Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6158917B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6158917B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6158917B2
JPS6158917B2 JP54020421A JP2042179A JPS6158917B2 JP S6158917 B2 JPS6158917 B2 JP S6158917B2 JP 54020421 A JP54020421 A JP 54020421A JP 2042179 A JP2042179 A JP 2042179A JP S6158917 B2 JPS6158917 B2 JP S6158917B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
detector
odd
detector area
magnetic bubble
bits
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54020421A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS55113185A (en
Inventor
Shinya Yoshioka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP2042179A priority Critical patent/JPS55113185A/en
Publication of JPS55113185A publication Critical patent/JPS55113185A/en
Publication of JPS6158917B2 publication Critical patent/JPS6158917B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はオツド・イーブン方式からなる磁気バ
ブル記憶素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory element using an odd-even method.

磁気バブルを用いて磁気バブル記憶素子を構成
する方式として従来メジヤーマイナーループ方式
がよく用いられていたが、情報の確実な保存性に
欠けていて、磁気バブルがメジヤーループ転送中
に電源断が起つてストツプ動作が行なわれると情
報が揮発してしまう欠点があつた。そこでブロツ
クリプリケータを用いた2メジヤーライン方式が
考えられ、この点は解決され、さらに特性の改善
されたオツド・イーブン(ODD−EVEN)方式
が提案され従来の2倍のデータ転送レートの磁気
バブル記憶素子が実現でき現在もつともよく用い
られるようになつている。オツド・イーブン方式
の詳細については米国特許第4075611号明細書で
述べられている。
Conventionally, the major-minor loop method has been commonly used to construct magnetic bubble storage elements using magnetic bubbles, but it lacks reliable storage of information and is prone to power outages during major loop transfer of magnetic bubbles. However, when a stop operation is performed, the information becomes volatile. Therefore, a two-measure line method using a block replicator was considered, and this problem was solved, and an ODD-EVEN method with further improved characteristics was proposed, which is a magnetic bubble memory element with twice the data transfer rate of the conventional method. was realized and is now in widespread use. Details of the odd-even method are described in US Pat. No. 4,075,611.

第1図は従来のオツド・イーブン方式の構成図
である。発生器1及び書込みゲート2によつてマ
イナーループ31,32に書込まれた情報はブロ
ツクリプリケートゲート4によつて分割され読出
しライン51,52を経由して検出器61,62
により検出される。検出器61,62はオツド側
101イーブン側102各々独立に1ケ設けられ
ている。なお以下のいずれの図も右方がオツド
側、左方がイーブン側であり、検出器に磁気バブ
ルが到達するに必要な回転磁場周期数はオツド側
が1少なくなつている。第1図に示した構成では
ストレツチヤー及び検出器(以下この領域を検出
器領域と呼ぶ)が2ケ設けられておりセンスアン
プ系も2ケ必要とする、検出器領域の面積が大き
くなるという欠点を有している。第2図は他のオ
ツド・イーブン方式の構成図でオツド側101、
イーブン側102から転送された磁気バブルが転
送路合流点7で合流し1ケの検出器63で検出さ
れるようになつているため第1図に示した構成の
有する欠点が処置されている。しかし一方第1図
のものに比べ、検出器63に到達するビツト数が
多くなりアクセスタイムが長くなるという欠点が
新たに生じている。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional odd-even system. The information written into the minor loops 31, 32 by the generator 1 and the write gate 2 is divided by the block replicate gate 4 and sent via the read lines 51, 52 to the detectors 61, 62.
Detected by One detector 61 and one detector 62 are independently provided on each of the odd side 101 and the even side 102. In each of the figures below, the right side is the odd side and the left side is the even side, and the number of cycles of the rotating magnetic field required for the magnetic bubble to reach the detector is one less on the odd side. The configuration shown in Figure 1 has two stretchers and detectors (hereinafter referred to as the detector area), and also requires two sense amplifier systems, which is a disadvantage in that the area of the detector area becomes large. have. Figure 2 is a configuration diagram of another odd-even system, with the odd side 101,
Since the magnetic bubbles transferred from the even side 102 merge at the transfer path junction 7 and are detected by one detector 63, the drawbacks of the configuration shown in FIG. 1 are solved. However, compared to the one shown in FIG. 1, there is a new drawback that the number of bits reaching the detector 63 increases and the access time becomes longer.

本発明の目的は、第1図、第2図で示した構成
の欠点を排除し、長所のみを併せもつ高性能の磁
気バブル記憶素子を実現することにある。すなわ
ちアクセスタイムを長くすることなく1ケの検出
器領域のみを有するオツド・イーブン方式の磁気
バブル記憶素子を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the configurations shown in FIGS. 1 and 2 and to realize a high-performance magnetic bubble memory element having only the advantages. That is, the object of the present invention is to provide an odd-even type magnetic bubble storage element having only one detector area without increasing the access time.

本発明による磁気バブル記憶素子1ケの検出器
領域を具備したオツド・イーブン方式からなる磁
気バブル記憶素子においてオツド側データを検出
器領域のオツド側先頭データ位置に近い端部又は
その近傍部より進入せしめ、イーブン側データを
検出器領域のイーブン側先頭データ位置に近い端
部又はその近傍部より進入せしめて検出すること
を特徴とする。
In the magnetic bubble storage element according to the present invention, which is an odd-even type magnetic bubble storage element having one detector area, odd-side data is entered from the end of the detector area near the odd-side leading data position or from the vicinity thereof. The even-side data is detected by entering from the end of the detector area close to the even-side head data position or the vicinity thereof.

次に本発明の詳細について実施例を用いて説明
する。第3図は本発明による磁気バブル記憶素子
の構成図である。本素子はイツド・イーブン方式
で256Kビツトの容量を有し、1024ビツトからな
るマイナーループ31,32がオツド側101に
128本、イーブン側102に128本設けられてい
る。第2図の構成と異なる点はオツド側101、
イーブン側102の両読出しライン51,52を
転送してきた磁気バブルの合流点7が検出器領域
6にあり、さらに検出器領域6の進入口91,9
2がその両端にあることである。すなわちオツド
側データは検出器領域6の右端部より、イーブン
側データは左端部より進入し、夫々のデータは検
出器領域6の中央部7で合流し、検出される。又
検出器領域6の長さをオツド側の先頭データ位置
301とイーブン側の先頭データ位置302との
間隔にほゞ等しくしてあるので検出器領域進入口
91,92迄の転送ビツト数は極めて小さくする
ことができる。本実施例ではオツド側の先頭デー
タ位置301から検出器64迄の転送ビツト数は
8ビツト、イーブン側は9ビツトである。検出器
領域進入口91,92から検出器64迄の転送ビ
ツト数は、検出器領域6の端部より進入させてい
るため、検出器領域の中央部より進入させている
第2図構成のものに比べて磁壁速度の関係から2
倍のビツト数を必要とする。すなわち第2図構成
では16ビツトで済むが本発明による構成では32ビ
ツトを必要とする。しかしながら第2図構成のも
のは検出器領域6の中央部より進入させるためオ
ツド側先頭データ位置301から検出器領域進入
口9迄の転送ビツト数として本発明による構成よ
りも128ビツト多く必要となる。そのためオツド
側先頭データ位置301から検出器63又は64
迄の転送ビツト数は第2図構成のものは152ビツ
トを必要とするが、本発明による構成では40ビツ
トで済む。従つて300KHz駆動で、第2図構成の
ものは平均アクセスタイム2.19msecを要する
が、本発明による構成では1.82msecで済み約17
%のアクセスタイムの短縮が実現されている。
Next, details of the present invention will be explained using examples. FIG. 3 is a block diagram of a magnetic bubble storage element according to the present invention. This device uses an even system and has a capacity of 256K bits, with minor loops 31 and 32 consisting of 1024 bits on the odd side 101.
128 pieces, 128 pieces are provided on the even side 102. The difference from the configuration in FIG. 2 is the Otsudo side 101,
The confluence point 7 of the magnetic bubbles that have transferred both readout lines 51 and 52 on the even side 102 is located in the detector area 6, and furthermore, the inlet 91 and 9 of the detector area 6
2 is at both ends. That is, the odd side data enters the right end of the detector area 6, the even side data enters the left end, and the respective data are merged at the center 7 of the detector area 6 and detected. Furthermore, since the length of the detector area 6 is made approximately equal to the interval between the leading data position 301 on the odd side and the leading data position 302 on the even side, the number of bits transferred up to the detector area entrances 91 and 92 is extremely small. Can be made smaller. In this embodiment, the number of bits transferred from the leading data position 301 on the odd side to the detector 64 is 8 bits, and 9 bits on the even side. The number of bits transferred from the detector area entry ports 91 and 92 to the detector 64 is the same as that of the configuration shown in FIG. From the relationship of domain wall speed compared to 2
Requires twice the number of bits. That is, the configuration of FIG. 2 requires only 16 bits, but the configuration according to the present invention requires 32 bits. However, in the configuration shown in FIG. 2, since the data enters from the center of the detector area 6, the number of transfer bits from the front side leading data position 301 to the detector area entry port 9 is 128 bits larger than in the configuration according to the present invention. . Therefore, from the head data position 301 on the odd side, the detector 63 or 64
The number of bits to be transferred up to now requires 152 bits in the configuration shown in FIG. 2, but only 40 bits in the configuration according to the present invention. Therefore, with 300KHz drive, the average access time of the configuration shown in Figure 2 is 2.19msec, but the configuration according to the present invention requires only 1.82msec, which is about 17.
% reduction in access time has been achieved.

第4図は第3図に示した磁気バブル記憶素子の
各機能部のうち特に検出器領域及びその進入口の
詳細パターンの1つの例を示す図である。オツド
側データはより転送されて進入口91を通つて
検出器領域6へ進入する。イーブン側データは
より転送されて進入口92を通つて検出器領域6
へ進入する。検出器64は進入口91,92から
24カラム目(C24)に配置されていてオツド
側、イーブン側データは12カラム目(C12)で
合流するようになつている。
FIG. 4 is a diagram showing one example of a detailed pattern of the detector region and its entrance among the functional parts of the magnetic bubble storage element shown in FIG. 3. The data on the original side is further transferred and enters the detector area 6 through the entry port 91. The even side data is transferred to the detector area 6 through the inlet 92.
Enter. The detector 64 comes from the entrances 91 and 92.
It is arranged in the 24th column (C24), and the odd side and even side data are arranged in the 12th column (C12).

以上説明したように本発明による磁気バブル素
子はアクセスタイムが大幅に改善でき、しかも1
ケの検出器を使用しているためセンスアンプ系も
1ケで済むという利点を有しており高性能、低価
格の磁気バブル記憶素子が達成できる。
As explained above, the magnetic bubble element according to the present invention can significantly improve the access time, and
Since two detectors are used, there is an advantage that only one sense amplifier system is required, and a high-performance, low-cost magnetic bubble memory element can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のオツド・イーブン方式磁気バブ
ル記憶素子の構成図、第2図は従来の他のオー
ド・イーブン方式磁気バブル記憶素子の構成図、
第3図は本発明によるオツド・イーブン方式磁気
バブル記憶素子の実施例の構成図、第4図は実施
例に用いた磁気バブル記憶素子の検出器領域及び
その進入口近傍の拡大図である。 1……発生器、2……書込みゲート、31,3
2……マイナーループ、4……読出しゲート、5
1,52……読出しライン、6……検出器領域、
61,62,63,64……検出器、7……合流
点、81,82……書込ライン、9・91,92
……検出器領域進入口、101……オツド側領
域、102……イーブン側領域、301……オツ
ド側先頭データ位置、302……イーブン側先頭
データ位置。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional odd-even magnetic bubble memory element, FIG. 2 is a block diagram of another conventional odd-even magnetic bubble memory element,
FIG. 3 is a block diagram of an embodiment of the odd-even type magnetic bubble storage element according to the present invention, and FIG. 4 is an enlarged view of the detector area and the vicinity of its entrance of the magnetic bubble storage element used in the embodiment. 1... Generator, 2... Write gate, 31,3
2... Minor loop, 4... Read gate, 5
1, 52...readout line, 6...detector area,
61, 62, 63, 64...detector, 7...merging point, 81,82...writing line, 9/91,92
...Detector area entrance, 101...Other side area, 102...Even side area, 301...Other side first data position, 302...Even side first data position.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 検出器領域を具備したオツド・イーブン方式
からなる磁気バブル記憶素子においてオツド側デ
ータとイーブン側データとを合流させずに検出器
領域の両端部へ個別に進入させるようにオツド側
データを検出器領域のオツド側先頭データ位置に
近い端部又はその近傍部より進入せしめ、イーブ
ン側データを検出器領域のイーブン側先頭データ
位置に近い端部又はその近傍部より進入せしめて
検出することを特徴とする磁気バブル記憶素子。
1. In a magnetic bubble storage element using an odd-even system equipped with a detector area, the odd-side data is stored in the detector so that the odd-side data and the even-side data enter separately into both ends of the detector area without merging. The detector is characterized in that the even-side data is detected by entering the detector area from an end close to the even-side leading data position of the detector area or from its vicinity, and detecting the even-side data by entering from the end close to the even-side leading data position of the detector area or its vicinity. magnetic bubble memory element.
JP2042179A 1979-02-22 1979-02-22 Magnetic bubble memory element Granted JPS55113185A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2042179A JPS55113185A (en) 1979-02-22 1979-02-22 Magnetic bubble memory element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2042179A JPS55113185A (en) 1979-02-22 1979-02-22 Magnetic bubble memory element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55113185A JPS55113185A (en) 1980-09-01
JPS6158917B2 true JPS6158917B2 (en) 1986-12-13

Family

ID=12026561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2042179A Granted JPS55113185A (en) 1979-02-22 1979-02-22 Magnetic bubble memory element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS55113185A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5837895A (en) * 1981-08-31 1983-03-05 Fujitsu Ltd Driving method of magnetic bubble memory device
JPS5856274A (en) * 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd Sense amplifier of magnetic bubble memory
JPS5883381A (en) * 1981-11-09 1983-05-19 Fujitsu Ltd Magnetic bubble memory element

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5538653A (en) * 1978-09-11 1980-03-18 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory element

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55113185A (en) 1980-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3701125A (en) Self-contained magnetic bubble domain memory chip
JPS6238590A (en) Semiconductor memory device
JPS6158917B2 (en)
JPH04184788A (en) Semiconductor memory apparatus
JPS5858753B2 (en) Mejiya/minor loop bubble memory system
US3422409A (en) Magnetic switch for reading and writing in an ndro memory
US3944991A (en) Magnetic domain memory organization
JPS60173793A (en) Semiconductor storage device
JPS62100569U (en)
JPS6076082A (en) Magnetic bubble element
US4225944A (en) Bubble memory chip organization-folded loop type
JPS55117785A (en) Magnetic bubble memory element
JPS58141493A (en) Magnetic bubble storage element
JPS583313B2 (en) Jiki Bubble Souch
JP2849724B2 (en) Bloch line memory device
JPS6355795A (en) Information storing method and information memory element
GB1155436A (en) Improvements in Magnetic Film Memories
JPS5835789A (en) Side feeding expander
JPS61264587A (en) Magnetic bubble detector
JPH0513359B2 (en)
JPS5841484A (en) Semiconductor memory circuit
Mizuno et al. Design and characteristics for vertical bloch line memory using a ring-shaped domain
JPS6341159B2 (en)
JPH067434B2 (en) Magnetic bubble memory device
JPS58111188A (en) Josephson element storing circuit