JPS6158766B2 - - Google Patents
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- JPS6158766B2 JPS6158766B2 JP2618181A JP2618181A JPS6158766B2 JP S6158766 B2 JPS6158766 B2 JP S6158766B2 JP 2618181 A JP2618181 A JP 2618181A JP 2618181 A JP2618181 A JP 2618181A JP S6158766 B2 JPS6158766 B2 JP S6158766B2
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- Japan
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- circuit
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- 238000005375 photometry Methods 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カメラの測光回路の改良、特に電気
信号により露出制御を行うカメラのCdS受光素子
を用いた測光回路に関する。
信号により露出制御を行うカメラのCdS受光素子
を用いた測光回路に関する。
従来、カメラの測光回路には、CdS受光素子
が、シリコンダイオードなどの光起電素子よりも
測光回路を安価に構成できることから、多く用い
られている。しかし、CdS受光素子を用いた測光
回路は、CdS受光素子で得られる入射光量情報を
電圧情報として取り出してアペツクス演算に適す
るように補正抵抗で調整しても、それだけでは入
射光量の変化に対する電圧の変化率や電圧レベル
が低くて電気信号で露出制御を行うカメラには不
適当であり、しかも、CdS受光素子が抵抗比の異
なるCdSを複数個単一基板上に焼結した複合形
CdSからなつていて、複合形CdSには高抵抗と低
抵抗の比や入射光量に対する抵抗値の変化率γと
いつた特性にばらつきがあり、そのために電圧の
変化率やレベルがばらついて、光起電素子を用い
た測光回路よりも精度が悪いので、もつぱらCdS
受光素子で得られる入射光量情報を電流情報とし
て取り出してメータ針を振らせるようにし、その
針の振れ角がアペツクス情報として機械的制御に
より露出制御を行うカメラに利用されるようなも
のであつた。
が、シリコンダイオードなどの光起電素子よりも
測光回路を安価に構成できることから、多く用い
られている。しかし、CdS受光素子を用いた測光
回路は、CdS受光素子で得られる入射光量情報を
電圧情報として取り出してアペツクス演算に適す
るように補正抵抗で調整しても、それだけでは入
射光量の変化に対する電圧の変化率や電圧レベル
が低くて電気信号で露出制御を行うカメラには不
適当であり、しかも、CdS受光素子が抵抗比の異
なるCdSを複数個単一基板上に焼結した複合形
CdSからなつていて、複合形CdSには高抵抗と低
抵抗の比や入射光量に対する抵抗値の変化率γと
いつた特性にばらつきがあり、そのために電圧の
変化率やレベルがばらついて、光起電素子を用い
た測光回路よりも精度が悪いので、もつぱらCdS
受光素子で得られる入射光量情報を電流情報とし
て取り出してメータ針を振らせるようにし、その
針の振れ角がアペツクス情報として機械的制御に
より露出制御を行うカメラに利用されるようなも
のであつた。
本発明は、CdS受光素子で得られる入射光量情
報を電圧情報として取り出してアペツクス情報と
して電気信号により露出制御を行うカメラに利用
できる測光回路を提供するものであり、本発明の
測光回路は、CdS受光素子を用いた入射光量の変
化に応じ変化する電圧を出力する検出回路に、該
検出回路の出力電圧の入射光量の変化に対する変
化率を調整可能に増幅する比例増幅回路と、前記
検出回路の出力電圧のレベルを調整可能に変化す
る実質的な加算回路とを設けたことを特徴とす
る。
報を電圧情報として取り出してアペツクス情報と
して電気信号により露出制御を行うカメラに利用
できる測光回路を提供するものであり、本発明の
測光回路は、CdS受光素子を用いた入射光量の変
化に応じ変化する電圧を出力する検出回路に、該
検出回路の出力電圧の入射光量の変化に対する変
化率を調整可能に増幅する比例増幅回路と、前記
検出回路の出力電圧のレベルを調整可能に変化す
る実質的な加算回路とを設けたことを特徴とす
る。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図および第３図は本発明の実施例を示す回
路図、第２図は第１図の回路の入射光量と出力電
圧の関係を示すグラフである。
路図、第２図は第１図の回路の入射光量と出力電
圧の関係を示すグラフである。
図において、定電圧電源１に接続されたCdS受
光素子２と補正抵抗３，４および５の組合せから
なる回路が一般にも広く用いられている検出回路
で、低抵抗CdS２ａおよび高抵抗CdS２ｂからな
るCdS受光素子に光が入射すると、可変の補正抵
抗５の摺動端子にはLV値換算された入射光量に
比例する第２図にＡで示したような電圧が出力さ
れる。この出力電圧Ａは、先に述べたように、
CdS受光素子への入射光量変化に対する変化率と
レベルが低いし、それらがまたCdS受光素子の特
性によつてばらつくので、このまゝでは露出制御
のための電気信号としては用いられない。
光素子２と補正抵抗３，４および５の組合せから
なる回路が一般にも広く用いられている検出回路
で、低抵抗CdS２ａおよび高抵抗CdS２ｂからな
るCdS受光素子に光が入射すると、可変の補正抵
抗５の摺動端子にはLV値換算された入射光量に
比例する第２図にＡで示したような電圧が出力さ
れる。この出力電圧Ａは、先に述べたように、
CdS受光素子への入射光量変化に対する変化率と
レベルが低いし、それらがまたCdS受光素子の特
性によつてばらつくので、このまゝでは露出制御
のための電気信号としては用いられない。
そこで、上述の検出回路の出力電圧Ａを増幅器
６のプラス端子に入力し、そのマイナス入力端子
に出力端子の出力電圧を可変抵抗７によつて分配
して入力するようにした増幅器６を含む比例増幅
回路を設けて、入射光量変化に対する変化率と電
圧レベルを高め、変化率のCdS受光素子によるば
らつきを補正するようにしている。すなわち、増
幅器６の出力端子には検出回路の出力電圧を（Ｒ
＋ｒ）／ｒ倍した電圧Ｂが第２図に示すように出
力される。なお、Ｒおよびｒは可変抵抗７の分配
抵抗であり、この分配抵抗は増幅器６のマイナス
入力端子にBr／（Ｒ＋ｒ）の電圧を入力する。
６のプラス端子に入力し、そのマイナス入力端子
に出力端子の出力電圧を可変抵抗７によつて分配
して入力するようにした増幅器６を含む比例増幅
回路を設けて、入射光量変化に対する変化率と電
圧レベルを高め、変化率のCdS受光素子によるば
らつきを補正するようにしている。すなわち、増
幅器６の出力端子には検出回路の出力電圧を（Ｒ
＋ｒ）／ｒ倍した電圧Ｂが第２図に示すように出
力される。なお、Ｒおよびｒは可変抵抗７の分配
抵抗であり、この分配抵抗は増幅器６のマイナス
入力端子にBr／（Ｒ＋ｒ）の電圧を入力する。
この比例増幅回路によつて検出回路の出力電圧
は変化率とレベルを高められ、しかも可変抵抗７
によつてCdS受光素子によるばらつきを補正され
て、殆ど露出制御に利用し得るようになるが、ま
たCdS受光素子によるレベルのばらつきの影響を
受けるので普遍的対応性がない。
は変化率とレベルを高められ、しかも可変抵抗７
によつてCdS受光素子によるばらつきを補正され
て、殆ど露出制御に利用し得るようになるが、ま
たCdS受光素子によるレベルのばらつきの影響を
受けるので普遍的対応性がない。
そこで、第１図の例についていえば、増幅器８
のプラス入力端子に定電圧電源１の電圧を可変抵
抗９によつて分配して入力し、マイナス入力端子
に比例増幅回路の増幅器６の出力と増幅器８の出
力とをそれぞれ抵抗１０と１１を介して入力する
ようにした増幅器８を含む加算回路を設けてCdS
受光素子特性のばらつきによる検出電圧レベルの
ばらつきの補正をするようにしている。すなわ
ち、可変抵抗９の分配抵抗を変えることによつて
増幅器８の出力電圧は第２図のＣ，C′で示すよ
うに比例増幅回路の出力電圧Ｂをほヾ平行に移動
した形で変化する。もつとも、抵抗１０と１１の
抵抗比によつては増幅器８の出力電圧Ｃあるいは
C′の入射光量変化に対する変化率は比例増幅回
路の出力電圧Ｂの変化率と異なるが、変化率は比
例増幅回路で調整し得るので、上述の加算回路は
実質的な加算回路ということができる。
のプラス入力端子に定電圧電源１の電圧を可変抵
抗９によつて分配して入力し、マイナス入力端子
に比例増幅回路の増幅器６の出力と増幅器８の出
力とをそれぞれ抵抗１０と１１を介して入力する
ようにした増幅器８を含む加算回路を設けてCdS
受光素子特性のばらつきによる検出電圧レベルの
ばらつきの補正をするようにしている。すなわ
ち、可変抵抗９の分配抵抗を変えることによつて
増幅器８の出力電圧は第２図のＣ，C′で示すよ
うに比例増幅回路の出力電圧Ｂをほヾ平行に移動
した形で変化する。もつとも、抵抗１０と１１の
抵抗比によつては増幅器８の出力電圧Ｃあるいは
C′の入射光量変化に対する変化率は比例増幅回
路の出力電圧Ｂの変化率と異なるが、変化率は比
例増幅回路で調整し得るので、上述の加算回路は
実質的な加算回路ということができる。
以上述べたように、CdS受光素子を用いた検出
回路の出力電圧が、比例増幅回路によつて、入射
光量の変化に対する変化率とレベルを露出制御に
利用し得るまでに高められるとともに、変化率の
CdS受光素子によるばらつきも補正され、加算回
路によつてさらに、CdS受光素子によるレベルの
ばらつきも補正されるから、その補正された測光
回路の出力電圧は普遍的に露出制御のための電気
信号として利用できる。
回路の出力電圧が、比例増幅回路によつて、入射
光量の変化に対する変化率とレベルを露出制御に
利用し得るまでに高められるとともに、変化率の
CdS受光素子によるばらつきも補正され、加算回
路によつてさらに、CdS受光素子によるレベルの
ばらつきも補正されるから、その補正された測光
回路の出力電圧は普遍的に露出制御のための電気
信号として利用できる。
第３図は、比例増幅回路と加算回路の間に、比
例増幅回路の増幅器６の出力情報をASA情報、
開放Ｆ値情報、シヤツタ速度情報によつて補正す
る、補正回路を加えた、シヤツタ速度優先の露出
制御カメラのための測光回路の例を示している。
したがつて、第３図においても第１図と同じ機能
部材は同じ符号で示している。
例増幅回路の増幅器６の出力情報をASA情報、
開放Ｆ値情報、シヤツタ速度情報によつて補正す
る、補正回路を加えた、シヤツタ速度優先の露出
制御カメラのための測光回路の例を示している。
したがつて、第３図においても第１図と同じ機能
部材は同じ符号で示している。
第３図において、可変抵抗１２，１３，１４は
それぞれASA情報、開放Ｆ値情報、シヤツタ速
度情報の設定抵抗であり、可変抵抗１２，１３，
１４によつて設定されたそれらの情報は、それぞ
れ増幅器１５，１６，１７でインピーダンス変換
されて、抵抗１８，１９，２０を介し、1EV変化
に対する電圧変化が同じの電圧情報として、同じ
く抵抗２１を介する比例増幅回路の増幅器６の出
力と共に増幅器２２に入力される。それにより増
幅器２２は増幅器６の出力すなわち、測光情報を
ASA情報、開放Ｆ値情報およびシヤツタ速度情
報で補正した形の電圧情報を出力する。この増幅
器２２の出力が第１図の比例増幅回路の増幅器６
の出力と同様に加算回路によつて補正され、補正
された加算回路の増幅器８の出力が絞り設定に利
用される。
それぞれASA情報、開放Ｆ値情報、シヤツタ速
度情報の設定抵抗であり、可変抵抗１２，１３，
１４によつて設定されたそれらの情報は、それぞ
れ増幅器１５，１６，１７でインピーダンス変換
されて、抵抗１８，１９，２０を介し、1EV変化
に対する電圧変化が同じの電圧情報として、同じ
く抵抗２１を介する比例増幅回路の増幅器６の出
力と共に増幅器２２に入力される。それにより増
幅器２２は増幅器６の出力すなわち、測光情報を
ASA情報、開放Ｆ値情報およびシヤツタ速度情
報で補正した形の電圧情報を出力する。この増幅
器２２の出力が第１図の比例増幅回路の増幅器６
の出力と同様に加算回路によつて補正され、補正
された加算回路の増幅器８の出力が絞り設定に利
用される。
なお、第３図において、可変抵抗１４を絞り情
報の設定抵抗にして加算回路の増幅器８の出力で
シヤツタ速度を設定するようにすれば、第３図の
回路は絞り優先の露出制御カメラの測光回路にな
る。また、入力情報を測光情報、ASA情報、開
放Ｆ値情報にして、増幅器８の出力でシヤツタ速
度および絞りが一義的に定まる回路を駆動するよ
うにすれば、それはプログラム露出制御カメラへ
の応用ということになる。
報の設定抵抗にして加算回路の増幅器８の出力で
シヤツタ速度を設定するようにすれば、第３図の
回路は絞り優先の露出制御カメラの測光回路にな
る。また、入力情報を測光情報、ASA情報、開
放Ｆ値情報にして、増幅器８の出力でシヤツタ速
度および絞りが一義的に定まる回路を駆動するよ
うにすれば、それはプログラム露出制御カメラへ
の応用ということになる。
以上述べたように、本発明のCdS受光素子を用
いた測光回路は、電気信号により露出制御を行う
カメラに幅広く適用できる。
いた測光回路は、電気信号により露出制御を行う
カメラに幅広く適用できる。
第１図および第３図は本発明の実施例を示す回
路図、第２図は第１図の回路の入射光量と出力電
圧の関係を示すグラフである。 １……定電圧電源、２……CdS受光素子、２ａ
……低抵抗CaS、２ｂ……高抵抗CdS、３，４，
１０，１１，１８〜２１……抵抗、５，７，９，
１２〜１４……可変抵抗、６，８，１５〜１７，
２２……増幅器。
路図、第２図は第１図の回路の入射光量と出力電
圧の関係を示すグラフである。 １……定電圧電源、２……CdS受光素子、２ａ
……低抵抗CaS、２ｂ……高抵抗CdS、３，４，
１０，１１，１８〜２１……抵抗、５，７，９，
１２〜１４……可変抵抗、６，８，１５〜１７，
２２……増幅器。
Claims (1)
- １ CdS受光素子を用いた入射光量の変化に応じ
変化する電圧を出力する検出回路に、該検出回路
の出力電圧の入射光量の変化に対する変化率を調
整可能に増幅する比例増幅回路と、前記検出回路
の出力電圧のレベルを調整可能に変化する実質的
な加算回路とを設けたことを特徴とするカメラの
測光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2618181A JPS57141522A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Photometric circuit of camera |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2618181A JPS57141522A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Photometric circuit of camera |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141522A JPS57141522A (en) | 1982-09-01 |
| JPS6158766B2 true JPS6158766B2 (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=12186345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2618181A Granted JPS57141522A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Photometric circuit of camera |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57141522A (ja) |
-
1981
- 1981-02-26 JP JP2618181A patent/JPS57141522A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141522A (en) | 1982-09-01 |
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