JPS6149816B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6149816B2 JPS6149816B2 JP60043891A JP4389185A JPS6149816B2 JP S6149816 B2 JPS6149816 B2 JP S6149816B2 JP 60043891 A JP60043891 A JP 60043891A JP 4389185 A JP4389185 A JP 4389185A JP S6149816 B2 JPS6149816 B2 JP S6149816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- whisker
- lead
- semiconductor substrate
- metal layer
- active region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単一能動領域を有する半導体基板の表
面に導体金属の盛り上げ等により凸状の電極を形
成された構造を有するダイオードに関するもので
ある。
面に導体金属の盛り上げ等により凸状の電極を形
成された構造を有するダイオードに関するもので
ある。
従来、この種のダイオードは、能動領域部分を
覆うようにメツキ等により凸状の電極を形成し、
その部分にリボン状の金属接続体（以下ウイスカ
リードと呼ぶ）を接触させ、ガラス等で封止した
構造が一般的である。第１図は従来構造を示す断
面図で、１は封止ガラス、２はウイスカリード、
３は半導体基板、４はヘツダをそれぞれ示す。
覆うようにメツキ等により凸状の電極を形成し、
その部分にリボン状の金属接続体（以下ウイスカ
リードと呼ぶ）を接触させ、ガラス等で封止した
構造が一般的である。第１図は従来構造を示す断
面図で、１は封止ガラス、２はウイスカリード、
３は半導体基板、４はヘツダをそれぞれ示す。
そこで、ウイスカリード２と半導体基板３との
接触部を拡大してみるならば、第２図に示すよう
に、半導体基板３の表面に能動領域５を覆うよう
にして凸状電極６が形成されており、ウイスカリ
ード２と電極６がウイスカリード２から圧力を伴
つて接触している。
接触部を拡大してみるならば、第２図に示すよう
に、半導体基板３の表面に能動領域５を覆うよう
にして凸状電極６が形成されており、ウイスカリ
ード２と電極６がウイスカリード２から圧力を伴
つて接触している。
この構造を有するダイオードではガラス封止す
る際に、ウイスカリードを伝わつて能動領域部に
熱が加えられ、或いはウイスカリードよりの圧力
が直接能動領域に加えられるため、電気的特性を
劣化させる欠点は免れ得なかつた。
る際に、ウイスカリードを伝わつて能動領域部に
熱が加えられ、或いはウイスカリードよりの圧力
が直接能動領域に加えられるため、電気的特性を
劣化させる欠点は免れ得なかつた。
これらの欠点を解決するために、本発明による
半導体装置は、能動部を表面に有する半導体基板
と、前記能動部以外の前記半導体基板の表面を覆
う絶縁被膜と、前記能動部に接触して前記絶縁被
膜上に十文字状に延在形成された金属層と、該十
文字状金属層のそれぞれの端部に形成された突起
電極と、各突起電極に圧力をともなつて接触し前
記金属層とは離間しているウイスカリードとを有
する。
半導体装置は、能動部を表面に有する半導体基板
と、前記能動部以外の前記半導体基板の表面を覆
う絶縁被膜と、前記能動部に接触して前記絶縁被
膜上に十文字状に延在形成された金属層と、該十
文字状金属層のそれぞれの端部に形成された突起
電極と、各突起電極に圧力をともなつて接触し前
記金属層とは離間しているウイスカリードとを有
する。
次に図面を参照して説明する。第３図ａ及びｂ
は本発明の一実施例を示すシヨツトキ・バリア・
ダイオードの断面図及び基板表面図で、シヨツト
キ・ベリア形成用金属と外き出し電極用金属の２
層構造からなる金属層７は、能動領域５から酸化
膜８上に十文字状に引き出され、その夫々の端部
に凸形電極６ａ，６ｂ，６ｃおよび６ｄが形成さ
れている。ウイスカリード２は、例えば厚さ約80
μ、MoにAuメツキしたものが用いられ、各凸形
電極６ａ〜６ｄと圧力をともなつて接触してい
る。
は本発明の一実施例を示すシヨツトキ・バリア・
ダイオードの断面図及び基板表面図で、シヨツト
キ・ベリア形成用金属と外き出し電極用金属の２
層構造からなる金属層７は、能動領域５から酸化
膜８上に十文字状に引き出され、その夫々の端部
に凸形電極６ａ，６ｂ，６ｃおよび６ｄが形成さ
れている。ウイスカリード２は、例えば厚さ約80
μ、MoにAuメツキしたものが用いられ、各凸形
電極６ａ〜６ｄと圧力をともなつて接触してい
る。
本発明によれば、能動領域以外の位置に凸形電
極が形成されウイスカリードと接触されているた
め、ウイスカリードよりの圧力が直接能動領域に
加えられることがない。又、能動領域とウイスカ
リードの間に空間を有しているため、封止時の能
動領域への熱の伝導は従来構造のものより少なく
なる。さらに、シヨツキー接合上の空間は突起電
極６外の空間とつながつているので、動作状態に
おける発熱によつて生じる気体の膨張、収縮も緩
和される。
極が形成されウイスカリードと接触されているた
め、ウイスカリードよりの圧力が直接能動領域に
加えられることがない。又、能動領域とウイスカ
リードの間に空間を有しているため、封止時の能
動領域への熱の伝導は従来構造のものより少なく
なる。さらに、シヨツキー接合上の空間は突起電
極６外の空間とつながつているので、動作状態に
おける発熱によつて生じる気体の膨張、収縮も緩
和される。
以上説明したように、従来構造のものと比較し
て能動領域へウイスカリードより直接圧力と熱が
加えられにくいため、製造歩留りは著しく向上す
る。
て能動領域へウイスカリードより直接圧力と熱が
加えられにくいため、製造歩留りは著しく向上す
る。
第１図は従来の封止したダイオードを示す断面
図、第２図はウイスカリードと電極の接触部を示
す拡大断面図、第３図ａ及びｂはそれぞれ本発明
の一実施例を示す断面図及び基板の平面図であ
る。 １……封止ガラス、２……ウイスカリード、３
……半導体基板、４……ヘツダ、５……能動領
域、６……凸形電極、７……引き出し電極、８…
…酸化膜。
図、第２図はウイスカリードと電極の接触部を示
す拡大断面図、第３図ａ及びｂはそれぞれ本発明
の一実施例を示す断面図及び基板の平面図であ
る。 １……封止ガラス、２……ウイスカリード、３
……半導体基板、４……ヘツダ、５……能動領
域、６……凸形電極、７……引き出し電極、８…
…酸化膜。
Claims (1)
- １ 能動部を表面に有する半導体基板と、前記能
動部以外の前記半導体基板の表面を覆う絶縁被膜
と、前記能動部に接触して前記絶縁被膜上に十文
字状に延在形成された金属層と、該十文字状金属
層のそれぞれの端部に形成された突起電極と、各
突起電極に圧力をともなつて接触し前記金属層と
は離間しているウイスカリードとを有することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043891A JPS6144448A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043891A JPS6144448A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256377A Division JPS53117376A (en) | 1977-03-23 | 1977-03-23 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144448A JPS6144448A (ja) | 1986-03-04 |
| JPS6149816B2 true JPS6149816B2 (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=12676325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043891A Granted JPS6144448A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144448A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308752A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Nakagawa Tekkosho:Kk | 凍結魚体の表面処理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5924282A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-07 | Anritsu Corp | 金属検出装置 |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60043891A patent/JPS6144448A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144448A (ja) | 1986-03-04 |
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