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JPS6150891B2 - - Google Patents
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JPS6150891B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6150891B2
JPS6150891B2 JP10400978A JP10400978A JPS6150891B2 JP S6150891 B2 JPS6150891 B2 JP S6150891B2 JP 10400978 A JP10400978 A JP 10400978A JP 10400978 A JP10400978 A JP 10400978A JP S6150891 B2 JPS6150891 B2 JP S6150891B2
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JP
Japan
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conductive film
forming
preliminary
meniscus lens
glass
Prior art date
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Application number
JP10400978A
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Japanese (ja)
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JPS5530172A (en
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Toshio Nakanishi
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はガラスに導電層を形成する方法に関
し、特にたとえば曲面形状の光学レンズ表面部に
導電層を形成する方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method of forming a conductive layer on glass, and particularly to a method of forming a conductive layer on the surface of a curved optical lens, for example.

たとえば、投写型ブラウン管のように管体内に
光学レンズを内蔵するブラウン管にあつては、こ
の光学レンズに帯電現象が生じるとその近傍の電
位分布が変化し、電子系に乱れをおこさせてしま
う。投写型ブラウン管などでは電子ビームの軌道
をかく乱してしまい2次的に投写画像を歪ませて
しまうなど不具合が生じる。このため、このよう
な光学レンズに導電膜を形成して、不要な帯電を
除去するような工夫がなされている。
For example, in a cathode ray tube such as a projection type cathode ray tube that has an optical lens built into the tube, when a charging phenomenon occurs in the optical lens, the potential distribution in the vicinity changes, causing disturbances in the electronic system. In projection type cathode ray tubes and the like, problems occur such as disturbing the trajectory of the electron beam and secondary distortion of the projected image. For this reason, efforts have been made to form a conductive film on such optical lenses to remove unnecessary charges.

第1図は前記した光学系をブラウン管内に備え
る投写型ブラウン管に用いられるメニスカスレン
ズの断面図の一例である。ガラス製のメニスカス
レンズ1は椀形状をなし、凸状表面2と凹状表面
3を備え、さらにその中央部に透孔4を備える。
この透孔4には凸面状の螢光面を備える電子ビー
ムターゲツト(図示せず)が配設される。このタ
ーゲツトの螢光面は、図において、上方を向いて
設けられる。そして、この螢光面(図示せず)は
電子ビームによつて走査されるが、このとき電子
ビームの散乱電子や2次電子がメカニカスレンズ
1の凸状表面2に流入する。そのために、凸状表
面2には帯電現象が生じ、螢光面近傍の電位分布
が微妙に乱れる。したがつて、この不要な電位分
布のために電子ビームの軌道がゆがめられ螢光面
上につくられる1次画像に歪みをもたらしてしま
う。
FIG. 1 is an example of a sectional view of a meniscus lens used in a projection type cathode ray tube in which the above-mentioned optical system is provided. A meniscus lens 1 made of glass has a bowl shape, has a convex surface 2 and a concave surface 3, and further has a through hole 4 in its center.
An electron beam target (not shown) having a convex fluorescent surface is disposed in the through hole 4. The fluorescent surface of this target is oriented upward in the figure. Then, this fluorescent surface (not shown) is scanned by the electron beam, and at this time, scattered electrons and secondary electrons of the electron beam flow into the convex surface 2 of the mechanical lens 1. Therefore, a charging phenomenon occurs on the convex surface 2, and the potential distribution near the fluorescent surface is slightly disturbed. Therefore, this unnecessary potential distribution distorts the trajectory of the electron beam, causing distortion in the primary image formed on the fluorescent surface.

このような欠点を避けるために、従来よりメニ
スカスレンズ1の電子ビームが飛来する側すなわ
ち凸状表面2に導電膜を形成し、不要な電子の流
入を除去していた。この種の導電膜は、光学的に
透明でかつ容易に剥離しないような強度を持つた
導電膜である必要があり、通常インジウムを高温
加熱下で真空蒸着したものが多用されている。し
かしながら、メニスカスレンズ1は椀形形状であ
るので、高温加熱下の真空蒸着を行なう際に加熱
昇温させ、また蒸着後降温させるのにともに徐々
に行なう必要がある。もし、徐々に行なわない
と、レンズ自体に歪みが発生したり、悪くすれば
レンズが割れてしまう。また、加熱のための熱源
の形状が椀形に沿つた形状でないと均等に昇温す
ることは困難であり、この事実も昇温下降をゆる
やかに行なわねばならない制約となる。さらに、
真空槽(ないし真空容器)内に複数個のメカニカ
スレンズ1を載置して同時に真空蒸着することを
意図する場合、均等に昇温するように熱源を配備
することはなおさら難かしい。
In order to avoid such drawbacks, a conductive film has conventionally been formed on the side of the meniscus lens 1 from which the electron beams come, that is, on the convex surface 2, to eliminate unnecessary inflow of electrons. This type of conductive film needs to be optically transparent and strong enough not to be easily peeled off, and is usually made of indium vacuum-deposited under high-temperature heating. However, since the meniscus lens 1 has a bowl-shaped shape, it is necessary to gradually raise the temperature when performing vacuum evaporation under high-temperature heating, and to lower the temperature after the evaporation. If you do not do this gradually, the lens itself may become distorted, or worse, it may break. Further, unless the shape of the heat source for heating is bowl-shaped, it is difficult to raise the temperature evenly, and this fact also becomes a constraint that the temperature must be raised and lowered slowly. moreover,
When it is intended to place a plurality of mechanical lenses 1 in a vacuum chamber (or vacuum container) and perform vacuum deposition at the same time, it is even more difficult to arrange a heat source so as to raise the temperature evenly.

このように、メニスカスレンズ1のごとき凸状
ないし凹状の形状の光学レンズを高温雰囲気中で
真空蒸着するには、第1に長時間の作業時間を要
する、第2に加熱熱源の配備が難しい、第3に同
時に複数個の蒸着が困難である等の欠点がある。
さらに、形状の特殊性によつて、第4として、曲
面に一様な蒸着膜を形成するないし一様な蒸着膜
を形成するように蒸着源を配備することが困難で
ある。特に、同時に複数個の光学レンズに一様な
蒸着膜を形成するないしそのように蒸着源を配備
することは極めて難しい問題点をはらむ。
In this way, in order to vacuum-deposit a convex or concave optical lens such as the meniscus lens 1 in a high-temperature atmosphere, firstly, it requires a long working time, and secondly, it is difficult to provide a heating source. Thirdly, there is a drawback that it is difficult to deposit a plurality of layers at the same time.
Furthermore, due to the specificity of the shape, fourthly, it is difficult to form a uniform vapor deposited film on a curved surface or arrange a vapor deposition source so as to form a uniform vapor deposited film. In particular, it is extremely difficult to form a uniform deposition film on a plurality of optical lenses at the same time or to arrange a deposition source to do so.

かかる欠点に対し、近年発展してきたスパツタ
リング法やイオン化プレート法すなわちイオンプ
レーテイング法によつて強固な薄膜を形成するコ
ーテイング方法が知られている。これらの方法
は、被コート体が金属などの導電体であることが
必要であり、ガラス等の絶縁体にコーテイングす
ることは本来的にはできず、たとえできるとして
も蒸着源などに特別な工夫が必要であるとか被コ
ート体の形状に特別な工夫を施こさねばならない
等の制限があつた。
In order to overcome these drawbacks, recently developed coating methods have been known in which a strong thin film is formed using a sputtering method or an ionization plate method, that is, an ion plating method. These methods require that the object to be coated be a conductor such as a metal, and it is essentially impossible to coat an insulator such as glass, and even if it is possible, special devices such as the vapor deposition source are required. There are some limitations, such as the need for the coating and the need to take special measures to the shape of the object to be coated.

それゆえに、この発明の主たる目的は上述の欠
点ないし制限を一気に解消し簡単にガラスに導電
層を形成する方法を提供することである。
Therefore, the main object of the present invention is to provide a method for easily forming a conductive layer on glass, which eliminates the above-mentioned drawbacks and limitations at once.

この発明は、要約すれば、ガラス表面に真空蒸
着法またはスプレー法によつて多孔性の予備導電
膜を形成する第1の工程と、この予備導電膜を電
極としてイオンプレーテイング法によつて第2の
導電膜を形成する第2の工程と、この第2の工程
後に前記予備導電膜を除去する第3の工程とから
なる、ガラス表層部に強固な導電層を形成する方
法である。
In summary, the present invention includes a first step of forming a porous preliminary conductive film on a glass surface by vacuum evaporation or spraying, and a second step of forming a porous preliminary conductive film on a glass surface by ion plating using this preliminary conductive film as an electrode. This is a method for forming a strong conductive layer on the glass surface layer, which comprises a second step of forming a second conductive film, and a third step of removing the preliminary conductive film after the second step.

この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は以下に図面を参照して述べる詳細な説明から
一層明らかとなろう。
The above objects and other objects and features of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the drawings.

この発明の一実施例の方法を、第1図に示した
投写型ブラウン管に用いられるメニスカスレンズ
を一例として、3つの工程に区分して説明する。
A method according to an embodiment of the present invention will be explained by dividing it into three steps, taking as an example a meniscus lens used in a projection type cathode ray tube shown in FIG.

まず、第1の工程はメニスカスレンズ1の凸状
表面2にアルミニウムを真空蒸着する。これによ
つて得られる蒸着膜は第1の導電膜としての予備
導電膜である。そして、この蒸着は通常のよく知
られた真空蒸着法であつてよい。しかも、ここで
形成される予備導電膜は多孔性である方が望まし
く、多孔性の蒸着膜は加熱下で真空蒸着する必要
がなくかつ低真空度で極めて簡便にかつ短時間に
製作できる利点を有している。
First, in the first step, aluminum is vacuum-deposited on the convex surface 2 of the meniscus lens 1. The vapor deposited film thus obtained is a preliminary conductive film as the first conductive film. This deposition may then be a conventional, well-known vacuum deposition method. Moreover, it is preferable that the preliminary conductive film formed here is porous, and porous vapor-deposited films have the advantage that they do not need to be vacuum-deposited under heating and can be produced extremely easily and in a short time at low vacuum degrees. have.

第2の工程は、第1の工程で得られた予備導電
膜をコーテイングしたメニスカスレンズ1にイン
ジウムをイオンプレーテイング法によつてコーテ
イングする。第2図はこの方法を説明するための
図解図である。予備導電膜5をコーテイングした
メニスカスレンズ1はベルジヤ6内に収納され、
その凸状表面2がインジウム蒸発源7に対向して
載置される。直流の高圧電源8はその−(マイナ
ス)側が前記メニスカスレンズ1の予備導電膜5
の一部に接続され、+(プラス)側は前記蒸発源7
のヒータリード線9の一方に接続される。このよ
うな構成において、排気系を作動させてベルジヤ
6の内部を排気し、ついでアルゴン等の不活性気
体を導入する。そして、この雰囲気中で蒸発源7
に通電し、インジウムを蒸発させる。蒸発したイ
ンジウムはイオン化し、予備導電膜5に印加され
た高電圧によつて形成される電界によつて加速さ
れ、第2図中に示される線群のようなイオン流1
0となつてメニスカスレンズ1に射突する。この
とき、インジウムイオンは電界の加速による射突
エネルギーで予備導電膜5を貫通してメニスカス
レンズ1の凸状表面2下に浸透する。高圧電源8
によつて形成される電界(ないし電気力線)は蒸
発源からメニスカスレンズ1の凸状表面へ直角に
入る。イオン化したインジウムはこの電界の方向
に沿つて加速され、イオン流10となつて一様に
凸状表面に直角に射突する。このようにすると、
蒸発源7の形状を特別に工夫する必要がなくなる
利点がある。また、インジウムはメニスカスレン
ズ1の凸状表面2に浸透しており、外表面に付着
した状態ではないので強固な導電層が形成される
ことになる。さらに、従来のように熱工程が全く
不要であるので、きわめて短時間に導電層を形成
することができる。この実施例ではベルジヤ6内
に1個のメニスカスレンズ1を載置して示した
が、ベルジヤ6内の空間に複数個のメニスカスレ
ンズ1が収納可能であれば、同時に多数個のメニ
スカスレンズ1に対して導電層を形成するのも極
めて容易である。
In the second step, the meniscus lens 1 coated with the preliminary conductive film obtained in the first step is coated with indium by an ion plating method. FIG. 2 is an illustrative diagram for explaining this method. A meniscus lens 1 coated with a preliminary conductive film 5 is housed in a bell gear 6,
Its convex surface 2 is placed opposite the indium evaporation source 7 . The - (minus) side of the DC high voltage power supply 8 is connected to the preliminary conductive film 5 of the meniscus lens 1.
The + (plus) side is connected to a part of the evaporation source 7.
It is connected to one of the heater lead wires 9 of. In such a configuration, the exhaust system is operated to exhaust the inside of the bell gear 6, and then an inert gas such as argon is introduced. Then, in this atmosphere, the evaporation source 7
Apply electricity to evaporate the indium. The evaporated indium is ionized and accelerated by the electric field formed by the high voltage applied to the preliminary conductive film 5, resulting in an ion flow 1 as shown in the lines shown in FIG.
0 and hits the meniscus lens 1. At this time, the indium ions penetrate the preliminary conductive film 5 and penetrate below the convex surface 2 of the meniscus lens 1 due to impact energy due to the acceleration of the electric field. High voltage power supply 8
The electric field (or electric field lines) formed by the evaporation source enters the convex surface of the meniscus lens 1 at right angles. The ionized indium is accelerated along the direction of this electric field and impinges uniformly on the convex surface at right angles as an ion stream 10. In this way,
There is an advantage that there is no need to specially devise the shape of the evaporation source 7. Furthermore, since indium has penetrated into the convex surface 2 of the meniscus lens 1 and is not attached to the outer surface, a strong conductive layer is formed. Furthermore, unlike the conventional method, there is no need for any thermal process, so the conductive layer can be formed in an extremely short time. In this embodiment, one meniscus lens 1 is shown mounted inside the bell gear 6, but if a plurality of meniscus lenses 1 can be stored in the space inside the bell gear 6, many meniscus lenses 1 can be placed at the same time. On the other hand, it is also extremely easy to form a conductive layer.

予備導電膜5は第1の工程でも述べたように、
インジウムイオンが貫通容易なように多孔性であ
ることが望ましい。このような多孔性薄膜であつ
て導電性を有していれば、インジウムは射突エネ
ルギをあまり損なうことなく凸状表面2に容易に
浸透し、より強固な導電層を形成しうる利点をも
つ。
As mentioned in the first step, the preliminary conductive film 5 is
It is desirable that the material be porous so that indium ions can easily penetrate therethrough. If such a porous thin film is conductive, indium can easily penetrate into the convex surface 2 without significantly impairing the impact energy, and has the advantage of forming a stronger conductive layer. .

次に、第3の工程に移る。第3の工程は、すで
にインジウムをイオンプレーテイングしたメニス
カスレンズ1に化学処理を施して、第1の工程で
形成した予備導電膜5を溶解除去する。この化学
処理はアルカリ溶液、たとえば水酸化ナトリウム
溶液(NaOHaq.)によつて行なう。周知のよう
に予備導電膜はアルミニウムであるから容易に溶
解する。しかも、この溶解は極めて簡便に行なう
ことができる。凸状表面2に打込まれたインジウ
ムは、ガラス組織内にあるのでこの化学処理によ
つて直接影響を受けることはない。しかも、イン
ジウムはアルカリには溶解しないので第2の導電
膜に対する影響は皆無である。
Next, move on to the third step. In the third step, the meniscus lens 1, which has already been ion-plated with indium, is subjected to chemical treatment to dissolve and remove the preliminary conductive film 5 formed in the first step. This chemical treatment is carried out with an alkaline solution, for example sodium hydroxide solution (NaOHaq.). As is well known, since the preliminary conductive film is made of aluminum, it is easily dissolved. Moreover, this dissolution can be performed extremely easily. The indium implanted into the convex surface 2 is not directly affected by this chemical treatment since it is within the glass structure. Furthermore, since indium does not dissolve in alkali, it has no effect on the second conductive film.

このようにして行なわれるメニスカスレンズの
導電層を形成する方法では、従来のように真空蒸
着時における長時間の熱工程は不要であり、かつ
蒸発源の形状ないし配備を考慮することは一切不
要である。
This method of forming the conductive layer of a meniscus lens does not require a long thermal process during vacuum deposition as in conventional methods, and there is no need to consider the shape or arrangement of the evaporation source. be.

なお、上記実施例では予備導電膜はアルミニウ
ムの真空蒸着によつて形成したが、予備導電膜の
材料がアルミニウムに限定されるものではない。
また、予備導電膜の形成方法が真空蒸着法に限定
されるものではなく、たとえば導電性物質をスプ
レー法によつて形成してもよい。
In the above embodiments, the preliminary conductive film was formed by vacuum evaporation of aluminum, but the material of the preliminary conductive film is not limited to aluminum.
Further, the method for forming the preliminary conductive film is not limited to the vacuum deposition method, and may be formed by, for example, a spray method using a conductive substance.

また、上記実施例では特にメニスカスレンズの
ような曲面形状を有する光学レンズについて述べ
たが、これに限ることなく平面状のガラスでよい
ことはもちろんである。さらに、イオンプレーテ
イングによつてガラス組織内にもたらされる導電
層を形成する金属は、インジウムに限られること
なく、目的によつてたとえば金やクロム等であつ
てもよい。
Further, in the above embodiments, an optical lens having a curved surface shape such as a meniscus lens was particularly described, but the optical lens is not limited to this, and it goes without saying that a flat glass may be used. Furthermore, the metal forming the conductive layer brought into the glass structure by ion plating is not limited to indium, and may be, for example, gold or chromium depending on the purpose.

以上のように、この発明によれば、ガラスに予
備導電膜を形成した後この予備導電膜を電極とし
てイオンプレーテイング法によつてガラスの表面
部に導電性物質層を形成し、さらに予備導電膜を
除去することによつて導電層を形成するようにし
たので、従来に比べてきわめて短い時間でしかも
簡便に行なえる効果がある。かつしたがつてこの
方法によつて得られる導電性ガラスは安価にもな
る。また、この発明の方法に用いる製造装置に特
別の工夫ないし配慮を施こす必要がないという利
点も付随している。
As described above, according to the present invention, a preliminary conductive film is formed on glass, and then a conductive material layer is formed on the surface of the glass by ion plating using the preliminary conductive film as an electrode. Since the conductive layer is formed by removing the film, it has the advantage that it can be done in a much shorter time and more easily than in the past. The conductive glass obtained by this method is therefore also inexpensive. Another advantage is that there is no need to make any special efforts or considerations to the manufacturing equipment used in the method of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の背景となる投写型ブラウン
管に内蔵されるメニスカスレンズの一例の断面図
である。第2図はこの発明の一実施例を説明する
ための装置の図解図である。 図において、同一参照符号は同一ないし相当部
分を示し、1はメニスカスレンズ、2はレンズの
凸状表面、5は予備導電膜、7は蒸発源、8は高
圧電源をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a sectional view of an example of a meniscus lens built into a projection type cathode ray tube, which is the background of the present invention. FIG. 2 is an illustrative diagram of an apparatus for explaining one embodiment of the present invention. In the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts, 1 is a meniscus lens, 2 is a convex surface of the lens, 5 is a preliminary conductive film, 7 is an evaporation source, and 8 is a high voltage power source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ガラスの表面に予備導電膜を形成する工程
と、前記予備導電膜を一方の電極としてイオンプ
レーテイング法によつて導電層を形成する工程
と、 前記予備導電膜を除去する工程とを含むガラス
に導電層を形成する方法。 2 前記予備導電膜は真空蒸着法によつて形成す
る特許請求の範囲第1項記載のガラスに導電層を
形成する方法。 3 前記予備導電膜はスプレー法によつて形成す
る特許請求の範囲第1項記載のガラスに導電層を
形成する方法。 4 前記予備導電膜は多孔性の導電膜として形成
するようにした特許請求の範囲第1項ないし第3
項のいずれかに記載のガラスに導電層を形成する
方法。
[Scope of Claims] 1. A step of forming a preliminary conductive film on the surface of glass, a step of forming a conductive layer by an ion plating method using the preliminary conductive film as one electrode, and removing the preliminary conductive film. A method of forming a conductive layer on glass, the method comprising: 2. The method for forming a conductive layer on glass according to claim 1, wherein the preliminary conductive film is formed by a vacuum evaporation method. 3. The method for forming a conductive layer on glass according to claim 1, wherein the preliminary conductive film is formed by a spray method. 4. Claims 1 to 3, wherein the preliminary conductive film is formed as a porous conductive film.
A method of forming a conductive layer on the glass according to any one of the above.
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