JPS6143838B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光装置の製造方法に関するもので
ある。

従来例を第１図に示す。すなわち、この発光装
置は、ガラス基板１に透明電極２を層成し、透明
電極２に誘電膜３を層成し、その上に螢光膜４、
誘電膜５、さらに金属電極６を積層したもので、
電極２，６間に交流電源７を接続する。この発光
装置は、絶縁層となる誘電膜３，５のピンホール
による絶縁不良により螢光膜４が破壊されるのを
防止するため、誘電膜３，５を誘電率の高い物質
（Y₂O₃、BaTiO₃等）で形成し、装置の寿命を向
上している。ところが、逆に絶縁が高くなるため
駆動電圧が高くなるという欠点があつた。この欠
点を補うため誘電膜３，５の誘電率を上げ、層を
薄く（2000Å程度）してなるべく誘電膜３，５に
かかる電圧を低くしているが充分とはいえない。

したがつて、この発明の目的は、ピンホールに
よる絶縁低下を防止でき、しかも低電圧駆動が実
現できる発光装置の製造方法を提供することであ
る。

この発明の第１の実施例を第２図により説明す
る。すなわち、この発光装置の製造方法は、ガラ
ス基板１ａを約400℃に加熱し、ガラス基板１ａ
上に酸化すずを含有した酸化インジユウム、すな
わち10mol％SnO₂＋In₂O₃（インジユウムテイン
オキサイド（ITO），Sn：10mol％）の焼結ター
ゲツトを用いて、不活性ガスのアルゴン（Ar）
に５％以下の酸素（O₂）を含有したガス圧３×
10^-2Torrの雰囲気で層成する。その方法はスパ
ツタリング蒸着、活性化スパッタ、活性化蒸着、
イオンブレーテイング等で行う。このように形成
された透明導電層２ａの上に前記と同じ物質を酸
素ガスを10％以上含むアルゴンガス雰囲気中で前
記と同方法により積層して絶縁層３ａを形成す
る。これは透明導電層２ａの形成時の真空状態を
破らずに外部から電極部のみカバーしてバルブ操
作により雰囲気ガスの混合比だけを変えるように
する。このようにすると良く知られているように
非常に高抵抗の絶縁層３ａとなる。その上に
ZnS、ZnSe等に不純物をドープした電界発光層４
ａを形成し、さらにその上にアルミニウム金属電
極層６ａを形成する。その結果、ピンホールによ
る絶縁低下が防止でき、しかも層厚の低下により
低電圧駆動ができることが確められた。しかし現
時点ではこのような方法をとると何故絶縁層３ａ
の耐圧が向上するのか不明であるが、ピンホール
の発生機構が下地の何らかの異常によつて生じる
とすると、透明導電層２ａのピンホールと絶縁層
３ａのピンホールの位置が一致しているためでは
ないかと考えられる。

この発明の第２の実施例を第３図により説明す
る。すなわち、第１の実施例の構造において、実
施例１と同様な操作によりアルミニウム金属電極
層６ａを電界発件層４ａの間に活性化（反応性）
スパツタ、蒸着、イオンプレーテイング等で電極
金属の酸化物、すなわちアルミナ（AI₂O₃）絶縁
層８を設けたものである。このようにすると、駆
動電圧は多少高くなるが高輝度を得ることができ
る。なお、従来構造にこの実施例を適用しても
Y₂O₃、BaTiO₃を薄くでき、低電圧化が可能とな
る。

以上のように、この発明の発光装置の製造方法
は、酸化すずを含有する酸化インジユウムにより
透明電極層を形成し、その同物質を前者よりも酸
素濃度の高い雰囲気で層成して絶縁層を形成し、
さらに電界発光層および金属電極層を積層するよ
うにしたため、低電圧駆動できるとともに電界発
光層の絶縁破壊を防止でき、寿命向上になるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来装置の断面図、第２図はこの発明
の第１の実施例の装置の断面図、第３図は第２の
実施例の装置の断面図である。 １ａ……ガラス基板、２ａ……透明導電層、３
ａ……絶縁層、４ａ……電界発光層、６ａ……金
属電極層、８……酸化物絶縁層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 所定温度に加熱されたガラス基板上に所定圧
   の不活性ガスの雰囲気で酸化すずを含有した酸化
   インジウムを被着する透明導電層形成工程と、前
   記不活性ガスに酸素ガスを約10％以上混合した雰
   囲気で前記透明導電層上に前記と同物質の積層形
   成する絶縁層形成工程と、この工程により形成さ
   れた絶縁層上に電界発光層を層成する工程と、こ
   の電界発光層上に金属電極層を層成する工程とを
   含む発光装置の製造方法。 ２ 前記金属電極層の前記電界発光層側にその酸
   化物絶縁層が形成される特許請求の範囲第１項記
   載の発光装置の製造方法。