JPS6157908B2

JPS6157908B2 -

Info

Publication number: JPS6157908B2
Application number: JP57119551A
Authority: JP
Inventors: Tomoshiro Shioda; Reiji Nishikawa
Original assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date: 1982-07-09
Filing date: 1982-07-09
Publication date: 1986-12-09
Also published as: JPS5913072A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、フイルム状基体の両面に機能薄膜と
してのスパツタ薄膜を連続的に形成するスパツタ
リング装置に関する。

〔発明の背景技術およびその問題点〕

近年、記録媒体層がスパツタ薄膜によつて形成
された磁気記録媒体が出現している。スパツタ薄
膜は、通常、低圧の不活性ガス中でグロー放電を
行なわせ、この放電によつて生じた陽イオンをタ
ーゲツトに衝突させ、この衝突によつてターゲツ
トからたたき出された金属微粒子を所定の支持基
体の表面に付着させることによつて形成される。
したがつて、ターゲツトとして磁気記録性に富ん
だ材料を選択すれば、良好な記録媒体層を形成す
ることができる。

ところで、最近では、フイルム状基体の両面に
スパツタ薄膜で形成された記録媒体層を有する磁
気記録媒体の出現が望まれ、この磁気記録媒体を
製造し得るスパツタリング装置の提案も幾つかな
されている。

スパツタリングによつて形成された磁気記録媒
体層の磁気的特性の均一性は、スパツタリング時
における不活性ガス圧力、基体とターゲツトとの
間の距離、スパツタ速度、基体温度等によつて左
右され、このうち、基体とターゲツトの間の距離
および基体温度を一定に保つことは重要である。
このような点を考慮に入れると、フイルム状基体
の両面にスパツタ薄膜を連続的に形成するにはワ
ークロールによつてフイルム状基体を保持させる
方式が何かと有利である。すなわち、内部を通流
する冷媒によつて冷却され、かつ回転駆動される
ワークロールの外周面に沿わせてフイルム状基体
を移送させるとともに上記フイルム状基体の上記
ワークロールの外周面に接触している部分の表面
にスパツタ薄膜を連続的に形成するようにする。
このようにすると、フイルム状基体がワークロー
ルに接触している時間を長くでき、これによつて
基体を良好に冷却できるとともにワークロールに
よつて基体とターゲツトとの間の距離を常に一定
に保つことができる。このように、フイルム状基
体をワークロールの外周面に沿わせながらスパツ
タリングを行ない、かつフイルム状基体の両面に
スパツタ薄膜を形成する場合には、両面に同時に
スパツタ薄膜を形成することができず、どちらか
一方の表面に、まず、スパツタ薄膜を形成し、次
に時間的にずらして他方の表面にスパツタ薄膜を
形成する順序を採用せざるを得ない。この場合、
他方の表面にスパツタ薄膜を形成するときには、
すでに一方の表面にスパツタ薄膜が形成されてい
るので、他方の表面にスパツタ薄膜を形成する工
程に移行させる間にすでに形成されているスパツ
タ薄膜に傷などがつき易い虞れがある。また、一
般にスパツタ源を付勢すると、スパツタ源から不
純物が放出され、この不純物が基体の表面に付着
する虞れがある。さらには、基体に付着した蒸着
物がスパツタ源上に落下してスパツタリング条件
を乱す虞れもある。また、両面にスパツタ薄膜を
形成する場合、一方の面だけに形成する場合に較
べて装置全体が大型化するが、排気系等の面から
できるだけ小型化することが望まれる。また、ス
パツタ速度の向上化も当然要求される。

〔発明の目的〕

本発明は、上述した要望を満たすことができ、
もつて、フイルム状基体の両面に良質のスパツタ
薄膜を連続的にかつ高速度に形成することがで
き、しかも装置全体の小型化も図れるスパツタリ
ング装置を提供することを目的としている。

〔発明の概要〕本発明に係るスパツタリング装置は、フイルム
状基体の一方の表面へのスパツタ薄膜形成工程に
関与するワークロールを下段に、他方の表面への
スパツタ薄膜形成工程に関与するワークロールを
上段にそれぞれの軸心線を平行させて２段構成に
配置するとともに上記各ワークの外周面に対向す
る各スパツタ源を対応するワークロールの軸心線
を通つて描かれる水平線より下側にそれぞれ配置
し、さらに、スパツタリング実行時に上記フイル
ム状基体を下段に位置するワークロールの外周面
を経由させた後に上段に位置するワークロールの
外周面を経由させて進行させる下側から上側へ折
り返す経路で案内する機構を設けたことを特徴と
している。

〔発明の効果〕

上記構成であると、各ワークロール、供給およ
び巻取リールを円に近い配置に設置できるので装
置全体を小型化でき、排気系を小型化できる。

また、上記構成であると、フイルム状基体は、
まず下段側において、その下面にスパツタ薄膜が
形成され、次に上記スパツタ薄膜が上面となるよ
うに折り返されて上段のワークロールに沿つて進
行し、この上段においてその下面にスパツタ薄膜
が形成され、結局、両面にスパツタ薄膜が形成さ
れる。そして、下段から上段に移行させるときに
フリーロール等の中継ロールを経由させる必要が
あるが、この中継ロールの位置は、必然的にスパ
ツタ薄膜が形成されていない面側となる。したが
つて、中継ロールによつてすでに形成されている
スパツタ薄膜が傷つけられるのを最少限に抑える
ことができ、それだけ品質の高いものを製造でき
る。また、各スパツタ源を対応するワークロール
の軸心線を通つて描かれる垂直線に対して傾斜さ
せて配置するようにすれば、スパツタ源が基体の
対向面より斜下方に位置していることになるの
で、上記スパツタ源より放出された不純物が基本
側に付着するのを防止できるとともにスパツタ源
に各種異物が付着するのを防止でき、この点から
も良質のスパツタ薄膜を形成させることができ
る。また、ワークロールの軸心線を通つて描かれ
る垂直線に対してスパツタ源を傾斜させて設ける
ようにすれば、上述した利点を損わずに１つのワ
ークロールに対して２個以上のスパツタ源を対向
設置することができる。したがつて、スパツタ速
度の高速化を実現することができる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。なお、この実施例は、高分子フイルム
の両面に磁気記録媒体層を形成する装置に本発明
を適用した例である。

第１図において、図中１は、たとえば金属材製
の真空容器であり、この真空容器１は、軸心線が
重力方向に対して直交するように配置された円筒
部２と、この円筒部２の両端開口部を気密に蓋す
る蓋体３ａ，３ｂ（但し３ｂは図示せず。）とで
構成されている。そして、円筒部２には図示しな
い排気系に通じる排気口４と同じく図示しない不
活性ガス供給系に通じるガス導入口５とが形成さ
れている。なお、前記蓋体３ｂは選択的に開閉で
きる構造に形成されている。

しかして、真空容器１内には、この真空容器１
内において、フイルム状基体Ｐを前記円筒部２の
軸心線に対して直交する進路で、かつ下から上へ
とコ字状の経路で案内走行させる案内機構１１が
設けられている。この案内機構１１は、真空容器
１内の上下２分割仮想線より下方に図中左方から
右方に亘つて配置された供給リール１２およびワ
ークロール１３，１４と、上下２分割仮想線より
上方に図中右方から左方に亘つて配置されたワー
クロール１５，１６および巻取リール１７と、こ
れらの間にそれぞれ配置されたフリーロール１８
とで構成されている。これらフリーロール１８、
ワークロール１３，１４，１５，１６、供給リー
ル１２および巻取リール１７は、それぞれ、その
軸心線が前記円筒部２の軸心線と平行するように
配置されている。そして、供給リール１２から巻
戻されたフイルム状基体Ｐは、ワークロール１
３，１４，１５，１６の順に各ワークロールの外
周面に沿い、かつ各ワークロール毎にその最下面
位置において折り返す関係に案内され、最終的に
巻取リール１７に巻取られるように案内される。

上記供給リール１２および巻取リール１７に
は、それぞれ駆動軸（図示せず）が連結されてお
り、これら駆動軸は、蓋体３ａを上記蓋体３ａと
の間が絶縁された状態で気密にかつ回転自在に貫
通して、第２図にそれぞれａを付して示す直流分
巻形のモータ１２ａ，１７ａの回転軸に連結され
ている。また、前記ワークロール１３，１４，１
５，１６は、それぞれ二重筒状に形成されてお
り、これらワークロール１３，１４，１５，１６
には、それぞれ二重筒状に形成された駆動軸が対
応する空間どうしを連通させた状態に連結されて
いる。そして、二重筒状に形成された各駆動軸
は、蓋体３ａを上記蓋体３ａとの間が絶縁された
状態で気密にかつ回転自在に貫通して第２図にそ
れぞれａを付して示す直流分巻形のモータ１３
ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａの回転軸に連結され
ている。なお、二重筒状に形成された上記各駆動
軸の真空容器１外に位置する部分には、それぞ
れ、上記駆動軸の中央部に存在する空間を通して
ワークロールの中央部に存在する空間に熱媒体を
送り込み、この熱媒体をワークロール内の外側空
間および駆動軸内の外側空間を介して外部へ排出
させるロータリジヨイント機構が設けてあり、こ
れらロータリジヨイント機構はそれぞれ高温液体
源および低温液体源に選択的に接続されるように
なつている。

しかして前記真空容器１内には、各ワークロー
ル１３，１４，１５，１６の外周面に２個づつ対
向する関係に合計８個のスパツタ源２１，２２，
……２８が配置されている。これらスパツタ源２
１，２２，……２８はそれぞれ円板状に形成され
たターゲツトの外側にこれと同心円状にリング状
の陽極を上記ターゲツトとは絶縁させて配置する
とともにターゲツトの背面に一方の磁極面が接触
するように永久磁石を配置したマグネトロン形の
平板状構造に形成されている。そして、各スパツ
タ源２１，２２，……２８は、各ワークロール１
３，１４，１５，１６の外周面に対し、各ワーク
ロールの軸心線を通る水平線より下方で、かつ上
記軸心線を通る垂直線を基準にし、この垂直線と
ターグツトの軸心線との間の開き角θが30〜60度
の範囲で斜下方から対面する関係にそれぞれ設け
られている。なお、この実施例の場合、スパツタ
源２１，２２，２５，２６のターゲツトはパーマ
ロイで形成されており、スパツタ源２３，２４，
２７，２８のターゲツトはCo−Cr合金で形成さ
れている。そして、各スパツタ源２１，２２，…
…２８のターゲツトと陽極とは蓋体３ａを気密に
貫通して設けられた図示しないリード線を介して
それぞれ独立的に図示しない直流電源の出力端に
接続されている。

一方、前記供給リール１２とワークロール１３
との間、ワークロール１３，１４間、ワークロー
ル１４，１５間、ワークロール１５，１６間およ
びワークロール１６と巻取リール１７との間に
は、これらの間を進行するフイルム状基体Ｐの張
力を検出する張力検出器３１，３２，……３５が
設置されている。これら張力検出器３１，３２，
……は、たとえば張力を機械的な変位に変換し、
この変位量を電気信号として出力するように構成
されている。また、ワークロール１３および１６
の図中左方には、正転、逆転操作に連動して各ワ
ークロールに選択的に押圧接触するピンチローラ
３７，３８が設けられている。

しかして、前記各モータ１２ａ，１３ａ，１４
ａ，……１７ａは、第２図に示すようにサーボ制
御回路４１，４２，……４６によつて独立的に駆
動される。この回路４１，４２，……４６は、入
力信号として導入された設定速度信号とモータに
直結された直流発電機４８で得られた現実の速度
信号との偏差が常に零となるようにモータの速度
を制御するように構成されている。そして、上記
各サーボ制御回路４１，４２，……４６の入力端
には、速度設定器５１、正転逆転切換器５２およ
び速度補正器５３，５４，５５，５６，５７を介
して設定速度信号が導入される。

上記速度補正器５３，５４，５５，５６，５７
は、それぞれ張力設定器６１で与えられた張力信
号Z₀と各張力検出器で得られた張力信号Z₁との偏
差を求める回路６２と、この回路６２で求められ
た偏差信号で前記速度設定器５１から与えられた
設定速度信号を補正する回路６３とで構成されて
いる。すなわち、Z₀に対してZ₁が小さいときに
は、両者の差に対応した分だけ設定速度信号を増
加させ、また、逆の場合には設定速度信号を減少
させるようにしている。

また、回路６３は正転逆転切換器５２に応動し
て、増減信号分の極性を切換えるようにしてい
る。しかして、この実施例の場合には、供給リー
ル１２、各ワークロール１３，１４，１５，１６
および巻取リール１７を第１図中実線矢印で示す
ように回転駆動させてフイルム状基体Ｐを走行さ
せている状態を正転とし、この正転状態において
は、モータ１２ａを制御するサーボ制御回路４１
に信号源６４から低速度設定信号に対応する信号
を直接導入し、また、モータ１３ａを制御するサ
ーボ制御回路４２に正転逆転切換器５２を通つた
設定速度信号を直接導入し、さらにモータ１４
ａ，１５ａ，１６ａ，１７ａを制御するサーボ制
御回路４３，４４，４５，４６に、上記モータに
よつて駆動されるワークロールおよび巻取リール
の位置の直前に位置する張力検出器の出力が導入
される速度補正器を通つた信号を設定速度信号と
して導入するようにしている。そして、逆転状態
においては、これらの関係を切換えるようにして
いる。したがつて、第２図に示すように、正転逆
転切換器５２の切換操作に連動して切換わるスイ
ツチ６６が設けてあり、この第２図は正転状態を
示している。そして、図中６８は逆転状態時にサ
ーボ制御回路４６に低速度信号を与える信号源を
示している。また、第１図中７０，７１はスパツ
タ源を保持するホルダを示し、また、７２は仕切
板を示し、７３はスパツタリングによつて薄膜が
形成される領域を規制するマスクを示している。
また、ピンチローラ３７は正転逆転切換器５２の
切換操作に応動して正転のときだけワークロール
１３に押圧接触するように制御され、また、ピン
チローラ３８は逆転のときだけワークロール１６
に押圧接触するように制御される。

次に上記のように構成された装置を使つてフイ
ルム状基体Ｐの両面にパーマロイ層およびCo−
Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜を形成す
る場合の使用例を説明する。

まず、真空容器１の蓋体３ｂを開け、フイルム
状基体Ｐの巻回された巻取リールを第１図に示す
ようにセツトし、次に、上記巻取リール１７に巻
回されているフイルム状基体Ｐを所定の長さ巻戻
し、これを第１図に示すように各フリーロール１
８、張力検出器３５，３４，３３，３２，３１お
よび各ワークロール１６，１５，１４，１３に沿
わせた後、その遊端を供給リール１２に巻き付
け、所定の張力が加わるように調整し、蓋体３ｂ
を閉じる。次に排気系を作動させて真空容器１内
を十分低圧に排気する。次に、各ワークロール１
３，１４，１５，１６の二重筒状に形成された駆
動軸を介して高温液体を各ワークロール１３，１
４，１５，１６内に通流し、これによつて、各ワ
ークロール１３，１４，１５，１６の表面温度を
定められた一定の高温度に保持する。次に、正転
逆転切換器５２を逆転側に切換える。この切換え
によつて、各スイツチ６６は第２図に示す状態と
は逆の関係に切換わる。また、ピンチローラ３８
がフイルム状基体Ｐを介してワークロール１６に
圧接する。次に、張力設定器６１から所定の張力
信号Z₀を出力させるとともに速度設定器５１から
所定の設定速度信号を出力させる。この状態で、
各サーボ制御回路４１，４２，……４６に始動指
令Ｓを与える。

このように始動指令Ｓが与えられると、各サー
ボ制御回路４１，４２，４３，……４６が作動
し、モータ１２ａ，１３ａ，１４ａ，……１７ａ
が一斉に回転を開始する。すなわち、モータ１７
ａは、信号源６８の出力信号によつて決まる値に
低速回転し、また、モータ１６ａは速度設定器５
２の設定速度信号に対応した速度で回転し、さら
にモータ１５ａ，１４ａ，１３ａ，１２ａは速度
設定器５２の設定速度信号を速度補正器５５６，
５５，５４，５３で補正した信号に対応した速度
で回転する。このため、巻取リール１７、ワーク
ロール１６，１５，１４，１３および供給リール
１２が第１図に実線矢印で示す方向とは反対方向
に回転し、これによつて、フイルム状基体Ｐは、
巻取リール１７から供給リール１２に徐々に巻取
られる。この場合、各ワークロール１３，１４，
１５，１６は、前述の如く、高温液体によつて高
温に保持されているので、これに接触するフイル
ム状基体Ｐも加熱され、この結果、フイルム状基
体Ｐに付着している不純ガスが放出される。すな
わち、上述した動作によつてフイルム状基体Ｐの
前処理が実行される。なお、巻取リール１７を低
速で回転させるのは、慣性によつて巻取リール１
７が回り過ぎるのを防止するためであり、したが
つて、信号源６８，６４としては巻厚の減少に伴
なつて出力信号が徐々に増加するものが望まし
い。しかして、上記のように前処理を行ない、巻
厚表示器の指示値からフイルム状基体Ｐの終端が
巻取リール１７を離れる直前に至つた時点で各サ
ーボ制御回路４１，４２，……４６への始動指令
Ｓの供給を停止し、これによつて巻取リール１
７、各ワークロール１６，１５，１４，１３およ
び供給リール１２の回転を停止させて前処理工程
を終了する。この前処理工程によつてフイルム状
基体Ｐに付着しているガスのほとんどは排気系に
移行して除去される。

次に、各ワークロール１３，１４，１５，１６
内への高温液体の通流を停止させ、続いて各ワー
クロール１３，１４，１５，１６内へ、たとえば
−15℃の低温液体を通流させる。この低温液体の
通流によつて各ワークロール１３，１４，１５，
１６の表面は十分低温に冷却される。

次に、正転逆転切換器５２を操作して正転側に
切換える。この切換えによつて各スイツチ６６は
第２図の状態に切換わる。また、速度設定器５１
および張力設定器６１の出力をそれぞれ所望の値
に設定する。

この状態で各サーボ制御器４１，４２，……４
６に始動指令Ｓを与える。この結果、供給リール
１２、ワークロール１３，１４，１５，１６およ
び巻取リール１７が第１図中実線矢印で示す方向
に回転を開始し、フイルム状基体Ｐは、供給リー
ルから巻取リール１７側へと移行を開始する。次
に、ガス導入口５からたとえばArガスを連続的
に導入するとともに、この状態で真空容器内が、
たとえば３〜７×10^-4Torrの圧力となるように
排気系およびArガス供給系を調整し、続いて各
スパツタ源２１，２２……２８の陽極とターゲツ
トとの間に数百ボルトの直流電圧を印加する。こ
の印加によつて陽極とターゲツトとの間にグロー
放電が生じ、これによつて、よく知られている原
理に基づき、ターゲツトを構成している金属微粒
子がたたき出される。このたたき出された金属微
粒子の一部は、ターゲツトの前面をワークロール
の外周面に沿つて進行するフイルム状基体Ｐの表
面に付着する。前述の如く、スパツタ源２１，２
２のターゲツトはパーマロイで形成されており、
また、スパツタ源２３，２４のターゲツトはCo
−Cr合金で形成されている。したがつて、フイ
ルム状基体Ｐが下段に位置するワークロール１
３，１４の外周面に沿つて通過する間に、このフ
イルム状基体Ｐの一方の表面にパーマロイ層およ
びCo−Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜層
が形成されることになる。そして、フイルム状基
体Ｐが上段に位置するワークロール１５，１６の
外周面に沿つて進行するときには、すでにスパツ
タ薄膜層が形成されている面がワークロール１
５，１６の外周面に接触する関係に案内される。
したがつて、この区間内を通過するときにはフイ
ルム状基体Ｐの他方の表面にパーマロイ層および
Co−Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜層が
形成されることになり、結局巻取リール１７には
フイルム状基体Ｐの両面に二層構造のスパツタ薄
膜の形成されたものが巻取られることになる。そ
して、上記のようにスパツタリングが行なわれる
と、このスパツタリングによつてフイルム状基体
Ｐが加熱されようとするが、この熱は各ワークロ
ール１３，１４，１５，１６を介して各ワークロ
ール内を通流している低温液体に伝達される。し
たがつて、フイルム状基体Ｐが熱的な損傷を受け
るようなことはない。また、上記熱によつて万
一、フイルム状基体Ｐに伸びが生じた場合には、
次のように動作する。すなわち、上記のようにフ
イルム状基体Ｐが伸びると、この伸びは、各ワー
クロール間を進行する基体に加わる張力の低下と
なつて表われる。たとえば今、ワークロール１４
と１５との間を進行する基体の張力が低下する
と、この低下は張力検出器３３によつて検出され
る。このように、張力検出器３３の出力が低下す
ると、第２図に示す速度補正器５５の回路６２の
出力が増加し、この結果、回路６３の出力も増加
する。したがつて、サーボ制御器４４の入力が増
加するのでモータ１５ａの回転速度が増加し、こ
れに伴なつてワークロール１５の回転速度が増加
する。したがつて、張力が低下した分だけワーク
ロール１５の巻込みが早められるので、再び張力
が増加することになり、結局、ワークロール１５
の回転速度と、このワークロール１５の外周面に
沿つて進行するフイルム状基体Ｐの進行速度との
相対速度差がほぼ零となるようにワークロール１
５の回転速度が制御される。このような制御は、
他のワークロール１４，１６および巻取リール１
７についても同様に行なわれる。したがつて、フ
イルム状基体Ｐは、各ワークロール１４，１５，
１６との間のスリツプが常に非常に小さい状態で
進行することになる。このため、特に、ワークロ
ール１５，１６の外周面に沿つて進行するとき、
すでに形成されているスパツタ薄膜にすり傷等が
つく虞れがない。また、スリツプ増加したときに
起こり易い冷却性能の低下も発生しない。

そして、この場合には、特に、スパツタリング
時に、フイルム状基体Ｐを下段側から上段側へと
下から上へ折り返す経路で案内させているので、
各要素を円に近い配置で設置できる。したがつて
全体の小型化を図れるばかりか排気系の小型化も
図れる。また、上下段間に位置する中継用のフリ
ーロール１８は、スパツタ薄膜に接触することが
ない。したがつて、中継用のフリーロールによつ
て、すでに形成されているスパツタ薄膜が傷つけ
られることはない。また、スパツタ源２１，２
２，２３，……２８を、これらが対面する基体面
より斜下方に位置させているのでスパツタ源から
でた不純物が基本側へ落下するようなことがない
しスパツタ源に異物が付着するようなこともな
い。したがつて、品質の高いスパツタ薄膜を両面
に亘つて形成することができる。また、スパツタ
源を上記関係に配置しているので上述した利点を
損わずに実施例に示されるように１つのワークロ
ールに対して２個あるいはそれ以上のスパツタ源
を対向させることができ、これによつてスパツタ
速度の大幅な向上化を図れ、結局、前述した効果
が得られることになる。

なお、上述した実施例では、いわゆる張力制御
装置を複数の張力検出器と、これら検出器の出力
に基いて各ワークロール駆動モータの設定速度を
補正する複数の速度補正器とで構成しているが、
これに限られるものではない。すなわち、各ワー
クロールを駆動するモータの電流を検出器で検出
し、これら検出器の出力に応じて各モータの速度
補正を行なうようにしてもよい。また、フイルム
状基体の伸び量が予め判明しているときには、各
モータの設定速度に予め差を設けるようにしても
よい。また、各ワークロール間に、これらの間を
進行するフイルム状基体の一定荷重を加える重り
式荷重器を設けるようにしてもよい。さらに、前
処理時に、各ワークロールとたとえば真空容器と
の間に電圧を印加して各ワークロール付近にプラ
ズマを発生させ、このプラズマによつてフイルム
状基体の表面を活性化させ、これによつて脱ガス
と付着性の向上化とを図るようにしてもよい。こ
の場合、スパツタ源とフイルム状基体との間にシ
ヤツタを設け、スパツタ源に不純物が付着するの
を防止するようにしてもよい。また、上述した実
施例は二層構造のスパツタ薄膜形成用のものに本
発明を適用した例であるが、一層構造形成用のも
のにも適用できることは勿論である。また、各マ
スクを冷却する手段を設けてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るスパツタリン
グ装置における要部の模式的縦断面図、第２図は
同装置の制御回路図である。１……真空容器、１２……供給リール、１７…
…巻取リール、１３，１４，１５，１６……ワー
クロール、１８……フリーロール、２１，２２，
２３，２４，２５，２６，２７，２８……スパツ
タ源、３１，３２，３３，３４，３５……張力検
出器、５３，５４，５５，５６，５７……速度補
正器、Ｐ……フイルム状基体。

Claims

【特許請求の範囲】１供給リールから巻戻されたフイルム状基体を
複数のワークロールの外周面に順次沿わせて移送
させた後に巻取リールで巻取るとともに上記フイ
ルム状基体が上記供給リールから上記巻取リール
に至るまでの間に上記各ワークロールの外周面に
それぞれ対向させて設けられたスパツタ源で上記
フイルム状基体の両面にスパツタ薄膜を形成する
ようにしたスパツタリング装置において、上記フ
イルム状基体の一方の表面へのスパツタ薄膜形成
工程に関与するワークロールを下段に、他方の表
面へのスパツタ薄膜形成工程に関与するワークロ
ールを上段にそれぞれ軸心線を平行させて２段構
成に配置するとともに、上記各ワークロールの外
周面に対向する各スパツタ源を対応するワークロ
ールの軸心線を通つて描かれる水平線より下側に
それぞれ配置し、さらに、スパツタリング実行時
に上記フイルム状基体を下段に位置するワークロ
ールの外周面を経由させた後に上段に位置するワ
ークロールの外周面を経由させて進行させる下側
から上側へ折り返す経路で案内する機構を設けて
なることを特徴とするスパツタリング装置。２前記各ワークロールの外周面に対向する各ス
パツタ源を、対応するワークロールの軸心線を通
つて描かれる垂直線に対して傾斜させてそれぞれ
配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のスパツタリング装置。