JPS6148780B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子容器特に電気的絶縁物を積
層構造に形成した半導体素子容器に関する。

近年、積層セラミツク構造の容器内に半導体素
子チツプを収めて半導体装置を例えば光フアイバ
通信等に使用する場合がある。このような場合に
は、素子チツプの中心に光ビームを照射しなけれ
ばならない。又、ダイオードアレイ構造において
は単に中心のみならずチツプの方向性も正確に位
置決めする必要がある。

しかしながら、従来の積層セラミツク構造の容
器は第１図ａの平面図及びｂの断面図に示すよう
に、セラミツク層（第１層１、第２層２、第３層
３）を３層積層し、第１層表面中央部に半導体素
子チツプを装着すべき第１の金属層４を、又第２
層表面から側面を経て第１層底面部に至るまで延
在しチツプとの電気的接続をとるためのボンデイ
ング線接続及び外部リード端子６との電気的接続
に寄与する第２の金属層５を有する。この様な構
造の容器にチツプを載置する場合、第１図ａの第
３層セラミツク層３の外周辺あるいは内周辺を規
準として顕微鏡を用いてチツプをセラミツク層１
上の金属層４上にマウントしていた。従つて第３
層３と第２層２の厚さ分だけ顕微鏡の焦点距離に
誤差が生じ、容器中央部に正確にチツプを載置す
ることが非常に困難であつた。特に光フアイバ通
信等においては、容器外周部を規準として容器を
光通信系内に設置して、容器外から容器内のチツ
プに光ビームを照射するため容器外周部に対して
チツプの位置がずれていた場合には光ビームをチ
ツプの中心に正確に照射することができないとい
う欠点があつた。通常光ビーム照射に対するチツ
プずれの精度は数十ミクロン以下に要求されてい
る。

本発明の目的は、容器外周部の基準線に対して
位置ずれを起こすことなくチツプを載置できる半
導体素子容器を提供することにある。

上記目的を達成するため本発明の半導体素子容
器の基本的構成は、電気的絶縁物を積層して得ら
れる半導体素子容器において、半導体素子チツプ
が載置される第１の絶縁物主表面上に該半導体素
子チツプの載置用位置決めマークを設けてなる。

かかる本発明の半導体素子容器によれば、半導
体チツプを載置すべき絶縁物表面上に載置用の位
置決めマークが施されているので、顕微鏡を用い
て容器に載置位置を決定することができ誤差のな
い焦点距離を確保することができる。従つて、チ
ツプは位置づれをおこすことなく正確に容器中央
部に載置される。

以下、図面を参照して本発明の一実施例に従い
説明する。

第２図は、本発明の一実施例を示したもので、
ａは平面図をｂは斜視図を表わしている。

同図において、電気絶縁物（本実施例ではセラ
ミツク）１０，１１，１２は３層積層され、下層
のセラミツク層１０の表面上には半導体チツプ載
置用の金属メタライズ層１５及びチツプ位置決め
マーク１６が形成され、更に中間層のセラミツク
層１１の表面上にはチツプ上の電極パツドからの
ボンデイング線接続領域としての金属パターン１
３が中間セラミツク層１１及び下層セラミツク層
１０の側面を介してセラミツク層１０の底面部ま
で延在して設けられており、外部リード端子１４
と電電的及び機械的に接続されている。更に下層
セラミツク層１０の端部には基準位置マーク１７
が形成され、このマーク１７が見えるように中間
層及び上層セラミツク層１１，１２には開孔部１
８が設けられている。ここで下層セラミツク層１
０上に設けられるチツプ載置用の金属メタライズ
層１５、位置決めマーク１６及び基準位置マーク
１７は同一工程で形成される。即ち、下層セラミ
ツク層１０表面全面に金属薄を蒸着法等により形
成し、その後エツチング法等によりチツプ載置用
パターン１５を形成する時同時に、位置決めマー
ク１６及び基準位置マーク１７を形成することが
できる。これは、エツチングマスクパターンを変
更するだけでよい。又、位置決めマーク１６とし
ては第４図に示した様に十文字方向に凸部あるい
は凹部を設けたものでよく、チツプ載置用金属パ
ターン１５の中央部に正確にチツプを載置できる
ようなマークであればよい。

この様に、本実施例によればチツプ載置面と同
一平面上にチツプ載置用位置決めマーク１６を有
しているので、チツプを載置する際この位置決め
マーク１６を基準として顕微鏡の焦点を目合わせ
すれば容器中央部に正確にチツプを載置すること
ができる。更にチツプを載置した後、上層セラミ
ツク層１２を覆うようにマスクシートを設け、外
部雰囲気から半導体チツプを保護したり、又、場
合によつてはこのマスクシートを金属で形成し接
地電位を与えることによつてシールド効果をもた
せるようにした場合、容器内部に設置されたチツ
プは外部からは見えにくくなる。しかしながら、
容器端部即ちチツプ載置面と同一平面を有する下
層セラミツク層１０端部に設けられた基準位置マ
ーク１７によつて容易にチツプ位置を見定めるこ
とができ、光フアイバ通信等において正確に光ビ
ームをチツプに照射することができる。

又、セラミツク層１０，１１，１２を３層積層
した後にセラツクシートを切断して容器単位に分
割する場合には基準位置マーク１７を切断位置決
めマークとして使用することにより、切断時に容
器外周に対するチツプの相対位置に誤差を生ずる
ことなく各容器単位に分割できる。

第３図は本発明の更に他の実施例を示したもの
で、ａは側面断面図、ｂは斜視図を示す。同図は
上下２層のセラミツク層２０，２１を積層し、下
層セラミツク層２０上にチツプ載置用金属パター
ン２５、チツプ位置決めマーク２５、基準位置マ
ーク２６及び外部リード端子２２、接続部２３を
有する構造である。

同図においても、下層セラミツク層２０上の各
金属パターンは同一工程で得られ、かつ前述した
効果を有していることは明白である。又、本実施
例では上層セラミツク層２１を下層セラミツク層
２０より小さく形成しているので基準位置マーク
検出用の開孔部を必要としない。

この様に、本発明によればチツプ載置面と同一
面にチツプ載置用位置決めマークを有しているた
め顕微鏡等の焦点距離（焦点深度）に誤差を生ず
ることなく、正確に容器中央部にチツプを載置す
ることができ、しかも容器を気密封止した後も容
器端部の基準マークを基準として容器の切断や光
ビームの照射を行うことができ、光ビーム照射に
対するチツプ位置のずれをなくすることができ
る。

更に、チツプ位置決めマークに合わせて半導体
素子チツプを載置すれば、素子の中心及び方向は
自ずから容器の外周部及び基準マークに対して一
定の位置及び方向にそろうので、光学装置等への
容器取り付けは、基準マークが一定の位置にくる
ように取り付ければよく、極めて容易に調整する
ことができる。

又、チツプ位置決めマーク及び基準マークの形
状及び位置は本実施例にとらわれることなく自由
に設計してよいし、容器外周部に対するチツプの
相対位置が一定に保持されるように容器を組み立
てた場合には、容器外周部を基準として光ビーム
等を照射すればよく、この時は基準マークは不必
要である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体素子容器でａ，ｂは夫々
平面図、断面図を示し、第２図は本発明の一実施
例を示しａ，ｂは夫々平面図、斜視図であり、第
３図は他の実施例でありａ，ｂは夫々断面図、斜
視図を示し、第４図ａ，ｂは本発明のチツプ位置
決めマーク及びチツプ載置部を示す一実施例であ
る。 １，２，３，１０，１１，１２，２０，２１…
…セラミツク層、４，１５，２４……チツプ載置
部、５，１３，２３……外部リード端子接続部、
６，１４，２２……外部リード端子、１８……開
孔部、１７，２６……基準マーク、１６，２５…
…チツプ位置決めマーク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電気的絶縁物を積層して得られる半導体素子
   容器において、半導体チツプが載置される絶縁物
   の主表面上にメタライズ層が設けられ、このメタ
   ライズ層にはこれの中心を通る十文字線の各線に
   沿つて凸状の又は凹状の半導体チツプ載置用位置
   決めマークが設けられており、さらに前記主表面
   の四隅には半導体チツプ封止後に使用される位置
   基準マークがそれぞれ設けられていることを特徴
   とする半導体素子容器。