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JPS6214639B2 - - Google Patents
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JPS6214639B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6214639B2
JPS6214639B2 JP58055190A JP5519083A JPS6214639B2 JP S6214639 B2 JPS6214639 B2 JP S6214639B2 JP 58055190 A JP58055190 A JP 58055190A JP 5519083 A JP5519083 A JP 5519083A JP S6214639 B2 JPS6214639 B2 JP S6214639B2
Authority
JP
Japan
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acid
lead
tin
plating bath
moles
Prior art date
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Expired
Application number
JP58055190A
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Japanese (ja)
Other versions
JPS59182986A (en
Inventor
Keigo Obata
Nobuyasu Doi
Yoshiaki Okuhama
Seiji Masaki
Yukyoshi Okada
Masakazu Yoshimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DAIWA KASEI KENKYUSHO KK
HYOGOKEN
ISHIHARA YAKUHIN KK
Original Assignee
DAIWA KASEI KENKYUSHO KK
HYOGOKEN
ISHIHARA YAKUHIN KK
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Filing date
Publication date
Application filed by DAIWA KASEI KENKYUSHO KK, HYOGOKEN, ISHIHARA YAKUHIN KK filed Critical DAIWA KASEI KENKYUSHO KK
Priority to JP5519083A priority Critical patent/JPS59182986A/en
Publication of JPS59182986A publication Critical patent/JPS59182986A/en
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  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、2価のスズ及び鉛の共通可溶性錯塩
としてアルカン又はアルカノールスルホン酸を用
いたスズ、鉛及びスズ−鉛合金の電気メツキ浴に
関するものである。 近年、スズ、スズ−鉛合金メツキはハンダ付け
性向上用皮膜及びエツチングレジスト用皮膜とし
て弱電工業及び電子工業用部品等に広く利用され
ている。 しかるに、工業的には、スズ、鉛及びスズ−鉛
合金を高速度で均質にメツキする浴としてホウフ
ツ化物浴が広く用いられている。しかし、ホウフ
ツ化物浴は腐食性、毒性が激しく、メツキ設備及
び作業に大きな負担となるばかりでなく、排水処
理が困難である。ホウフツ化物は高度の処理技術
を用いれば一応解決できるが、処理に多額の出費
を伴ない、経済的損失は少なくない。 本発明は、公害対策上問題の多いホウフツ酸を
用いることなく、高速度で均質、緻密なメツキが
得られるスズ、鉛およびスズ−鉛合金メツキ浴を
提供することを目的とする。 本発明者は、ホウフツ化物浴に代えて、公害対
策上問題の少ないアルカンスルホン酸又はアルカ
ノールスルホン酸及びそれらのすず及び(又は)
鉛塩を主体とするメツキ浴を用い、しかもある種
の界面活性剤と平滑添加剤を併用添加してなるも
のを用いることによつて、ホウフツ化物浴に匹敵
し又はそれ以上である性能を有すると共に、高電
流部から低電流部までの広い電流条件下で実施で
き、高速度で、均質、緻密なスズ、鉛又はスズ−
鉛合金メツキを与えるメツキ浴を見出した(特願
昭57−176365号を参照)。 さらに研究した結果、上記の界面活性剤の中で
も、特にある種の非イオン界面活性剤がさらに有
効であることが見出された。 したがつて、本発明は、アルカンスルホン酸又
はアルカノールスルホン酸及びそれらの2価のス
ズ塩と2価の鉛塩のどちらか一方又は両方を含有
する主メツキ浴に、ある種の非イオン界面活性剤
の1種以上を添加し、さらに平滑添加剤の1種以
上を併用添加してなるスズ、鉛又はスズ−鉛合金
メツキ浴に係る。 本発明の主メツキ浴は、基本的には、アルカン
スルホン酸又はアルカノールスルホン酸の1種以
上と、それらのスルホン酸のスズ塩又は鉛塩又は
その両者の1種以上よりなつている。 用いることができるアルカンスルホン酸又はア
ルカノールスルホン酸は、次の一般式を有するも
のである。 R−SO3H 〔ここで、R:アルキル基(C1〜12)〕 HO−R−SO3H 〔ここで、R:アルキル基(C112)、 水素基はアルキル基の任意の位置にあつてよ
い〕 アルカンスルホン酸の例は、メタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、2
−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサ
ンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスル
ホン酸などである。これらのアルカンスルホン酸
は単独で又は2種以上の混合物として使用でき
る。 アルカノールスルホン酸の例は、イセチオン酸
(2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸)、2−
ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、1−ヒド
ロキシプロパン−2−スルホン酸、3−ヒドロキ
シプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブ
タン−1−スルホン酸、4−ヒドロキシブタン−
1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタン−1−
スルホン酸、2−ヒドロキシヘキサン−1−スル
ホン酸、2−ヒドロキシデカン−1−スルホン
酸、2−ヒドロキシドデカン−1−スルホン酸で
ある。これらのヒドロキシ含有アルカンスルホン
酸は単独で又は2種以上の混合物として使用でき
る。 スズメツキ浴の場合には、上記のようなアルカ
ンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸及びそ
のスズ塩を含み、鉛メツキ浴の場合は同様にスル
ホン酸とその鉛塩を含み、さらにはスズ−鉛合金
メツキ浴の場合はスルホン酸とそのすず塩及び鉛
塩を含有する。スズ及び(又は)鉛塩の総濃度は
金属としては0.5〜200g/、好ましくは10〜
100g/である。また、メツキ浴中に存在させ
る遊離のアルカンスルホン酸又はアルカノールス
ルホン酸の濃度は、浴中の2価のスズ及び(又
は)鉛イオンと化学量論的に少なくとも当量以上
とする。 本発明のメツキ浴に添加される非イオン界面活
性剤は、メツキ浴の分散性を向上させると共に、
密着性よく緻密で平滑なメツキを得るのを可能に
する。また、非イオン界面活性剤は低電流部での
つき回り性を良好にする効果を有することがわか
つた。また、下記するように、ある種の平滑添加
剤をさらに併用することによつて、さらに相乗効
果が得られ、バレルメツキ、ラツクメツキ、高速
度連続メツキ、スルホールメツキ等の全てのメツ
キ法に応用することが可能となる。 本発明のメツキ浴には、また、高電流部でのヤ
ケ及びデンドライト(樹脂状)の生長を抑制する
効果のある陽イオン界面活性剤、例えば特願昭57
−176365号に記載のような第四級アルキルアンモ
ニウム塩、ピリジニウム塩、イミダゾリニウム
塩、ベタイン型の陽イオン界面活性剤を添加する
ことができる。しかして、本発明では、電流条件
に応じて両界面活性剤を併用することにより広範
囲の電流条件でのメツキが可能となる。 本発明において、有効であることがわかつた非
イオン界面活性剤は、下記の一般式() (ここで、AはC8〜20アルカノールの残基、
C1〜25アルキルフエノールの残基、C1〜25アルキ
ルβ−ナフトールの残基、C3〜22脂肪酸アミドの
残基、C1〜25アルコキシル化りん酸の残基、C8
C22高級脂肪酸でエステル化したソルビタンエス
テルの残基、又はスチレン化フエノール(フエノ
ール核の水素はC1〜4アルキル又はフエニル基で
置換されていてよい)の残基を表わし、 R′及びR″は水素原子又はメチル基を表わし、
ただしR′が水素原子を表わすときはR″はメチル
基を表わし、またR′がメチル基を表わすときは
R″は水素原子を表わし、 mは1〜30の整数を表わし、 nは1〜30の整数を表わす) を有する。 本発明のメツキ浴に用いることのできる式
()の非イオン界面活性剤は、斯界で周知のも
のであつて、周知の方法でC8〜22高級アルコー
ル、アルキルフエノール、アルキルβ−ナフトー
ル、C3〜22脂肪酸アミド、アルコキシル化りん
酸、C8〜22高級脂肪酸でエステル化したソルビタ
ン又はスチレン化フエノールにエチレンオキシド
(又はプロピレンオキシド)を付加縮合させ、さ
らにプロピレンオキシド(又はエチレンオキシ
ド)を付加縮合させることにより製造することが
できる。 エチレンオキシド又はプロピレンオキシドを付
加縮合させることのできる高級アルコールとして
は、例えばオクタノール、デカノール、ラウリル
アルコール、テトラデカノール、ヘキサデカノー
ル、ステアリルアルコール、エイコサノール、セ
チルアルコール、オレイルアルコール、セチルア
ルコール、ドコサノールなどがあげられる。アル
キルフエノールとしては、モノ、ジ若しくはトリ
−アルキル置換フエノール、例えばp−ブチルフ
エノール、p−イソオクチルフエノール、p−ノ
ニルフエノール、p−ヘキシルフエノール、2・
4−ジブチルフエノール、2・4・6−トリブチ
ルフエノール、p−ドデシルフエノール、p−ラ
ウリルフエノール、p−ステアリルフエノールな
どがあげられる。アルキルβ−ナフトールのアル
キル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、
オクタデシルなどがあげられ、ナフタリン核の任
意の位置にあつてよい。脂肪酸アミドとしては、
プロピオン酸、酪酸、カプリル酸、カプリン酸、
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸、ベヘン酸などのアミドがある。アルコ
キシル化りん酸は、 次式 (ここでRa及びRb:C1〜25アルキル基、そしてそ
のうちの1個は水素原子でもよい) で表わされるものである。即ち、りん酸の1又は
2個の水酸基を適当な鎖長(C1〜C25)のアルコ
ールでエステル化したものである。スチレン化フ
エノールとしては、 次式 (ここでRc:水素、C1〜4アルキル基又はフエニ
ル基 x:1〜3) で表わされるモノ−、ジ−若しくはトリスチレン
化フエノールがあげられ、このフエノール核には
C1〜4アルキル基又はフエニル基が置換していて
もよい。好適な例としては、モノ、ジ又はトリス
チレン化フエノール、モノ又はジスチレン化クレ
ゾール、モノ又はジスチレン化フエニルフエノー
ルなどがあげられる。これらの混合物であつても
よい。高級脂肪酸でエステル化したソルビタンと
しては、モノ−、ジ若しくはトリ−エステル化し
た1・4−、1・5及び3・6−ソルビタン、例
えばソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノ
パルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンオレエート、ソルビタンジラウレート、
ソルビタンジパルミテート、ソルビタンジステア
レート、ソルビタンジオレエート、ソルビタン混
合脂肪エステルなどがあげられる。 以上の非イオン界面活性剤は、単独で又は組合
せて使用することができる。 用いられる非イオン界面活性剤の濃度は、一般
に0.01〜50g/、好ましくは0.03〜20g/で
ある。 さらに、本発明のメツキ浴は、メツキ表面の平
滑さを向上させるためにある種の平滑添加剤を含
有する。平滑添加剤は、前述の界面活性剤と併用
することによつてさらに相乗的な効果を奏する。
特に有効であると認められた平滑添加剤として
は、下記の一般式(A)〜(H)を有するものがあげられ
る。 (A) 〔ここで、R:水素、アルキル基(C1〜4)又はフ
エニル基、 R′:水素、水酸基又は存在しない場合、 R″:アルキレン基(C1〜4)、フエニレン基又は
ベンジル基 R:水素又はアルキル基(C0〜4)〕 (B) 〔ここで、X:水素又はアルキル基(C1〜4)、 R:水素又は−CH3、 n:2〜15の整数〕 (C) 〔ここで、X:ハロゲン又はアルキル基
(C1〜4)、 R:水素又は水酸基、 n:0〜10の整数〕 (D) 〔ここで、R1:水素又は−CH3、 R2:アルキル基(C1〜5)又はヒドロキシル基含
有アルキル基(C1〜5)〕 (E) 〔ここで、R:ニトロ基、アミノ基又はアルキル
基(C1〜5)〕 (F) 〔ここで、R、R′:アルキル基(C1〜18)〕 (G) 〔ここで、R:水素、アルキル基(C1〜4)又はフ
エニル基〕 (H) R−CH=CH−C≡N 〔ここで、R:水素、フエニル基又はアルキル基
(C1〜8)〕 これらの平滑添加剤のうちでも、特に、N−
(3−ヒドロキシブチリデン)−p−スルフアニル
酸、N−ブチリデンスルフアニル酸、N−シンナ
モイリデンスルフアニル酸、8−プロピルキノイ
ルエーテル、1−(3−ヒドロキシブテン−1)
ベンゾトリアゾール、N・N′−ジブチリデン−
o−フエニレンジアミン、N・N′−ジイソブチ
リデン−o−フエニレンジアミン、N・N′−ジ
(3−ヒドロキシブチリデン)−o−フエニレンジ
アミン、m−ニトロベンズアルデヒド、2・4−
ジアミノ−6−〔2′−メチルイミダゾリル(1′)〕
エチル−1・3・5−トリアジン、2・4−ジア
ミノ−6−〔2′−エチル−4−メチルイミダゾリ
ル(1′)〕エチル−1・3・5−トリアジン、
2・4−ジアミノ−6−〔2′−ウンデシルイミダ
ゾリル(1′)〕エチル−1・3・5−トリアジ
ン、サリチル酸フエニル、スチリルシアナイド等
があげられる。 平滑添加剤の濃度は、0.01〜30g/、好まし
くは0.03〜5g/である。 前記したように、添加することのできる陽イオ
ン界面活性剤としては、例えばラウリルトリメチ
ルアンモニウム塩、セチルトリメチルアンモニウ
ム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、ラ
ウリルジメチルエチルアンモニウム塩、オクタデ
セニルジメチル−エチルアンモニウム塩、ラウリ
ルジメチルアンモニウムベタイン、ステアリルジ
メチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベンジ
ルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベン
ジルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルベン
ジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアンモ
ニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、
ヘキサデシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニ
ウム塩、ドデシルピコリニウム塩、ラウリルイミ
ダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリニウム塩、
ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミンア
セテート、オクタデシルアミンアセテート等があ
げられる。 用いられる陽イオン界面活性剤の濃度は、一般
に0.01〜50g/、好ましくは0.03〜20g/で
ある。 本発明のメツキ浴の上述の各成分の濃度は、バ
レルメツキ、ラツクメツキ、高速連続メツキ、ス
ルホールメツキ等に対応して任意に選択すること
ができる。適用温度範囲は常温でよく、高速度メ
ツキでは50〜60℃程度に昇温する。また、本発明
のメツキ浴は、広範囲電流密度において均質で緻
密なメツキを得ることができる。 次に本発明の実施例によるメツキ液の組成及び
メツキ作業条件を示すが、本発明はこれら数例に
限定されるものではなく、前述した目的の高速度
で均質、緻密なメツキを得るという主旨に添つて
メツキ浴の組成およびメツキ条件は任意に変更す
ることができる。 実施例におけるメツキのつき回り性及び外観
は、ハルセルテストにより評価した。それらの結
果は、表1〜3に示す。 実施例 1 2価のスズ(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
第1スズとして使用) 20g/ 遊離2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
100g/ ラウリルアルコールのエチレンオキサイド7モル
付加物にさらにプロピレンオキサイド5モル付加
した物質 5g/ 温 度 25(℃) 電流密度範囲 1〜10A/dm2 比較例 1 ラウリルアルコールのエチレンオキサイド7モ
ル付加物にさらにプロピレンオキサイド5モル付
加した物質に代えて、ラウリルアルコールのエチ
レンオキサイド7モル付加物を使用。 他は実施例1と同じ。 実施例 2 2価のスズ(メタンスルホン酸第1スズとして使
用) 100g/ 遊離メタンスルホン酸 120g/ 2・4・6−トリスチレン化フエノールのエチレ
ンオキサイド14モル付加物にさらにプロピレンオ
キサイド10モル付加した物質 7.5g/ 温 度 35(℃) 電流密度範囲 5〜40A/dm2 比較例 2 2・4・6−トリスチレン化フエノールのエチ
レンオキサイド14モル付加物にさらにプロピレン
オキサイド10モル付加した物質に代えて、2・
4・6−トリスチレン化フエノールのエチレンオ
キサイド14モル付加物を使用。 他は実施例2と同じ。 実施例 3 2価のスズ(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
第1スズとして使用) 40g/ 遊離エタンスルホン酸 120g/ 2・4・6−トリスチレン化フエノールのプロピ
レンオキサイド2モル付加物にさらにエチレンオ
キサイド5モル付加した物質 2g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−P−スルフア
ニル酸 0.5g/ 温 度 25(℃) 電流密度範囲 0.1〜15A/dm2 比較例 3 2・4・6−トリスチレン化フエノールのプロ
ピレンオキサイド2モル付加物にさらにエチレン
オキサイド5モル付加した物質に代えて、2・
4・6−トリスチレン化フエノールのプロピレン
オキサイド2モル付加物を使用。 その他は実施例3と同じ。 実施例 4 2価のスズ(エタンスルホン酸第1スズとして使
用) 20g/ 遊離エタンスルホン酸 100g/ 2・4・6−トリブチルフエノールのプロレンオ
キサイド2モル付加物にさらにエチレンオキサイ
ド10モル付加した物質 2g/ 2・4−ジアミノ−6−〔2′−ウンデシルイミダ
ゾリル(1′)〕エチル−1・3・5−トリアジン
2g/ 温 度 40(℃) 電流密度範囲 5〜20A/dm2 比較例 4 2・4・6−トリブチルフエノールのプロピレ
ンオキサイド3モル付加物にさらにエチレンオキ
サイド10モル付加した物質に代えて、2・4・6
−トリブチルフエノールのプロピレンオキサイド
2モル付加物を使用。 その他は実施例4と同じ。 実施例 5 2価のスズ(2−ヒドロキシエタンスルホン酸第
1スズとして使用) 80g/ 遊離2−ヒドロキシエタンスルホン酸 120g/ ペンタデシルアミドのエチレンオキサイド7モル
付加物にさらにプロピレンオキサイド10モル付加
した物質 7.5g/ N・N′−ジイソブチリデン−O−フエニレンジ
アミン 0.5g/ 1−(3−ヒドロキシブテン−1)ベンゾトリア
ゾール 0.1g/ 温 度 30(℃) 電流密度範囲 5〜30A/dm2 比較例 5 ペンタデシルアミドのエチレンオキサイド7モ
ル付加物にさらに、プロピレンオキサイド10モル
付加した物質に代えて、ペンタデシルアミドのエ
チレンオキサイド7モル付加物を使用。 他は実施例5と同じ。 実施例 6 2価のスズ(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
第1スズとして使用) 60g/ 遊離2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
150g/ 4−スチレン化フエノールのエチレンオキサイド
7モル付加物にさらにプロピレンオキサイド10モ
ル付加した物質 3g/ 2・4−ジスチレン化フエノールのエチレンオキ
サイド7モル付加物にさらにプロピレンオキサイ
ド10モル付加した物質 3g/ 2・4・6−トリスチレン化フエノールのエチレ
ンオキサイド7モル付加物にさらにプロピレンオ
キサイド10モル付加した物質 3g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−P−スルフア
ニル酸 0.1g/ 2・4−ジアミノ−6−〔2′−ウンデシルイミダ
ゾリル(1′)〕エチル−1・3・5−トリアジン
2g/ 温 度 30(℃) 電流密度範囲 5〜40A/dm2 比較例 6 4−スチレン化フエノールのエチレンオキサイ
ド7モル付加物にさらにプロピレンオキサイド10
モル付加した物質と2・4−ジスチレン化フエノ
ールのエチレンオキサイド7モル付加物にさらに
プロピレンオキサイド10モル付加した物質と2・
4・6−トリスチレン化フエノールのエチレンオ
キサイド7モル付加物にさらにプロピレンオキサ
イド10モル付加した物質に代えて、4−スチレン
化フエノールのエチレンオキサイド7モル付加物
と2・4−ジスチレン化フエノールのエチレンオ
キサイド7モル付加物と2・4・6−トリスチレ
ン化フエノールのエチレンオキサイド7モル付加
物を使用。 他の実施例6と同じ。 実施例 7 鉛(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛として
使用) 20g/ 遊離2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
100g/ ステアリルアルコールのプロピレンオキサイド2
モル付加物にさらにエチレンオキサイド10モル付
加した物質 1g/ N・N′−ジイソブチリデン−O−フエニレンジ
アミン 2g/ 温 度 40(℃) 電流密度範囲 1〜10A/dm2 比較例 7 ステアリルアルコールのプロピレンオキサイド
2モル付加物にさらにエチレンオキサイド10モル
付加した物質に代えて、ステアリルアルコールの
プロピレンオキサイド2モル付加物を使用。 他は実施例7と同じ。 実施例 8 鉛(メタンスルホン酸鉛として使用) 10g/ 遊離メタンスルホン酸 100g/ P−ノニルフエノールのエチレンオキサイド10モ
ル付加物にさらにプロピレンオキサイド15モル付
加した物質 5g/ 1−(3−ヒドロキシブテン−1)ベンゾトリア
ゾール 0.5g/ 温 度 25(℃) 電流密度範囲 1〜20A/dm2 比較例 8 P−ノニルフエノールのエチレンオキサイド10
モル付加物にさらにプロピレンオキサイド15モル
付加した物質に代えて、P−ノニルフエノールの
エチレンオキサイド10モル付加物を使用。 他は実施例8と同じ。 実施例 9 鉛(2−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛として使
用) 20g/ 遊離2−ヒドロキシエタンスルホン酸 150g/ P−イソオクチルフエノールのエチレンオキサイ
ド8モル付加物にさらにプロピレンオキサイド15
モル付加した物質 3g/ ソルビタンモノステアレートのエチレンオキサイ
ド4モル付加物にさらにプロピレンオキサイド2
モル付加した物質 3g/ 2・4−ジアミノ−6−〔2′−ウンデシルイミダ
ゾリル(1′)〕エチル−1・3・5−トリアジン
1g/ 温 度 30(℃) 電流密度範囲 1〜15A/dm2 比較例 9 P−イソオクチルフエノールのエチレンオキサ
イド8モル付加物にさらにプロピレンオキサイド
15モル付加した物質とソルビタンモノステアレー
トのエチレンオキサイド4モル付加物にさらにプ
ロピレンオキサイド2モル付加物に代えて、P−
イソオクチルフエノールのエチレンオキサイド8
モル付加物とソルビタンモノステアレートのエチ
レンオキサイド4モル付加物を使用。 他は実施例9と同じ。 実施例 10 2価のスズ(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
第1スズとして使用) 12g/ 鉛(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛として
使用) 8g/ 遊離ヒドロキシプロパンスルホン酸 100g/ 2・4・6−トリスチレン化フエノールのエチレ
ンオキサイド7モル付加物にさらにプロピレンオ
キサイド5モル付加した物質 5g/ 1−(3−ヒドロキシブテン−1)ベンゾトリア
ゾール 0.5g/ 2・4−ジアミノ−6−〔2′−ウンデシルイミダ
ゾリル(1′)〕エチル−1・3・5−トリアジン
3g/ 温 度 20(℃) 電流密度範囲 0.1〜10A/dm2 比較例 10 2・4・6−トリスチレン化フエノールのエチ
レンオキサイド7モル付加物にさらにプロピレン
オキサイド5モル付加した物質に代えて、2・
4・6−トリスチレン化フエノールのエチレンオ
キサイド7モル付加物を使用。 他の実施例10と同じ。 実施例 11 2価のスズ(メタンスルホン酸第1スズとして使
用) 18g/ 鉛(エタンスルホン酸鉛として使用) 12g/ 遊離メタンスルホン酸 150g/ 6−エチルナフトールのエチレンオキサイド10モ
ル付加物にさらにプロピレンオキサイド2モル付
加した物質 2g/ ウンデシルアミドのプロピレンオキサイド2モル
付加物にさらにエチレンオキサイド5モル付加し
た物質 2g/ N−(3−ヒドロキシブチリデン)−P−スルフア
ニル酸 0.1g/ 温 度 25(℃) 電流密度範囲 1〜10A/dm2 比較例 11 6−エチルナフトールのエチレンオキサイド10
モル付加物にさらにプロピレンオキサイド2モル
付加した物質とウンデシルアミドのプロピレンオ
キサイド2モル付加物にさらにエチレンオキサイ
ド5モル付加した物質に代わり、6−エチルナフ
トールのエチレンオキサイド10モル付加物とウン
デシルアミドのプロピレンオキサイド2モル付加
物を使用。 他は実施例11と同じ。 実施例 12 2価のスズ(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
第1スズとして使用) 12g/ 鉛(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛として
使用) 8g/ 遊離2−ヒドロキシプロパンスルホン酸
200g/ GAFAC−RS710※(東邦化学工業社製)にプロ
ピレンオキサイド6モル付加した物質 5g/ 1−(3−ヒドロキシブテン−1)ベンゾトリア
ゾール 0.2g/ 温 度 20(℃) 電流密度範囲 1〜15A/dm2 ※ りん酸ジエステルにエチレンオキサイドを
付加させたもの。 比較例 12 GAFAC−RS710(東邦化学工業社製)にさら
にプロピレンオキサイド6モル付加した物質に代
えて、GAFAC−RS710を使用。 他は実施例12と同じ。 スズめつきについて
The present invention relates to an electroplating bath for tin, lead and tin-lead alloys using an alkane or alkanolsulfonic acid as a common soluble complex salt of divalent tin and lead. In recent years, tin and tin-lead alloy platings have been widely used as films for improving solderability and films for etching resists in parts for the light electrical industry and the electronic industry. However, industrially, borofluoride baths are widely used as baths for uniformly plating tin, lead, and tin-lead alloys at high speeds. However, borofluoride baths are highly corrosive and toxic, which not only puts a heavy burden on plating equipment and operations, but also makes wastewater treatment difficult. Although the problem of borofusate can be solved by using advanced processing technology, processing involves a large amount of expense and there is considerable economic loss. An object of the present invention is to provide a tin, lead, and tin-lead alloy plating bath that can provide uniform and dense plating at high speed without using boronic acid, which has many problems in terms of pollution control. The present inventor has developed an alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid and their tin and/or
By using a plating bath mainly composed of lead salts, and adding certain surfactants and smoothing additives in combination, it has performance comparable to or better than that of borofusate baths. In addition, it can be carried out under a wide range of current conditions from high current areas to low current areas, and can be used at high speeds to produce homogeneous and dense tin, lead or tin.
We have discovered a plating bath that provides lead alloy plating (see Japanese Patent Application No. 176365/1983). As a result of further research, it was found that among the above-mentioned surfactants, certain nonionic surfactants are particularly effective. Therefore, the present invention provides a main plating bath containing an alkanesulfonic acid or an alkanolsulfonic acid and either or both of their divalent tin salt and divalent lead salt. The present invention relates to a tin, lead or tin-lead alloy plating bath in which one or more smoothing additives are added together with one or more smoothing additives. The main plating bath of the present invention basically comprises one or more alkanesulfonic acids or alkanolsulfonic acids, and one or more tin salts or lead salts of these sulfonic acids, or both. The alkanesulfonic acids or alkanolsulfonic acids that can be used are those having the following general formula. R-SO 3 H [Here, R: alkyl group (C 1-12 )] HO-R-SO 3 H [ Here, R: alkyl group (C 1-12 ), hydrogen group is any alkyl group Examples of alkanesulfonic acids include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid,
-Propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, 2-
These include butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, decanesulfonic acid, dodecanesulfonic acid, and the like. These alkanesulfonic acids can be used alone or as a mixture of two or more. Examples of alkanolsulfonic acids are isethionic acid (2-hydroxyethane-1-sulfonic acid), 2-
Hydroxypropane-1-sulfonic acid, 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-
1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1-
These are sulfonic acid, 2-hydroxyhexane-1-sulfonic acid, 2-hydroxydecane-1-sulfonic acid, and 2-hydroxydodecane-1-sulfonic acid. These hydroxy-containing alkanesulfonic acids can be used alone or as a mixture of two or more. In the case of a tin plating bath, it contains an alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid and its tin salt as described above, and in the case of a lead plating bath, it also contains a sulfonic acid and its lead salt, and furthermore, a tin-lead alloy plating bath. contains sulfonic acid and its tin and lead salts. The total concentration of tin and/or lead salts is 0.5 to 200 g/metal, preferably 10 to 200 g/metal.
100g/. Furthermore, the concentration of free alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid present in the plating bath is at least stoichiometrically equivalent to divalent tin and/or lead ions in the bath. The nonionic surfactant added to the plating bath of the present invention not only improves the dispersibility of the plating bath, but also
It makes it possible to obtain a dense and smooth plating with good adhesion. It was also found that the nonionic surfactant has the effect of improving the throwing power in the low current section. In addition, as described below, by further using a certain type of smoothing additive, a further synergistic effect can be obtained, which can be applied to all plating methods such as barrel plating, ratchet plating, high-speed continuous plating, and through-hole plating. becomes possible. The plating bath of the present invention also contains a cationic surfactant that has the effect of suppressing discoloration and the growth of dendrites (resin-like) in high-current areas, for example,
Quaternary alkylammonium salts, pyridinium salts, imidazolinium salts, and betaine type cationic surfactants as described in Japanese Patent No. 176365 can be added. Therefore, in the present invention, plating can be performed under a wide range of current conditions by using both surfactants in combination depending on the current conditions. In the present invention, the nonionic surfactant found to be effective has the following general formula () (Here, A is a residue of a C 8-20 alkanol,
C 1-25 alkyl phenol residue, C 1-25 alkyl β-naphthol residue, C 3-22 fatty acid amide residue, C 1-25 alkoxylated phosphoric acid residue, C 8-
Represents the residue of a sorbitan ester esterified with a C 22 higher fatty acid or the residue of a styrenated phenol (the hydrogen of the phenol nucleus may be substituted with a C 1-4 alkyl or phenyl group), R′ and R″ represents a hydrogen atom or a methyl group,
However, when R′ represents a hydrogen atom, R″ represents a methyl group, and when R′ represents a methyl group,
R'' represents a hydrogen atom, m represents an integer of 1 to 30, and n represents an integer of 1 to 30. Nonionic surfactant of formula () that can be used in the plating bath of the present invention are well known in the art, and are esterified with C 8-22 higher alcohols, alkyl phenols, alkyl β-naphthols, C 3-22 fatty acid amides, alkoxylated phosphoric acids, and C 8-22 higher fatty acids by well-known methods. It can be produced by addition condensation of ethylene oxide (or propylene oxide) to sorbitan or styrenated phenol, and further addition condensation of propylene oxide (or ethylene oxide). Examples of the alcohol include octanol, decanol, lauryl alcohol, tetradecanol, hexadecanol, stearyl alcohol, eicosanol, cetyl alcohol, oleyl alcohol, cetyl alcohol, and docosanol. Examples of the alkyl phenol include mono, di, and tri-alcohol. -alkyl-substituted phenols, such as p-butylphenol, p-isooctylphenol, p-nonylphenol, p-hexylphenol, 2.
Examples include 4-dibutylphenol, 2,4,6-tributylphenol, p-dodecylphenol, p-laurylphenol, and p-stearylphenol. The alkyl group of alkyl β-naphthol includes methyl, ethyl, propyl, butyl, hexyl, octyl, decyl, dodecyl,
Examples include octadecyl, which can be located at any position in the naphthalene nucleus. As a fatty acid amide,
propionic acid, butyric acid, caprylic acid, capric acid,
Amides include lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, and behenic acid. Alkoxylated phosphoric acid has the following formula: (Here, Ra and Rb are C1-25 alkyl groups, one of which may be a hydrogen atom.) That is, one or two hydroxyl groups of phosphoric acid are esterified with an alcohol having an appropriate chain length (C 1 to C 25 ). As a styrenated phenol, the following formula (Here, Rc: hydrogen, C 1-4 alkyl group or phenyl group x: 1-3)
It may be substituted with a C 1-4 alkyl group or a phenyl group. Suitable examples include mono-, di- or tristyrenated phenols, mono- or distyrenated cresols, mono- or distyrenated phenylphenols, and the like. It may be a mixture of these. Sorbitan esterified with higher fatty acids includes mono-, di- or tri-esterified 1,4-, 1,5 and 3,6-sorbitan, such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate. , sorbitan oleate, sorbitan dilaurate,
Examples include sorbitan dipalmitate, sorbitan distearate, sorbitan dioleate, and sorbitan mixed fatty ester. The above nonionic surfactants can be used alone or in combination. The concentration of nonionic surfactant used is generally from 0.01 to 50 g/, preferably from 0.03 to 20 g/. Additionally, the plating bath of the present invention contains certain smoothing additives to improve the smoothness of the plating surface. The smoothing additive exhibits a further synergistic effect when used in combination with the above-mentioned surfactant.
Smoothening additives that have been found to be particularly effective include those having the following general formulas (A) to (H). (A) [Here, R: hydrogen, alkyl group ( C1-4 ) or phenyl group, R': hydrogen, hydroxyl group, or when absent, R'': alkylene group ( C1-4 ), phenylene group or benzyl group R: Hydrogen or alkyl group (C 0-4 )〕 (B) [Here, X: hydrogen or alkyl group ( C1-4 ), R: hydrogen or -CH3 , n: an integer from 2 to 15] (C) [Here, X: halogen or alkyl group (C 1-4 ), R: hydrogen or hydroxyl group, n: integer from 0 to 10] (D) [Here, R1 : hydrogen or -CH3 , R2 : alkyl group ( C1-5 ) or hydroxyl group-containing alkyl group ( C1-5 )] (E) [Here, R: nitro group, amino group or alkyl group (C 1-5 )] (F) [Here, R, R': alkyl group (C 1-18 )] (G) [Here, R: hydrogen, an alkyl group (C 1-4 ) or a phenyl group] (H) R-CH=CH-C≡N [Here, R: hydrogen, a phenyl group or an alkyl group (C 1-8 ) Among these smoothing additives, N-
(3-hydroxybutylidene)-p-sulfanilic acid, N-butylidenesulfanilic acid, N-cinnamoylidenesulfanilic acid, 8-propylquinoyl ether, 1-(3-hydroxybutene-1)
Benzotriazole, N・N'-dibutylidene-
o-phenylenediamine, N·N'-diisobutylidene-o-phenylenediamine, N·N'-di(3-hydroxybutylidene)-o-phenylenediamine, m-nitrobenzaldehyde, 2,4-
Diamino-6-[2'-methylimidazolyl (1')]
Ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4-methylimidazolyl(1')]ethyl-1,3,5-triazine,
Examples include 2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl (1')]ethyl-1,3,5-triazine, phenyl salicylate, and styryl cyanide. The concentration of the smoothing additive is between 0.01 and 30 g/, preferably between 0.03 and 5 g/. As mentioned above, examples of the cationic surfactants that can be added include lauryltrimethylammonium salt, cetyltrimethylammonium salt, stearyltrimethylammonium salt, lauryldimethylethylammonium salt, octadecenyldimethyl-ethylammonium salt, lauryldimethylammonium betaine, stearyldimethylammonium betaine, dimethyl-benzyllauryl ammonium salt, cetyldimethylbenzylammonium salt, octadecyldimethylbenzylammonium salt, trimethylbenzylammonium salt, triethylbenzylammonium salt,
hexadecylpyridinium salt, laurylpyridinium salt, dodecylpicolinium salt, laurylimidazolinium salt, oleylimidazolinium salt,
Examples include stearylamine acetate, laurylamine acetate, octadecylamine acetate, and the like. The concentration of cationic surfactant used is generally from 0.01 to 50 g/, preferably from 0.03 to 20 g/. The concentrations of the above-mentioned components in the plating bath of the present invention can be arbitrarily selected depending on barrel plating, loose plating, high-speed continuous plating, through-hole plating, etc. The applicable temperature range is room temperature, and in high-speed plating, the temperature is raised to about 50 to 60 degrees Celsius. Furthermore, the plating bath of the present invention can provide homogeneous and dense plating over a wide range of current densities. Next, the composition of the plating solution and the plating work conditions according to examples of the present invention will be shown, but the present invention is not limited to these few examples, and the main purpose is to obtain homogeneous and dense plating at high speed, which is the above-mentioned objective. The composition of the plating bath and the plating conditions can be changed as desired. The coverage and appearance of the plating in Examples were evaluated by the Hull Cell test. The results are shown in Tables 1-3. Example 1 Divalent tin (used as stannous 2-hydroxypropanesulfonic acid) 20g/free 2-hydroxypropanesulfonic acid
100g / 5 moles of propylene oxide added to 7 moles of ethylene oxide adduct of lauryl alcohol 5 g / Temperature 25 (℃) Current density range 1 to 10 A/dm 2 Comparative example 1 Addition of 7 moles of ethylene oxide to lauryl alcohol Furthermore, instead of the substance to which 5 moles of propylene oxide were added, a 7 mole adduct of ethylene oxide to lauryl alcohol was used. Others are the same as in Example 1. Example 2 100 g of divalent tin (used as stannous methanesulfonic acid) / 120 g of free methanesulfonic acid / 14 moles of ethylene oxide adduct of 2,4,6-tristyrenated phenol was further added with 10 moles of propylene oxide. Substance 7.5g / Temperature 35 (°C) Current density range 5-40A/dm 2 Comparative example 2 Substituted with a substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to the 14 moles of ethylene oxide adduct of 2,4,6-tristyrenated phenol 2.
A 14 mole ethylene oxide adduct of 4,6-tristyrenated phenol was used. Others are the same as in Example 2. Example 3 40 g of divalent tin (used as stannous 2-hydroxypropanesulfonic acid) / 120 g of free ethanesulfonic acid / 2 moles of propylene oxide adduct of 2,4,6-tristyrenated phenol plus 5 ethylene oxide Mole added substance 2g/N-(3-hydroxybutylidene)-P-sulfanilic acid 0.5g/Temperature 25 (℃) Current density range 0.1-15A/dm 2 Comparative example 3 2.4.6-tristyrenation Instead of a substance obtained by adding 5 moles of ethylene oxide to a 2 mole adduct of phenol with propylene oxide, 2.
A 2 mol propylene oxide adduct of 4,6-tristyrenated phenol was used. Other details are the same as in Example 3. Example 4 20 g of divalent tin (used as stannous ethanesulfonic acid) / 100 g of free ethanesulfonic acid / 10 moles of ethylene oxide added to 2 moles of prolene oxide adduct of 2,4,6-tributylphenol 2g/2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl(1')]ethyl-1,3,5-triazine
2 g / Temperature 40 (℃) Current density range 5 - 20 A / dm 2 Comparative example 4 In place of the substance obtained by adding 10 moles of ethylene oxide to the 3 moles of propylene oxide adduct of 2,4,6-tributylphenol, 2. 4.6
- Using a 2 mole propylene oxide adduct of tributylphenol. Other details are the same as in Example 4. Example 5 Divalent tin (used as stannous 2-hydroxyethanesulfonic acid) 80g/Free 2-hydroxyethanesulfonic acid 120g/Substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to 7 moles of ethylene oxide adduct of pentadecylamide 7.5g/ N・N'-diisobutylidene-O-phenylenediamine 0.5g/ 1-(3-hydroxybutene-1)benzotriazole 0.1g/ Temperature 30 (℃) Current density range 5 to 30 A/dm 2 Comparative Example 5 A 7 mole adduct of pentadecylamide with ethylene oxide was used instead of a substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to a 7 mole adduct of pentadecylamide with ethylene oxide. The rest is the same as in Example 5. Example 6 Divalent tin (used as stannous 2-hydroxypropanesulfonic acid) 60g/free 2-hydroxypropanesulfonic acid
150g/ A substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to an adduct of 4-styrenated phenol with 7 moles of ethylene oxide 3 g/ A substance obtained by adding an additional 10 moles of propylene oxide to a 7 mole adduct of 2,4-distyrenated phenol with ethylene oxide 3 g/ Substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to 7 moles of ethylene oxide adduct of 2,4,6-tristyrenated phenol 3g/N-(3-hydroxybutylidene)-P-sulfanilic acid 0.1g/2,4-diamino -6-[2'-undecylimidazolyl(1')]ethyl-1,3,5-triazine
2g/Temperature 30 (℃) Current density range 5-40A/dm 2 Comparative example 6 Addition of 7 moles of ethylene oxide to 4-styrenated phenol plus 10 mols of propylene oxide
A substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to a 7 mole ethylene oxide adduct of 2,4-distyrenated phenol, and a 2.
Instead of the substance obtained by adding 10 moles of propylene oxide to the 7 moles of ethylene oxide adduct of 4,6-tristyrenated phenol, 7 moles of ethylene oxide adduct of 4-styrenated phenol and ethylene of 2,4-distyrenated phenol were used. A 7 mole oxide adduct and a 7 mole ethylene oxide adduct of 2,4,6-tristyrenated phenol were used. Same as other Example 6. Example 7 Lead (used as lead 2-hydroxypropanesulfonic acid) 20g/free 2-hydroxypropanesulfonic acid
100g/stearyl alcohol propylene oxide 2
Substance obtained by adding 10 moles of ethylene oxide to the molar adduct 1 g/N-N'-diisobutylidene-O-phenylenediamine 2 g/Temperature 40 (℃) Current density range 1 to 10 A/dm 2 Comparative example 7 Stearyl alcohol Instead of the substance obtained by adding 10 moles of ethylene oxide to the 2 mole adduct of propylene oxide, a 2 mole adduct of stearyl alcohol with propylene oxide was used. The rest is the same as in Example 7. Example 8 Lead (used as lead methanesulfonate) 10g/free methanesulfonic acid 100g/substance obtained by adding 15 moles of propylene oxide to 10 moles of ethylene oxide of P-nonylphenol 5g/1-(3-hydroxybutene- 1) Benzotriazole 0.5g/Temperature 25 (℃) Current density range 1-20A/dm 2 Comparative example 8 P-nonylphenol ethylene oxide 10
Instead of a substance obtained by adding 15 moles of propylene oxide to the molar adduct, an adduct of P-nonylphenol with 10 moles of ethylene oxide was used. Others are the same as in Example 8. Example 9 Lead (used as lead 2-hydroxyethanesulfonate) 20g/free 2-hydroxyethanesulfonic acid 150g/8 mole adduct of ethylene oxide of P-isooctylphenol plus 15 more propylene oxide
Added substance in moles: 3g/4 moles of ethylene oxide adduct of sorbitan monostearate, plus 2 mols of propylene oxide
Mole added substance 3g/2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl(1')]ethyl-1,3,5-triazine
1g/Temperature: 30 (℃) Current density range: 1 to 15A/dm 2 Comparative example 9 Addition of 8 moles of ethylene oxide to P-isooctylphenol plus propylene oxide
P-
Ethylene oxide of isooctylphenol 8
A molar adduct and a 4 molar ethylene oxide adduct of sorbitan monostearate were used. The rest is the same as in Example 9. Example 10 Divalent tin (used as stannous 2-hydroxypropanesulfonate) 12g/Lead (used as lead 2-hydroxypropanesulfonate) 8g/free hydroxypropanesulfonic acid 100g/2,4,6-tri Substance obtained by adding 5 moles of propylene oxide to 7 moles of ethylene oxide adduct of styrenated phenol 5 g / 1-(3-hydroxybutene-1)benzotriazole 0.5 g / 2,4-diamino-6-[2'-undecyl imidazolyl(1')]ethyl-1,3,5-triazine
3g/Temperature 20 (℃) Current density range 0.1 to 10A/dm 2 Comparative example 10 Instead of a substance obtained by adding 5 moles of propylene oxide to the 7 moles of ethylene oxide adduct of 2,4,6-tristyrenated phenol, 2・
A 7 mol ethylene oxide adduct of 4,6-tristyrenated phenol was used. Same as other Example 10. Example 11 18 g of divalent tin (used as stannous methanesulfonate) / 12 g of lead (used as lead ethanesulfonate) / 150 g of free methanesulfonic acid / 10 moles of ethylene oxide adduct of 6-ethylnaphthol plus propylene Substance with 2 moles of oxide added 2g/Substance with 5 moles of ethylene oxide added to undecylamide with 2 moles of propylene oxide 2g/N-(3-hydroxybutylidene)-P-sulfanilic acid 0.1g/Temperature 25 ( ℃) Current density range 1 to 10 A/dm 2 Comparative example 11 6-ethylnaphthol ethylene oxide 10
Instead of a substance obtained by adding 2 moles of propylene oxide to the molar adduct and a substance obtained by adding 5 moles of ethylene oxide to the 2 mole adduct of propylene oxide of undecylamide, add a 10 mole adduct of ethylene oxide to 6-ethylnaphthol and undecylamide. 2 mole adduct of propylene oxide is used. Others are the same as in Example 11. Example 12 Divalent tin (used as stannous 2-hydroxypropanesulfonic acid) 12g/lead (used as lead 2-hydroxypropanesulfonate) 8g/free 2-hydroxypropanesulfonic acid
200g/ 6 moles of propylene oxide added to GAFAC-RS710* (manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd.) 5g/ 1-(3-hydroxybutene-1)benzotriazole 0.2g/ Temperature 20 (℃) Current density range 1 to 15A /dm 2 * Ethylene oxide is added to phosphoric acid diester. Comparative Example 12 GAFAC-RS710 was used instead of a substance obtained by adding 6 moles of propylene oxide to GAFAC-RS710 (manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd.). The rest is the same as Example 12. About tin plating

【表】 ◎:優 ○:良 △:可 ×:不良
発泡性テスト めつき液40mlを100mlの共栓付メスシリンダー
に採取し、5秒間激しく振とうし、10分間後の泡
立ち高さを測定。 鉛めつきについて
[Table] ◎: Excellent ○: Good △: Fair ×: Poor Foaming test Pour 40ml of the plating solution into a 100ml graduated cylinder with a stopper, shake vigorously for 5 seconds, and measure the foaming height after 10 minutes. . About lead plating

【表】 はんだめつきについて【table】 About soldering

【表】【table】

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホ
ン酸及びそれらの2価のすず塩又は2価の鉛塩又
はすず塩と鉛塩の両者を含有する主メツキ浴に、
下記の一般式() (ここで、AはC8〜22高級アルコールの残基、
C1〜25アルキルフエノールの残基、C1〜25アルキ
ルβ−ナフトールの残基、C3〜22脂肪酸アミドの
残基、C1〜C25アルコキシル化りん酸の残基、C8
〜C22高級脂肪酸でエステル化したソルビタンの
残基、又はスチレン化フエノール(フエノール核
の水素はC1〜4アルキル又はフエニル基で置換さ
れていてよい)の残基を表わし、 R′及びR″は水素原子又はメチル基を表わし、
ただしR′が水素原子を表わすときはR″はメチル
基を表わし、またR′がメチル基を表わすときは
R″は水素原子を表わし、 mは1〜30の整数を表わし、 nは1〜30の整数を表わす) を有する非イオン界面活性剤の1種以上を添加
し、さらに平滑添加剤の1種以上を添加してなる
スズ、鉛又はスズ−鉛合金メツキ浴。 2 非イオン界面活性剤の濃度が0.01〜50g/
である特許請求の範囲第1項記載のメツキ浴。 3 平滑添加剤の濃度が0.01〜30g/である特
許請求の範囲第1項記載のメツキ浴。 4 アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホ
ン酸のスズ塩及び(又は)鉛塩の総濃度が金属と
して0.5〜200g/である特許請求の範囲第1項
記載のメツキ浴。 5 遊離のアルカンスルホン酸又はアルカノール
スルホン酸の濃度が2価のスズ及び(又は)鉛イ
オンと化学量論的に少なくとも当量以上である特
許請求の範囲第1項記載のメツキ浴。
[Claims] 1. A main plating bath containing alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid and their divalent tin salt or divalent lead salt, or both tin salt and lead salt,
The following general formula () (Here, A is a residue of a C 8-22 higher alcohol,
Residues of C 1-25 alkyl phenols, residues of C 1-25 alkyl β-naphthol, residues of C 3-22 fatty acid amides, residues of C 1-25 alkoxylated phosphoric acids, C 8
~Represents the residue of sorbitan esterified with C22 higher fatty acid or the residue of styrenated phenol (the hydrogen of the phenol nucleus may be substituted with C1-4 alkyl or phenyl group), R′ and R″ represents a hydrogen atom or a methyl group,
However, when R′ represents a hydrogen atom, R″ represents a methyl group, and when R′ represents a methyl group,
R'' represents a hydrogen atom, m represents an integer of 1 to 30, and n represents an integer of 1 to 30), and further one type of smoothing additive is added. Tin, lead or tin-lead alloy plating bath made by adding the above. 2 Concentration of nonionic surfactant is 0.01 to 50 g/
The plating bath according to claim 1. 3. The plating bath according to claim 1, wherein the concentration of the smoothing additive is 0.01 to 30 g/. 4. The plating bath according to claim 1, wherein the total concentration of the tin salt and/or lead salt of alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid is 0.5 to 200 g/metal. 5. The plating bath according to claim 1, wherein the concentration of free alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid is at least stoichiometrically equivalent to divalent tin and/or lead ions.
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