JPS6150149B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6150149B2 JPS6150149B2 JP58005264A JP526483A JPS6150149B2 JP S6150149 B2 JPS6150149 B2 JP S6150149B2 JP 58005264 A JP58005264 A JP 58005264A JP 526483 A JP526483 A JP 526483A JP S6150149 B2 JPS6150149 B2 JP S6150149B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet
- lamp
- substrate
- pressure
- reaction vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光化学反応生成物を基板上に蒸着させ
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
最近、電子複写機の感光ドラムや太陽電池など
に使用されるアモルフアスシリコンの蒸着膜の形
成方法が研究されている。また、他方では各種の
絶縁膜や保護膜の形成にも蒸着方法が利用され、
用途によつては種々の蒸着方法が提案されている
が、このなかでも光化学反応を利用した光化学蒸
着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面積部分
にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、
最近特に注目を集めている。
に使用されるアモルフアスシリコンの蒸着膜の形
成方法が研究されている。また、他方では各種の
絶縁膜や保護膜の形成にも蒸着方法が利用され、
用途によつては種々の蒸着方法が提案されている
が、このなかでも光化学反応を利用した光化学蒸
着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面積部分
にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、
最近特に注目を集めている。
この光化学蒸着方法に使用される従来の装置は
紫外線の透過窓を有する反応容器に基板を配置し
て減圧下で光反応性ガスを流し、反応容器外の紫
外線ランプで光化学反応をおこし、その反応生成
物を基板上に蒸着させるようになつている。そし
て紫外線の透過窓には石英ガラスやフツ化リチウ
ム、フツ化マグネシウムなどの紫外線を透過し易
い材料で作られている。
紫外線の透過窓を有する反応容器に基板を配置し
て減圧下で光反応性ガスを流し、反応容器外の紫
外線ランプで光化学反応をおこし、その反応生成
物を基板上に蒸着させるようになつている。そし
て紫外線の透過窓には石英ガラスやフツ化リチウ
ム、フツ化マグネシウムなどの紫外線を透過し易
い材料で作られている。
ところでこの光化学蒸着方法は前述の通り、大
面積部分にも均一な被膜を形成できる特性を有す
るので、近時はこの特性を活用して基板が大面積
化する傾向が強い。このために装置としてはまず
紫外線を均一に照射させるために管状の紫外線ラ
ンプを複数個並設して面光源とされ、また当然の
ことながら紫外線透過窓の面積も拡大される。反
応容器内は数Torrに減圧されるので紫外線透過
窓には大気圧との差圧がかかるが、この面積が拡
大するとこれに比例して荷重が増加するので使用
される石英ガラスなどの板厚を大きくしなければ
ならない。例えば紫外線透過窓が直径160mm程度
の円形の場合には石英ガラスの板厚を10mm近くに
もする必要があり、コストが上昇するのみでな
く、紫外線を透過し易い材料といえども板厚が大
きくなると透過が阻害されて効率が低下する問題
点が生じた。
面積部分にも均一な被膜を形成できる特性を有す
るので、近時はこの特性を活用して基板が大面積
化する傾向が強い。このために装置としてはまず
紫外線を均一に照射させるために管状の紫外線ラ
ンプを複数個並設して面光源とされ、また当然の
ことながら紫外線透過窓の面積も拡大される。反
応容器内は数Torrに減圧されるので紫外線透過
窓には大気圧との差圧がかかるが、この面積が拡
大するとこれに比例して荷重が増加するので使用
される石英ガラスなどの板厚を大きくしなければ
ならない。例えば紫外線透過窓が直径160mm程度
の円形の場合には石英ガラスの板厚を10mm近くに
もする必要があり、コストが上昇するのみでな
く、紫外線を透過し易い材料といえども板厚が大
きくなると透過が阻害されて効率が低下する問題
点が生じた。
そこで本発明は以上の事情に鑑みてなされたも
のであり、大面積の基板に対しても効率よく均一
な被膜を蒸着できる光化学蒸着装置を提供するこ
とを目的とし、その構成は、前述の従来装置の紫
外線透過窓上に紫外線ランプを複数個並設し、近
接するランプ導入線間の電位差を放電破壊電圧以
下とし、かつ灯体内を減圧することを特徴とする
ものである。即ち、灯体内を減圧することにより
反応容器内との差圧を小さくし、これにより透過
窓の板厚を薄くすることを可能とし、一方灯体内
を減圧することにより派生する放電破壊の問題点
を近接するランプ導入線間の電位差を放電破壊電
圧以下とすることにより防止するものである。
のであり、大面積の基板に対しても効率よく均一
な被膜を蒸着できる光化学蒸着装置を提供するこ
とを目的とし、その構成は、前述の従来装置の紫
外線透過窓上に紫外線ランプを複数個並設し、近
接するランプ導入線間の電位差を放電破壊電圧以
下とし、かつ灯体内を減圧することを特徴とする
ものである。即ち、灯体内を減圧することにより
反応容器内との差圧を小さくし、これにより透過
窓の板厚を薄くすることを可能とし、一方灯体内
を減圧することにより派生する放電破壊の問題点
を近接するランプ導入線間の電位差を放電破壊電
圧以下とすることにより防止するものである。
以下に図面により本発明の実施例を具体的に説
明する。
明する。
反応容器１には光反応性ガスの導入孔１１と、
減圧装置に接続される排気孔１２が設けられ、内
部中央には石英ガラス製の基板支持台１３が配設
されている。そして上面は石英ガラスからなる紫
外線透過窓１４が設けられているが、その上部に
灯体２が一体に連設され、その天井部には反射部
材２１を介して複数個の紫外線ランプ３が並設さ
れ、そして側壁には灯体２内を減圧するための排
気孔２２が設けられている。
減圧装置に接続される排気孔１２が設けられ、内
部中央には石英ガラス製の基板支持台１３が配設
されている。そして上面は石英ガラスからなる紫
外線透過窓１４が設けられているが、その上部に
灯体２が一体に連設され、その天井部には反射部
材２１を介して複数個の紫外線ランプ３が並設さ
れ、そして側壁には灯体２内を減圧するための排
気孔２２が設けられている。
ここで紫外線ランプ３は管径が30mm、点灯開始
電圧が250V、点灯電圧が45Vで電流が5Aの交流
点灯の低圧水銀灯であり、近接するランプ導入線
間の最短距離は２cmである。そして灯体２内が数
Torrに減圧されると、この条件下では放電破壊
電圧は約300Vとなり、もし紫外線ランプ３の導
入線を無作為に結線して近接する導入線の位相が
ずれて逆電位となると、その間に最大700Vの電
圧が加わり容易に放電破壊を起してしまう。従つ
てこれを防止するために紫外線ランプ３の位相を
揃え、導入線間の電位差を放電破壊電圧以下とな
るように結線されている。
電圧が250V、点灯電圧が45Vで電流が5Aの交流
点灯の低圧水銀灯であり、近接するランプ導入線
間の最短距離は２cmである。そして灯体２内が数
Torrに減圧されると、この条件下では放電破壊
電圧は約300Vとなり、もし紫外線ランプ３の導
入線を無作為に結線して近接する導入線の位相が
ずれて逆電位となると、その間に最大700Vの電
圧が加わり容易に放電破壊を起してしまう。従つ
てこれを防止するために紫外線ランプ３の位相を
揃え、導入線間の電位差を放電破壊電圧以下とな
るように結線されている。
基板支持台１３に支持される基板４は約150℃
に加熱されたアルミナ板であり、外径が152mmの
円形状である。そして導入孔１１から導入される
光反応性ガスは、キヤリヤーガスとして分圧５mm
Hgのアルゴン、光増感剤として分圧３×10-3mm
Hgの水銀、分解蒸着用ガスとして分圧0.3mmHgの
四水素化珪素からなる混合ガスであり、上記の低
圧水銀灯を点灯して紫外線を照射すると四水素化
珪素が光分解し、アモルフアスの珪素が基板４上
に蒸着される。このとき反応容器１内も数Torr
かそれ以下に減圧されているが、灯体２内も同様
に減圧されているので紫外線透過窓１４の石英ガ
ラスの両面に圧力差はほとんどなく、従つて外径
が160mmの紫外線透過窓１４の場合でも板厚は２
mm程度で十分であり、これに吸収される紫外線の
量はわずかであり、効率よく照射することができ
る。
に加熱されたアルミナ板であり、外径が152mmの
円形状である。そして導入孔１１から導入される
光反応性ガスは、キヤリヤーガスとして分圧５mm
Hgのアルゴン、光増感剤として分圧３×10-3mm
Hgの水銀、分解蒸着用ガスとして分圧0.3mmHgの
四水素化珪素からなる混合ガスであり、上記の低
圧水銀灯を点灯して紫外線を照射すると四水素化
珪素が光分解し、アモルフアスの珪素が基板４上
に蒸着される。このとき反応容器１内も数Torr
かそれ以下に減圧されているが、灯体２内も同様
に減圧されているので紫外線透過窓１４の石英ガ
ラスの両面に圧力差はほとんどなく、従つて外径
が160mmの紫外線透過窓１４の場合でも板厚は２
mm程度で十分であり、これに吸収される紫外線の
量はわずかであり、効率よく照射することができ
る。
以上説明したように、本発明は複数本の紫外線
ランプを並設したので大面積の基板に対しても均
一に紫外線を照射でき、そして灯体内を反応容器
内と同様に減圧したので大きな紫外線透過窓でも
その板厚は薄くて良く、紫外線の透過が阻害され
ることがない。更に灯体内を減圧したことにより
派生する放電破壊の問題も位相を揃えて電位差を
小さくすることにより解消したので、大面積の基
板に対しても均一に効率よく蒸着できる光化学蒸
着装置を提供することができる。
ランプを並設したので大面積の基板に対しても均
一に紫外線を照射でき、そして灯体内を反応容器
内と同様に減圧したので大きな紫外線透過窓でも
その板厚は薄くて良く、紫外線の透過が阻害され
ることがない。更に灯体内を減圧したことにより
派生する放電破壊の問題も位相を揃えて電位差を
小さくすることにより解消したので、大面積の基
板に対しても均一に効率よく蒸着できる光化学蒸
着装置を提供することができる。
図面は本発明の実施例を示す断面図である。
１…反応容器、２…灯体、３…紫外線ランプ、
４…基板、１４…紫外線透過窓。
４…基板、１４…紫外線透過窓。
Claims (1)
- １ 紫外線の透過窓を有する減圧下の反応容器内
に基板を配置して光反応性ガスを流し、反応容器
外の紫外線ランプで当該ガスを光化学反応せし
め、その反応生成物を基板上に蒸着させる装置で
あつて、複数個の該紫外線ランプを灯体内に並設
し、近接するランプ導入線間の電位差を放電破壊
電圧以下とし、かつ灯体内を減圧することを特徴
とする光化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526483A JPS59129770A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526483A JPS59129770A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129770A JPS59129770A (ja) | 1984-07-26 |
| JPS6150149B2 true JPS6150149B2 (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=11606366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP526483A Granted JPS59129770A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129770A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609875A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Nec Corp | 光化学反応装置 |
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| DE3919538A1 (de) * | 1989-06-15 | 1990-12-20 | Asea Brown Boveri | Beschichtungsvorrichtung |
| JP4628025B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2011-02-09 | 株式会社アルバック | 熱ｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826658B2 (ja) * | 1976-04-02 | 1983-06-04 | 富士通株式会社 | 気相成長装置 |
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
| JPS57112033A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Unit for chemical vapor growth |
| JPS57179851A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Formation of pattern |
-
1983
- 1983-01-18 JP JP526483A patent/JPS59129770A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59129770A (ja) | 1984-07-26 |
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