JPS6220539B2 - - Google Patents
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- JPS6220539B2 JPS6220539B2 JP56103359A JP10335981A JPS6220539B2 JP S6220539 B2 JPS6220539 B2 JP S6220539B2 JP 56103359 A JP56103359 A JP 56103359A JP 10335981 A JP10335981 A JP 10335981A JP S6220539 B2 JPS6220539 B2 JP S6220539B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトマスクの白点欠陥(欠落欠陥)
修正装置に関するものである
フオトマスクに発生する欠陥のうち黒点欠陥
(残留欠陥)についてはレーザによる修正(特公
昭52―9508)で大巾な工程短縮が実現できてい
る。一方欠落欠陥、即ち正常なパターンの一部が
欠落する様な欠陥についてはリフトオフ法が用い
られている。このリフトオフ法は
(1) 欠落欠陥を有するフオトマスク全面にポジ型
レジストを塗布する工程、
(2) 部分露光法を用いて欠落欠陥部のみに露光を
行う工程、
(3) 現像処理により欠落欠陥部に窓をあける工
程、
(4) 真空蒸着技術により欠落欠陥部とその周辺あ
るいはフオトマスク全面に金属膜を形成する工
程、
(5) レジスト除去を行い、同時にレジスト上に形
成されている金属膜も除去する工程、
とからなつており、非常に多くの工程および時間
を要する欠点があつた。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to white spot defects (missing defects) of photomasks.
Regarding repair equipment Among the defects that occur in photomasks, black spot defects (residual defects) can be repaired using a laser (Japanese Patent Publication No. 52-9508), which significantly shortens the process. On the other hand, a lift-off method is used for missing defects, that is, defects in which a part of a normal pattern is missing. This lift-off method consists of (1) applying a positive resist to the entire surface of the photomask that has the missing defect, (2) exposing only the missing defect using a partial exposure method, and (3) removing the missing defect using a development process. (4) process of forming a metal film on the missing defect and its surroundings or the entire photomask using vacuum evaporation technology; (5) removing the resist and also removing the metal film formed on the resist at the same time. It has the drawback that it requires a large number of steps and time.
また、レーザによる部分蒸着を用いた方法も提
案されているが、精度、膜強度、膜の均一性など
実用上の問題点が多い。 A method using partial vapor deposition using a laser has also been proposed, but there are many practical problems such as accuracy, film strength, and film uniformity.
これら欠点をなくし、少ない工程、時間で、し
かも精度よく均一な膜を形成する欠落欠陥修正方
法として、欠落欠陥を有するフオトマスク全面あ
るいは欠落欠陥部とその周辺部のみに金属錯体を
塗布し、欠落欠陥部のみにレーザを照射すること
により金属を析出させて欠陥を修正する方法が提
案されている。本発明はこの金属錯体を利用した
欠落欠陥修正方法の改良に関するものである。 As a defect repair method that eliminates these defects and forms a uniform film with high precision in fewer steps and time, a metal complex is applied to the entire surface of a photomask having a defect or only to the defective part and its surrounding area, and A method has been proposed in which defects are corrected by depositing metal by irradiating only the portion with a laser beam. The present invention relates to an improvement in a method for repairing missing defects using this metal complex.
即ち本発明の目的は上記した従来技術の欠点を
なくしフオトマスク欠陥の修正を高品質に行うた
めの装置を提供するにある。 That is, an object of the present invention is to eliminate the above-described drawbacks of the prior art and to provide an apparatus for correcting photomask defects with high quality.
ところで塗布された金属錯塩にレーザ光を照射
して金属を析出させて欠陥(正常パターンの一部
が欠落した欠陥)を修正する場合、レーザ照射領
域の大きさ(即ち欠陥の大きさ)により、最適な
レーザ照射パワー密度が異なる。 By the way, when repairing a defect (a defect where a part of a normal pattern is missing) by irradiating a coated metal complex salt with laser light to precipitate metal, depending on the size of the laser irradiation area (i.e. the size of the defect), The optimal laser irradiation power density is different.
そこで本発明はレーザ照射領域の大きさを検出
し、その大きさに最適な条件に設定できる機構を
備えることにより、高品質な欠陥修正を行うもの
である。 Therefore, the present invention provides a mechanism for detecting the size of the laser irradiation area and setting conditions optimal for the size, thereby performing high-quality defect repair.
以下本発明を図に従つて詳細に説明する。ま
ず、金属錯体にレーザを照射して金属、金属酸化
物あるいはそれらの混合物を析出させ、欠陥を修
正する工程を第1図に示す。 The present invention will be explained in detail below with reference to the drawings. First, FIG. 1 shows a process of correcting defects by irradiating a metal complex with a laser to precipitate a metal, metal oxide, or a mixture thereof.
(a) ガラス基板1上にクロム、酸化クロムあるい
はそれらの多層で形成されたマスクパターン2
に生じた欠落欠陥3を覆う様に金属錯体を塗布
乾燥し、金属錯体膜4を形成する。(a) Mask pattern 2 formed of chromium, chromium oxide, or a multilayer thereof on a glass substrate 1
A metal complex is applied and dried so as to cover the missing defect 3 generated in the process, thereby forming a metal complex film 4.
(b) 少なくとも欠落欠陥部を含む領域の金属錯体
膜4にレーザ光5を照射し、レーザ光5の照射
された領域に金属、金属酸化物あるいはその混
合物の析出膜6を析出させる。(b) Laser light 5 is irradiated to the metal complex film 4 in the region including at least the missing defect portion, and a precipitated film 6 of metal, metal oxide, or a mixture thereof is deposited in the region irradiated with the laser light 5.
(c) レーザ照射後、未析出部の金属錯体を除去す
る。その後必要に応じて洗浄、熱処理等を行
う。(c) After laser irradiation, remove the undeposited metal complex. Thereafter, cleaning, heat treatment, etc. are performed as necessary.
ここで用いる金属錯体材料としては有機溶媒に
硝酸銀、カルボン酸および添加剤を加えた溶液が
用いられる。この時溶液中でカルボン酸銀塩が溶
解した状態で形成される。銀塩の中でもカルボン
酸銀塩が好ましく用いられるのは有機溶媒によく
溶解し、有機溶媒を蒸発させても良好な膜を形成
するためである。カルボン酸としては各種のもの
が使用可能であるが、カルボン酸基を2つもつジ
カルボン酸、その中でもシトラコン酸が特に成膜
性にすぐれている。また有機溶媒としてアルコー
ル系、セロソルブ系、カルビトール系、グリコー
ル系の有機溶媒の他ジメチルスルホキシド、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等が使
用可能であるが、メチルセロソルブ、アセトニト
リル、アセチルアセトン、およびジメチルスルホ
キシドの混合液が最適である。 The metal complex material used here is a solution prepared by adding silver nitrate, carboxylic acid, and additives to an organic solvent. At this time, carboxylic acid silver salt is formed in a dissolved state in the solution. Among the silver salts, carboxylic acid silver salts are preferably used because they dissolve well in organic solvents and form good films even when the organic solvents are evaporated. Various types of carboxylic acids can be used, but among dicarboxylic acids having two carboxylic acid groups, citraconic acid has particularly excellent film-forming properties. In addition, as an organic solvent, in addition to alcohol-based, cellosolve-based, carbitol-based, and glycol-based organic solvents, dimethyl sulfoxide, dimethylacetamide, dimethyl formamide, etc. can be used, and a mixed solution of methyl cellosolve, acetonitrile, acetylacetone, and dimethyl sulfoxide can be used. is optimal.
さらに析出された金属膜または金属酸化物膜あ
るいはその混合物膜と基板の密着性を向上させる
にはチタンアルコレートを添加することで目的を
達せられるがチタンテトラブチラートが最適であ
る。前記溶液を塗布液として塗布乾燥し0.1〜1
μmの錯体膜を形成し、所定部分にレーザを照射
する。レーザ照射により金属膜または金属酸化物
膜あるいは混合物膜を析出させた後、メチルセロ
ソルブまたはアセトニトリルあるいは両者の混合
液で洗浄することにより析出した部分以外の錯体
膜を完全に除去することができる。その後紫外線
炉で30秒〜5分間ベーキングすることにより析出
膜強度および基板への接着強度を向上することが
できる。 Furthermore, in order to improve the adhesion between the deposited metal film, metal oxide film, or mixture thereof and the substrate, the objective can be achieved by adding titanium alcoholate, but titanium tetrabutyrate is most suitable. Apply the above solution as a coating liquid and dry it to 0.1 to 1
A μm-thick complex film is formed, and a predetermined portion is irradiated with a laser. After depositing a metal film, metal oxide film, or mixture film by laser irradiation, the complex film other than the deposited portion can be completely removed by cleaning with methyl cellosolve, acetonitrile, or a mixture of both. Thereafter, the strength of the deposited film and the adhesive strength to the substrate can be improved by baking it in an ultraviolet oven for 30 seconds to 5 minutes.
ここでレーザ照射は第2図に示す様にレーザ発
振器(図示せず)より発振されたレーザ光5を任
意の寸法に変化できる可変スリツト7により矩形
に成形され対物レンズ8により、可変スリツト7
の実像が結ぶ位置に置かれた欠陥9を有するフオ
トマスク10上に対物レンズ8の倍率の逆数の大
きさでレーザ光が矩形に集光される。 Here, the laser irradiation is performed by shaping the laser beam 5 emitted from a laser oscillator (not shown) into a rectangular shape by means of a variable slit 7 that can be changed to any size as shown in FIG.
Laser light is focused into a rectangular shape with a size that is the reciprocal of the magnification of the objective lens 8 on the photomask 10 having the defect 9 placed at the position where the real image is focused.
第2図に示した光学系により、前記錯体膜を約
0.2μmの厚さに形成した試料に照射領域の大き
さと照射部におけるパワー密度を変えて析出させ
た結果を第3図に示す。図中において実線の上の
領域はパワー密度が高すぎて、析出した膜がレー
ザにより損傷を受け、破線の下側の領域はパワー
密度が低すぎて洗浄により析出膜が脱落する恐れ
の大きい領域である。即ち、実線と破線で囲まれ
た領域が適正な条件範囲であり、一点鎖線で示し
た条件が最適であつた。ここで横軸は照射領域の
寸法(正方形に照射した場合の一辺の長さ)、縦
軸は照射部のレーザパワー密度である。照射領域
の寸法(S)が2μm〜30μmの範囲においては
レーザパワー密度(P)の間に
S×P=一定
の関係を満す条件が最適であつた。 The optical system shown in FIG. 2 allows the complex film to be
Figure 3 shows the results of depositing on a sample formed to a thickness of 0.2 μm by varying the size of the irradiated area and the power density at the irradiated area. In the figure, the area above the solid line is where the power density is too high and the deposited film will be damaged by the laser, and the area below the broken line is where the power density is too low and there is a high risk that the deposited film will fall off during cleaning. It is. That is, the area surrounded by the solid line and the broken line was the appropriate condition range, and the conditions shown by the dashed-dotted line were optimal. Here, the horizontal axis is the dimension of the irradiation area (the length of one side when irradiating a square), and the vertical axis is the laser power density of the irradiation area. When the size (S) of the irradiation area is in the range of 2 μm to 30 μm, the optimum condition is that the laser power density (P) satisfies the constant relationship S×P=.
第3図に示したのは正方形の領域に照射した場
合の結果であるが、照射領域が長方形の場合には
照射領域の面積の平方根を寸法(S)とした場合
のパワー密度が最適であつた。ただし照射領域の
短辺と長辺が1:5以上の長方形の場合には数ケ
所に分割して順に照射した方が良好であつた。 Figure 3 shows the results when a square area is irradiated, but when the irradiation area is rectangular, the power density is optimal when the square root of the area of the irradiation area is taken as the dimension (S). Ta. However, in the case of a rectangular irradiation area with a ratio of short side to long side of 1:5 or more, it was better to divide the irradiation area into several areas and sequentially irradiate the area.
第3図は有機溶媒に硝酸銀、カルボン酸および
添加剤を加えた溶液を厚さ0.2μmの膜に形成し
て用いた場合の結果であり、適正パワー密度は錯
体の組成および膜厚により変化する。 Figure 3 shows the results when a solution of silver nitrate, carboxylic acid, and additives added to an organic solvent was used to form a film with a thickness of 0.2 μm, and the appropriate power density changes depending on the composition of the complex and the film thickness. .
また金属錯体溶液として有機溶媒に硝酸銀、カ
ルボン酸および添加剤を加えた溶液について説明
して来たが本方法はそれに限定されるものではな
く狭義の意味での金属錯体、即ち1つあるいはそ
れ以上の金属を中心原子としてそれに他の原子ま
たは原子団、つまり配位子が結合して1つの原子
集団を作つている時の原子集団以外に、通常の溶
液反応で生成する金属塩を含む概念のものにも適
用できる。 Furthermore, although a solution prepared by adding silver nitrate, a carboxylic acid, and an additive to an organic solvent has been described as a metal complex solution, the present method is not limited thereto, and the present method is not limited to that, but can be used to prepare a metal complex in a narrow sense, that is, one or more metal complexes. A concept that includes metal salts produced in normal solution reactions in addition to the atomic group when the metal is the central atom and other atoms or atomic groups, that is, ligands, are bonded to it to form one atomic group. It can also be applied to things.
以上述べて来た修正方法を実施するための修正
装置の一例を示す。 An example of a correction device for carrying out the correction method described above will be shown.
第4図に示される実施例の欠陥修正装置はAr
レーザ発振器11、レーザ光5の光路を曲げるた
めのミラー12、シヤツタ13、ズーム光学系1
4とその駆動装置31、レーザ光を対物レンズ8
の方向へ曲げるダイクロイツクミラー15、対物
レンズ8に向うレーザ光5の光路上に配置された
矩形開口スリツト7とその駆動装置16およびス
リツト位置を検出するための検出装置17、ハー
フミラー18、対物レンズ8、フオトマスク10
のマスクパターン2の観察および位置合せを行う
照明光源19とハーフミラー20と観察光学系2
1とレーザカツトフイルタ22、スリツト照明光
源23と干渉フイルタ24、フオトマスク10の
パターン2と矩形開口スリツト7の投影像を観察
し表示するハーフミラー25とレーザカツトフイ
ルタ26と撮像装置27とモニタTV28、フオ
トマスク10を載置するX―Yテーブル29とそ
の駆動装置30、X―Yテーブル29の駆動装置
30とシヤツタ13の制御をし、かつ矩形開口ス
リツト7の駆動装置16を制御してその時の矩形
開口の寸法を検出する検出装置17からの信号に
よりレーザ照射領域の寸法を判定し、ズーム光学
系14の駆動装置を制御して最適パワー密度が得
られるビーム径に制御する制御装置32を備えて
構成されている。 The defect correction device of the embodiment shown in FIG.
Laser oscillator 11, mirror 12 for bending the optical path of laser beam 5, shutter 13, zoom optical system 1
4 and its driving device 31, the laser beam is transferred to the objective lens 8.
A dichroic mirror 15 that bends in the direction of , a rectangular aperture slit 7 arranged on the optical path of the laser beam 5 toward the objective lens 8 and its driving device 16, a detection device 17 for detecting the slit position, a half mirror 18, and an objective. Lens 8, Photomask 10
An illumination light source 19, a half mirror 20, and an observation optical system 2 for observing and aligning the mask pattern 2 of
1, a laser cut filter 22, a slit illumination light source 23, an interference filter 24, a half mirror 25 for observing and displaying the projected image of the pattern 2 of the photomask 10 and the rectangular opening slit 7, a laser cut filter 26, an imaging device 27, and a monitor TV 28. It controls the X-Y table 29 on which the photomask 10 is placed, its drive device 30, the drive device 30 of the X-Y table 29, and the shutter 13, and also controls the drive device 16 of the rectangular opening slit 7 to create a rectangular shape at that time. The control device 32 determines the size of the laser irradiation area based on a signal from the detection device 17 that detects the size of the aperture, and controls the drive device of the zoom optical system 14 to control the beam diameter to obtain the optimum power density. It is configured.
そして前記Arレーザ発振器11から発振され
たレーザ光5はダイクロイツクミラー15により
光路を曲げられ、X―Y両方向の巾を独立に設定
できる矩形開口スリツト7に達し、任意の大きさ
の矩形に成形される。 The laser beam 5 emitted from the Ar laser oscillator 11 has an optical path bent by a dichroic mirror 15, reaches a rectangular opening slit 7 whose width in both the X and Y directions can be set independently, and is shaped into a rectangle of any size. be done.
前記矩形開口スリツト7により任意の矩形に成
形されたレーザ光5はハーフミラー25,18を
透過し、対物レンズ8により集光されて欠落欠陥
を有するフオトマスク10に照射される。ここで
フオトマスク10および矩形開口スリツト7は、
矩形開口スリツト7の像が対物レンズ8により対
物レンズ8の倍率の逆数の大きさ、即ち対物レン
ズ8の倍率をM倍とすると1/Mに縮小されて投
影される位置関係に置かれる。 The laser beam 5 formed into an arbitrary rectangle by the rectangular opening slit 7 passes through the half mirrors 25 and 18, is focused by the objective lens 8, and is irradiated onto the photomask 10 having a missing defect. Here, the photomask 10 and the rectangular opening slit 7 are
The image of the rectangular aperture slit 7 is placed in a positional relationship where it is projected by the objective lens 8 with a size that is the reciprocal of the magnification of the objective lens 8, that is, when the magnification of the objective lens 8 is M times, it is reduced to 1/M.
フオトマスク10のパターン2の観察および位
置合せは照明光源19からの光をハーフミラー2
0,18で結合することにより観察光学系21に
より行うことができる。また観察光学系21には
作業者の安全のためレーザ光カツトフイルタ22
が配置されている。 To observe and align the pattern 2 of the photomask 10, light from the illumination light source 19 is transferred to the half mirror 2.
This can be done by the observation optical system 21 by coupling at 0 and 18. In addition, the observation optical system 21 includes a laser beam cut filter 22 for the safety of workers.
is located.
さらに、スリツト照明光源23の光は干渉フイ
ルタ24により特定の波長のみ透過し、ダイクロ
イツクミラー15を透過し、矩形開口スリツト7
の投影像として対物レンズ8によりフオトマスク
10上に結像される。ここでダイクロイツクミラ
ー15はレーザ光5の波長のみ反射し、スリツト
照明光の特定波長を透過する特定を有する。そし
てこのスリツト照明光による矩形開口スリツト7
の像も観察光学系21により観察することができ
る。 Furthermore, the light from the slit illumination light source 23 is transmitted through an interference filter 24 with only a specific wavelength, transmitted through a dichroic mirror 15, and then passed through a rectangular aperture slit 7.
is formed on the photomask 10 by the objective lens 8 as a projected image. Here, the dichroic mirror 15 has a characteristic of reflecting only the wavelength of the laser beam 5 and transmitting a specific wavelength of the slit illumination light. The rectangular opening slit 7 is formed by this slit illumination light.
The image can also be observed by the observation optical system 21.
さらにまた、ハーフミラー25、レーザカツト
フイルタ26、および撮像装置27によりフオト
マスク10のパターン2や矩形開口スリツト7の
投影像をモニタTV28により観察することもで
きる。 Furthermore, a projected image of the pattern 2 of the photomask 10 and the rectangular aperture slit 7 can be observed on the monitor TV 28 using the half mirror 25, the laser cut filter 26, and the imaging device 27.
欠落欠陥33を有するフオトマスク10の上に
は金属錯体溶液が塗布され、乾燥により金属錯体
膜4が形成されている。欠落欠陥部33が矩形ス
リツト7の投影像と一致する様にX―Yテーブル
29で調整できる様になつている。また、X―Y
テーブル29は手動および駆動装置30により駆
動できる。 A metal complex solution is applied onto the photomask 10 having the missing defect 33, and a metal complex film 4 is formed by drying. The missing defect portion 33 can be adjusted using the XY table 29 so that it matches the projected image of the rectangular slit 7. Also, X-Y
The table 29 can be driven manually and by a drive 30.
観察光学系21あるいはモニタTV28により
観察しながら矩形開口スリツトの巾を調整し、投
影像を欠落欠陥部33の大きさに一致させる。こ
の時スリツト位置検出装置17によりX―Y両方
向のスリツト巾を検出し、その巾における最適パ
ワー密度を制御装置32を算出しズーム光学系1
4の駆動装置31を駆動して最適パワー密度が得
られるビーム径にする。 The width of the rectangular opening slit is adjusted while observing with the observation optical system 21 or the monitor TV 28 to make the projected image match the size of the missing defect portion 33. At this time, the slit width in both the X and Y directions is detected by the slit position detection device 17, and the control device 32 calculates the optimum power density at that width.
The beam diameter is adjusted to obtain the optimum power density by driving the drive device 31 of No. 4.
全ての設定が終了するとシヤツタ13を開いて
レーザ光5を欠落欠陥部33に照射する。この
時、レーザ光5はスリツト照明光による矩形開口
スリツト7の投影像と全く同一の領域に照射され
る。 When all settings are completed, the shutter 13 is opened and the laser beam 5 is irradiated onto the missing defective portion 33. At this time, the laser beam 5 is irradiated onto exactly the same area as the projected image of the rectangular opening slit 7 by the slit illumination light.
ここでレーザ光5をON,OFFするためにシヤ
ツタ13を使用しているが、電気光学あるいは音
響光学効果による変調器によつても同様の動作が
行なえるし、さらにArレーザ光発振器11の電
源を制御することにより行なうこともできる。 Here, the shutter 13 is used to turn the laser beam 5 ON and OFF, but the same operation can be performed using an electro-optic or acousto-optic modulator, and the power source for the Ar laser beam oscillator 11 can also be used. This can also be done by controlling the
前記制御装置32は、つぎの機能を持つ。すな
わち、欠陥検査装置で検出された位置情報を磁気
媒体などから読み取り、X―Yテーブル29の駆
動装置30を駆動して欠落欠陥位置を再現する機
能と、スリツト位置検出装置17からの信号を受
けとり矩形開口スリツト7の寸法(すなわちフオ
トマスク10上に投影された矩形形状のM倍:M
は対物レンズの倍率)を算出しその寸法から最適
なパワー密度を算出する機能と、その最適パワー
密度を得るのに必要なビーム径を算出して、ズー
ム光学系14の駆動装置31を駆動して所定のビ
ーム径に調整する機能と、適正な条件でシヤツタ
13あるいは変調器、電源を制御することにより
レーザ光5をON,OFFする機能とを有する。ま
た欠落欠陥部33の大きさがあらかじめわかつて
いる場合には、矩形開口スリツト7の巾を変化さ
せるための駆動装置27を駆動してスリツト巾を
設定することも可能である。 The control device 32 has the following functions. That is, it has a function of reading the positional information detected by the defect inspection device from a magnetic medium or the like, driving the drive device 30 of the XY table 29 to reproduce the missing defect position, and receiving a signal from the slit position detection device 17. Dimensions of the rectangular opening slit 7 (that is, M times the rectangular shape projected onto the photomask 10: M
is the magnification of the objective lens) and calculates the optimum power density from its dimensions, and calculates the beam diameter necessary to obtain the optimum power density to drive the drive device 31 of the zoom optical system 14. It has a function of adjusting the beam diameter to a predetermined beam diameter, and a function of turning on and off the laser beam 5 by controlling the shutter 13, modulator, and power supply under appropriate conditions. Furthermore, if the size of the missing defective portion 33 is known in advance, it is also possible to set the slit width by driving the drive device 27 for changing the width of the rectangular opening slit 7.
ここでレーザ光5をON,OFFする適正な条件
とは例えば照射されたレーザ光5のフオトマスク
10を透過する光量を検出し、その透過光量の変
化から金属等の析出状態を判定して得られる条件
を含むものである。 Here, the appropriate conditions for turning on and off the laser beam 5 are obtained by, for example, detecting the amount of light transmitted through the photomask 10 of the irradiated laser beam 5, and determining the state of precipitation of metal etc. from the change in the amount of transmitted light. It includes conditions.
次に前記第4図に示される欠陥修正装置を使用
してフオトマスク10の欠落欠陥33を修正する
方法の一態様を説明する。欠落欠陥部33を有す
るフオトマスク10の全面あるいは欠落欠陥33
とその周辺部に銀錯体溶液等の金属錯体溶液を塗
布、乾燥し、金属錯体膜4を形成した後、X―Y
テーブル29上に載置し、欠陥検査装置からの位
置情報をもとに制御装置32によりテーブル駆動
装置30を駆動して少なくとも観察光学系21あ
るいは撮像装置27の視野内に欠落欠陥部が入る
様にする。ついでスリツト照明光源23による矩
形開口スリツト7の投影像を観察しながらX―Y
テーブル29による精位置決めおよびスリツト駆
動装置16を駆動してスリツト巾の設定を行う。
この時、矩形開口スリツト7の投影像が正常パタ
ーンからはみ出ない様に、かつ欠落欠陥部33を
十分に覆うように調整する。ここで、スリツト位
置検出装置17により、例えば光軸(光学系の中
心)を原点としたスリツト先端位置までの距離に
相当する信号を制御装置32へ送り、X方向の2
信号、Y方向の2信号から矩形開口の寸法を算出
する。ついで制御装置32においてこの寸法にお
ける最適パワー密度を近似式おるいはメモリ部に
記憶してあるテーブルから判定して決定する。即
ち第3図に示した例では最適パワー密度Pとスリ
ツト寸法(投影面上での寸法)Sの間でP×S=
一定の関係があることから、10μm口におけるパ
ワー密度が4000W/cm2となる様に設定しておけ
ば、スリツト寸法が20μm口(10μm口の2倍)
の場合にはパワー密度は2000W/cm2、即ちズーム
駆動装置31を駆動してビーム径を√2に広げれ
ば良い。(パワー密度はビーム径の2乗に反比例
する)全ての設定が完了した後、自動的にあるい
は作業者の指示によりシヤツタ13を開いてAr
レーザ発振器11から発振されたレーザ光5を欠
落欠陥部33に照射する。次に一定時間、あるい
は金属等の析出状態をモニタしながら照射した後
適正条件でシヤツタ13へ信号を送りレーザ光5
の照射を停止させる。 Next, one aspect of a method for correcting the missing defect 33 of the photomask 10 using the defect correction apparatus shown in FIG. 4 will be described. The entire surface of the photomask 10 having the missing defect portion 33 or the missing defect 33
After applying a metal complex solution such as a silver complex solution to the surrounding area and drying it to form a metal complex film 4,
It is placed on the table 29, and the table driving device 30 is driven by the control device 32 based on the position information from the defect inspection device so that the missing defect portion is at least within the field of view of the observation optical system 21 or the imaging device 27. Make it. Next, while observing the projected image of the rectangular opening slit 7 by the slit illumination light source 23,
Precise positioning is performed using the table 29 and the slit width is set by driving the slit drive device 16.
At this time, adjustment is made so that the projected image of the rectangular opening slit 7 does not protrude from the normal pattern and sufficiently covers the missing defective portion 33. Here, the slit position detection device 17 sends, for example, a signal corresponding to the distance from the optical axis (center of the optical system) to the slit tip position to the control device 32, and
The dimensions of the rectangular opening are calculated from the signal and two signals in the Y direction. Next, the control device 32 determines the optimum power density for this dimension by determining it from an approximation formula or a table stored in the memory section. That is, in the example shown in Fig. 3, between the optimum power density P and the slit size (dimension on the projection plane) S, P×S=
Since there is a certain relationship, if you set the power density at 10μm opening to be 4000W/ cm2 , the slit size will be 20μm opening (twice that of 10μm opening).
In this case, the power density is 2000 W/cm 2 , that is, the zoom drive device 31 can be driven to widen the beam diameter to √2. (The power density is inversely proportional to the square of the beam diameter.) After all settings are completed, the shutter 13 is opened automatically or according to the operator's instructions.
Laser light 5 oscillated from laser oscillator 11 is irradiated onto missing defective portion 33 . Next, after irradiating for a certain period of time or while monitoring the deposition state of metal etc., a signal is sent to the shutter 13 under appropriate conditions and the laser beam 5
irradiation.
以上により前記金属錯体膜4にレーザ光5を照
射し、金属膜を析出させることにより、フオトマ
スク10の欠落欠陥33が修正される。 As described above, the missing defect 33 of the photomask 10 is corrected by irradiating the metal complex film 4 with the laser beam 5 and depositing a metal film.
これで一個の欠落欠陥33の修正が終了し、必
要に応じて観察した後、作業者からの修正完了の
信号が出されると、次の欠陥位置へX―Yテーブ
ル29を駆動する。全ての欠落欠陥部33に金属
膜を析出させた後、フオトマスク10は洗浄によ
り、金属が析出した部分以外の金属錯体膜4を除
去し、必要に応じて熱処理を加えた後、修正作業
は終了する。 This completes the correction of one missing defect 33, and after observing if necessary, when the operator issues a signal indicating completion of correction, the XY table 29 is driven to the next defect position. After the metal film is deposited on all the missing defective parts 33, the photomask 10 is cleaned to remove the metal complex film 4 other than the parts where the metal has been deposited, and after heat treatment is applied as necessary, the repair work is completed. do.
第5図にフオトマスク欠落欠陥修正装置の別な
一例を示す。この第5図に示される修正装置は第
4図に示される修正装置と比較して次の点が異な
る。即ちダイクロイツクミラー34の裏側に所定
の大きさを有するアパーチヤ板35と光量検出器
36を備えている点である。ダイクロイツクミラ
ー34はレーザ光5の大部分は反射、一部分例え
ば1%を透過し、干渉フイルタ24で特定の波長
に選択されたスリツト照明用光源23からの光を
透過する特性を有する。ダイクロイツクミラー3
4を透過したレーザ光の一部分5′は一定の面積
を有するアパーチヤを有する板35によりビーム
の中心部のみが通過した光検出器36に受光され
る。ここでダイクロイツクミラー34のレーザ光
5に対する透過率とアパーチヤ35の面積が既知
であればスリツト7面上におけるパワー密度即ち
フオトマスク10上におけるパワー密度が算出で
きる。このことから、矩形開口スリツト7のスリ
ツト寸法を検出し、制御装置32においてその寸
法における最適パワー密度を近似式あるいはメモ
リに記憶してあるテーブルより決定した後、光量
検出器36からの信号と比較しながら、ズーム駆
動装置31によりズーム光学系14を駆動してビ
ーム径を変化させ、光量検出器36からの信号と
最適パワー密度が一致するかあるいは一定の誤差
内(例えば±5%)に入つた時にズーム駆動装置
31を停止させれば良い。以上により、フオトマ
スク10上におけるレーザ光5の照射パワー密度
は最適値に設定することができる。 FIG. 5 shows another example of the photomask missing defect correction apparatus. The correction device shown in FIG. 5 differs from the correction device shown in FIG. 4 in the following points. That is, an aperture plate 35 having a predetermined size and a light amount detector 36 are provided on the back side of the dichroic mirror 34. The dichroic mirror 34 has the characteristic of reflecting most of the laser beam 5, transmitting a portion of it, for example 1%, and transmitting the light from the slit illumination light source 23 selected to have a specific wavelength by the interference filter 24. dichroic mirror 3
A portion 5' of the laser beam transmitted through the laser beam 4 is received by a photodetector 36 through which only the center portion of the beam passes through a plate 35 having an aperture having a constant area. Here, if the transmittance of the dichroic mirror 34 to the laser beam 5 and the area of the aperture 35 are known, the power density on the slit 7 surface, that is, the power density on the photomask 10 can be calculated. From this, the slit dimensions of the rectangular aperture slit 7 are detected, and the control device 32 determines the optimum power density for that dimension from an approximate formula or a table stored in memory, and then compares it with the signal from the light amount detector 36. At the same time, the zoom optical system 14 is driven by the zoom drive device 31 to change the beam diameter, and the signal from the light amount detector 36 and the optimum power density match or are within a certain error (for example, ±5%). It is only necessary to stop the zoom drive device 31 when this occurs. As described above, the irradiation power density of the laser beam 5 on the photomask 10 can be set to an optimal value.
次に、第4図および第5図に示した修正装置に
使用するズーム光学1について説明する。第6図
に示すのはズーム光学系14の一例で凹レンズ3
8、凸レンズ39、凹レンズ40、および凸レン
ズ41から構成されており、アフオーカル・ズー
ム系(平行光を入射した場合平行光として出力す
る)を構成している。 Next, the zoom optical system 1 used in the correction device shown in FIGS. 4 and 5 will be explained. FIG. 6 shows an example of the zoom optical system 14 with a concave lens 3.
8, a convex lens 39, a concave lens 40, and a convex lens 41, forming an afocal zoom system (when parallel light is incident, it is output as parallel light).
第6図Aに示す様に凸レンズ39と凹レンズ4
0が合さつている場合、入射するレーザ光5は最
大ビーム径で出力する。これに対してBに示す様
に凸レンズ39と凹レンズ40がそれぞれ凹レン
ズ38と凸レンズ41と合さつている場合には最
小ビーム径で出力する。凸レンズ39および凹レ
ンズ40が第6図AとBに示した位置の間を連続
的に変化させることにより、出力するビーム径は
連続的に変化する。当然、各レンズの焦点距離を
選択することによりビーム径を縮小することもで
きる。 As shown in FIG. 6A, a convex lens 39 and a concave lens 4
0, the incident laser beam 5 is output with the maximum beam diameter. On the other hand, when the convex lens 39 and concave lens 40 are combined with the concave lens 38 and convex lens 41, respectively, as shown in B, the beam is output with the minimum beam diameter. By continuously changing the convex lens 39 and the concave lens 40 between the positions shown in FIGS. 6A and 6B, the diameter of the output beam changes continuously. Of course, the beam diameter can also be reduced by selecting the focal length of each lens.
上記アフオーカル・ズーム系の他、例えばカメ
ラ用ズームレンズと固定焦点距離の集光レンズを
組合せることにより全く同一の機能を得ることが
できる。 In addition to the above-mentioned afocal zoom system, the exact same function can be obtained by combining, for example, a camera zoom lens and a condensing lens with a fixed focal length.
また第4図および第5図に示した修正装置にお
いて、パワー密度を変化させる手段として、ズー
ム光学系14を用いた場合について説明して来た
が第7図に示す様に円形透明基板42上にクロ
ム、アルミニウム、ニクロム、クロメル等の金属
を周方向に厚さを変えて蒸着等により形成した薄
膜により透過率を連続的に変化させるフイルタあ
るいは第8図に示す様に透明平板44,44′を
光軸に垂直な面45に対して面対称となる様に設
置し、レーザ光5の入射角が連続的に変化する様
(ただし光軸に垂直な面45に対して面対称な関
係を保つたまま)に矢印で示した方向に回転させ
ることにより、透過率を連続的に変化させるフイ
ルタを使用することにより、目的に達せられる。
ズーム光学系14と第7図あるいは第8図に示し
たフイルタを併用することにより、同様の機能が
得られることも明らかである。第7図および第8
図に示したフイルタを使用する場合、レーザ光5
が照射される最大面積まで十分に均一なビームの
パワー分布が得られる様あらかじめビーム径を拡
大する等の手段を構じておく必要がある。 Furthermore, in the correction apparatus shown in FIGS. 4 and 5, a case has been described in which the zoom optical system 14 is used as a means for changing the power density, but as shown in FIG. A filter whose transmittance is continuously changed by a thin film formed by vapor deposition or the like of a metal such as chromium, aluminum, nichrome, or chromel with varying thickness in the circumferential direction, or a transparent flat plate 44, 44' as shown in FIG. is installed so that it is plane symmetrical with respect to the plane 45 perpendicular to the optical axis, so that the incident angle of the laser beam 5 changes continuously (however, the plane symmetrical relationship with respect to the plane 45 perpendicular to the optical axis is maintained). This objective is achieved by using a filter whose transmittance is continuously varied by rotating it in the direction indicated by the arrow while holding the filter in place.
It is also clear that the same function can be obtained by using the zoom optical system 14 and the filter shown in FIG. 7 or 8 in combination. Figures 7 and 8
When using the filter shown in the figure, the laser beam 5
It is necessary to take measures such as enlarging the beam diameter in advance so that a sufficiently uniform beam power distribution can be obtained up to the maximum area that can be irradiated.
本発明を実施するためのレーザとしては連続発
振のレーザ光が好ましく、実施例ではArレーザ
発振器を用いた場合について説明して来たが、近
赤外、可視、紫外の波長を持つレーザであれば良
い。この中にはYAGレーザの基本波、第2高調
波および第3高調波、Krレーザ、He―Cdレー
ザ、連続発振レーザ励起DYeレーザおよびArレ
ーザが含まれるが可視の短波長側から近紫外の領
域が望ましい。 Continuous wave laser light is preferable as a laser for carrying out the present invention, and in the examples, the case where an Ar laser oscillator is used has been explained, but lasers with near-infrared, visible, and ultraviolet wavelengths may also be used. Good. This includes the fundamental wave, second harmonic, and third harmonic of YAG laser, Kr laser, He-Cd laser, continuous wave laser pumped DYe laser, and Ar laser. area is preferred.
以上説明したように本発明装置によれば従来の
リフトオフ法に比較して少ない工程でかつ1/10の
時間で欠落欠陥部を修正でき、しかも欠落欠陥部
に析出された金属膜、金属酸化物膜またはその混
合物膜と基板の接着強度が大きくかつ遮光性の十
分な修正を高精度に行うことができ、従つて半導
体装置の生産歩留を大巾に向上できる効果があ
る。 As explained above, the device of the present invention can repair missing defects in fewer steps and in 1/10 of the time compared to conventional lift-off methods, and can repair metal films and metal oxides deposited on missing defects. The adhesion strength between the film or its mixture film and the substrate is high, and the light shielding property can be sufficiently corrected with high precision, which has the effect of greatly improving the production yield of semiconductor devices.
第1図は本発明の実施の工程を示す図、第2図
は本発明を実施するための光学系の説明図、第3
図は本発明により欠落欠陥を修正する場合のレー
ザ光照射領の寸法と最適パワー密度の関係を示す
図、第4図は第1の発明である欠落欠陥修正装置
を示す系統図、第5図は第2の発明である欠落欠
陥修正装置を示す系統図、第6図は本発明を実施
するためのパワー密度調整手段としてのズーム光
学系の一例を示す図、第7図および第8図は同じ
くパワー密度調整手段としての透過率連続可変フ
イルタを説明する図である。
5……レーザ光、7……矩形開口スリツト、8
……対物レンズ、10……フオトマスク、11…
…Arレーザ発振器、13……シヤツタ、14…
…ズーム光学系、15……ダイクロイツクミラ
ー、29……X―Yテーブル、17……スリツト
位置検出装置、32……制御装置、36……光量
検出装置。
FIG. 1 is a diagram showing the process of implementing the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of an optical system for implementing the present invention, and FIG.
The figure shows the relationship between the dimensions of the laser beam irradiation area and the optimum power density when repairing a missing defect according to the present invention, FIG. 4 is a system diagram showing the missing defect repairing device according to the first invention, and FIG. 5 6 is a diagram showing an example of a zoom optical system as a power density adjusting means for carrying out the present invention, and FIGS. It is a figure explaining the transmittance continuously variable filter similarly as a power density adjustment means. 5... Laser light, 7... Rectangular opening slit, 8
...Objective lens, 10...Photomask, 11...
...Ar laser oscillator, 13...Shutter, 14...
...Zoom optical system, 15...Dichroic mirror, 29...XY table, 17...Slit position detection device, 32...Control device, 36...Light amount detection device.
Claims (1)
たレーザ光を任意の大きさの矩形に成形するため
の矩形開口スリツトと該矩形開口スリツトで矩形
に成形されたレーザ光を前記矩形開口スリツトの
縮小像として集光結像するための対物レンズと、
欠落欠陥を有するフオトマスクを載置するX―Y
テーブルと、前記矩形開口スリツトの寸法を検出
する手段と、前記矩形開口スリツトの縮小像とし
て集光結像されるレーザ光のパワー密度を任意に
変化させる手段と、前記レーザ光をON,OFFさ
せる手段と、欠陥位置の情報により矩形開口スリ
ツトの縮小像と欠落欠陥位置が一致する様にX―
Yテーブルの位置を制御する機能と前記矩形開口
スリツトの寸法を検出する手段からの情報により
スリツトの寸法を判定し、その寸法における最適
パワー密度を算出する機能と算出された最適パワ
ー密度が得られる様に前記レーザ光のパワー密度
を変化させる手段を制御する機能とレーザ光を
ON,OFFさせる手段を制御する機能とを有する
制御装置とを備えたことを特徴とするフオトマス
クの欠落欠陥修正装置。 2 レーザ光を発生する手段と該手段より発生し
たレーザ光を任意の矩形に成形するための矩形開
口スリツトと、該矩形開口スリツトで矩形に成形
されたレーザ光を前記矩形開口スリツトの縮小像
として集光結像するための対物レンズと、欠落欠
陥を有するフオトマスクを載置するX―Yテーブ
ルと、前記矩形開口スリツトの寸法を検出する手
段と、前記矩形開口スリツトの縮小像として集光
結像されるレーザ光のパワー密度を任意に変化さ
せる手段と、前記変化されたレーザ光のパワー密
度を検出する手段と、前記レーザ光をON,OFF
させる手段と、欠陥位置の情報により矩形開口ス
リツトの縮小像と欠落欠陥位置が一致する様にX
―Yテーブルの位置を制御する機能と前記矩形開
口スリツトの寸法を検出する手段からの情報によ
りスリツトの寸法を判定しその寸法における最適
パワー密度を算出する機能と、前記パワー密度を
検出する手段からの情報と算出された最適パワー
密度とを比較して両者が一致するかあるいは一定
誤差範囲内に納まる様に前記レーザ光のパワー密
度を変化させる手段を制御する機能とレーザ光を
ON,OFFする手段を制御する機能とを有する制
御装置とを備えたことを特徴とするフオトマスク
の欠落欠陥修正装置。 3 前記制御装置は前記矩形開口スリツトの寸法
と最適パワー密度の関係を近似式として記憶し、
前記矩形開口スリツトの寸法を検出する手段から
の情報により判定したスリツトの寸法における最
適パワー密度を前記近似式から算出する機能を有
することを特徴とする特許請求範囲第3項または
第4項記載のフオトマスクの欠落欠陥修正装置。 4 前記制御装置は前記矩形開口スリツトの寸法
と最適パワー密度の関係をテーブル(表)として
記憶し、前記矩形開口スリツトの寸法を検出する
手段からの情報により判定したスリツトの寸法に
おける最適パワー密度を前記テーブルを参照して
決定する機能を有することを特徴とする特許請求
範囲第3項および第4項記載のフオトマスクの欠
落欠陥修正装置。 5 前記レーザ光のパワー密度を変化させる手段
としてズーム光学系を備えたことを特徴とする特
許請求範囲第3項または第4項記載のフオトマス
クの欠落欠陥修正装置。 6 前記レーザ光のパワー密度を変化させる手段
として透過率連続可変フイルタを備えたことを特
徴とする特許請求の範囲第3項または第4項記載
のフオトマスクの欠落欠陥修正装置。 7 前記レーザ光を発生する手段として連続発振
Arレーザ発振器を備えたことを特徴とする特許
請求の範囲第3項または第4項記載のフオトマス
クの欠落欠陥修正装置。[Claims] 1. A means for generating a laser beam, a rectangular opening slit for shaping the laser beam generated by the means into a rectangular shape of an arbitrary size, and a rectangular opening slit for shaping the laser beam into a rectangular shape with the rectangular opening slit. an objective lens for condensing and imaging a reduced image of the rectangular aperture slit;
X-Y to place a photomask with missing defects
a table; a means for detecting the dimensions of the rectangular aperture slit; a means for arbitrarily changing the power density of the laser beam focused and imaged as a reduced image of the rectangular aperture slit; and turning the laser beam ON and OFF. Using the means and defect position information, the X-
A function of controlling the position of the Y table and a function of determining the dimensions of the rectangular opening slit using information from the means for detecting the dimensions of the rectangular opening slit, and a function of calculating the optimum power density for that dimension, and obtaining the calculated optimum power density. The function of controlling the means for changing the power density of the laser beam as well as the laser beam
What is claimed is: 1. A photomask missing defect correction device comprising: a control device having a function of controlling means for turning ON and OFF; 2. A means for generating a laser beam, a rectangular aperture slit for shaping the laser beam generated by the means into an arbitrary rectangle, and a laser beam formed into a rectangle by the rectangular aperture slit as a reduced image of the rectangular aperture slit. An objective lens for condensing and imaging, an XY table on which a photomask with a missing defect is placed, means for detecting the dimensions of the rectangular aperture slit, and condensing and imaging as a reduced image of the rectangular aperture slit. a means for arbitrarily changing the power density of the laser beam, a means for detecting the changed power density of the laser beam, and a means for turning the laser beam on and off.
X
- A function for controlling the position of the Y table, a function for determining the dimensions of the rectangular opening slit based on information from the means for detecting the dimensions, and calculating the optimum power density for that dimension, and a function for detecting the power density. and a function for controlling a means for changing the power density of the laser beam so that the information on the laser beam and the calculated optimum power density are matched or within a certain error range;
What is claimed is: 1. A photomask missing defect correction device comprising: a control device having a function of controlling a means for turning ON and OFF; 3. The control device stores the relationship between the dimensions of the rectangular opening slit and the optimum power density as an approximate expression,
Claim 3 or 4, characterized in that it has a function of calculating, from the approximate expression, the optimum power density for the dimensions of the slit determined based on the information from the means for detecting the dimensions of the rectangular opening slit. Photomask missing defect correction device. 4. The control device stores the relationship between the dimensions of the rectangular opening slit and the optimum power density as a table, and calculates the optimum power density for the slit dimensions determined based on the information from the means for detecting the dimensions of the rectangular opening slit. 5. The photomask missing defect correcting apparatus according to claim 3, further comprising a function of making a determination by referring to the table. 5. The photomask missing defect correction apparatus according to claim 3 or 4, further comprising a zoom optical system as means for changing the power density of the laser beam. 6. The photomask missing defect correction apparatus according to claim 3 or 4, further comprising a continuously variable transmittance filter as means for changing the power density of the laser beam. 7 Continuous oscillation as means for generating the laser beam
5. The photomask missing defect correction apparatus according to claim 3, further comprising an Ar laser oscillator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103359A JPS586128A (en) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Photomask missing defect repair device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103359A JPS586128A (en) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Photomask missing defect repair device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586128A JPS586128A (en) | 1983-01-13 |
| JPS6220539B2 true JPS6220539B2 (en) | 1987-05-07 |
Family
ID=14351927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56103359A Granted JPS586128A (en) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Photomask missing defect repair device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586128A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58203443A (en) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Hitachi Ltd | Composition for correcting white spot defects on photomasks |
| JPH0642069B2 (en) * | 1984-07-13 | 1994-06-01 | 株式会社日立製作所 | Photomask defect repair method |
| JP2803259B2 (en) * | 1989-12-12 | 1998-09-24 | 三菱電機株式会社 | Repair method of mask pattern defect |
| JP2689241B2 (en) * | 1990-05-01 | 1997-12-10 | 株式会社 堀場製作所 | Automatic analyzer for gas analyzer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51122379A (en) * | 1975-04-18 | 1976-10-26 | Fujitsu Ltd | Treatment for defect of photo-mask |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP56103359A patent/JPS586128A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS586128A (en) | 1983-01-13 |
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