JPS6148780B2 - - Google Patents
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- JPS6148780B2 JPS6148780B2 JP54005132A JP513279A JPS6148780B2 JP S6148780 B2 JPS6148780 B2 JP S6148780B2 JP 54005132 A JP54005132 A JP 54005132A JP 513279 A JP513279 A JP 513279A JP S6148780 B2 JPS6148780 B2 JP S6148780B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子容器特に電気的絶縁物を積
層構造に形成した半導体素子容器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device container, and particularly to a semiconductor device container in which electrical insulators are formed in a layered structure.
近年、積層セラミツク構造の容器内に半導体素
子チツプを収めて半導体装置を例えば光フアイバ
通信等に使用する場合がある。このような場合に
は、素子チツプの中心に光ビームを照射しなけれ
ばならない。又、ダイオードアレイ構造において
は単に中心のみならずチツプの方向性も正確に位
置決めする必要がある。 In recent years, there are cases in which a semiconductor device is used for, for example, optical fiber communication by housing a semiconductor element chip in a container having a laminated ceramic structure. In such a case, it is necessary to irradiate the center of the element chip with a light beam. Furthermore, in the diode array structure, it is necessary to accurately position not only the center but also the directionality of the chip.
しかしながら、従来の積層セラミツク構造の容
器は第1図aの平面図及びbの断面図に示すよう
に、セラミツク層(第1層1、第2層2、第3層
3)を3層積層し、第1層表面中央部に半導体素
子チツプを装着すべき第1の金属層4を、又第2
層表面から側面を経て第1層底面部に至るまで延
在しチツプとの電気的接続をとるためのボンデイ
ング線接続及び外部リード端子6との電気的接続
に寄与する第2の金属層5を有する。この様な構
造の容器にチツプを載置する場合、第1図aの第
3層セラミツク層3の外周辺あるいは内周辺を規
準として顕微鏡を用いてチツプをセラミツク層1
上の金属層4上にマウントしていた。従つて第3
層3と第2層2の厚さ分だけ顕微鏡の焦点距離に
誤差が生じ、容器中央部に正確にチツプを載置す
ることが非常に困難であつた。特に光フアイバ通
信等においては、容器外周部を規準として容器を
光通信系内に設置して、容器外から容器内のチツ
プに光ビームを照射するため容器外周部に対して
チツプの位置がずれていた場合には光ビームをチ
ツプの中心に正確に照射することができないとい
う欠点があつた。通常光ビーム照射に対するチツ
プずれの精度は数十ミクロン以下に要求されてい
る。 However, the conventional laminated ceramic container has three ceramic layers (first layer 1, second layer 2, and third layer 3) laminated as shown in the plan view in Figure 1a and the cross-sectional view in Figure 1b. , a first metal layer 4 on which a semiconductor chip is to be attached at the center of the surface of the first layer;
A second metal layer 5 extends from the surface of the layer to the bottom of the first layer via the side surface and contributes to bonding wire connection for electrical connection with the chip and electrical connection with external lead terminals 6. have When placing a chip in a container having such a structure, use a microscope to place the chip on the ceramic layer 1 using the outer periphery or inner periphery of the third ceramic layer 3 shown in FIG. 1a as a reference.
It was mounted on the upper metal layer 4. Therefore, the third
An error occurred in the focal length of the microscope by the thickness of layer 3 and second layer 2, making it extremely difficult to place the chip accurately in the center of the container. In particular, in optical fiber communications, etc., a container is installed in an optical communication system using the outer periphery of the container as a reference, and a light beam is irradiated from outside the container to the chip inside the container, so the position of the chip may shift relative to the outer periphery of the container. However, in the case where the chip was used, there was a drawback that the light beam could not be irradiated accurately to the center of the chip. The accuracy of chip displacement for normal light beam irradiation is required to be several tens of microns or less.
本発明の目的は、容器外周部の基準線に対して
位置ずれを起こすことなくチツプを載置できる半
導体素子容器を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device container in which a chip can be placed without misalignment with respect to a reference line on the outer periphery of the container.
上記目的を達成するため本発明の半導体素子容
器の基本的構成は、電気的絶縁物を積層して得ら
れる半導体素子容器において、半導体素子チツプ
が載置される第1の絶縁物主表面上に該半導体素
子チツプの載置用位置決めマークを設けてなる。 In order to achieve the above object, the basic structure of the semiconductor device container of the present invention is that, in the semiconductor device container obtained by laminating electrical insulators, a semiconductor device chip is placed on the first main surface of the insulator. A positioning mark for mounting the semiconductor element chip is provided.
かかる本発明の半導体素子容器によれば、半導
体チツプを載置すべき絶縁物表面上に載置用の位
置決めマークが施されているので、顕微鏡を用い
て容器に載置位置を決定することができ誤差のな
い焦点距離を確保することができる。従つて、チ
ツプは位置づれをおこすことなく正確に容器中央
部に載置される。 According to the semiconductor device container of the present invention, since positioning marks for placement are provided on the surface of the insulator on which the semiconductor chip is to be placed, it is possible to determine the placement position on the container using a microscope. It is possible to ensure a focal length with no errors. Therefore, the chips can be accurately placed in the center of the container without causing any displacement.
以下、図面を参照して本発明の一実施例に従い
説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図は、本発明の一実施例を示したもので、
aは平面図をbは斜視図を表わしている。 FIG. 2 shows an embodiment of the present invention.
A represents a plan view, and b represents a perspective view.
同図において、電気絶縁物(本実施例ではセラ
ミツク)10,11,12は3層積層され、下層
のセラミツク層10の表面上には半導体チツプ載
置用の金属メタライズ層15及びチツプ位置決め
マーク16が形成され、更に中間層のセラミツク
層11の表面上にはチツプ上の電極パツドからの
ボンデイング線接続領域としての金属パターン1
3が中間セラミツク層11及び下層セラミツク層
10の側面を介してセラミツク層10の底面部ま
で延在して設けられており、外部リード端子14
と電電的及び機械的に接続されている。更に下層
セラミツク層10の端部には基準位置マーク17
が形成され、このマーク17が見えるように中間
層及び上層セラミツク層11,12には開孔部1
8が設けられている。ここで下層セラミツク層1
0上に設けられるチツプ載置用の金属メタライズ
層15、位置決めマーク16及び基準位置マーク
17は同一工程で形成される。即ち、下層セラミ
ツク層10表面全面に金属薄を蒸着法等により形
成し、その後エツチング法等によりチツプ載置用
パターン15を形成する時同時に、位置決めマー
ク16及び基準位置マーク17を形成することが
できる。これは、エツチングマスクパターンを変
更するだけでよい。又、位置決めマーク16とし
ては第4図に示した様に十文字方向に凸部あるい
は凹部を設けたものでよく、チツプ載置用金属パ
ターン15の中央部に正確にチツプを載置できる
ようなマークであればよい。 In the figure, three layers of electrical insulators (ceramics in this embodiment) 10, 11, and 12 are laminated, and on the surface of the lower ceramic layer 10 there is a metallized layer 15 for mounting a semiconductor chip and a chip positioning mark 16. is formed, and furthermore, a metal pattern 1 is formed on the surface of the intermediate ceramic layer 11 as a bonding line connection area from the electrode pad on the chip.
External lead terminals 14 are provided extending to the bottom of the ceramic layer 10 via the side surfaces of the intermediate ceramic layer 11 and the lower ceramic layer 10.
electrically and mechanically connected to the Furthermore, a reference position mark 17 is provided at the end of the lower ceramic layer 10.
is formed, and openings 1 are provided in the intermediate and upper ceramic layers 11 and 12 so that the mark 17 is visible.
8 is provided. Here, lower ceramic layer 1
The metallized layer 15 for mounting a chip, the positioning mark 16, and the reference position mark 17 provided on the substrate 0 are formed in the same process. That is, the positioning mark 16 and the reference position mark 17 can be formed at the same time as forming the metal thin film on the entire surface of the lower ceramic layer 10 by vapor deposition or the like, and then forming the chip placement pattern 15 by etching or the like. . This can be done by simply changing the etching mask pattern. Further, the positioning mark 16 may be one having a convex portion or a concave portion in the cross direction as shown in FIG. That's fine.
この様に、本実施例によればチツプ載置面と同
一平面上にチツプ載置用位置決めマーク16を有
しているので、チツプを載置する際この位置決め
マーク16を基準として顕微鏡の焦点を目合わせ
すれば容器中央部に正確にチツプを載置すること
ができる。更にチツプを載置した後、上層セラミ
ツク層12を覆うようにマスクシートを設け、外
部雰囲気から半導体チツプを保護したり、又、場
合によつてはこのマスクシートを金属で形成し接
地電位を与えることによつてシールド効果をもた
せるようにした場合、容器内部に設置されたチツ
プは外部からは見えにくくなる。しかしながら、
容器端部即ちチツプ載置面と同一平面を有する下
層セラミツク層10端部に設けられた基準位置マ
ーク17によつて容易にチツプ位置を見定めるこ
とができ、光フアイバ通信等において正確に光ビ
ームをチツプに照射することができる。 In this way, according to this embodiment, since the chip placement positioning mark 16 is provided on the same plane as the chip placement surface, the focus of the microscope is set using this positioning mark 16 as a reference when placing the chip. If you align them, you can place the chips accurately in the center of the container. Furthermore, after the chip is mounted, a mask sheet is provided to cover the upper ceramic layer 12 to protect the semiconductor chip from the external atmosphere, and in some cases, this mask sheet is made of metal to provide a ground potential. In particular, if a shielding effect is provided, the chip installed inside the container will be difficult to see from the outside. however,
The chip position can be easily determined by the reference position mark 17 provided at the end of the container, that is, the end of the lower ceramic layer 10, which is on the same plane as the chip mounting surface, and the chip position can be easily determined, and the light beam can be accurately directed in optical fiber communication, etc. Chips can be irradiated.
又、セラミツク層10,11,12を3層積層
した後にセラツクシートを切断して容器単位に分
割する場合には基準位置マーク17を切断位置決
めマークとして使用することにより、切断時に容
器外周に対するチツプの相対位置に誤差を生ずる
ことなく各容器単位に分割できる。 In addition, when cutting the ceramic sheet to divide it into containers after laminating the three ceramic layers 10, 11, and 12, the reference position mark 17 can be used as a cutting positioning mark, so that the relative position of the chip to the outer periphery of the container can be adjusted at the time of cutting. It can be divided into individual containers without positional errors.
第3図は本発明の更に他の実施例を示したもの
で、aは側面断面図、bは斜視図を示す。同図は
上下2層のセラミツク層20,21を積層し、下
層セラミツク層20上にチツプ載置用金属パター
ン25、チツプ位置決めマーク25、基準位置マ
ーク26及び外部リード端子22、接続部23を
有する構造である。 FIG. 3 shows still another embodiment of the present invention, in which a shows a side sectional view and b shows a perspective view. In the figure, two upper and lower ceramic layers 20 and 21 are laminated, and a metal pattern 25 for placing a chip, a chip positioning mark 25, a reference position mark 26, an external lead terminal 22, and a connecting part 23 are provided on the lower ceramic layer 20. It is a structure.
同図においても、下層セラミツク層20上の各
金属パターンは同一工程で得られ、かつ前述した
効果を有していることは明白である。又、本実施
例では上層セラミツク層21を下層セラミツク層
20より小さく形成しているので基準位置マーク
検出用の開孔部を必要としない。 Also in the figure, it is clear that each metal pattern on the lower ceramic layer 20 is obtained by the same process and has the effects described above. Further, in this embodiment, since the upper ceramic layer 21 is formed smaller than the lower ceramic layer 20, an opening for detecting the reference position mark is not required.
この様に、本発明によればチツプ載置面と同一
面にチツプ載置用位置決めマークを有しているた
め顕微鏡等の焦点距離(焦点深度)に誤差を生ず
ることなく、正確に容器中央部にチツプを載置す
ることができ、しかも容器を気密封止した後も容
器端部の基準マークを基準として容器の切断や光
ビームの照射を行うことができ、光ビーム照射に
対するチツプ位置のずれをなくすることができ
る。 As described above, according to the present invention, since the chip placement positioning mark is provided on the same surface as the chip placement surface, the center of the container can be accurately positioned without causing an error in the focal length (depth of focus) of the microscope, etc. Chips can be placed on the container, and even after the container is hermetically sealed, the container can be cut and the light beam can be irradiated using the reference mark at the end of the container as a reference. can be eliminated.
更に、チツプ位置決めマークに合わせて半導体
素子チツプを載置すれば、素子の中心及び方向は
自ずから容器の外周部及び基準マークに対して一
定の位置及び方向にそろうので、光学装置等への
容器取り付けは、基準マークが一定の位置にくる
ように取り付ければよく、極めて容易に調整する
ことができる。 Furthermore, if a semiconductor element chip is placed in alignment with the chip positioning mark, the center and direction of the element will automatically be aligned at a certain position and direction with respect to the outer periphery of the container and the reference mark, making it easier to attach the container to optical equipment, etc. It is only necessary to attach the reference mark so that it is in a fixed position, and it can be adjusted very easily.
又、チツプ位置決めマーク及び基準マークの形
状及び位置は本実施例にとらわれることなく自由
に設計してよいし、容器外周部に対するチツプの
相対位置が一定に保持されるように容器を組み立
てた場合には、容器外周部を基準として光ビーム
等を照射すればよく、この時は基準マークは不必
要である。 Further, the shape and position of the tip positioning mark and reference mark may be freely designed without being limited to this embodiment, and when the container is assembled so that the relative position of the tip with respect to the outer periphery of the container is maintained constant. In this case, it is sufficient to irradiate a light beam or the like with reference to the outer periphery of the container, and in this case, a reference mark is unnecessary.
第1図は従来の半導体素子容器でa,bは夫々
平面図、断面図を示し、第2図は本発明の一実施
例を示しa,bは夫々平面図、斜視図であり、第
3図は他の実施例でありa,bは夫々断面図、斜
視図を示し、第4図a,bは本発明のチツプ位置
決めマーク及びチツプ載置部を示す一実施例であ
る。
1,2,3,10,11,12,20,21…
…セラミツク層、4,15,24……チツプ載置
部、5,13,23……外部リード端子接続部、
6,14,22……外部リード端子、18……開
孔部、17,26……基準マーク、16,25…
…チツプ位置決めマーク。
FIG. 1 shows a conventional semiconductor device container, and FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, and FIG. The figures show another embodiment, and FIGS. 4a and 4b show a cross-sectional view and a perspective view, respectively, and FIGS. 4a and 4b show an embodiment of the chip positioning mark and chip placement part of the present invention. 1, 2, 3, 10, 11, 12, 20, 21...
... Ceramic layer, 4, 15, 24... Chip placement part, 5, 13, 23... External lead terminal connection part,
6, 14, 22... External lead terminal, 18... Opening part, 17, 26... Reference mark, 16, 25...
...Chip positioning mark.
Claims (1)
容器において、半導体チツプが載置される絶縁物
の主表面上にメタライズ層が設けられ、このメタ
ライズ層にはこれの中心を通る十文字線の各線に
沿つて凸状の又は凹状の半導体チツプ載置用位置
決めマークが設けられており、さらに前記主表面
の四隅には半導体チツプ封止後に使用される位置
基準マークがそれぞれ設けられていることを特徴
とする半導体素子容器。1. In a semiconductor device container obtained by laminating electrical insulators, a metallized layer is provided on the main surface of the insulator on which a semiconductor chip is placed, and each line of the cross line passing through the center of the metallized layer is provided. Convex or concave positioning marks for placing the semiconductor chip are provided along the main surface, and position reference marks used after the semiconductor chip is sealed are provided at each of the four corners of the main surface. A semiconductor device container.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP513279A JPS5596658A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Semiconductor container |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP513279A JPS5596658A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Semiconductor container |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5596658A JPS5596658A (en) | 1980-07-23 |
| JPS6148780B2 true JPS6148780B2 (en) | 1986-10-25 |
Family
ID=11602777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP513279A Granted JPS5596658A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Semiconductor container |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5596658A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4587587B2 (en) * | 2001-03-26 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | Electronic component mounting board |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53140049U (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-06 |
-
1979
- 1979-01-19 JP JP513279A patent/JPS5596658A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5596658A (en) | 1980-07-23 |
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