赤外線加
熱や高周波加熱、通電といつた方法で加熱し、次
式に示すような還元分解反応により硼素を析出さ
せる。 2BX3+3H2→2B+6HX (ただし、Xは、Cl、Br、Iなどのハロゲン元素
である。) CVD法に使用する原料ガスとしては、ハロゲ
ン化硼素BX3の他に、硼素の水素化合物などもあ
る。 また、この硼素析出反応においては、加熱温度
や、反応器への原料がこの流入量などにより、
種々の結晶形が得られる。各種の結晶形のうち
で、緻密で、機械的性質に優れた硼素皮膜を得る
ためには、βロンボヘドラル、テトラゴナル、あ
るいは非晶質の硼素が望ましい。 次に、化学的あるいは機械的な方法により、基
体を溶解除去あるいは剥離さしたりし、主に硼素
単体からなるパイプや板を得る。化学的方法とし
ては、主に弗酸を主とする液を使用することが考
えられる。また、特に効果的な液としては、無水
アルコールに、臭素、塩素、沃素、または、これ
ら2種以上の化合物や混合物を溶解させたものが
ある。 基体を構成するための金属としては、硼素の
CVDが高温度下(900℃以上)で行なわれるた
め、また、通電や高周波加熱が容易であることを
考えあわせると、タンタル、ニオブ、モルブデ
ン、チタン、タングステンなどが望ましい。これ
ら材料のうちでも、CVDが水素気流中で行われ
るため、水素脆化の程度の小さいタンタルとモリ
ブデン、タングステンがより望ましい。また、沈
積した硼素皮膜と基体との熱歪をちいさくするた
めには、熱膨脹係数が硼素に近いタンタルや、チ
タンがより望ましい。 本発明の方法の主要な点は、上記金属上にバナ
ジウムを5.5モル%〜65.0モル%含むクロムを電
気メツキ法やCVD法、スパツタ法、真空蒸着法
等により付着させ、それを所望の厚さの層で被覆
して、基体とすることにある。しかる後、硼素を
基体上に析出させ、さらに、基体を選択溶解した
り機械的に除去したりして、硼素からなる構造物
を得るわけである。従来、金属基体のみや金属基
体上にクロムのみを被覆した基体を用いたとき、
選択溶解や機械的な剥離を行なう過程で、硼素皮
膜が破壊したり、また得られた硼素構造物の機械
的性質があまりよくない場合があつた。本発明の
方法により、これらの点において、大巾な改善が
なされた。特に硼素が非晶質の場合大巾に改善さ
れた。これにより、たとえば基体を線状としたと
きにはパイプ状の硼素構造材が、またそれを板状
としたときには薄板状の硼素構造材がそれぞれ得
られる。 本発明において、クロムに含まれるバナジウム
の量を5.5モル%〜65.0モル%に限定したのは、
5.5モル%よりも少ないときには、基体を溶解除
去して得られるパイプの収率があまりよくない。
また、それが、65モル%よりも多くなると硼素
CVD時に基体変形してしまい、硼素の強度が低
下するためである。バナジウムを含むクロムの板
などを、そのまま基体として用いた場合、CVD
時において高い温度になると、基体そのものが変
形を起すために、硼素のCVD終了時に硼素皮膜
に割れが生じた。したがつて、本発明の効果を発
揮させるためには、バナジウムを5.5モル%〜
65.0モル%含むクロム層の厚みには、おのずから
望ましい厚さがある。この望ましい厚さは、基体
金属の厚みにも左右される。基体金属として、た
とえば太さ200〜300μmの線状のタンタルを使用
した場合には、バナジウムを含むクロム層の厚さ
は10μm以下であつた。それがあまり厚すぎる
と、硼素皮膜に割れが生じやすくなる。ただ、そ
れが0.05μm程度であると、本発明による改善効
果が明瞭には認められない。この場合のもつとも
望ましい被覆層の厚さは、0.3〜2.0μmであつ
た。 本発明による効果は、基体の金属としてタンタ
ルを使用したときにもつとも大きい。これは、熱
膨脹係数が硼素のそれに近いこと、および、水素
ぜい化の程度が比較的小さいことといつた理由に
よるものではないかと考えられる。 バナジウムを含むクロム層は、電気メツキ法、
スパツタ法、あるいはCVD法により基体上に被
覆形成することができる。どのような被覆方法を
とろうとも、その結果はほぼ同じであつた。 さらに詳しくは、実施例で説明する。 直径250μm、長さ800mmのタンタル線を準備し
た。タンタル線を脱脂、洗浄したのち、それにバ
ナジウムを5.5モル%含むクロムをスパツタ法で
付着させ、約1.0μmの層を形成した。次に、バ
ナジウム5.5モル%を含むクロム層で被複された
タンタル線を通電により発熱させて1000℃の温度
に保持し、これに三塩化硼素(BCl3)1容量部
と水素(H2)3容量部との混合ガスを毎分1
の割合で2.5分間流した。これにより約50μmの
厚さの硼素層が形成された。 このようにして作つた試料を5mmの長さにレー
ザー光を照射するなどして切断し、切断された試
料を市販の無水メタノール200mlに臭素50gを溶
解させた液に浸漬して、タンタルおよびクロム、
バナジウム等の硼化物を溶解させた。このとき硼
素は溶解しない。得られたパイプの寸法は、内径
250μm、外径350μm、長さ5mmであつた。X線
回析で調べた結果、その結晶形は、主に非晶質
(アモルフアス)であつた。 このパイプの抗折強度を測定した。測定は、梁
の長さ4mmとし、両端を支持梁の形で、荷重Wを
加えて、パイプを破壊したときの荷重より求める
という方法で行なつた。 次に、長さ800mmのサンプルから5mmに切断し
た試料が基体を溶解除去する過程で25%の数だけ
破壊した。すなわち収率は75%であつた。得られ
たパイプの平均の抗折強度は510gであつた。こ
の結果を下表の試料1としてまとめて示す。 上記実施例と同様にして、下表に示す試料2〜
9を作り、それらについても調べた。バナジウム
を含むクロムによるタンタル線の被覆方法として
は、バナジウム−クロムの圧粉パウダーターゲツ
トとして直流スパツタ法により被覆するという方
法を使用した。試料2〜13もすべて硼素が50μm
の膜厚になるようCVDの時間を調整した。 比較のため、クロムのみをタンタル線に被覆し
たとき(試料12)、あるいは、タンタル線のみの
ときも(試料13)50μmそれぞれ硼素を付着させ
た。そのときの硼素沈積温度、収率、平均抗折強
度、結晶系についても下表にまとめて示す。
【表】
下表の結果から明らかなように、本発明の方法
によれば、硼素パイプの収率が良く、その平均抗
折強度も大きい。特に非晶質硼素に対しては、収
率強度がクロム被覆単独よりも含有する方が良く
なつている。上記実施例では硼素パイプを示した
が、板状の硼素でも同様の結果が得られた。また
基体がタンタル以外にもモリブデン、ニオブ、チ
タン、タングステンでも同様の結果が得られた。
そして、クロムにバナジウムのほかに他の元素を
加えて、その効果をさらに高めることも可能であ
る。
によれば、硼素パイプの収率が良く、その平均抗
折強度も大きい。特に非晶質硼素に対しては、収
率強度がクロム被覆単独よりも含有する方が良く
なつている。上記実施例では硼素パイプを示した
が、板状の硼素でも同様の結果が得られた。また
基体がタンタル以外にもモリブデン、ニオブ、チ
タン、タングステンでも同様の結果が得られた。
そして、クロムにバナジウムのほかに他の元素を
加えて、その効果をさらに高めることも可能であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下地金属にバナジウムを5.5モル%〜65.0モ
ル%含むクロムの層を形成してなる基体上に、化
学蒸着法により硼素層を形成してから、前記基体
を選択的に除去して、硼素構造材料を得ることを
特徴とする硼素構造材の製造方法。 2 基体上に、β−ロンボヘドラル、または非晶
質を主な結晶形とする硼素層を化学蒸着法で形成
することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
載の硼素構造材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3816679A JPS55130816A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Producing boron structural material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3816679A JPS55130816A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Producing boron structural material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55130816A JPS55130816A (en) | 1980-10-11 |
| JPS6141845B2 true JPS6141845B2 (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12517808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3816679A Granted JPS55130816A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Producing boron structural material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55130816A (ja) |
-
1979
- 1979-03-29 JP JP3816679A patent/JPS55130816A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55130816A (en) | 1980-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4902535A (en) | Method for depositing hard coatings on titanium or titanium alloys | |
| US5009966A (en) | Hard outer coatings deposited on titanium or titanium alloys | |
| JPS6277437A (ja) | 耐腐食性アモルフアスクロム合金組成物 | |
| Li et al. | Thermal stability of the Cr-coated zirconium alloy microstructure prepared by pulsed laser deposition: B. Li et al. | |
| CN113718206B (zh) | 一种具有三明治结构的TaTiN多层薄膜的制备方法以及薄膜 | |
| WO1996006206A1 (en) | Method for the deposition of diamond film on the electroless-plated nickel layer | |
| JP3448884B2 (ja) | 人工ダイヤモンド被覆材 | |
| JPS6141846B2 (ja) | ||
| JPS6141845B2 (ja) | ||
| US3895671A (en) | Method of manufacturing a thin sheet of beryllium or an alloy thereof | |
| JPS6141844B2 (ja) | ||
| US4279691A (en) | Method of making boron cantilever | |
| JPH04157157A (ja) | 人工ダイヤモンド被覆材の製造方法 | |
| JPS6149248B2 (ja) | ||
| US4382454A (en) | Boron cantilever pipe | |
| JPS6149247B2 (ja) | ||
| JPS6133703B2 (ja) | ||
| JPH01165755A (ja) | 高温に敏感な製品を硬質層で被覆する方法および被覆製品 | |
| JPS6141847B2 (ja) | ||
| JPS6148580B2 (ja) | ||
| JPS635327B2 (ja) | ||
| JPS635328B2 (ja) | ||
| JPS59110774A (ja) | 硼素構造材の製造方法 | |
| JP2595203B2 (ja) | 高密着性ダイヤモンド被覆焼結合金及びその製造方法 | |
| JPS5832013A (ja) | 硼素構造材の製造方法 |