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JPS6157908B2 - - Google Patents
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JPS6157908B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6157908B2
JPS6157908B2 JP57119551A JP11955182A JPS6157908B2 JP S6157908 B2 JPS6157908 B2 JP S6157908B2 JP 57119551 A JP57119551 A JP 57119551A JP 11955182 A JP11955182 A JP 11955182A JP S6157908 B2 JPS6157908 B2 JP S6157908B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
work roll
sputtering
thin film
Prior art date
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Expired
Application number
JP57119551A
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Japanese (ja)
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JPS5913072A (en
Inventor
Tomoshiro Shioda
Reiji Nishikawa
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Toshiba Corp
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to JP11955182A priority Critical patent/JPS5913072A/en
Publication of JPS5913072A publication Critical patent/JPS5913072A/en
Publication of JPS6157908B2 publication Critical patent/JPS6157908B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、フイルム状基体の両面に機能薄膜と
してのスパツタ薄膜を連続的に形成するスパツタ
リング装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a sputtering apparatus for continuously forming a sputtered thin film as a functional thin film on both sides of a film-like substrate.

〔発明の背景技術およびその問題点〕[Background technology of the invention and its problems]

近年、記録媒体層がスパツタ薄膜によつて形成
された磁気記録媒体が出現している。スパツタ薄
膜は、通常、低圧の不活性ガス中でグロー放電を
行なわせ、この放電によつて生じた陽イオンをタ
ーゲツトに衝突させ、この衝突によつてターゲツ
トからたたき出された金属微粒子を所定の支持基
体の表面に付着させることによつて形成される。
したがつて、ターゲツトとして磁気記録性に富ん
だ材料を選択すれば、良好な記録媒体層を形成す
ることができる。
In recent years, magnetic recording media in which the recording medium layer is formed of a sputtered thin film have appeared. Sputter thin films are usually produced by performing glow discharge in a low-pressure inert gas, causing the cations generated by this discharge to collide with the target, and by this collision, the metal particles ejected from the target are sent to a specified target. It is formed by adhering to the surface of a supporting substrate.
Therefore, if a material with high magnetic recording properties is selected as the target, a good recording medium layer can be formed.

ところで、最近では、フイルム状基体の両面に
スパツタ薄膜で形成された記録媒体層を有する磁
気記録媒体の出現が望まれ、この磁気記録媒体を
製造し得るスパツタリング装置の提案も幾つかな
されている。
Incidentally, recently there has been a desire for a magnetic recording medium having a recording medium layer formed of a sputtered thin film on both sides of a film-like substrate, and several proposals have been made for sputtering apparatuses capable of manufacturing this magnetic recording medium.

スパツタリングによつて形成された磁気記録媒
体層の磁気的特性の均一性は、スパツタリング時
における不活性ガス圧力、基体とターゲツトとの
間の距離、スパツタ速度、基体温度等によつて左
右され、このうち、基体とターゲツトの間の距離
および基体温度を一定に保つことは重要である。
このような点を考慮に入れると、フイルム状基体
の両面にスパツタ薄膜を連続的に形成するにはワ
ークロールによつてフイルム状基体を保持させる
方式が何かと有利である。すなわち、内部を通流
する冷媒によつて冷却され、かつ回転駆動される
ワークロールの外周面に沿わせてフイルム状基体
を移送させるとともに上記フイルム状基体の上記
ワークロールの外周面に接触している部分の表面
にスパツタ薄膜を連続的に形成するようにする。
このようにすると、フイルム状基体がワークロー
ルに接触している時間を長くでき、これによつて
基体を良好に冷却できるとともにワークロールに
よつて基体とターゲツトとの間の距離を常に一定
に保つことができる。このように、フイルム状基
体をワークロールの外周面に沿わせながらスパツ
タリングを行ない、かつフイルム状基体の両面に
スパツタ薄膜を形成する場合には、両面に同時に
スパツタ薄膜を形成することができず、どちらか
一方の表面に、まず、スパツタ薄膜を形成し、次
に時間的にずらして他方の表面にスパツタ薄膜を
形成する順序を採用せざるを得ない。この場合、
他方の表面にスパツタ薄膜を形成するときには、
すでに一方の表面にスパツタ薄膜が形成されてい
るので、他方の表面にスパツタ薄膜を形成する工
程に移行させる間にすでに形成されているスパツ
タ薄膜に傷などがつき易い虞れがある。また、一
般にスパツタ源を付勢すると、スパツタ源から不
純物が放出され、この不純物が基体の表面に付着
する虞れがある。さらには、基体に付着した蒸着
物がスパツタ源上に落下してスパツタリング条件
を乱す虞れもある。また、両面にスパツタ薄膜を
形成する場合、一方の面だけに形成する場合に較
べて装置全体が大型化するが、排気系等の面から
できるだけ小型化することが望まれる。また、ス
パツタ速度の向上化も当然要求される。
The uniformity of the magnetic properties of the magnetic recording medium layer formed by sputtering depends on the inert gas pressure during sputtering, the distance between the substrate and the target, the sputtering speed, the substrate temperature, etc. Among these, it is important to keep the distance between the substrate and the target and the temperature of the substrate constant.
Taking these points into consideration, a method in which the film-like substrate is held by work rolls is advantageous in order to continuously form sputter thin films on both sides of the film-like substrate. That is, the film-like substrate is cooled by a refrigerant flowing through the inside and is transferred along the outer circumferential surface of a rotationally driven work roll, and the film-like substrate is brought into contact with the outer circumferential surface of the work roll. A spatter thin film is continuously formed on the surface of the exposed area.
In this way, the time that the film-like substrate is in contact with the work roll can be extended, which allows the substrate to be cooled well, and the distance between the substrate and the target can always be kept constant by the work roll. be able to. In this way, when performing sputtering while aligning the film-like substrate along the outer peripheral surface of the work roll and forming sputter thin films on both sides of the film-like substrate, it is not possible to form sputter thin films on both sides at the same time. It is necessary to adopt an order in which a sputter thin film is first formed on one of the surfaces, and then a sputter thin film is formed on the other surface with a time shift. in this case,
When forming a spatter thin film on the other surface,
Since a sputter thin film has already been formed on one surface, there is a risk that the already formed sputter thin film may be easily damaged during the process of forming a sputter thin film on the other surface. Furthermore, when a sputter source is energized, impurities are generally released from the sputter source, and there is a risk that these impurities will adhere to the surface of the substrate. Furthermore, there is a risk that the deposits adhering to the substrate may fall onto the sputtering source and disturb the sputtering conditions. Furthermore, when sputter thin films are formed on both sides, the overall size of the apparatus becomes larger than when sputtered thin films are formed on only one side, but it is desirable to reduce the size of the apparatus as much as possible from the viewpoint of the exhaust system and the like. Naturally, it is also required to improve the sputtering speed.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、上述した要望を満たすことができ、
もつて、フイルム状基体の両面に良質のスパツタ
薄膜を連続的にかつ高速度に形成することがで
き、しかも装置全体の小型化も図れるスパツタリ
ング装置を提供することを目的としている。
The present invention can satisfy the above-mentioned needs,
It is an object of the present invention to provide a sputtering device that can continuously form high-quality sputtered thin films on both sides of a film-like substrate at a high speed, and can also reduce the size of the entire device.

〔発明の概要〕 本発明に係るスパツタリング装置は、フイルム
状基体の一方の表面へのスパツタ薄膜形成工程に
関与するワークロールを下段に、他方の表面への
スパツタ薄膜形成工程に関与するワークロールを
上段にそれぞれの軸心線を平行させて2段構成に
配置するとともに上記各ワークの外周面に対向す
る各スパツタ源を対応するワークロールの軸心線
を通つて描かれる水平線より下側にそれぞれ配置
し、さらに、スパツタリング実行時に上記フイル
ム状基体を下段に位置するワークロールの外周面
を経由させた後に上段に位置するワークロールの
外周面を経由させて進行させる下側から上側へ折
り返す経路で案内する機構を設けたことを特徴と
している。
[Summary of the Invention] The sputtering apparatus according to the present invention has a work roll involved in the process of forming a sputter thin film on one surface of a film-like substrate in the lower stage, and a work roll involved in the process of forming a sputter thin film on the other surface of the film-like substrate. The spatter sources are arranged in two stages with their axes parallel to each other on the upper stage, and each spatter source facing the outer peripheral surface of each work is placed below a horizontal line drawn through the axes of the corresponding work rolls. Further, during sputtering, the film-like substrate is passed through the outer peripheral surface of the work roll located at the lower stage, and then advanced through the outer peripheral surface of the work roll located at the upper stage, and is folded back from the lower side to the upper side. It is characterized by the provision of a guiding mechanism.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上記構成であると、各ワークロール、供給およ
び巻取リールを円に近い配置に設置できるので装
置全体を小型化でき、排気系を小型化できる。
With the above configuration, each work roll, supply reel, and take-up reel can be arranged in a nearly circular arrangement, so the entire apparatus can be downsized, and the exhaust system can be downsized.

また、上記構成であると、フイルム状基体は、
まず下段側において、その下面にスパツタ薄膜が
形成され、次に上記スパツタ薄膜が上面となるよ
うに折り返されて上段のワークロールに沿つて進
行し、この上段においてその下面にスパツタ薄膜
が形成され、結局、両面にスパツタ薄膜が形成さ
れる。そして、下段から上段に移行させるときに
フリーロール等の中継ロールを経由させる必要が
あるが、この中継ロールの位置は、必然的にスパ
ツタ薄膜が形成されていない面側となる。したが
つて、中継ロールによつてすでに形成されている
スパツタ薄膜が傷つけられるのを最少限に抑える
ことができ、それだけ品質の高いものを製造でき
る。また、各スパツタ源を対応するワークロール
の軸心線を通つて描かれる垂直線に対して傾斜さ
せて配置するようにすれば、スパツタ源が基体の
対向面より斜下方に位置していることになるの
で、上記スパツタ源より放出された不純物が基本
側に付着するのを防止できるとともにスパツタ源
に各種異物が付着するのを防止でき、この点から
も良質のスパツタ薄膜を形成させることができ
る。また、ワークロールの軸心線を通つて描かれ
る垂直線に対してスパツタ源を傾斜させて設ける
ようにすれば、上述した利点を損わずに1つのワ
ークロールに対して2個以上のスパツタ源を対向
設置することができる。したがつて、スパツタ速
度の高速化を実現することができる。
Furthermore, with the above configuration, the film-like substrate is
First, a sputtered thin film is formed on the lower surface of the lower stage side, and then the sputtered thin film is folded back so as to become the upper surface and travels along the upper work roll, and a sputtered thin film is formed on the lower surface of the upper stage, Eventually, spatter thin films are formed on both sides. When transferring from the lower stage to the upper stage, it is necessary to pass through a relay roll such as a free roll, but the position of this relay roll is necessarily on the side where the sputter thin film is not formed. Therefore, damage to the spatter thin film already formed by the relay roll can be minimized, and products of higher quality can be manufactured. In addition, by arranging each spatter source at an angle with respect to a vertical line drawn through the axis of the corresponding work roll, the spatter source can be positioned obliquely below the facing surface of the base. Therefore, it is possible to prevent the impurities emitted from the sputter source from adhering to the base side, and it is also possible to prevent various foreign substances from adhering to the sputter source, and from this point of view, it is possible to form a high quality spatter thin film. . In addition, if the spatter source is installed at an angle with respect to a vertical line drawn through the axis of the work roll, two or more spatter sources can be generated on one work roll without detracting from the above-mentioned advantages. The sources can be installed facing each other. Therefore, it is possible to increase the sputtering speed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。なお、この実施例は、高分子フイルム
の両面に磁気記録媒体層を形成する装置に本発明
を適用した例である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that this embodiment is an example in which the present invention is applied to an apparatus for forming magnetic recording medium layers on both sides of a polymer film.

第1図において、図中1は、たとえば金属材製
の真空容器であり、この真空容器1は、軸心線が
重力方向に対して直交するように配置された円筒
部2と、この円筒部2の両端開口部を気密に蓋す
る蓋体3a,3b(但し3bは図示せず。)とで
構成されている。そして、円筒部2には図示しな
い排気系に通じる排気口4と同じく図示しない不
活性ガス供給系に通じるガス導入口5とが形成さ
れている。なお、前記蓋体3bは選択的に開閉で
きる構造に形成されている。
In FIG. 1, reference numeral 1 indicates a vacuum container made of, for example, a metal material, and this vacuum container 1 includes a cylindrical portion 2 whose axis is perpendicular to the direction of gravity, and a cylindrical portion 2 disposed such that its axis is perpendicular to the direction of gravity. It is comprised of lid bodies 3a and 3b (however, 3b is not shown) that airtightly cover the openings at both ends of the lid. The cylindrical portion 2 is formed with an exhaust port 4 communicating with an exhaust system (not shown) and a gas inlet 5 communicating with an inert gas supply system (not shown). Note that the lid body 3b is formed in a structure that can be selectively opened and closed.

しかして、真空容器1内には、この真空容器1
内において、フイルム状基体Pを前記円筒部2の
軸心線に対して直交する進路で、かつ下から上へ
とコ字状の経路で案内走行させる案内機構11が
設けられている。この案内機構11は、真空容器
1内の上下2分割仮想線より下方に図中左方から
右方に亘つて配置された供給リール12およびワ
ークロール13,14と、上下2分割仮想線より
上方に図中右方から左方に亘つて配置されたワー
クロール15,16および巻取リール17と、こ
れらの間にそれぞれ配置されたフリーロール18
とで構成されている。これらフリーロール18、
ワークロール13,14,15,16、供給リー
ル12および巻取リール17は、それぞれ、その
軸心線が前記円筒部2の軸心線と平行するように
配置されている。そして、供給リール12から巻
戻されたフイルム状基体Pは、ワークロール1
3,14,15,16の順に各ワークロールの外
周面に沿い、かつ各ワークロール毎にその最下面
位置において折り返す関係に案内され、最終的に
巻取リール17に巻取られるように案内される。
Therefore, inside the vacuum container 1, this vacuum container 1
Inside, a guide mechanism 11 is provided which guides the film-like substrate P along a path perpendicular to the axis of the cylindrical portion 2 and along a U-shaped path from bottom to top. This guide mechanism 11 has a supply reel 12 and work rolls 13 and 14 arranged below an imaginary line that divides the vacuum chamber 1 into upper and lower halves from the left to right in the figure, and above the imaginary line that divides the vacuum vessel 1 into upper and lower halves. Work rolls 15 and 16 and a take-up reel 17 are arranged from the right to the left in the figure, and a free roll 18 is arranged between them.
It is made up of. These freerolls 18,
The work rolls 13, 14, 15, 16, the supply reel 12, and the take-up reel 17 are arranged such that their axes are parallel to the axis of the cylindrical portion 2, respectively. Then, the film-like substrate P unwound from the supply reel 12 is transferred to the work roll 1
3, 14, 15, and 16 in this order along the outer circumferential surface of each work roll, and are guided so as to be folded back at the lowest surface position of each work roll, and are finally taken up on the take-up reel 17. Ru.

上記供給リール12および巻取リール17に
は、それぞれ駆動軸(図示せず)が連結されてお
り、これら駆動軸は、蓋体3aを上記蓋体3aと
の間が絶縁された状態で気密にかつ回転自在に貫
通して、第2図にそれぞれaを付して示す直流分
巻形のモータ12a,17aの回転軸に連結され
ている。また、前記ワークロール13,14,1
5,16は、それぞれ二重筒状に形成されてお
り、これらワークロール13,14,15,16
には、それぞれ二重筒状に形成された駆動軸が対
応する空間どうしを連通させた状態に連結されて
いる。そして、二重筒状に形成された各駆動軸
は、蓋体3aを上記蓋体3aとの間が絶縁された
状態で気密にかつ回転自在に貫通して第2図にそ
れぞれaを付して示す直流分巻形のモータ13
a,14a,15a,16aの回転軸に連結され
ている。なお、二重筒状に形成された上記各駆動
軸の真空容器1外に位置する部分には、それぞ
れ、上記駆動軸の中央部に存在する空間を通して
ワークロールの中央部に存在する空間に熱媒体を
送り込み、この熱媒体をワークロール内の外側空
間および駆動軸内の外側空間を介して外部へ排出
させるロータリジヨイント機構が設けてあり、こ
れらロータリジヨイント機構はそれぞれ高温液体
源および低温液体源に選択的に接続されるように
なつている。
A drive shaft (not shown) is connected to each of the supply reel 12 and the take-up reel 17, and these drive shafts hermetically maintain the lid 3a insulated from the lid 3a. It is rotatably passed through and connected to the rotating shafts of DC shunt type motors 12a and 17a, respectively indicated by a in FIG. 2. Further, the work rolls 13, 14, 1
5 and 16 are each formed into a double cylinder shape, and these work rolls 13, 14, 15, 16
The drive shafts each have a double cylindrical shape and are connected to each other so that the corresponding spaces communicate with each other. Each of the drive shafts formed in a double cylinder shape passes through the lid 3a airtightly and rotatably with the space between the lid 3a and the lid 3a being insulated. DC shunt type motor 13 shown in
It is connected to the rotating shafts of a, 14a, 15a, and 16a. In addition, heat is applied to the portion of each of the double-cylindrical drive shafts located outside the vacuum vessel 1 through the space located at the center of the drive shaft and into the space located at the center of the work roll. A rotary joint mechanism is provided for feeding a medium and discharging this heat medium to the outside through an outer space in the work roll and an outer space in the drive shaft, and these rotary joint mechanisms are respectively connected to a hot liquid source and a cold liquid source. selectively connected to the source.

しかして前記真空容器1内には、各ワークロー
ル13,14,15,16の外周面に2個づつ対
向する関係に合計8個のスパツタ源21,22,
……28が配置されている。これらスパツタ源2
1,22,……28はそれぞれ円板状に形成され
たターゲツトの外側にこれと同心円状にリング状
の陽極を上記ターゲツトとは絶縁させて配置する
とともにターゲツトの背面に一方の磁極面が接触
するように永久磁石を配置したマグネトロン形の
平板状構造に形成されている。そして、各スパツ
タ源21,22,……28は、各ワークロール1
3,14,15,16の外周面に対し、各ワーク
ロールの軸心線を通る水平線より下方で、かつ上
記軸心線を通る垂直線を基準にし、この垂直線と
ターグツトの軸心線との間の開き角θが30〜60度
の範囲で斜下方から対面する関係にそれぞれ設け
られている。なお、この実施例の場合、スパツタ
源21,22,25,26のターゲツトはパーマ
ロイで形成されており、スパツタ源23,24,
27,28のターゲツトはCo−Cr合金で形成さ
れている。そして、各スパツタ源21,22,…
…28のターゲツトと陽極とは蓋体3aを気密に
貫通して設けられた図示しないリード線を介して
それぞれ独立的に図示しない直流電源の出力端に
接続されている。
In the vacuum vessel 1, there are a total of eight spatter sources 21, 22, two spatter sources 21, 22 facing each other on the outer peripheral surface of each work roll 13, 14, 15, 16.
...28 are arranged. These spatter sources 2
1, 22, . . . , 28 each have a ring-shaped anode arranged concentrically on the outside of a disk-shaped target, insulated from the target, and one magnetic pole surface is in contact with the back surface of the target. It is formed into a magnetron-shaped flat structure with permanent magnets arranged so as to Each spatter source 21, 22, . . . 28 is connected to each work roll 1.
3, 14, 15, and 16, with a vertical line below the horizontal line passing through the axial center line of each work roll and passing through the above-mentioned axial center line as a reference, and this vertical line and the axial center line of the targt The opening angle θ between them is in the range of 30 to 60 degrees, and the opening angles θ are in the range of 30 to 60 degrees. In this embodiment, the targets of the sputter sources 21, 22, 25, 26 are made of permalloy, and the targets of the sputter sources 23, 24, 26 are made of permalloy.
Targets 27 and 28 are made of Co-Cr alloy. And each spatter source 21, 22,...
...28 targets and anodes are each independently connected to the output end of a DC power source (not shown) via lead wires (not shown) that are provided hermetically through the lid 3a.

一方、前記供給リール12とワークロール13
との間、ワークロール13,14間、ワークロー
ル14,15間、ワークロール15,16間およ
びワークロール16と巻取リール17との間に
は、これらの間を進行するフイルム状基体Pの張
力を検出する張力検出器31,32,……35が
設置されている。これら張力検出器31,32,
……は、たとえば張力を機械的な変位に変換し、
この変位量を電気信号として出力するように構成
されている。また、ワークロール13および16
の図中左方には、正転、逆転操作に連動して各ワ
ークロールに選択的に押圧接触するピンチローラ
37,38が設けられている。
On the other hand, the supply reel 12 and the work roll 13
, between the work rolls 13 and 14, between the work rolls 14 and 15, between the work rolls 15 and 16, and between the work roll 16 and the take-up reel 17. Tension detectors 31, 32, . . . , 35 are installed to detect tension. These tension detectors 31, 32,
...converts tension into mechanical displacement, for example,
It is configured to output this amount of displacement as an electrical signal. In addition, work rolls 13 and 16
Pinch rollers 37 and 38 are provided on the left side of the figure to selectively press and contact each work roll in conjunction with forward and reverse rotation operations.

しかして、前記各モータ12a,13a,14
a,……17aは、第2図に示すようにサーボ制
御回路41,42,……46によつて独立的に駆
動される。この回路41,42,……46は、入
力信号として導入された設定速度信号とモータに
直結された直流発電機48で得られた現実の速度
信号との偏差が常に零となるようにモータの速度
を制御するように構成されている。そして、上記
各サーボ制御回路41,42,……46の入力端
には、速度設定器51、正転逆転切換器52およ
び速度補正器53,54,55,56,57を介
して設定速度信号が導入される。
Therefore, each of the motors 12a, 13a, 14
a, . . . 17a are independently driven by servo control circuits 41, 42, . These circuits 41, 42, . Configured to control speed. A set speed signal is supplied to the input terminal of each of the servo control circuits 41, 42, . will be introduced.

上記速度補正器53,54,55,56,57
は、それぞれ張力設定器61で与えられた張力信
号Z0と各張力検出器で得られた張力信号Z1との偏
差を求める回路62と、この回路62で求められ
た偏差信号で前記速度設定器51から与えられた
設定速度信号を補正する回路63とで構成されて
いる。すなわち、Z0に対してZ1が小さいときに
は、両者の差に対応した分だけ設定速度信号を増
加させ、また、逆の場合には設定速度信号を減少
させるようにしている。
The speed compensator 53, 54, 55, 56, 57
A circuit 62 calculates the deviation between the tension signal Z 0 given by the tension setting device 61 and the tension signal Z 1 obtained by each tension detector, and the speed setting is performed using the deviation signal obtained by this circuit 62. and a circuit 63 for correcting the set speed signal given from the device 51. That is, when Z 1 is smaller than Z 0 , the set speed signal is increased by an amount corresponding to the difference between the two, and in the opposite case, the set speed signal is decreased.

また、回路63は正転逆転切換器52に応動し
て、増減信号分の極性を切換えるようにしてい
る。しかして、この実施例の場合には、供給リー
ル12、各ワークロール13,14,15,16
および巻取リール17を第1図中実線矢印で示す
ように回転駆動させてフイルム状基体Pを走行さ
せている状態を正転とし、この正転状態において
は、モータ12aを制御するサーボ制御回路41
に信号源64から低速度設定信号に対応する信号
を直接導入し、また、モータ13aを制御するサ
ーボ制御回路42に正転逆転切換器52を通つた
設定速度信号を直接導入し、さらにモータ14
a,15a,16a,17aを制御するサーボ制
御回路43,44,45,46に、上記モータに
よつて駆動されるワークロールおよび巻取リール
の位置の直前に位置する張力検出器の出力が導入
される速度補正器を通つた信号を設定速度信号と
して導入するようにしている。そして、逆転状態
においては、これらの関係を切換えるようにして
いる。したがつて、第2図に示すように、正転逆
転切換器52の切換操作に連動して切換わるスイ
ツチ66が設けてあり、この第2図は正転状態を
示している。そして、図中68は逆転状態時にサ
ーボ制御回路46に低速度信号を与える信号源を
示している。また、第1図中70,71はスパツ
タ源を保持するホルダを示し、また、72は仕切
板を示し、73はスパツタリングによつて薄膜が
形成される領域を規制するマスクを示している。
また、ピンチローラ37は正転逆転切換器52の
切換操作に応動して正転のときだけワークロール
13に押圧接触するように制御され、また、ピン
チローラ38は逆転のときだけワークロール16
に押圧接触するように制御される。
Further, the circuit 63 switches the polarity of the increase/decrease signal in response to the forward/reverse rotation switch 52. In this embodiment, the supply reel 12, each work roll 13, 14, 15, 16
The state in which the take-up reel 17 is rotated as shown by the solid line arrow in FIG. 41
A signal corresponding to the low speed setting signal is directly introduced from the signal source 64 to
The output of a tension detector located immediately before the position of the work roll and take-up reel driven by the motor is introduced into servo control circuits 43, 44, 45, and 46 that control the motors a, 15a, 16a, and 17a. The signal passed through the speed corrector is introduced as the set speed signal. In a reversed state, these relationships are switched. Therefore, as shown in FIG. 2, a switch 66 is provided which is switched in conjunction with the switching operation of the forward/reverse rotation switch 52, and FIG. 2 shows the forward rotation state. Reference numeral 68 in the figure indicates a signal source that provides a low speed signal to the servo control circuit 46 during the reverse rotation state. Further, in FIG. 1, reference numerals 70 and 71 indicate holders for holding sputtering sources, 72 indicates a partition plate, and 73 indicates a mask for regulating the area in which a thin film is formed by sputtering.
In addition, the pinch roller 37 is controlled to press and contact the work roll 13 only during normal rotation in response to the switching operation of the forward/reverse rotation switch 52, and the pinch roller 38 is controlled to contact the work roll 13 only during reverse rotation.
It is controlled so that it comes into pressure contact with.

次に上記のように構成された装置を使つてフイ
ルム状基体Pの両面にパーマロイ層およびCo−
Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜を形成す
る場合の使用例を説明する。
Next, using the apparatus configured as described above, a permalloy layer and a Co-layer are coated on both sides of the film-like substrate P.
An example of use in forming a sputtered thin film with a two-layer structure consisting of a Cr layer will be explained.

まず、真空容器1の蓋体3bを開け、フイルム
状基体Pの巻回された巻取リールを第1図に示す
ようにセツトし、次に、上記巻取リール17に巻
回されているフイルム状基体Pを所定の長さ巻戻
し、これを第1図に示すように各フリーロール1
8、張力検出器35,34,33,32,31お
よび各ワークロール16,15,14,13に沿
わせた後、その遊端を供給リール12に巻き付
け、所定の張力が加わるように調整し、蓋体3b
を閉じる。次に排気系を作動させて真空容器1内
を十分低圧に排気する。次に、各ワークロール1
3,14,15,16の二重筒状に形成された駆
動軸を介して高温液体を各ワークロール13,1
4,15,16内に通流し、これによつて、各ワ
ークロール13,14,15,16の表面温度を
定められた一定の高温度に保持する。次に、正転
逆転切換器52を逆転側に切換える。この切換え
によつて、各スイツチ66は第2図に示す状態と
は逆の関係に切換わる。また、ピンチローラ38
がフイルム状基体Pを介してワークロール16に
圧接する。次に、張力設定器61から所定の張力
信号Z0を出力させるとともに速度設定器51から
所定の設定速度信号を出力させる。この状態で、
各サーボ制御回路41,42,……46に始動指
令Sを与える。
First, the lid 3b of the vacuum container 1 is opened, and the take-up reel on which the film-like substrate P is wound is set as shown in FIG. The shaped substrate P is rewound to a predetermined length, and this is rolled back onto each free roll 1 as shown in FIG.
8. After aligning the tension detectors 35, 34, 33, 32, 31 and each work roll 16, 15, 14, 13, wrap the free end around the supply reel 12 and adjust so that a predetermined tension is applied. , lid body 3b
Close. Next, the exhaust system is activated to exhaust the inside of the vacuum container 1 to a sufficiently low pressure. Next, each work roll 1
The high-temperature liquid is delivered to each work roll 13, 1 through drive shafts formed in double cylindrical shapes of 3, 14, 15, and 16.
4, 15, 16, thereby maintaining the surface temperature of each work roll 13, 14, 15, 16 at a predetermined constant high temperature. Next, the forward/reverse rotation switch 52 is switched to the reverse direction. By this switching, each switch 66 is switched to a state opposite to that shown in FIG. In addition, the pinch roller 38
is pressed against the work roll 16 via the film-like base P. Next, the tension setting device 61 outputs a predetermined tension signal Z 0 and the speed setting device 51 outputs a predetermined set speed signal. In this state,
A starting command S is given to each servo control circuit 41, 42, . . . 46.

このように始動指令Sが与えられると、各サー
ボ制御回路41,42,43,……46が作動
し、モータ12a,13a,14a,……17a
が一斉に回転を開始する。すなわち、モータ17
aは、信号源68の出力信号によつて決まる値に
低速回転し、また、モータ16aは速度設定器5
2の設定速度信号に対応した速度で回転し、さら
にモータ15a,14a,13a,12aは速度
設定器52の設定速度信号を速度補正器556,
55,54,53で補正した信号に対応した速度
で回転する。このため、巻取リール17、ワーク
ロール16,15,14,13および供給リール
12が第1図に実線矢印で示す方向とは反対方向
に回転し、これによつて、フイルム状基体Pは、
巻取リール17から供給リール12に徐々に巻取
られる。この場合、各ワークロール13,14,
15,16は、前述の如く、高温液体によつて高
温に保持されているので、これに接触するフイル
ム状基体Pも加熱され、この結果、フイルム状基
体Pに付着している不純ガスが放出される。すな
わち、上述した動作によつてフイルム状基体Pの
前処理が実行される。なお、巻取リール17を低
速で回転させるのは、慣性によつて巻取リール1
7が回り過ぎるのを防止するためであり、したが
つて、信号源68,64としては巻厚の減少に伴
なつて出力信号が徐々に増加するものが望まし
い。しかして、上記のように前処理を行ない、巻
厚表示器の指示値からフイルム状基体Pの終端が
巻取リール17を離れる直前に至つた時点で各サ
ーボ制御回路41,42,……46への始動指令
Sの供給を停止し、これによつて巻取リール1
7、各ワークロール16,15,14,13およ
び供給リール12の回転を停止させて前処理工程
を終了する。この前処理工程によつてフイルム状
基体Pに付着しているガスのほとんどは排気系に
移行して除去される。
When the starting command S is given in this way, each servo control circuit 41, 42, 43, . . . 46 operates, and the motors 12a, 13a, 14a, .
start rotating all at once. That is, the motor 17
a rotates at a low speed determined by the output signal of the signal source 68, and the motor 16a rotates at a low speed determined by the output signal of the signal source 68.
The motors 15a, 14a, 13a, 12a rotate at a speed corresponding to the set speed signal of the speed setter 52,
It rotates at a speed corresponding to the signals corrected in steps 55, 54, and 53. Therefore, the take-up reel 17, the work rolls 16, 15, 14, 13, and the supply reel 12 rotate in the direction opposite to the direction indicated by the solid arrow in FIG.
It is gradually wound onto the supply reel 12 from the take-up reel 17. In this case, each work roll 13, 14,
As mentioned above, since 15 and 16 are kept at a high temperature by the high-temperature liquid, the film-like base P in contact with them is also heated, and as a result, the impurity gas adhering to the film-like base P is released. be done. That is, the film-like substrate P is pretreated by the above-described operation. Note that the reason why the take-up reel 17 is rotated at a low speed is due to inertia.
This is to prevent the windings 7 from rotating too much. Therefore, it is desirable that the signal sources 68 and 64 have output signals that gradually increase as the winding thickness decreases. After performing the pre-processing as described above, each servo control circuit 41, 42, . The supply of the start command S to the take-up reel 1 is thereby stopped.
7. Stop the rotation of each work roll 16, 15, 14, 13 and supply reel 12 to complete the pretreatment process. By this pretreatment step, most of the gas adhering to the film-like substrate P is transferred to the exhaust system and removed.

次に、各ワークロール13,14,15,16
内への高温液体の通流を停止させ、続いて各ワー
クロール13,14,15,16内へ、たとえば
−15℃の低温液体を通流させる。この低温液体の
通流によつて各ワークロール13,14,15,
16の表面は十分低温に冷却される。
Next, each work roll 13, 14, 15, 16
The flow of high temperature liquid into the work rolls 13, 14, 15, 16 is then stopped, and then a low temperature liquid of, for example, -15°C is caused to flow into each work roll 13, 14, 15, 16. Each work roll 13, 14, 15,
The surface of 16 is cooled to a sufficiently low temperature.

次に、正転逆転切換器52を操作して正転側に
切換える。この切換えによつて各スイツチ66は
第2図の状態に切換わる。また、速度設定器51
および張力設定器61の出力をそれぞれ所望の値
に設定する。
Next, the forward/reverse rotation switch 52 is operated to switch to the forward rotation side. This switching causes each switch 66 to switch to the state shown in FIG. 2. In addition, the speed setting device 51
and the output of the tension setting device 61 are set to desired values.

この状態で各サーボ制御器41,42,……4
6に始動指令Sを与える。この結果、供給リール
12、ワークロール13,14,15,16およ
び巻取リール17が第1図中実線矢印で示す方向
に回転を開始し、フイルム状基体Pは、供給リー
ルから巻取リール17側へと移行を開始する。次
に、ガス導入口5からたとえばArガスを連続的
に導入するとともに、この状態で真空容器内が、
たとえば3〜7×10-4Torrの圧力となるように
排気系およびArガス供給系を調整し、続いて各
スパツタ源21,22……28の陽極とターゲツ
トとの間に数百ボルトの直流電圧を印加する。こ
の印加によつて陽極とターゲツトとの間にグロー
放電が生じ、これによつて、よく知られている原
理に基づき、ターゲツトを構成している金属微粒
子がたたき出される。このたたき出された金属微
粒子の一部は、ターゲツトの前面をワークロール
の外周面に沿つて進行するフイルム状基体Pの表
面に付着する。前述の如く、スパツタ源21,2
2のターゲツトはパーマロイで形成されており、
また、スパツタ源23,24のターゲツトはCo
−Cr合金で形成されている。したがつて、フイ
ルム状基体Pが下段に位置するワークロール1
3,14の外周面に沿つて通過する間に、このフ
イルム状基体Pの一方の表面にパーマロイ層およ
びCo−Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜層
が形成されることになる。そして、フイルム状基
体Pが上段に位置するワークロール15,16の
外周面に沿つて進行するときには、すでにスパツ
タ薄膜層が形成されている面がワークロール1
5,16の外周面に接触する関係に案内される。
したがつて、この区間内を通過するときにはフイ
ルム状基体Pの他方の表面にパーマロイ層および
Co−Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜層が
形成されることになり、結局巻取リール17には
フイルム状基体Pの両面に二層構造のスパツタ薄
膜の形成されたものが巻取られることになる。そ
して、上記のようにスパツタリングが行なわれる
と、このスパツタリングによつてフイルム状基体
Pが加熱されようとするが、この熱は各ワークロ
ール13,14,15,16を介して各ワークロ
ール内を通流している低温液体に伝達される。し
たがつて、フイルム状基体Pが熱的な損傷を受け
るようなことはない。また、上記熱によつて万
一、フイルム状基体Pに伸びが生じた場合には、
次のように動作する。すなわち、上記のようにフ
イルム状基体Pが伸びると、この伸びは、各ワー
クロール間を進行する基体に加わる張力の低下と
なつて表われる。たとえば今、ワークロール14
と15との間を進行する基体の張力が低下する
と、この低下は張力検出器33によつて検出され
る。このように、張力検出器33の出力が低下す
ると、第2図に示す速度補正器55の回路62の
出力が増加し、この結果、回路63の出力も増加
する。したがつて、サーボ制御器44の入力が増
加するのでモータ15aの回転速度が増加し、こ
れに伴なつてワークロール15の回転速度が増加
する。したがつて、張力が低下した分だけワーク
ロール15の巻込みが早められるので、再び張力
が増加することになり、結局、ワークロール15
の回転速度と、このワークロール15の外周面に
沿つて進行するフイルム状基体Pの進行速度との
相対速度差がほぼ零となるようにワークロール1
5の回転速度が制御される。このような制御は、
他のワークロール14,16および巻取リール1
7についても同様に行なわれる。したがつて、フ
イルム状基体Pは、各ワークロール14,15,
16との間のスリツプが常に非常に小さい状態で
進行することになる。このため、特に、ワークロ
ール15,16の外周面に沿つて進行するとき、
すでに形成されているスパツタ薄膜にすり傷等が
つく虞れがない。また、スリツプ増加したときに
起こり易い冷却性能の低下も発生しない。
In this state, each servo controller 41, 42,...4
A starting command S is given to 6. As a result, the supply reel 12, work rolls 13, 14, 15, 16, and take-up reel 17 start rotating in the direction shown by the solid line arrow in FIG. Start moving to the side. Next, for example, Ar gas is continuously introduced from the gas inlet 5, and in this state, the inside of the vacuum container is
For example, the exhaust system and Ar gas supply system are adjusted to a pressure of 3 to 7 x 10 -4 Torr, and then several hundred volts of direct current is applied between the anodes of each sputter source 21, 22...28 and the target. Apply voltage. This application produces a glow discharge between the anode and the target, which, based on well-known principles, knocks out the fine metal particles constituting the target. A part of the metal fine particles that have been knocked out adhere to the surface of the film-like substrate P that travels along the outer peripheral surface of the work roll on the front surface of the target. As mentioned above, the spatter sources 21, 2
The second target is made of permalloy,
Further, the targets of the spatter sources 23 and 24 are Co
-Made of Cr alloy. Therefore, the work roll 1 in which the film-like substrate P is located at the lower stage
3 and 14, a two-layer sputtered thin film layer consisting of a permalloy layer and a Co--Cr layer is formed on one surface of the film-like substrate P. When the film-like substrate P moves along the outer circumferential surface of the work rolls 15 and 16 located at the upper stage, the surface on which the sputter thin film layer has already been formed is the work roll 1.
5 and 16 in contact with the outer peripheral surfaces thereof.
Therefore, when passing through this section, a permalloy layer and a permalloy layer are formed on the other surface of the film-like substrate P.
A sputter thin film layer with a two-layer structure consisting of a Co-Cr layer is formed, and eventually a film-like substrate P with a two-layer structure sputter thin film formed on both sides is wound onto the take-up reel 17. It turns out. Then, when sputtering is performed as described above, the film-like substrate P tends to be heated by this sputtering, but this heat flows through each work roll 13, 14, 15, and 16. transferred to the flowing cryogenic liquid. Therefore, the film-like substrate P will not be thermally damaged. In addition, in the event that the film-like substrate P is stretched due to the above-mentioned heat,
It works like this: That is, when the film-like substrate P stretches as described above, this elongation appears as a decrease in the tension applied to the substrate as it moves between the work rolls. For example, right now, work role 14
When the tension of the substrate traveling between and 15 decreases, this decrease is detected by the tension detector 33. In this way, when the output of the tension detector 33 decreases, the output of the circuit 62 of the speed corrector 55 shown in FIG. 2 increases, and as a result, the output of the circuit 63 also increases. Therefore, since the input to the servo controller 44 increases, the rotational speed of the motor 15a increases, and accordingly, the rotational speed of the work roll 15 increases. Therefore, the winding of the work roll 15 is accelerated by the amount that the tension has decreased, so the tension increases again, and as a result, the work roll 15
The work roll 1 is rotated so that the relative speed difference between the rotational speed of the work roll 15 and the traveling speed of the film-like substrate P traveling along the outer peripheral surface of the work roll 15 becomes almost zero.
5 rotational speed is controlled. Such control is
Other work rolls 14, 16 and take-up reel 1
7 is similarly performed. Therefore, the film-like substrate P is attached to each work roll 14, 15,
16 will always proceed in a very small state. For this reason, especially when traveling along the outer peripheral surfaces of the work rolls 15 and 16,
There is no risk of scratches or the like on the spatter thin film that has already been formed. Further, the cooling performance does not deteriorate, which tends to occur when slip increases.

そして、この場合には、特に、スパツタリング
時に、フイルム状基体Pを下段側から上段側へと
下から上へ折り返す経路で案内させているので、
各要素を円に近い配置で設置できる。したがつて
全体の小型化を図れるばかりか排気系の小型化も
図れる。また、上下段間に位置する中継用のフリ
ーロール18は、スパツタ薄膜に接触することが
ない。したがつて、中継用のフリーロールによつ
て、すでに形成されているスパツタ薄膜が傷つけ
られることはない。また、スパツタ源21,2
2,23,……28を、これらが対面する基体面
より斜下方に位置させているのでスパツタ源から
でた不純物が基本側へ落下するようなことがない
しスパツタ源に異物が付着するようなこともな
い。したがつて、品質の高いスパツタ薄膜を両面
に亘つて形成することができる。また、スパツタ
源を上記関係に配置しているので上述した利点を
損わずに実施例に示されるように1つのワークロ
ールに対して2個あるいはそれ以上のスパツタ源
を対向させることができ、これによつてスパツタ
速度の大幅な向上化を図れ、結局、前述した効果
が得られることになる。
In this case, especially during sputtering, the film-like substrate P is guided along a path that folds back from the bottom to the top from the lower side to the upper side.
Each element can be placed in a nearly circular arrangement. Therefore, not only the overall size can be reduced, but also the exhaust system can be made smaller. Further, the relay free roll 18 located between the upper and lower stages does not come into contact with the sputtered thin film. Therefore, the sputtered thin film that has already been formed will not be damaged by the relay free roll. In addition, the spatter sources 21, 2
2, 23, . . . 28 are located obliquely below the base surface where they face each other, so impurities from the spatter source will not fall onto the base side, and foreign matter will not adhere to the spatter source. Not at all. Therefore, a high quality sputtered thin film can be formed on both sides. In addition, since the spatter sources are arranged in the above relationship, two or more spatter sources can be opposed to one work roll as shown in the embodiment without detracting from the above-mentioned advantages. As a result, the sputtering speed can be greatly improved, and the above-mentioned effects can be obtained.

なお、上述した実施例では、いわゆる張力制御
装置を複数の張力検出器と、これら検出器の出力
に基いて各ワークロール駆動モータの設定速度を
補正する複数の速度補正器とで構成しているが、
これに限られるものではない。すなわち、各ワー
クロールを駆動するモータの電流を検出器で検出
し、これら検出器の出力に応じて各モータの速度
補正を行なうようにしてもよい。また、フイルム
状基体の伸び量が予め判明しているときには、各
モータの設定速度に予め差を設けるようにしても
よい。また、各ワークロール間に、これらの間を
進行するフイルム状基体の一定荷重を加える重り
式荷重器を設けるようにしてもよい。さらに、前
処理時に、各ワークロールとたとえば真空容器と
の間に電圧を印加して各ワークロール付近にプラ
ズマを発生させ、このプラズマによつてフイルム
状基体の表面を活性化させ、これによつて脱ガス
と付着性の向上化とを図るようにしてもよい。こ
の場合、スパツタ源とフイルム状基体との間にシ
ヤツタを設け、スパツタ源に不純物が付着するの
を防止するようにしてもよい。また、上述した実
施例は二層構造のスパツタ薄膜形成用のものに本
発明を適用した例であるが、一層構造形成用のも
のにも適用できることは勿論である。また、各マ
スクを冷却する手段を設けてもよい。
In the embodiment described above, the so-called tension control device is composed of a plurality of tension detectors and a plurality of speed compensators that correct the set speed of each work roll drive motor based on the outputs of these detectors. but,
It is not limited to this. That is, the current of the motor that drives each work roll may be detected by a detector, and the speed of each motor may be corrected according to the output of these detectors. Further, when the amount of elongation of the film-like substrate is known in advance, a difference may be set in advance in the set speeds of the respective motors. Further, a weight-type loader may be provided between each work roll to apply a constant load to the film-like substrate moving between the work rolls. Furthermore, during pretreatment, a voltage is applied between each work roll and, for example, a vacuum vessel to generate plasma near each work roll, and this plasma activates the surface of the film-like substrate. This may be used to degas and improve adhesion. In this case, a shutter may be provided between the spatter source and the film-like substrate to prevent impurities from adhering to the spatter source. Further, although the above-mentioned embodiment is an example in which the present invention is applied to a sputter thin film forming device having a two-layer structure, it is of course applicable to a device forming a single-layer structure. Additionally, means for cooling each mask may be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係るスパツタリン
グ装置における要部の模式的縦断面図、第2図は
同装置の制御回路図である。 1……真空容器、12……供給リール、17…
…巻取リール、13,14,15,16……ワー
クロール、18……フリーロール、21,22,
23,24,25,26,27,28……スパツ
タ源、31,32,33,34,35……張力検
出器、53,54,55,56,57……速度補
正器、P……フイルム状基体。
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of the main parts of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a control circuit diagram of the apparatus. 1... Vacuum container, 12... Supply reel, 17...
...Take-up reel, 13, 14, 15, 16... Work roll, 18... Free roll, 21, 22,
23, 24, 25, 26, 27, 28... Spatter source, 31, 32, 33, 34, 35... Tension detector, 53, 54, 55, 56, 57... Speed compensator, P... Film shaped substrate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 供給リールから巻戻されたフイルム状基体を
複数のワークロールの外周面に順次沿わせて移送
させた後に巻取リールで巻取るとともに上記フイ
ルム状基体が上記供給リールから上記巻取リール
に至るまでの間に上記各ワークロールの外周面に
それぞれ対向させて設けられたスパツタ源で上記
フイルム状基体の両面にスパツタ薄膜を形成する
ようにしたスパツタリング装置において、上記フ
イルム状基体の一方の表面へのスパツタ薄膜形成
工程に関与するワークロールを下段に、他方の表
面へのスパツタ薄膜形成工程に関与するワークロ
ールを上段にそれぞれ軸心線を平行させて2段構
成に配置するとともに、上記各ワークロールの外
周面に対向する各スパツタ源を対応するワークロ
ールの軸心線を通つて描かれる水平線より下側に
それぞれ配置し、さらに、スパツタリング実行時
に上記フイルム状基体を下段に位置するワークロ
ールの外周面を経由させた後に上段に位置するワ
ークロールの外周面を経由させて進行させる下側
から上側へ折り返す経路で案内する機構を設けて
なることを特徴とするスパツタリング装置。 2 前記各ワークロールの外周面に対向する各ス
パツタ源を、対応するワークロールの軸心線を通
つて描かれる垂直線に対して傾斜させてそれぞれ
配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のスパツタリング装置。
[Scope of Claims] 1. The film-like substrate unwound from the supply reel is sequentially transferred along the outer peripheral surfaces of a plurality of work rolls, and then wound up with a take-up reel, and the film-like substrate is unwound from the supply reel. In the sputtering device, a sputtering thin film is formed on both sides of the film-like substrate by a sputter source provided opposite to the outer circumferential surface of each of the work rolls before reaching the take-up reel. The work rolls involved in the step of forming a sputter thin film on one surface of the substrate are arranged in a lower row, and the work rolls involved in the step of forming a spatter thin film on the other surface of the substrate are arranged in a two-tier configuration with their axes parallel to each other. At the same time, each sputtering source facing the outer circumferential surface of each of the work rolls is arranged below a horizontal line drawn through the axis of the corresponding work roll, and furthermore, when performing sputtering, the film-like substrate is placed on the lower stage. A sputtering device is provided with a mechanism that guides the sputtering in a folded path from the lower side to the upper side, passing through the outer circumferential surface of the work roll located at the top, and then passing through the outer circumferential surface of the work roll located at the upper stage. . 2. Each of the spatter sources facing the outer circumferential surface of each of the work rolls is arranged at an angle with respect to a vertical line drawn through the axis of the corresponding work roll. The sputtering device according to item 1.
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