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JPS6151407B2 - - Google Patents
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JPS6151407B2 - - Google Patents

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JPS6151407B2
JPS6151407B2 JP53129243A JP12924378A JPS6151407B2 JP S6151407 B2 JPS6151407 B2 JP S6151407B2 JP 53129243 A JP53129243 A JP 53129243A JP 12924378 A JP12924378 A JP 12924378A JP S6151407 B2 JPS6151407 B2 JP S6151407B2
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JP
Japan
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magnetic field
module
bias
coil
demagnetizing
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JP53129243A
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Japanese (ja)
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JPS5556607A (en
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Hideki Obara
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルモジユール、特に磁気バブ
ルチツプの記憶動作に必要なバイアス磁界の設定
を行なう着磁方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetization method for setting a bias magnetic field necessary for a storage operation of a magnetic bubble module, particularly a magnetic bubble chip.

従来この種の磁気バブルモジユールの着磁方法
としては、内部に永久磁石を有する磁気バブルモ
ジユールに対し、外部から非常に強力な着磁磁界
を永久磁石に与え飽和着磁を行なつた後、飽和着
磁磁界と反対方向の減磁磁界を印加して永久磁石
の磁化の強さを減磁磁気バブルチツプの記憶動作
に必要なバイアス磁界値になつたところで微少の
交番磁界を印加して、永久磁石の磁化の安定化を
図つたものがある。この方法はたとえば、1976年
11月発行のアイ・イー・イー・イートランザクシ
ヨンズオンマグネテイツクス(IEEE
Transactions on Magnetics).第12巻、第6
号、第645〜647頁に記載されている。
Conventionally, the method of magnetizing this type of magnetic bubble module is to apply a very strong magnetizing magnetic field to the permanent magnet from the outside to the magnetic bubble module, which has a permanent magnet inside, to achieve saturation magnetization. , Apply a demagnetizing magnetic field in the opposite direction to the saturation magnetizing magnetic field to reduce the magnetization strength of the permanent magnet to the bias magnetic field value necessary for the memory operation of the magnetic bubble chip, and then apply a slight alternating magnetic field. There are magnets designed to stabilize the magnetization of permanent magnets. This method was used, for example, in 1976.
IE Transactions on Magnetics (IEEE
Transactions on Magnetics). Volume 12, No. 6
No. 645-647.

しかるに上述の着磁方法では、減磁磁界によつ
て設定されたバイアス磁界値がその後に加える交
番磁界によつてずれてしまうので、精度の良いバ
イアス磁界設定ができない欠点があつた。
However, in the above-described magnetization method, the bias magnetic field value set by the demagnetizing magnetic field is shifted by the alternating magnetic field applied subsequently, so that the bias magnetic field cannot be set with high precision.

また、永久磁石の磁化の安定を保障する範囲の
許容外部妨害磁界の振巾が小さいという欠点があ
つた。
Another drawback is that the amplitude of the permissible external disturbance magnetic field within the range that ensures the stability of magnetization of the permanent magnet is small.

また、バイアス磁界が正しく設定されているか
どうかを確める手段は前記文献には記述されてい
ない。
Further, the above-mentioned document does not describe any means for checking whether the bias magnetic field is set correctly.

本発明の第1の目的は上述の欠点を除去した高
精度のバイアス磁界設定を行なう着磁方法を提供
することにある。
A first object of the present invention is to provide a magnetization method that eliminates the above-mentioned drawbacks and sets a bias magnetic field with high precision.

本発明の第2の目的は、外部妨害磁界に対して
安定度の高い磁気バブルモジユールを実現するこ
とのできる着磁方法を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a magnetization method that can realize a magnetic bubble module that is highly stable against external disturbing magnetic fields.

本発明の第3の目的は、設定されたバイアス磁
界を確認しつつ着磁を行なう着磁方法を提供する
ことにある。
A third object of the present invention is to provide a magnetization method in which magnetization is performed while confirming a set bias magnetic field.

そして本発明の第4の目的は上記目的の着磁方
法を達成する着磁装置を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a magnetizing device that achieves the above-mentioned magnetizing method.

本発明の着磁方法は、磁気バブルモジユール内
の永久磁石を飽和着磁後、減衰性の交番減磁磁界
で減磁し、磁気バブルチツプに垂直なバイアス磁
界を与えるZコイルにバイアス電流を供給した状
態で正常な記憶動作が可能なように、永久磁石の
着磁量を設定するようにしたものである。
In the magnetization method of the present invention, after the permanent magnet in the magnetic bubble module is saturated and magnetized, it is demagnetized by an attenuating alternating demagnetizing magnetic field, and a bias current is supplied to the Z coil that applies a bias magnetic field perpendicular to the magnetic bubble chip. The amount of magnetization of the permanent magnet is set so that normal storage operation is possible in this state.

以下図面を用いて詳細に説明する。 This will be explained in detail below using the drawings.

第1図は本発明の着磁方法が適用される磁気バ
ブルモジユールの一例である。磁気シールドケー
ス11の中には、永久磁石板12と整磁板13と
からなる複合板2組の間に、磁気バブルチツプの
周囲に面内回転磁界駆動コイルを巻いたメモリプ
レーン16と、磁気バブルチツプに垂直な方向の
バイアス磁界を発生するZコイル17が収められ
ている。磁気バブルチツプおよび駆動コイルから
のリード線が磁気シールドケース11のすき間か
ら取り出される。図ではリード線は複雑なので省
略してある。
FIG. 1 shows an example of a magnetic bubble module to which the magnetization method of the present invention is applied. Inside the magnetic shield case 11, between two sets of composite plates consisting of a permanent magnet plate 12 and a magnetic shunt plate 13, there is a memory plane 16 in which an in-plane rotating magnetic field drive coil is wound around a magnetic bubble chip, and a magnetic bubble chip. A Z coil 17 that generates a bias magnetic field in a direction perpendicular to is housed. Lead wires from the magnetic bubble chip and the drive coil are taken out from the gap in the magnetic shield case 11. The lead wires are omitted in the figure because they are complicated.

このような磁気バブルメモリ内で、磁気バブル
チツプの正常な記憶動作を行なわしめるために
は、永久磁石板12を矢印の如く磁化するように
着磁し、方向14の適正なバイアス磁界HBを与
えねばならぬ。
In order to perform normal storage operation of the magnetic bubble chip in such a magnetic bubble memory, the permanent magnet plate 12 must be magnetized as shown by the arrow, and an appropriate bias magnetic field H B in the direction 14 must be applied. Must be.

適正なバイアス磁界の値は、たとえば直径3μ
mのバブル径を与えるバブルチツプの場合、およ
そ180Oeを中心に±10Oeの範囲にあり、永久磁
石板12によつて与えられるバイアス磁界を正確
に必要とするバイアス磁界の中心値(この場合は
180Oe)に設定しなければならぬ。許容される中
心値からのずれの量±10Oeが記憶動作マージン
巾であり、与えられるバイアス磁界の中心値から
のずれがこの範囲内にあれば正常な記憶動作が行
なえる。
An appropriate bias magnetic field value is, for example, a diameter of 3μ.
In the case of a bubble chip giving a bubble diameter of m, the center value of the bias magnetic field (in this case
180Oe). The allowable amount of deviation from the center value ±10 Oe is the storage operation margin width, and if the deviation from the center value of the applied bias magnetic field is within this range, normal storage operation can be performed.

第2図は、磁気バブルモジユールにバイアス磁
界を設定するために用いられる本発明の着磁方法
で採用されている磁界パターンを示している。
FIG. 2 shows the magnetic field pattern employed in the magnetization method of the present invention used to set a bias magnetic field in the magnetic bubble module.

従来の着磁方法と異なる点は、飽和着磁後の減
磁と消磁の操作が減衰する交番減磁磁界による減
磁操作に簡素化されたことにある。第2図には方
向14の飽和着磁磁界230と方向14とその反
対方向の減衰する交番減磁磁界240が示されて
いる。飽和着磁磁界230の振巾はおよそ10kOe
交番減磁磁界240の振巾は数kOe以下である。
この場合の交番減磁磁界の発生は、交番減磁磁界
振巾と対応した正確な電圧値に充電したコンデン
サと励磁コイルとで共振回路を構成することによ
り簡単に実限できる。コンデンサの充電電圧を精
度良くコントロールできるので、0.5Oe以下のバ
イアス磁界設定精度を容易に実現することができ
る。交番減磁磁界振巾は永久磁石の減磁と妨害磁
界に対す安定化磁界を兼用するために、妨害磁界
振巾を数kOe程度にまで許容することができ、従
来よりはるかに安定化された磁気バブルモジユー
ルを得ることができる。交番減磁磁界240の交
番数としては、5ケ以上あれば充分である。
The difference from conventional magnetization methods is that the demagnetization and demagnetization operations after saturation magnetization are simplified to demagnetization operations using an attenuating alternating demagnetization magnetic field. FIG. 2 shows a saturation magnetizing field 230 in direction 14 and an attenuating alternating demagnetizing field 240 in direction 14 and its opposite direction. The amplitude of the saturation magnetizing magnetic field 230 is approximately 10 kOe
The amplitude of the alternating demagnetizing magnetic field 240 is several kOe or less.
The generation of an alternating demagnetizing magnetic field in this case can be easily limited by constructing a resonant circuit with an excitation coil and a capacitor charged to an accurate voltage value corresponding to the amplitude of the alternating demagnetizing magnetic field. Since the charging voltage of the capacitor can be controlled with high precision, bias magnetic field setting accuracy of 0.5 Oe or less can be easily achieved. Since the alternating demagnetization field amplitude serves both as a magnetic field for demagnetizing the permanent magnet and as a stabilizing field for the disturbance magnetic field, the disturbance magnetic field amplitude can be tolerated up to several kOe, making it much more stable than before. A magnetic bubble module can be obtained. It is sufficient that the number of alternations in the alternating demagnetizing magnetic field 240 is five or more.

第3図は、本発明の着磁方法によつて設定され
る磁気バブルモジユール内のバイアス磁界HB
交番減磁磁界におけるバイアス磁界と反対方向の
最初の磁界の振巾HDの関係、すなわち着磁特性
を示す。S点は飽和着磁直後にバイアス磁界値H
BSであるが、減磁磁界の振巾HDを大きくする
と、HBSより小さな値のバイアス磁界が得られ
る。たとえば振巾HD1の減磁磁界により振巾HB1
のバイアス磁界に設定でき、このHD1を越えない
外部妨害磁界に対してバイアス磁界HB1のいずれ
は非常に僅少で、永久磁石の磁化が安定してい
る。
FIG. 3 shows the relationship between the bias magnetic field H B in the magnetic bubble module set by the magnetization method of the present invention and the amplitude H D of the initial magnetic field in the opposite direction to the bias magnetic field in an alternating demagnetizing magnetic field; That is, it shows magnetization characteristics. Point S is the bias magnetic field value H immediately after saturation magnetization.
BS , but if the amplitude H D of the demagnetizing magnetic field is increased, a bias magnetic field with a smaller value than H BS can be obtained. For example, due to a demagnetizing field with an amplitude H D1 , the amplitude H B1
The bias magnetic field can be set to a bias magnetic field of 1, and the bias magnetic field H B1 is extremely small with respect to an external disturbing magnetic field that does not exceed this H D1 , and the magnetization of the permanent magnet is stable.

磁気バブルモジユール内のチツプの動作バイア
ス磁界の中心値がHB0あつて、中心値から±ΔH
B0の範囲内のバイアス磁界でチツプが動作する場
合、設定されるバイアス磁界がHB0近辺の値にな
るように、着磁特性から交番減磁磁界の振巾を決
定してモジユールを着磁する。HB0と設定バイア
ス磁界の値には若干の偏差が生じることがあるの
で、正および負のバイアス電流をZコイルに供給
して、バイアス磁界の設定値から±ΔHBZの変動
を生じせしめ、それでも正常な記憶動作を行え
ば、偏差は大きい量でないことが確認できる。な
お、Zコイルのバイアス電流値に対するΔHBZ
ΔHB0より小さく、モジユールの仕様に基づいて
決定される。
The center value of the operating bias magnetic field of the chip in the magnetic bubble module is H B0 , and ±ΔH from the center value.
When the chip operates with a bias magnetic field within the range of B0 , the module is magnetized by determining the amplitude of the alternating demagnetizing magnetic field from the magnetization characteristics so that the set bias magnetic field has a value near H B0 . . Since there may be some deviation between H B0 and the value of the set bias field, positive and negative bias currents are supplied to the Z coil to produce a variation of ±ΔH BZ from the set value of the bias field, but still If normal storage operation is performed, it can be confirmed that the deviation is not large. Note that ΔH BZ with respect to the bias current value of the Z coil is smaller than ΔH B0 and is determined based on the specifications of the module.

ところが、磁気バブルチツプの動作バイアス磁
界の中心値は、必ずしも正確に測定できないこ
と、磁気バブルモジユール内に複数チツプが組込
まれていることなどから、減衰性の交番減磁磁界
の振巾HDを一義的に決められないことが多い。
これに対処して、飽和着磁後、減衰性の交番減磁
磁界を複数回印加して、チツプにとつて最適なバ
イアス磁界を設定できる着磁方法が必要となる。
動作バイアス磁界中心値HB0でマーシン巾±ΔH
B0のチツプを組込んだモジユールの着磁方法を第
4図の着磁特性によつて説明する。
However, because the center value of the operating bias magnetic field of a magnetic bubble chip cannot always be accurately measured, and because multiple chips are incorporated in the magnetic bubble module, it is difficult to measure the amplitude of the attenuating alternating demagnetizing magnetic field HD . Often cannot be determined unambiguously.
To deal with this, a magnetization method is needed that can set the optimum bias magnetic field for the chip by applying an attenuating alternating demagnetizing magnetic field multiple times after saturation magnetization.
Operating bias magnetic field center value H B0 and merging width ±ΔH
The method of magnetizing a module incorporating a B0 chip will be explained with reference to the magnetization characteristics shown in FIG.

飽和着磁後、先ず振巾HD1の減磁磁界によつて
減磁を行ないモジユールのバイアス磁界をHB1
設定する。この状態でZコイルに正および負のバ
イアス電流を供給してモジユールに記憶動作を行
なわしめる。この結果、バイアス磁界は設定バイ
アス磁界から±ΔHBZだけ変動するが正常な記憶
動作は起らない。次に振巾HD2の減磁磁界によつ
て減磁を行ないモジユールのバイアス磁界をHB2
に設定する。そして前と同じようにZコイルにバ
イアス電流を供給してモジユールに記憶動作を行
なわしめても、まだ正常な記憶動作は起らない。
After saturation magnetization, first demagnetization is performed using a demagnetizing magnetic field having an amplitude H D1 and the bias magnetic field of the module is set to H B1 . In this state, positive and negative bias currents are supplied to the Z coil to cause the module to perform a memory operation. As a result, although the bias magnetic field fluctuates by ±ΔH BZ from the set bias magnetic field, normal storage operation does not occur. Next, demagnetization is performed using a demagnetizing magnetic field with an amplitude of H D2 , and the bias magnetic field of the module is changed to H B2.
Set to . Even if a bias current is supplied to the Z coil as before to cause the module to perform a memory operation, a normal memory operation still does not occur.

減磁磁界の振巾を更に増大し、振巾HD3の減磁
磁界によつて減磁を行ないモジユールのバイアス
磁界をHB3に設定する。この場合には、Zコイル
に予め定められた振巾の正のバイアス電流を供給
して、バイアス磁界をHB3+ΔHBZに設定して
も、あるいは同じ振巾の負のバイアス電流を供給
してバイアス磁界をHB3−ΔHBZに設定しても、
モジユールの記憶動作を行なわしめると、正常な
記憶動作を確認することができる。ここで、それ
以上の減磁磁界の印加を停止して、バイアス磁界
の設定を完了する。
The amplitude of the demagnetizing magnetic field is further increased, demagnetizing is performed by the demagnetizing magnetic field having the amplitude H D3 , and the bias magnetic field of the module is set to H B3 . In this case, you can either supply a positive bias current with a predetermined amplitude to the Z coil and set the bias magnetic field to H B3 +ΔH BZ , or supply a negative bias current with the same amplitude. Even if the bias magnetic field is set to H B3 −ΔH BZ ,
When the module performs the memory operation, it is possible to confirm that the memory operation is normal. At this point, further application of the demagnetizing magnetic field is stopped, and the setting of the bias magnetic field is completed.

このような着磁方法でモジユールのバイアス磁
界を設定するとき、モジユールを最適なバイアス
磁界に設定するまでの減磁磁界の印加回数をでき
るだけ少くして、着磁時間を短縮することが重要
であり、またチツプの動作バイアス磁界巾2ΔH
BOが狭くともモジユールのバイアス磁界設定を可
能にすることが重要である。
When setting the module's bias magnetic field using this magnetization method, it is important to shorten the magnetization time by minimizing the number of times the demagnetizing field is applied until the module is set to the optimal bias magnetic field. , and the chip operating bias magnetic field width 2ΔH
It is important to be able to set the module's bias magnetic field even if the BO is narrow.

第4図に従つてモジユールを着磁するとき、減
磁磁界の振巾の増大量、HD1−0、HD2−HD1
D3−HD2を定められた量を固定して着磁すれ
ば、着磁装置が簡単になるという利点を有する。
しかし、固定された増大量をΔHB0に対応して決
定しなければならなず、許容できるΔHB0の最小
値を小さく選ぶと、減磁磁界の印加回数が多くな
つてしまう。
When the module is magnetized according to FIG. 4, the amount of increase in the amplitude of the demagnetizing magnetic field, HD1 -0, HD2 -HD1 ,
If magnetization is performed by fixing H D3 -H D2 to a predetermined amount, there is an advantage that the magnetizing device becomes simple.
However, a fixed amount of increase must be determined corresponding to ΔH B0 , and if the minimum allowable value of ΔH B0 is selected to be small, the number of times the demagnetizing magnetic field is applied will increase.

このような印加回数を減少するためには、第1
回目の減磁磁界の増大量、すなわちHD1をそれ以
降の増大量より大きめにし、第2回目以降の減磁
磁界の増大量をΔHB0に対応した一定の値にする
こともできる。この場合、第1回目の減磁後の記
憶動作によるチエツクを省略することができる。
他の着磁方法としては、減磁磁界の振巾の増大量
を減磁操作の回数とともに単調減少とすることが
できる。
In order to reduce the number of applications, the first
It is also possible to make the amount of increase in the demagnetizing magnetic field for the first time, that is, H D1 , larger than the amount of increase thereafter, and to set the amount of increase in the demagnetizing magnetic field for the second and subsequent times to a constant value corresponding to ΔH B0 . In this case, checking by the memory operation after the first demagnetization can be omitted.
As another magnetization method, the amount of increase in the amplitude of the demagnetizing magnetic field can be made to decrease monotonically with the number of demagnetizing operations.

他の着磁方法としては、チツプの動作バイアス
磁界の中心値とモジユール内に設定されたバイア
ス磁界との偏差をZコイルに流すバイアス電流に
よつて検出し、この偏差の量によつて減磁磁界の
振巾を決定する着磁方法がある。第5図によつて
この着磁方法を説明する。飽和着磁後、先ず、振
巾HD1の減磁磁界で減磁し、設定されるモジユー
ルのバイアス磁界HB1をチツプのバイアス磁界上
限(HB0+ΔHB0)よりやや大きい値に設定す
る。その後、負のバイアス電流をZコイルに供給
して設定されたバイアス磁界HB1とチツプのバイ
アス磁界の上限(HB0+ΔHBO)および下限(H
B0−ΔHB0)の差を測定する。この値に基づいて
減磁磁界の振巾HD2を決定し、モジユールのバイ
アス磁界をHB2に設定する。このようにすること
によつて、このHB2をチツプのバイアス磁界中心
値HB0とほぼ同じ値に設定することができる。設
定後、Zコイルにバイアス電流を供給して、モジ
ユールの正常な記憶動作を確認する。
Another method of magnetization is to detect the deviation between the center value of the operating bias magnetic field of the chip and the bias magnetic field set in the module using a bias current flowing through the Z coil, and demagnetize the chip based on the amount of this deviation. There is a magnetization method that determines the amplitude of the magnetic field. This magnetization method will be explained with reference to FIG. After saturation magnetization, first, it is demagnetized with a demagnetizing magnetic field having an amplitude HD1 , and the bias magnetic field H B1 of the module to be set is set to a value slightly larger than the upper limit of the bias magnetic field (H B0 +ΔH B0 ) of the chip. After that, a negative bias current is supplied to the Z coil to adjust the set bias magnetic field H B1 and the upper limit (H B0 +ΔH BO ) and lower limit (H B0 ) of the chip bias magnetic field.
B0 −ΔH B0 ) is measured. Based on this value, the amplitude H D2 of the demagnetizing magnetic field is determined, and the bias magnetic field of the module is set to H B2 . By doing this, H B2 can be set to approximately the same value as the bias magnetic field center value H B0 of the chip. After setting, supply bias current to the Z coil to confirm normal memory operation of the module.

この着磁特性はモジユールによつて異なること
があるので、動作バイアス磁界中心値と設定バイ
アス磁界の偏差に応じて、振巾HD1による減磁操
作後1回bの減磁操作でバイアス磁界を設定する
代りに、この偏差に応じて決定される減磁磁界の
振巾より若干低目に振巾を設定し、複数回減磁操
作を行なつてもよい。
This magnetization characteristic may differ depending on the module, so depending on the deviation between the operating bias magnetic field center value and the set bias magnetic field, the bias magnetic field can be changed by one demagnetizing operation after the demagnetizing operation with the amplitude H D1 . Instead of setting, the amplitude may be set slightly lower than the amplitude of the demagnetizing magnetic field determined according to this deviation, and the demagnetizing operation may be performed multiple times.

この場合には1回目の振巾HD1も偏差に準じて
決定してもよい。
In this case, the first swing width HD1 may also be determined according to the deviation.

以上、大別して2通りのモジユールの着磁方法
を説明したが、この2つの方法を混合した着磁方
法も考えられる。また本発明の着磁方法を適用す
る磁気バブルモジユールは第1図に示したものに
限らず、整磁板の端部に永久磁石をはさみこむよ
うなモジユールにも本発明の着磁方法が適用でき
る。
Although two main methods of magnetizing the module have been described above, a method of magnetizing the module that is a mixture of these two methods is also conceivable. Furthermore, the magnetic bubble module to which the magnetization method of the present invention is applied is not limited to the one shown in FIG. can.

第6図は、本発明の着磁方法に基づく着磁装置
である。バイアス磁界設定のため着磁しようとす
る磁気バブルモジユール60に磁界を印加するた
めの励磁コイル61の巻かれている磁化ヨーク6
2と、第2図に示した磁界パターンを発生するた
めに励磁コイル61に電流を供給する励振器63
と、モジユールのZコイルに正および負のバイア
ス電流を供給するバイアス電流回路64と、モジ
ユールの周辺回路、すなわちコイルドライバ、フ
アンクシヨンドライバ、センス回路などを含む周
辺回路65と、第3図〜第5図に基づいて説明し
たような着磁方法に従う着磁を行なうように励振
器63,バイアス電流回路64、周辺回路65と
を制御する制御回路66からなる。
FIG. 6 shows a magnetizing device based on the magnetizing method of the present invention. A magnetization yoke 6 around which an excitation coil 61 is wound for applying a magnetic field to the magnetic bubble module 60 to be magnetized to set a bias magnetic field.
2, and an exciter 63 that supplies current to the excitation coil 61 to generate the magnetic field pattern shown in FIG.
, a bias current circuit 64 that supplies positive and negative bias currents to the Z coil of the module, a peripheral circuit 65 including peripheral circuits of the module, that is, a coil driver, a function driver, a sense circuit, etc., and FIGS. It consists of a control circuit 66 that controls an exciter 63, a bias current circuit 64, and a peripheral circuit 65 so that magnetization is performed according to the magnetization method explained based on FIG.

励振器63では、コンデンサ76に出力電圧可
変の直流電源71から抵抗72、閉じられたスイ
ツチ73を経て蓄積された電荷をスイツチ75を
閉じて励磁コイル61に放電する。この時はスイ
ツチ73は開かれている。放電の時、スイツチ7
4の開閉に依存して2通りの電流が励磁コイル6
1に供給される。すなわち、スイツチ74が閉じ
られていれば、第2図の飽和着磁用磁界230を
発生するような電流が励磁コイル61に供給され
る。一方スイツチ74が開かれていれば、第2図
の減磁磁界用磁界240を発生するような電流が
励磁コイル61に供給される。
In the exciter 63, the charges accumulated in the capacitor 76 from the DC power source 71 with variable output voltage through the resistor 72 and the closed switch 73 are discharged to the exciting coil 61 by closing the switch 75. At this time, switch 73 is open. When discharging, switch 7
Two types of current flow depending on the opening and closing of excitation coil 6.
1. That is, if the switch 74 is closed, a current that generates the saturation magnetizing magnetic field 230 shown in FIG. 2 is supplied to the exciting coil 61. On the other hand, if the switch 74 is open, a current is supplied to the excitation coil 61 to generate the demagnetizing magnetic field 240 of FIG.

この場合、磁界230と磁界240の振巾に応
じて、直流電源71の出力電圧を変えて、励磁コ
イル61に電流を供給する。
In this case, the output voltage of the DC power supply 71 is changed according to the amplitudes of the magnetic fields 230 and 240 to supply current to the exciting coil 61.

磁気バブルモジユール60に周辺回路65が接
続されているので、制御回路66によつてモジユ
ール60の記憶動作を行なう。バイアス電流供給
回路64からモジユール60のZコイルに予め定
められた正および負のバイアス電流を供給し、設
定されたバイアス磁界に対し±ΔHBZのバイアス
磁界変動を与えても記憶動作が正常であれば、モ
ジユール60へのバイアス磁界設定のための着磁
が終了したことになる。一般に特定の書込み情報
を書込み、その後、読取り動作を行なつて読取り
情報が書込み情報と一致していることが周辺回路
65内のセンス回路で検出できれば、モジユール
60の記憶動作が正常であるとされる。
Since the peripheral circuit 65 is connected to the magnetic bubble module 60, the storage operation of the module 60 is performed by the control circuit 66. Even if predetermined positive and negative bias currents are supplied from the bias current supply circuit 64 to the Z coil of the module 60 and a bias magnetic field variation of ±ΔH BZ is applied to the set bias magnetic field, the memory operation is normal. In other words, the magnetization for setting the bias magnetic field to the module 60 has been completed. Generally, if specific write information is written, then a read operation is performed, and the sense circuit in the peripheral circuit 65 detects that the read information matches the write information, it is determined that the memory operation of the module 60 is normal. Ru.

以上説明したように、本発明によれば、従来の
着磁方法で問題とされたバイアス磁界設定精度が
低いという欠点を容易に解決でき、かつ外部妨害
磁界に対して安定度の高い磁気バブルモジユール
磁界を提供することができ、モジユールの着磁に
よつて設定されたバイアス磁界が最適かどうかを
確認することができる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to easily solve the disadvantage of low bias magnetic field setting accuracy, which was a problem with conventional magnetization methods, and to create a magnetic bubble module that is highly stable against external disturbing magnetic fields. A Yule magnetic field can be provided, and it can be checked whether the bias magnetic field set by the magnetization of the module is optimal.

なお、実施例に示したZコイルは、モジユール
内に内蔵されている場合の例であるが、これに限
定するものでなく外部においてもよいし、あるい
は脱着可能なものであつてもよい。
Note that the Z coil shown in the embodiment is an example of a case where it is built in the module, but the present invention is not limited to this, and it may be placed outside or may be detachable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明が適用される磁気バブルモジユ
ールの一例を示す断面図、第2図は本発明の磁気
バブルモジユールの着磁方法における磁界パター
ン、第3図は本発明の着磁方法に基づく着磁特
性、第4図と第5図は本発明の着磁方法を説明す
るための着磁特性、第6図は本発明の着磁装置の
一実施例を示す回路図である。 12はモジユール内の永久磁石板、14はモジ
ユール内のバイアス磁界方向、17はZコイル、
230は永久磁石を飽和着磁するための磁界、2
40は交番減磁磁界、60は磁気バブルモジユー
ル、61は磁化ヨーク、62は励磁コイル、63
は励振器、64はバイアス電流回路、65は周辺
回路、66は制御回路である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a magnetic bubble module to which the present invention is applied, FIG. 2 is a magnetic field pattern in the method of magnetizing a magnetic bubble module of the present invention, and FIG. 3 is a magnetizing method of the present invention. FIGS. 4 and 5 are magnetizing characteristics for explaining the magnetizing method of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram showing an embodiment of the magnetizing apparatus of the present invention. 12 is a permanent magnet plate inside the module, 14 is a bias magnetic field direction inside the module, 17 is a Z coil,
230 is a magnetic field for saturating the permanent magnet, 2
40 is an alternating demagnetizing magnetic field, 60 is a magnetic bubble module, 61 is a magnetizing yoke, 62 is an excitation coil, 63
64 is an exciter, 64 is a bias current circuit, 65 is a peripheral circuit, and 66 is a control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁気バブルチツプと、面内回転磁界を発生す
る駆動コイルと、前記磁気バブルチツプに垂直な
バイアス磁界を供給する永久磁石とを備えた磁気
バブルモジユールの着磁方法において、前記永久
磁石を第1の方向に飽和着磁後、前記第1の方向
およびこれと反対の第2の方向に減衰する交番減
磁磁界を前記永久磁石に与え前記バブルモジユー
ル内に前記バイアス磁界方向の磁界を発生するこ
とのできるZコイルに予め定められた正および負
のバイアス電流を供給した状態で、前記モジユー
ルの記憶動作を行ない、前記正および負いずれの
バイアス電流に対しても正常な記憶動作を可能に
するよう前記永久磁石の着磁量を設定することを
特徴とする磁気バブルモジユールの着磁方法。 2 永久磁石の着磁量の設定は減磁磁界の印加と
Zコイルへの予め定められた正および負のバイア
ス電流を供給した状態でのモジユールの記憶動作
との組合せを、正常な記憶動作が可能になるまで
前記減磁磁界の振巾を微増させながら繰り返すこ
とにより行う特許請求の範囲第1項に記載の磁気
バブルモジユールの着磁方法。 3 永久磁石へ第1回目に加える減磁磁界の振巾
は予め定められた値とし、それ以後に加えられる
減磁磁界の振巾はモジユールの正常動作を可能に
するZコイルへのバイアス電流値に依存して決定
する特許請求の範囲第2項に記載の磁気バブルモ
ジユールの着磁方法。 4 永久磁石へ第1回目に加える減磁磁界の振巾
をモジユールの正常動作を可能にするZコイルへ
のバイアス電流値に依存して決定する特許請求の
範囲第3項に記載の磁気バブルモジユールの着磁
方法。 5 磁気バブルチツプと、面内回転磁界を発生す
る駆動コイルと、前記磁気バブルチツプに垂直な
バイアス磁界を供給する永久磁石とを内蔵したモ
ジユールを固定し、これに均一な磁界を供給する
励磁コイルつき磁化ヨークと、前記バブルモジユ
ール内に前記バイアス磁界方向の磁界を発生する
ことのできるZコイルと、前記磁化ヨークに飽和
着磁用磁界を生ぜしめる第1の駆動電流および減
衰性の交番減磁磁界を生ぜしめる第2の駆動電流
を供給する励振器と、前記Zコイルに正負電流を
供給するバイアス電流回路と、前記磁気バブルモ
ジユールを記憶動作させ、動作の正常・異常を検
知できる周辺回路と、前記励振器、バイアス電流
回路、周辺回路を制御する制御回路とを含むごと
く構成したことを特徴とする磁気バブルモジユー
ルの着磁装置。
[Scope of Claims] 1. A method for magnetizing a magnetic bubble module comprising a magnetic bubble chip, a drive coil that generates an in-plane rotating magnetic field, and a permanent magnet that supplies a bias magnetic field perpendicular to the magnetic bubble chip, After the permanent magnet is saturated and magnetized in a first direction, an alternating demagnetizing magnetic field that attenuates in the first direction and a second direction opposite thereto is applied to the permanent magnet, and the bias magnetic field direction is applied within the bubble module. The memory operation of the module is performed while predetermined positive and negative bias currents are supplied to the Z coil, which can generate a magnetic field of A method for magnetizing a magnetic bubble module, comprising setting the amount of magnetization of the permanent magnet to enable operation. 2 The amount of magnetization of the permanent magnet is set by applying a demagnetizing magnetic field and storing the module while supplying predetermined positive and negative bias currents to the Z coil. The method of magnetizing a magnetic bubble module according to claim 1, which is carried out by repeating the demagnetization while slightly increasing the amplitude of the magnetic field until the demagnetization becomes possible. 3 The amplitude of the first demagnetizing magnetic field applied to the permanent magnet is a predetermined value, and the amplitude of the demagnetizing magnetic field applied thereafter is the bias current value to the Z coil that enables normal operation of the module. A method of magnetizing a magnetic bubble module according to claim 2, which is determined depending on the following. 4. The magnetic bubble module according to claim 3, wherein the amplitude of the first demagnetizing magnetic field applied to the permanent magnet is determined depending on the bias current value to the Z coil that enables normal operation of the module. Yule magnetization method. 5. A magnetization device with an excitation coil that fixes a module containing a magnetic bubble chip, a drive coil that generates an in-plane rotating magnetic field, and a permanent magnet that supplies a bias magnetic field perpendicular to the magnetic bubble chip, and supplies a uniform magnetic field to the module. a yoke, a Z coil capable of generating a magnetic field in the direction of the bias magnetic field within the bubble module, a first drive current and an attenuating alternating demagnetizing magnetic field that generates a saturation magnetizing magnetic field in the magnetizing yoke; an exciter that supplies a second drive current that generates a current, a bias current circuit that supplies positive and negative currents to the Z coil, and a peripheral circuit that causes the magnetic bubble module to memorize and detect whether the operation is normal or abnormal. A magnetizing device for a magnetic bubble module, characterized in that it is configured to include the exciter, the bias current circuit, and a control circuit for controlling peripheral circuits.
JP12924378A 1978-10-20 1978-10-20 Magnetizing method of magnetic bubble module and its magnetizing device Granted JPS5556607A (en)

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