JPS6158917B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6158917B2 JPS6158917B2 JP54020421A JP2042179A JPS6158917B2 JP S6158917 B2 JPS6158917 B2 JP S6158917B2 JP 54020421 A JP54020421 A JP 54020421A JP 2042179 A JP2042179 A JP 2042179A JP S6158917 B2 JPS6158917 B2 JP S6158917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- odd
- detector area
- magnetic bubble
- bits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はオツド・イーブン方式からなる磁気バ
ブル記憶素子に関するものである。
ブル記憶素子に関するものである。
磁気バブルを用いて磁気バブル記憶素子を構成
する方式として従来メジヤーマイナーループ方式
がよく用いられていたが、情報の確実な保存性に
欠けていて、磁気バブルがメジヤーループ転送中
に電源断が起つてストツプ動作が行なわれると情
報が揮発してしまう欠点があつた。そこでブロツ
クリプリケータを用いた２メジヤーライン方式が
考えられ、この点は解決され、さらに特性の改善
されたオツド・イーブン（ODD−EVEN）方式
が提案され従来の２倍のデータ転送レートの磁気
バブル記憶素子が実現でき現在もつともよく用い
られるようになつている。オツド・イーブン方式
の詳細については米国特許第4075611号明細書で
述べられている。
する方式として従来メジヤーマイナーループ方式
がよく用いられていたが、情報の確実な保存性に
欠けていて、磁気バブルがメジヤーループ転送中
に電源断が起つてストツプ動作が行なわれると情
報が揮発してしまう欠点があつた。そこでブロツ
クリプリケータを用いた２メジヤーライン方式が
考えられ、この点は解決され、さらに特性の改善
されたオツド・イーブン（ODD−EVEN）方式
が提案され従来の２倍のデータ転送レートの磁気
バブル記憶素子が実現でき現在もつともよく用い
られるようになつている。オツド・イーブン方式
の詳細については米国特許第4075611号明細書で
述べられている。
第１図は従来のオツド・イーブン方式の構成図
である。発生器１及び書込みゲート２によつてマ
イナーループ３１，３２に書込まれた情報はブロ
ツクリプリケートゲート４によつて分割され読出
しライン５１，５２を経由して検出器６１，６２
により検出される。検出器６１，６２はオツド側
１０１イーブン側１０２各々独立に１ケ設けられ
ている。なお以下のいずれの図も右方がオツド
側、左方がイーブン側であり、検出器に磁気バブ
ルが到達するに必要な回転磁場周期数はオツド側
が１少なくなつている。第１図に示した構成では
ストレツチヤー及び検出器（以下この領域を検出
器領域と呼ぶ）が２ケ設けられておりセンスアン
プ系も２ケ必要とする、検出器領域の面積が大き
くなるという欠点を有している。第２図は他のオ
ツド・イーブン方式の構成図でオツド側１０１、
イーブン側１０２から転送された磁気バブルが転
送路合流点７で合流し１ケの検出器６３で検出さ
れるようになつているため第１図に示した構成の
有する欠点が処置されている。しかし一方第１図
のものに比べ、検出器６３に到達するビツト数が
多くなりアクセスタイムが長くなるという欠点が
新たに生じている。
である。発生器１及び書込みゲート２によつてマ
イナーループ３１，３２に書込まれた情報はブロ
ツクリプリケートゲート４によつて分割され読出
しライン５１，５２を経由して検出器６１，６２
により検出される。検出器６１，６２はオツド側
１０１イーブン側１０２各々独立に１ケ設けられ
ている。なお以下のいずれの図も右方がオツド
側、左方がイーブン側であり、検出器に磁気バブ
ルが到達するに必要な回転磁場周期数はオツド側
が１少なくなつている。第１図に示した構成では
ストレツチヤー及び検出器（以下この領域を検出
器領域と呼ぶ）が２ケ設けられておりセンスアン
プ系も２ケ必要とする、検出器領域の面積が大き
くなるという欠点を有している。第２図は他のオ
ツド・イーブン方式の構成図でオツド側１０１、
イーブン側１０２から転送された磁気バブルが転
送路合流点７で合流し１ケの検出器６３で検出さ
れるようになつているため第１図に示した構成の
有する欠点が処置されている。しかし一方第１図
のものに比べ、検出器６３に到達するビツト数が
多くなりアクセスタイムが長くなるという欠点が
新たに生じている。
本発明の目的は、第１図、第２図で示した構成
の欠点を排除し、長所のみを併せもつ高性能の磁
気バブル記憶素子を実現することにある。すなわ
ちアクセスタイムを長くすることなく１ケの検出
器領域のみを有するオツド・イーブン方式の磁気
バブル記憶素子を提供することにある。
の欠点を排除し、長所のみを併せもつ高性能の磁
気バブル記憶素子を実現することにある。すなわ
ちアクセスタイムを長くすることなく１ケの検出
器領域のみを有するオツド・イーブン方式の磁気
バブル記憶素子を提供することにある。
本発明による磁気バブル記憶素子１ケの検出器
領域を具備したオツド・イーブン方式からなる磁
気バブル記憶素子においてオツド側データを検出
器領域のオツド側先頭データ位置に近い端部又は
その近傍部より進入せしめ、イーブン側データを
検出器領域のイーブン側先頭データ位置に近い端
部又はその近傍部より進入せしめて検出すること
を特徴とする。
領域を具備したオツド・イーブン方式からなる磁
気バブル記憶素子においてオツド側データを検出
器領域のオツド側先頭データ位置に近い端部又は
その近傍部より進入せしめ、イーブン側データを
検出器領域のイーブン側先頭データ位置に近い端
部又はその近傍部より進入せしめて検出すること
を特徴とする。
次に本発明の詳細について実施例を用いて説明
する。第３図は本発明による磁気バブル記憶素子
の構成図である。本素子はイツド・イーブン方式
で256Kビツトの容量を有し、1024ビツトからな
るマイナーループ３１，３２がオツド側１０１に
128本、イーブン側１０２に128本設けられてい
る。第２図の構成と異なる点はオツド側１０１、
イーブン側１０２の両読出しライン５１，５２を
転送してきた磁気バブルの合流点７が検出器領域
６にあり、さらに検出器領域６の進入口９１，９
２がその両端にあることである。すなわちオツド
側データは検出器領域６の右端部より、イーブン
側データは左端部より進入し、夫々のデータは検
出器領域６の中央部７で合流し、検出される。又
検出器領域６の長さをオツド側の先頭データ位置
３０１とイーブン側の先頭データ位置３０２との
間隔にほゞ等しくしてあるので検出器領域進入口
９１，９２迄の転送ビツト数は極めて小さくする
ことができる。本実施例ではオツド側の先頭デー
タ位置３０１から検出器６４迄の転送ビツト数は
８ビツト、イーブン側は９ビツトである。検出器
領域進入口９１，９２から検出器６４迄の転送ビ
ツト数は、検出器領域６の端部より進入させてい
るため、検出器領域の中央部より進入させている
第２図構成のものに比べて磁壁速度の関係から２
倍のビツト数を必要とする。すなわち第２図構成
では16ビツトで済むが本発明による構成では32ビ
ツトを必要とする。しかしながら第２図構成のも
のは検出器領域６の中央部より進入させるためオ
ツド側先頭データ位置３０１から検出器領域進入
口９迄の転送ビツト数として本発明による構成よ
りも128ビツト多く必要となる。そのためオツド
側先頭データ位置３０１から検出器６３又は６４
迄の転送ビツト数は第２図構成のものは152ビツ
トを必要とするが、本発明による構成では40ビツ
トで済む。従つて300KHz駆動で、第２図構成の
ものは平均アクセスタイム2.19msecを要する
が、本発明による構成では1.82msecで済み約17
％のアクセスタイムの短縮が実現されている。
する。第３図は本発明による磁気バブル記憶素子
の構成図である。本素子はイツド・イーブン方式
で256Kビツトの容量を有し、1024ビツトからな
るマイナーループ３１，３２がオツド側１０１に
128本、イーブン側１０２に128本設けられてい
る。第２図の構成と異なる点はオツド側１０１、
イーブン側１０２の両読出しライン５１，５２を
転送してきた磁気バブルの合流点７が検出器領域
６にあり、さらに検出器領域６の進入口９１，９
２がその両端にあることである。すなわちオツド
側データは検出器領域６の右端部より、イーブン
側データは左端部より進入し、夫々のデータは検
出器領域６の中央部７で合流し、検出される。又
検出器領域６の長さをオツド側の先頭データ位置
３０１とイーブン側の先頭データ位置３０２との
間隔にほゞ等しくしてあるので検出器領域進入口
９１，９２迄の転送ビツト数は極めて小さくする
ことができる。本実施例ではオツド側の先頭デー
タ位置３０１から検出器６４迄の転送ビツト数は
８ビツト、イーブン側は９ビツトである。検出器
領域進入口９１，９２から検出器６４迄の転送ビ
ツト数は、検出器領域６の端部より進入させてい
るため、検出器領域の中央部より進入させている
第２図構成のものに比べて磁壁速度の関係から２
倍のビツト数を必要とする。すなわち第２図構成
では16ビツトで済むが本発明による構成では32ビ
ツトを必要とする。しかしながら第２図構成のも
のは検出器領域６の中央部より進入させるためオ
ツド側先頭データ位置３０１から検出器領域進入
口９迄の転送ビツト数として本発明による構成よ
りも128ビツト多く必要となる。そのためオツド
側先頭データ位置３０１から検出器６３又は６４
迄の転送ビツト数は第２図構成のものは152ビツ
トを必要とするが、本発明による構成では40ビツ
トで済む。従つて300KHz駆動で、第２図構成の
ものは平均アクセスタイム2.19msecを要する
が、本発明による構成では1.82msecで済み約17
％のアクセスタイムの短縮が実現されている。
第４図は第３図に示した磁気バブル記憶素子の
各機能部のうち特に検出器領域及びその進入口の
詳細パターンの１つの例を示す図である。オツド
側データはより転送されて進入口９１を通つて
検出器領域６へ進入する。イーブン側データは
より転送されて進入口９２を通つて検出器領域６
へ進入する。検出器６４は進入口９１，９２から
24カラム目（Ｃ２４）に配置されていてオツド
側、イーブン側データは12カラム目（Ｃ１２）で
合流するようになつている。
各機能部のうち特に検出器領域及びその進入口の
詳細パターンの１つの例を示す図である。オツド
側データはより転送されて進入口９１を通つて
検出器領域６へ進入する。イーブン側データは
より転送されて進入口９２を通つて検出器領域６
へ進入する。検出器６４は進入口９１，９２から
24カラム目（Ｃ２４）に配置されていてオツド
側、イーブン側データは12カラム目（Ｃ１２）で
合流するようになつている。
以上説明したように本発明による磁気バブル素
子はアクセスタイムが大幅に改善でき、しかも１
ケの検出器を使用しているためセンスアンプ系も
１ケで済むという利点を有しており高性能、低価
格の磁気バブル記憶素子が達成できる。
子はアクセスタイムが大幅に改善でき、しかも１
ケの検出器を使用しているためセンスアンプ系も
１ケで済むという利点を有しており高性能、低価
格の磁気バブル記憶素子が達成できる。
第１図は従来のオツド・イーブン方式磁気バブ
ル記憶素子の構成図、第２図は従来の他のオー
ド・イーブン方式磁気バブル記憶素子の構成図、
第３図は本発明によるオツド・イーブン方式磁気
バブル記憶素子の実施例の構成図、第４図は実施
例に用いた磁気バブル記憶素子の検出器領域及び
その進入口近傍の拡大図である。 １……発生器、２……書込みゲート、３１，３
２……マイナーループ、４……読出しゲート、５
１，５２……読出しライン、６……検出器領域、
６１，６２，６３，６４……検出器、７……合流
点、８１，８２……書込ライン、９・９１，９２
……検出器領域進入口、１０１……オツド側領
域、１０２……イーブン側領域、３０１……オツ
ド側先頭データ位置、３０２……イーブン側先頭
データ位置。
ル記憶素子の構成図、第２図は従来の他のオー
ド・イーブン方式磁気バブル記憶素子の構成図、
第３図は本発明によるオツド・イーブン方式磁気
バブル記憶素子の実施例の構成図、第４図は実施
例に用いた磁気バブル記憶素子の検出器領域及び
その進入口近傍の拡大図である。 １……発生器、２……書込みゲート、３１，３
２……マイナーループ、４……読出しゲート、５
１，５２……読出しライン、６……検出器領域、
６１，６２，６３，６４……検出器、７……合流
点、８１，８２……書込ライン、９・９１，９２
……検出器領域進入口、１０１……オツド側領
域、１０２……イーブン側領域、３０１……オツ
ド側先頭データ位置、３０２……イーブン側先頭
データ位置。
Claims (1)
- １ 検出器領域を具備したオツド・イーブン方式
からなる磁気バブル記憶素子においてオツド側デ
ータとイーブン側データとを合流させずに検出器
領域の両端部へ個別に進入させるようにオツド側
データを検出器領域のオツド側先頭データ位置に
近い端部又はその近傍部より進入せしめ、イーブ
ン側データを検出器領域のイーブン側先頭データ
位置に近い端部又はその近傍部より進入せしめて
検出することを特徴とする磁気バブル記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042179A JPS55113185A (en) | 1979-02-22 | 1979-02-22 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042179A JPS55113185A (en) | 1979-02-22 | 1979-02-22 | Magnetic bubble memory element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55113185A JPS55113185A (en) | 1980-09-01 |
| JPS6158917B2 true JPS6158917B2 (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=12026561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042179A Granted JPS55113185A (en) | 1979-02-22 | 1979-02-22 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55113185A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837895A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリデバイスの駆動方法 |
| JPS5856274A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリのセンスアンプ |
| JPS5883381A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-19 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538653A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-18 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1979
- 1979-02-22 JP JP2042179A patent/JPS55113185A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55113185A (en) | 1980-09-01 |
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