JPS621314B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS621314B2 JPS621314B2 JP56076631A JP7663181A JPS621314B2 JP S621314 B2 JPS621314 B2 JP S621314B2 JP 56076631 A JP56076631 A JP 56076631A JP 7663181 A JP7663181 A JP 7663181A JP S621314 B2 JPS621314 B2 JP S621314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- coated
- lever
- resist
- rotating shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は塗布装置、特にウエハ両面にフオトレ
ジストを同時にかつ均一に塗布する両面塗布装置
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a coating apparatus, and more particularly to a double-sided coating apparatus for simultaneously and uniformly coating both sides of a wafer with photoresist.
IC(集積回路)、LSI(大規模集積回路)等の
半導体装置の製造において、半導体薄板(ウエ
ハ)の表面に、部分的に拡散層、配線層、絶縁保
護膜等を形成する工程があるが、これら各作業で
はあらかじめ、ウエハ表面にフオトレジスト(感
光剤;以下単にレジストとも呼ぶ。)を塗布する
作業が必要となる。 In manufacturing semiconductor devices such as ICs (integrated circuits) and LSIs (large-scale integrated circuits), there is a process to partially form diffusion layers, wiring layers, insulating protective films, etc. on the surface of semiconductor thin plates (wafers). In each of these operations, it is necessary to apply a photoresist (photosensitive agent; hereinafter also simply referred to as resist) on the wafer surface in advance.
従来、第1図に示すような円板状のウエハ1の
平坦な表面にレジストを塗布する装置として、第
2図に示す構造のレジスト塗布装置が知られてい
る。この装置はカバー2に被われた処理室3の中
央に吸着治具4が配置されている。この吸着治具
4は支持台5のベアリングガイド6にボールベア
リング7を介して回転自在に取り付けられた中空
の軸8の上端に連通状態で固定されている。ま
た、軸8の下端には回転継手9が接続され、この
回転継手9はパイプ10等を介して真空源11に
接続されている。したがつて、ウエハ1を吸着治
具4の上面である吸着面に載置した後、真空化を
図ると、ウエハ1は吸着面に真空保持される。一
方、軸8の下部には図示しないモータによつて回
動する無端の平ベルト12に掛けられるプーリ1
3が取り付けられている。他方、吸着治具4の上
方にはレジスト液14を滴下するノズル15が配
設されている。なお、16は排気部である。 2. Description of the Related Art Conventionally, a resist coating apparatus having a structure shown in FIG. 2 has been known as an apparatus for coating a flat surface of a disk-shaped wafer 1 as shown in FIG. 1. In this device, a suction jig 4 is placed in the center of a processing chamber 3 covered by a cover 2. This suction jig 4 is fixed in communication with the upper end of a hollow shaft 8 rotatably attached to a bearing guide 6 of a support base 5 via a ball bearing 7. Further, a rotary joint 9 is connected to the lower end of the shaft 8, and this rotary joint 9 is connected to a vacuum source 11 via a pipe 10 or the like. Therefore, when the wafer 1 is placed on the suction surface, which is the upper surface of the suction jig 4, and the suction surface is evacuated, the wafer 1 is held in vacuum on the suction surface. On the other hand, at the bottom of the shaft 8 is a pulley 1 that is hung on an endless flat belt 12 that is rotated by a motor (not shown).
3 is installed. On the other hand, above the suction jig 4, a nozzle 15 for dropping the resist liquid 14 is arranged. Note that 16 is an exhaust section.
このような従来のレジスト塗布装置にあつて
は、カバー2を開いてウエハ1を吸着治具4上に
載置した後カバー2を閉じる。その後、ウエハ1
を真空保持するとともに、モータを駆動させてウ
エハ1を高速回転させ、かつノズル15からレジ
スト液14をウエハ1上に滴下供給する。この結
果、レジスト液14は遠心力によつてウエハ1の
上面全域に均一に拡がつて塗布される。 In such a conventional resist coating apparatus, the cover 2 is opened, the wafer 1 is placed on the suction jig 4, and then the cover 2 is closed. After that, wafer 1
While maintaining the wafer 1 in a vacuum, the motor is driven to rotate the wafer 1 at high speed, and the resist liquid 14 is dripped onto the wafer 1 from the nozzle 15. As a result, the resist liquid 14 is uniformly spread and applied over the entire upper surface of the wafer 1 due to centrifugal force.
ところで、第3図に示すように、ウエハ1の両
面にレジスト模14aを形成する場合、前記の従
来の装置では、ウエハ1の一面にレジスト液14
を塗布した後、吸着治具4の真空動作を一度解除
してウエハ1を処理室3から取り出し、ウエハ1
の一面に塗布したレジスト液14を乾燥させ、そ
の後、ウエハ1を裏返しにして再び吸着治具4の
吸着面に載置し、再び前記手順でウエハ1の他面
にレジスト液14を塗布させなければならない。 By the way, as shown in FIG. 3, when forming the resist pattern 14a on both sides of the wafer 1, in the conventional apparatus described above, the resist liquid 14a is applied to one side of the wafer 1.
After coating the wafer 1, the vacuum operation of the suction jig 4 is released and the wafer 1 is taken out from the processing chamber 3.
After drying the resist liquid 14 applied to one side, the wafer 1 is turned over and placed on the suction surface of the suction jig 4 again, and the resist liquid 14 is applied to the other side of the wafer 1 again using the above procedure. Must be.
しかし、このような方法ではウエハ1の一面に
レジスト液14を塗布した後、清浄な処理室から
取り出して乾燥等の作業に移行させ、再び処理室
に入れるため、ウエハ表面への異物付着が多くな
り、フオトエツチングの歩留の低下を来たす。ま
た、ウエハ1のハンドリング回数も多いため、ウ
エハ1には何度も外力が加わり、ウエハ1の割れ
も発生し易くなる等多くの弊害が生じる。 However, in this method, after the resist liquid 14 is applied to one side of the wafer 1, the wafer 1 is taken out from a clean processing chamber for drying and other operations, and then put back into the processing chamber, which often results in foreign matter adhering to the wafer surface. This results in a decrease in photoetching yield. Furthermore, since the wafer 1 is handled many times, external forces are applied to the wafer 1 many times, causing many problems such as the wafer 1 being more likely to crack.
したがつて、本発明の目的は、被塗布物両面へ
の塗布物の塗布作業を同時に行ない、工程長の短
縮、被塗布物裏面異物の減少を得ることにある。 Accordingly, an object of the present invention is to simultaneously apply a coating material to both sides of an object to be coated, thereby shortening the process length and reducing foreign matter on the back side of the object to be coated.
このような目的を達成するために本発明は、被
塗布物の外周端部をスプリング力により一定圧力
で押えるV溝チヤツクにて保持するとともに高速
回転させ、かつこの回転によりV溝チヤツクに発
生する遠心力をフライボール効果によりキヤンセ
ル(解消)して安定した回転を得、さらに、被塗
布物の両面に同時に塗布液を供給することによ
り、被塗布物の両面に塗布液塗布を行なうもので
ある。 In order to achieve such an object, the present invention holds the outer circumferential end of the object to be coated with a V-groove chuck that presses down a constant pressure using a spring force, rotates it at high speed, and causes the V-groove chuck to generate pressure due to this rotation. Stable rotation is achieved by canceling centrifugal force using the flyball effect, and coating liquid is applied to both sides of the object by simultaneously supplying the coating liquid to both sides of the object. .
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.
第4図〜第6図は本発明の一実施例によるレジ
スト両面塗布装置を示す図であつて、第4図は正
面断面図、第5図はウエハの支持機構を示す拡大
図、第6図は同じく側面図である。 4 to 6 are diagrams showing a resist double-sided coating apparatus according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 4 is a front sectional view, FIG. 5 is an enlarged view showing a wafer support mechanism, and FIG. is also a side view.
この装置は第4図に示すように、支持台5上に
ベース17を配設している。ベース17には水平
方向に延在する中空の回転軸18が軸受19を介
して貫通かつ回転可能に取り付けられている。回
転軸18の一端部にはモータ20からの動力を伝
える平ベルト12が掛けられる平プーリ21が取
り付けられ、回転軸18はモータ20の駆動によ
つて高速で回動する。回転軸18の他端外周部に
は、第5図および第6図で示すように、90度間隔
で4本のレバー22等が配設されてウエハ1を支
持する支持機構が形作られている。各レバー22
は回転軸18の軸方向に沿つて延在するととも
に、一端左端は回転軸18の端面から突出し、か
つ突出端の内面側にV溝23を有するV溝チヤツ
ク24をねじ25によつて固定している。各レバ
ー22のV溝チヤツク24の各V溝23の中心は
同一平面上に位置し、それぞれレバー22の閉動
作によつて1枚のウエハ1の周縁に喰い付くよう
になつている。また、各レバー22は中央の屈曲
部分をピン26を介して回転軸18に揺動可能に
取り付けられている。また、各レバー22は回転
軸18の外周に取り付けられた圧縮スプリング2
7によつて常に閉動作するように付勢されてい
る。また、レバー22の他端右端のレバー端部分
にはフライボール28が摺動自在に挿嵌されると
ともに、ロツクねじ29によつて固定されてい
る。このフライボール28は、回転軸18の高速
回転による遠心力によつてV溝チヤツク24がウ
エハ1の周縁から遠去かり、V溝23からウエハ
1が外れるのを防止する役割を果す。すなわち、
取付位置調整自在のフライボール28の取付位置
を調整して、ウエハ1およびV溝チヤツク24な
らびに左端レバー部分による遠心力よりも、右端
レバー部分およびフライボール28等による遠心
力および圧縮スプリングによる付勢力を大きくし
ておくことによつて、高速回転下でもウエハ1を
確実に保持することができる。したがつて、フラ
イボール28はV溝チヤツク24等による遠心力
を相殺(キヤンセル)する。 As shown in FIG. 4, this device has a base 17 disposed on a support stand 5. A horizontally extending hollow rotating shaft 18 is attached to the base 17 through a bearing 19 so as to be rotatable therethrough. A flat pulley 21 on which a flat belt 12 for transmitting power from a motor 20 is hung is attached to one end of the rotating shaft 18, and the rotating shaft 18 is rotated at high speed by the drive of the motor 20. As shown in FIGS. 5 and 6, on the outer periphery of the other end of the rotating shaft 18, four levers 22, etc. are arranged at 90 degree intervals to form a support mechanism for supporting the wafer 1. . Each lever 22
extends along the axial direction of the rotating shaft 18, one left end projects from the end surface of the rotating shaft 18, and a V-groove chuck 24 having a V-groove 23 on the inner surface of the projecting end is fixed by a screw 25. ing. The centers of each V-groove 23 of the V-groove chuck 24 of each lever 22 are located on the same plane, and are adapted to bite into the peripheral edge of one wafer 1 when the lever 22 is closed. Further, each lever 22 is swingably attached to the rotating shaft 18 via a pin 26 at a central bent portion. Each lever 22 also has a compression spring 2 attached to the outer periphery of the rotating shaft 18.
7 so that it always closes. Further, a fly ball 28 is slidably inserted into the right end of the lever 22 at the other end and is fixed by a lock screw 29. This fly ball 28 serves to prevent the V-groove chuck 24 from moving away from the periphery of the wafer 1 and the wafer 1 from coming off the V-groove 23 due to the centrifugal force caused by the high-speed rotation of the rotating shaft 18. That is,
By adjusting the mounting position of the fly ball 28 whose mounting position is freely adjustable, the centrifugal force caused by the right end lever portion, the fly ball 28, etc., and the urging force by the compression spring are more effective than the centrifugal force caused by the wafer 1, the V-groove chuck 24, and the left end lever portion. By making it large, the wafer 1 can be held securely even under high speed rotation. Therefore, the fly ball 28 cancels the centrifugal force caused by the V-groove chuck 24 and the like.
一方、各レバー22を開動作させてV溝チヤツ
ク24に保持するウエハ1のクランプを開放させ
る役割をする枠状の開放板30が各レバー22の
外側を取り囲むように配設されている。この開放
板30は回転軸18と平行移動するように、第4
図で示すように、ベース17にスライドベアリン
グ31を介して摺動する複数のロツド32の先端
に取り付けられている。ロツド32の途中にはカ
ム33にその一面が接触するカラー34が取り付
けられるとともに、このカラー34の他面とベー
ス17の一部との間には戻りスプリング35が配
設され、常にカラー34の動きがカム33のカム
曲線に追従するようになつている。したがつて、
カム33の回転によつて、ロツド32は回転軸1
8の軸方向に沿つて前後に往復動し、前進によつ
てレバー22から外れ、後退によつてレバー22
の跳ね上がつた右端部分を半径方向に絞り込み、
左端レバー部分を半径方向に拡開させる。この結
果、V溝チヤツク24は開放板30の後退動作
(レバーの開動作)によつてウエハ1を放し、前
進動作(レバーの閉動作)によつてウエハ1を保
持する。 On the other hand, a frame-shaped release plate 30 is disposed so as to surround the outside of each lever 22, and serves to open each lever 22 and release the clamp of the wafer 1 held in the V-groove chuck 24. This open plate 30 is moved parallel to the rotating shaft 18 so that the fourth
As shown in the figure, the rods 32 are attached to the tips of a plurality of rods 32 that slide on the base 17 via slide bearings 31. A collar 34 is attached to the middle of the rod 32, and one side of the collar 34 contacts the cam 33. A return spring 35 is disposed between the other side of the collar 34 and a part of the base 17, so that the collar 34 is always in contact with the cam 33. The movement follows the cam curve of the cam 33. Therefore,
By the rotation of the cam 33, the rod 32 is rotated to the rotation axis 1.
It reciprocates back and forth along the axial direction of the lever 8, and when it moves forward, it comes off the lever 22, and when it moves backward, it moves away from the lever 22.
Narrow down the raised right end part in the radial direction,
Expand the left end lever part in the radial direction. As a result, the V-groove chuck 24 releases the wafer 1 by the backward movement of the release plate 30 (the lever opens), and holds the wafer 1 by the forward movement (the lever closes).
他方、ベース17の一端左端から突出する回転
軸部分等は開閉自在のカバー2によつて被われ、
処理室3内に位置する。また、カバー2には排気
部16が設けられ、飛散したレジストを強制排気
する。また、カバー2を貫通して先端のノズル3
6をV溝チヤツク24に保持されたウエハ1の左
面の略中央部に臨ます第1レジスト液供給管37
および回転軸18の中空部を貫通して先端のノズ
ル38をV溝チヤツク24に保持されたウエハ1
の右面の略中央部に臨ます第2レジスト液供給管
39ならびにポンプ40に第1・第2レジスト液
供給管37,39を接続するメインパイプ41と
によつて、レジスト供給機構を形作つている。 On the other hand, the rotating shaft portion protruding from the left end of one end of the base 17 is covered by a cover 2 that can be opened and closed.
It is located inside the processing chamber 3. Further, the cover 2 is provided with an exhaust section 16 to forcibly exhaust the scattered resist. Also, the nozzle 3 at the tip penetrates through the cover 2.
6 facing approximately the center of the left side of the wafer 1 held in the V-groove chuck 24.
The wafer 1 is passed through the hollow part of the rotating shaft 18 and the nozzle 38 at the tip thereof is held in the V-groove chuck 24.
A resist supply mechanism is formed by a second resist solution supply pipe 39 facing approximately the center of the right side of the main pipe 41 and a main pipe 41 connecting the first and second resist solution supply pipes 37 and 39 to the pump 40. There is.
つぎに、このような装置によるウエハ両面への
レジスト塗布作業について説明する。まず、カバ
ー2を開放した後、カム33を動作させて開放板
30を後退させ、各レバー22端のV溝チヤツク
24を開く。その後、図示なき一般公知のウエハ
ローダにてウエハ1を保持位置に供給し、カム3
3の動きによつて開放板30を前進させ、圧縮ス
プリング27の復元力によつて4個のV溝チヤツ
ク24でウエハ1を保持させる。この状態でウエ
ハローダを処理室3から外し、カバー2を閉じ
る。 Next, a resist coating operation on both surfaces of a wafer using such an apparatus will be explained. First, after opening the cover 2, the cam 33 is operated to move the opening plate 30 backward, and the V-groove chuck 24 at the end of each lever 22 is opened. Thereafter, the wafer 1 is supplied to the holding position using a generally known wafer loader (not shown), and the cam 3
The release plate 30 is moved forward by the movement 3, and the restoring force of the compression spring 27 causes the four V-groove chucks 24 to hold the wafer 1. In this state, the wafer loader is removed from the processing chamber 3 and the cover 2 is closed.
つぎに、モータ20にて平ベルト12を介して
回転軸18を廻し、V溝チヤツク24に保持され
たウエハ1を回転させる。このとき回転によりV
溝チヤツク24に発生する遠心力はV溝チヤツク
の開き方向に作用するが、レバー22に設けたフ
ライボール28により遠心力がキヤンセルされ
る。このため、ウエハ1は一定圧で保持されて外
れることはない。次いでポンプ40にてノズル3
6,38を介してレジスト液14をウエハ1の両
サイドから同時にウエハ1の面上に供給し、ウエ
ハ1両面同時にレジスト液14を均一に塗布す
る。 Next, the rotating shaft 18 is rotated by the motor 20 via the flat belt 12, and the wafer 1 held in the V-groove chuck 24 is rotated. At this time, due to rotation, V
The centrifugal force generated in the groove chuck 24 acts in the opening direction of the V-groove chuck, but the centrifugal force is canceled by the fly ball 28 provided on the lever 22. Therefore, the wafer 1 is held at a constant pressure and will not come off. Then, the pump 40 pumps the nozzle 3.
6 and 38, the resist liquid 14 is simultaneously supplied onto the surface of the wafer 1 from both sides of the wafer 1, and the resist liquid 14 is uniformly applied to both sides of the wafer 1 at the same time.
このような実施例によれば、従来、ウエハ1の
片面ずつのレジスト塗布作業が1回のレジスト液
塗布で行なえるため、作業性が向上する。また、
ウエハ1のハンドリング回数が従来よりも減り、
かつ圧縮スプリング(スプリング)によつて一定
圧で保持されるため、ウエハ1の割れ、欠けの発
生率も減少する。さらに、ウエハ1は1度処理室
に入れられると同時に両面にレジスト液を塗布さ
れることから、従来の装置のように、途中でウエ
ハ1を処理室3外に取り出したり、乾燥させる必
要はない。このため、ウエハ1の表面に異物が付
着する確率は低くなり、ウエハ1の汚染は少なく
なる。したがつて、この装置によつて形成された
レジスト膜のマスク性は高くなり、拡散層、配線
層、絶縁保護膜等の製造歩留が高くなる。また、
信頼度も向上する。 According to such an embodiment, the work efficiency can be improved because the resist coating work for each side of the wafer 1 can be done by applying the resist solution once. Also,
The number of times wafer 1 is handled is reduced compared to before.
Moreover, since the pressure is maintained at a constant pressure by a compression spring, the incidence of cracking and chipping of the wafer 1 is also reduced. Furthermore, since the resist solution is coated on both sides of the wafer 1 once it is placed in the processing chamber, there is no need to take the wafer 1 out of the processing chamber 3 or dry it, unlike in conventional equipment. . Therefore, the probability that foreign matter will adhere to the surface of the wafer 1 is reduced, and the wafer 1 is less likely to be contaminated. Therefore, the maskability of the resist film formed by this apparatus is improved, and the manufacturing yield of diffusion layers, wiring layers, insulating protective films, etc. is increased. Also,
Reliability will also improve.
また、この装置によれば、ウエハ1の周縁部を
チヤツクしてウエハ1を取り扱うため、ウエハ1
の平坦な表面は常時クリーン状態に保たれ、チヤ
ツク時の汚染が防止できることから、製品歩留り
も向上する。さらに、ウエハ1の周縁支持構造の
ため、各部の構造が簡素化され、装置全体がコン
パクトとなる。 Further, according to this apparatus, since the wafer 1 is handled by chucking the periphery of the wafer 1, the wafer 1 is
The flat surface of the product is kept clean at all times, preventing contamination during chuck, which improves product yield. Furthermore, because of the peripheral edge support structure of the wafer 1, the structure of each part is simplified and the entire apparatus becomes compact.
なお、本発明は前記実施例に限定されない。す
なわち、ウエハの支持機構はウエハの周縁部を介
してウエハを支持する構造ならば他の構造でもよ
い。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments. That is, the wafer support mechanism may have any other structure as long as it supports the wafer through the periphery of the wafer.
また、本発明の装置はウエハを水平状態等に支
持してウエハの両面にレジスト液を塗布する構造
としてもよい。 Further, the apparatus of the present invention may have a structure in which the wafer is supported in a horizontal state or the like and the resist liquid is applied to both surfaces of the wafer.
さらに、本発明の装置において、被塗布物はウ
エハ以外のものでもよく、塗布物はレジスト以外
のものでもよい。 Furthermore, in the apparatus of the present invention, the object to be coated may be something other than a wafer, and the object to be coated may be something other than resist.
以上のように、本発明の両面塗布装置によれ
ば、板状の被塗布物の両面に同時に均一にレジス
ト等の塗布物を塗布することができる。このた
め、塗布工程の短縮化、被塗布物の汚染の低減化
を図ることができる。したがつて、半導体製造に
用いるウエハのレジスト塗布に適用すれば、製造
歩留の向上、製造コストの軽減化を図れる。 As described above, according to the double-sided coating apparatus of the present invention, it is possible to simultaneously and uniformly apply a coating material such as a resist to both surfaces of a plate-shaped object to be coated. Therefore, it is possible to shorten the coating process and reduce contamination of the object to be coated. Therefore, if applied to resist coating on wafers used in semiconductor manufacturing, it is possible to improve manufacturing yield and reduce manufacturing costs.
第1図はウエハの平面図、第2図は従来のレジ
スト塗布装置の一部を断面とした正面図、第3図
は両面にレジストを塗布したウエハの正面図、第
4図は本発明の一実施例によるレジスト両面塗布
装置の一部を断面とした正面図、第5図は第4図
の一部を示す拡大断面図、第6図は第5図の側面
図である。
1……ウエハ、14……レジスト液、18……
回転軸、22……レバー、24……V溝チヤツ
ク、27……圧縮スプリング、28……フライボ
ール、30……開放板、33……カム、36,3
8……ノズル。
FIG. 1 is a plan view of a wafer, FIG. 2 is a partially sectional front view of a conventional resist coating device, FIG. 3 is a front view of a wafer with resist coated on both sides, and FIG. 4 is a front view of a wafer coated with resist on both sides. FIG. 5 is an enlarged sectional view showing a part of FIG. 4, and FIG. 6 is a side view of FIG. 5. 1...Wafer, 14...Resist liquid, 18...
Rotating shaft, 22...Lever, 24...V groove chuck, 27...Compression spring, 28...Fly ball, 30...Release plate, 33...Cam, 36,3
8... Nozzle.
Claims (1)
るとともに回転する支持機構と、前記被塗布物の
両面にそれぞれ塗布物を吹き付ける塗布物供給機
構とを有し、前記支持機構は、高速で回転する中
空軸からなる回転軸と、この回転軸の外周部に軸
方向に沿つて延在し中間部をピンによつて揺動自
在に取り付けられるとともに、回転軸の一端面か
ら突出する一端内面側にV溝チヤツクを取り付
け、かつ他端に取付位置調整自在に取り付けたフ
ライポールを有する複数のくの字形のレバーと、
各V溝チヤツクが相互に近接して被塗布物を保持
する方向に各レバーを付勢するスプリングと、こ
のスプリングに抗して各レバーを開動作させる開
放板とからなることを特徴とする両面塗布装置。1. A support mechanism that holds and rotates the object to be coated via the outer periphery of the object to be coated, and a coating material supply mechanism that sprays a coating material onto both surfaces of the object to be coated, and the support mechanism has a high-speed A rotating shaft consisting of a hollow shaft that rotates at A plurality of dogleg-shaped levers with a V-groove chuck attached to the inner side and a fly pole attached to the other end so that the attachment position can be adjusted freely;
A double-sided device characterized by comprising a spring that urges each lever in a direction in which each V-groove chuck holds the object to be coated in close proximity to each other, and an opening plate that opens each lever against this spring. Coating device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56076631A JPS57194070A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Double side coating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56076631A JPS57194070A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Double side coating device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57194070A JPS57194070A (en) | 1982-11-29 |
| JPS621314B2 true JPS621314B2 (en) | 1987-01-12 |
Family
ID=13610713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56076631A Granted JPS57194070A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Double side coating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57194070A (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185029A (en) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Hitachi Ltd | Wafer treatment apparatus |
| JPS63149279U (en) * | 1987-03-20 | 1988-09-30 | ||
| JPS63240967A (en) * | 1988-03-03 | 1988-10-06 | Toray Ind Inc | Spin-coating device |
| JP2833762B2 (en) * | 1988-09-21 | 1998-12-09 | 株式会社芝浦製作所 | Glass substrate drying equipment |
| JPH0328722U (en) * | 1989-07-31 | 1991-03-22 |
-
1981
- 1981-05-22 JP JP56076631A patent/JPS57194070A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57194070A (en) | 1982-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW544772B (en) | Apparatus and method for substrate preparation implementing a surface tension reducing process | |
| TWI294641B (en) | Coating and developing apparatus and coating and developing method | |
| JP2001510940A (en) | Method and apparatus for processing flat substrates, especially silicon thin sheets (wafers), for producing microelectronic components | |
| KR20010071804A (en) | Wafer cleaning apparatus | |
| JP4654119B2 (en) | Coating / developing apparatus and coating / developing method | |
| JPS621314B2 (en) | ||
| JP2010080583A (en) | Device and method for processing substrate | |
| JPH05253853A (en) | Flake absorber and washing method for flake absorber | |
| US7832352B2 (en) | Coating treatment method and coating treatment apparatus | |
| JP3190159B2 (en) | Semiconductor wafer bonding equipment | |
| JP3322630B2 (en) | Rotary processing device | |
| JP3295445B2 (en) | Spinner and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| JPH0560660B2 (en) | ||
| JP7794577B2 (en) | processing equipment | |
| JPH02197126A (en) | Both side cleaning device of semiconductor wafer substrate | |
| JPH06244167A (en) | Wafer edge processing method and apparatus | |
| US20040094187A1 (en) | Apparatus and method for holding a semiconductor wafer using centrifugal force | |
| JPH03256677A (en) | Thin piece suction holding device | |
| JP2883467B2 (en) | Rotary processing equipment | |
| JP3164739B2 (en) | Method and apparatus for forming coating film | |
| JP2000156391A (en) | Semiconductor wafer inspection equipment | |
| JPS5946093B2 (en) | Photoresist coating equipment for semiconductor wafers | |
| JP2810680B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JP2982281B2 (en) | Wafer scrubber device | |
| JP3137491B2 (en) | Wiping and drying equipment for semiconductor wafers |