JPS6155785B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6155785B2 JPS6155785B2 JP52026195A JP2619577A JPS6155785B2 JP S6155785 B2 JPS6155785 B2 JP S6155785B2 JP 52026195 A JP52026195 A JP 52026195A JP 2619577 A JP2619577 A JP 2619577A JP S6155785 B2 JPS6155785 B2 JP S6155785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal film
- film
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置、特に電極構造に関する
ものである。
ものである。
半導体素子の金属電極材料には、半導体基板及
び絶縁膜層との密着性の高いこと、化学的、熱的
安定であること、電気伝導度が高いこと等が要求
される。これらの要求を充分に満足する金属であ
れば、１種の金属で電極を構成することができる
が、素子の使用条件及び外部リード取出等におい
て金属の種類に制限を受ける場合は、数種の金属
を多重に重ねることにより金属電極としての要求
を満足する構成が用いられる。
び絶縁膜層との密着性の高いこと、化学的、熱的
安定であること、電気伝導度が高いこと等が要求
される。これらの要求を充分に満足する金属であ
れば、１種の金属で電極を構成することができる
が、素子の使用条件及び外部リード取出等におい
て金属の種類に制限を受ける場合は、数種の金属
を多重に重ねることにより金属電極としての要求
を満足する構成が用いられる。
第１図は従来の半導体装置の１例の断面図であ
る。
る。
このような半導体装置において、半導体基板１
および絶縁膜２と接触する金属３は、電極強度を
強くする目的で密着性の高い金属が選ばれる為、
シヨツトキーバリア素子のように半導体基板と接
触する金属が要求特性に応じて限定される用途に
おいては、金属と半導体基板及び絶縁膜との密着
性が低い場合、電極強度の弱い素子となつてしま
う。電極強度の弱い素子は、その製造中の再現性
が悪く、良品率、信頼性の低下の原因となる。
および絶縁膜２と接触する金属３は、電極強度を
強くする目的で密着性の高い金属が選ばれる為、
シヨツトキーバリア素子のように半導体基板と接
触する金属が要求特性に応じて限定される用途に
おいては、金属と半導体基板及び絶縁膜との密着
性が低い場合、電極強度の弱い素子となつてしま
う。電極強度の弱い素子は、その製造中の再現性
が悪く、良品率、信頼性の低下の原因となる。
本発明は、上記欠点を除き、半導体基板と接触
する金属の種類に加えられる条件を緩和し、電極
の密着強度の強い半導体素子を提供するものであ
る。
する金属の種類に加えられる条件を緩和し、電極
の密着強度の強い半導体素子を提供するものであ
る。
本発明は、積層金属電極構造を有する半導体装
置において、半導体基板と絶縁体とに接触してい
るかあるいは絶縁体のみに接触している第１の金
属の上に絶縁体との密着性の良好な第２の金属膜
を前記第１の金属膜よりも広い面積で設けたこと
を特徴とする。
置において、半導体基板と絶縁体とに接触してい
るかあるいは絶縁体のみに接触している第１の金
属の上に絶縁体との密着性の良好な第２の金属膜
を前記第１の金属膜よりも広い面積で設けたこと
を特徴とする。
本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の半導体装置の１実施例の断面
図である。
図である。
半導体基板１１の上に絶縁膜１２が設けられて
おりその開口部に第１の金属膜１３が設けられて
いる。
おりその開口部に第１の金属膜１３が設けられて
いる。
第１の金属膜としては、例えばNiまたはMoが
用いられる。次に、第１の金属膜及び絶縁膜との
密着性の良好な第２の金属例えばTiあるいはCr
の膜１４を第１の金属膜１３の上に該第１の金属
膜１３よりも広い面積に形成する。更にこの第２
の金属膜１４の上にこれと同一面積で且つ密着性
の良好な第３の金属膜１５を設ける。第３の金属
膜形成には、例えばPtあるいはＡが用いられ
る。
用いられる。次に、第１の金属膜及び絶縁膜との
密着性の良好な第２の金属例えばTiあるいはCr
の膜１４を第１の金属膜１３の上に該第１の金属
膜１３よりも広い面積に形成する。更にこの第２
の金属膜１４の上にこれと同一面積で且つ密着性
の良好な第３の金属膜１５を設ける。第３の金属
膜形成には、例えばPtあるいはＡが用いられ
る。
第３の金属膜は外部リード引き出し時及びその
後の熱的あるいは機械的シヨツクを受けたときに
第３の金属膜のみが剥れることがないように、第
２の金属膜に良く密着する金属を用いる。
後の熱的あるいは機械的シヨツクを受けたときに
第３の金属膜のみが剥れることがないように、第
２の金属膜に良く密着する金属を用いる。
このような金属を用いると、電極の強度は第２
の金属膜と絶縁膜との密着強度により決まる。従
つて、第１の金属膜にはオーム接触あるいはシヨ
ツトキーバリアを目的とした金属、第２の金属膜
には絶縁膜との密着強度の良い金属、第３の金属
膜には第２の金属膜と良く密着し、且つ外部引出
リードの取付けが容易な金属を選ぶことができる
ので、金属選択条件が緩和され、しかも電極強度
の良好な半導体装置を得ることができる。
の金属膜と絶縁膜との密着強度により決まる。従
つて、第１の金属膜にはオーム接触あるいはシヨ
ツトキーバリアを目的とした金属、第２の金属膜
には絶縁膜との密着強度の良い金属、第３の金属
膜には第２の金属膜と良く密着し、且つ外部引出
リードの取付けが容易な金属を選ぶことができる
ので、金属選択条件が緩和され、しかも電極強度
の良好な半導体装置を得ることができる。
第１図は、従来の半導体装置の１例の断面図、
第２図は、本発明の半導体装置の１実施例の断面
図である。 図において、１，１１…半導体基板、２，１２
…絶縁膜、３，１３…第１の金属膜、４，１４…
第２の金属膜、５，１５…第３の金属膜、であ
る。
第２図は、本発明の半導体装置の１実施例の断面
図である。 図において、１，１１…半導体基板、２，１２
…絶縁膜、３，１３…第１の金属膜、４，１４…
第２の金属膜、５，１５…第３の金属膜、であ
る。
Claims (1)
- １ 積層金属電極構造を有する半導体装置におい
て半導体基板と絶縁体とに接触している第１の金
属膜の上に絶縁体との密着性の良好な第２の金属
膜を前記第１の金属膜の全面を被覆しかつ該第１
の金属膜の全周囲から外方へ延在するように設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2619577A JPS53110465A (en) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2619577A JPS53110465A (en) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53110465A JPS53110465A (en) | 1978-09-27 |
| JPS6155785B2 true JPS6155785B2 (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=12186700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2619577A Granted JPS53110465A (en) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53110465A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728359A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS582023A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | プレ−ナ−形半導体装置 |
| JPS5954960U (ja) * | 1982-10-02 | 1984-04-10 | ロ−ム株式会社 | 半導体装置の電極構造 |
| JP5598297B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2014-10-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光変調素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5183776A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-22 | Matsushita Electronics Corp | Handotaisoshinoseizohoho |
| US4042954A (en) * | 1975-05-19 | 1977-08-16 | National Semiconductor Corporation | Method for forming gang bonding bumps on integrated circuit semiconductor devices |
| JPS523383A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-11 | Nec Corp | Manufacturing method of semiconductor device electrode |
-
1977
- 1977-03-09 JP JP2619577A patent/JPS53110465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53110465A (en) | 1978-09-27 |
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