JPS6156592B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ装置の製造方法に関
する。一般に磁性薄膜は面内方向に磁区の磁化容
易軸を持つているが、ある種の磁性薄膜、例えば
オルソフエライトや磁性ガーネツト等においては
磁区が膜面に対し垂直な磁化容易軸を持つてい
る。この薄膜は外部から磁界を加えないときは上
向きの磁化方向の磁区と下向きの磁区とがほぼ等
面積で縞状に交互に入りまじつた状態になつてい
るが、外部から下向きに垂直方向の磁界を加えて
行くと上向きの磁区はへり、下向きの磁区が拡が
つて、遂には上向きの磁区は直径数μｍ程度の円
筒磁区となる。この円筒磁区をバブルドメインい
う。このバブルドメイン磁界の勾配により磁性薄
膜内を自由に動かすことができることから、この
バブルドメインをメモリ素子として利用したのが
磁気バブルメモリ装置である。第１図にこの磁気
バブルメモリ装置の１例を示す。これについて簡
単に説明するとチツプ１は絶縁基板２の上に搭載
され、その周囲にはチツプ１に水平な回転磁界を
与えるための駆動コイル３および４が直交して設
けられ、これらはモールドされるか或いは樹脂ケ
ース５に挿入され、さらにモールド又は樹脂ケー
ス５の外側に形成された凹部に嵌入されたバイア
スマグネツト７および整磁板８と共に、ヨークを
兼ねたシールドケース９に装入されている。

このように磁気バブルメモリ装置において、バ
イアスマグネツト７と整磁板８とは接着剤にて接
合され、次いで接着剤にて樹脂ケース５の凹部に
接着され、更にその上に接着剤を塗つてシールド
ケース９に装入される。従つてこのような磁気バ
ブルメモリ装置においては、バイアスマグネツト
７と整磁板８との間、およびバイアスマグネツト
７とシールドケース９との間に接着剤の層がで
き、しかもその厚さにバラツキを生ずる。このた
め磁気回路の磁気抵抗のバラツキや放熱効果のバ
ラツキを生ずる。本発明はこの欠点を改良するた
めに案出されたものである。

このため本発明においては磁気バブルメモリチ
ツプと、該チツプのバブルを駆動するコイルとを
挿入した樹脂ケースと、該樹脂ケースの外側に形
成された凹部に嵌入したバイアスマグネツトおよ
び整磁板とをヨークを兼ねたシールドケースに装
入して成る磁気バブルメモリ装置において、前記
樹脂ケースの凹部にバイアスマグネツトおよび整
磁板を嵌入した後、該樹脂ケースをシールドケー
スに装入し、その後外部よりバイアスマグネツト
を着磁することにより該バイアスマグネツトと整
磁板とを磁気力にてシールドケースに接着し、し
かる後シールドケースと樹脂ケースとのすき間に
充填材を注入して該バイアスマグネツトおよび整
磁板を固定することを特徴とするものである。

以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき
詳細に説明する。

第２図に本発明方法により組立られる磁気バブ
ルメモリ装置の分解斜視図を示す。但し樹脂ケー
スの中に挿入されるチツプ、絶縁基板、コイルは
図示を省略した。図において符号１０は樹脂ケー
ス、１１，１１′はバイアスマグネツト、１２，
１２′は整磁板、１３はヨークを兼ねたシールド
ケースである。そして樹脂ケース１０にはチツ
プ、絶縁基板、コイル等を入する孔１０ａと、バ
イアスマグネツト１１，１１′および整磁板１
２，１２′を嵌入する凹部１０ｂとが形成されて
いる。このような各部材は次の如くにして組立て
られる。

先ず樹脂ケース１０の孔１０ａにチツプを搭載
した絶縁基板およびコイルを挿入固定し、次に樹
脂ケース１０の凹み１０ｂに整磁板１２又は１
２′とバイアスマグネツト１１又は１１′を重ねて
嵌入し、その状態でシールドケース１３に装入す
る。しかる後シールドケース１３の外部よりバイ
アスマグネツト１１，１１′を着磁し、その磁気
力により該バイアスマグネツト１１，１１′と整
磁板１２，１２′とをシールドケース１３に密着
せしめる。次いで第３図の如く樹脂ケース１０の
溝１０ｃおよび１０c′より充填材１４を注入して
樹脂ケース１０の凹部１０ｂとバイアスマグネツ
ト１１又は１１′および整磁板１２又は１２′との
すきまを充填する。

このように組立てられた磁気バブルメモリ装置
はシールドケース１３とバイアスマグネツト１
１，１１′との間、およびバイアスマグネツト１
１，１１′と整磁板１２，１２′との間には接着剤
とか充填材が入らないため熱の伝導が良く、また
磁気抵抗も少なくなり、さらにこれらのバラツキ
も少なくなる。また振動に対しては充填材１４に
より固定されるため安全である。

以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリ装
置の製造方法は、シールドケースとバイアスマグ
ネツトおよび整磁板の接着に磁気力を利用するこ
とにより磁気バブルメモリ装置の放熱性および磁
気特性を改善し、また接着剤を用いた接着工程を
省略することにより組立工数の節減を可能とした
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリ装置の１例の
断面図、第２図および第３図は本発明の実施例を
説明するための図であり、第２図は磁気バブルメ
モリ装置の分解斜視図、第３図はその組立断面図
である。 １０……樹脂ケース、１１，１１′……バイア
スマグネツト、１２，１２′…整磁板、１３……
シールドケース、１４……充填材。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気バブルメモリチツプと、該チツプのバブ
   ルを駆動するコイルとを挿入した樹脂ケースと、
   該樹脂ケースの外側に形成された凹部に嵌入した
   バイアスマグネツトおよび整磁板とをヨークを兼
   ねたシールドケースに装入して成る磁気バブルメ
   モリ装置において、前記樹脂ケースの凹部にバイ
   アスマグネツトおよび整磁板を嵌入した後、該樹
   脂ケースをシールドケースに装入し、その後外部
   よりバイアスマグネツトを着磁することにより該
   バイアスマグネツトと整磁板とを磁気力にてシー
   ルドケースに接着し、しかる後シールドケースと
   樹脂ケースとのすき間に充填材を注入して該バイ
   アスマグネツトおよび整磁板を固定することを特
   徴とする磁気バブルメモリ装置の製造方法。