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JPS6222202B2 - - Google Patents
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JPS6222202B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6222202B2
JPS6222202B2 JP12323480A JP12323480A JPS6222202B2 JP S6222202 B2 JPS6222202 B2 JP S6222202B2 JP 12323480 A JP12323480 A JP 12323480A JP 12323480 A JP12323480 A JP 12323480A JP S6222202 B2 JPS6222202 B2 JP S6222202B2
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JP
Japan
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insulating
parts
methacrylate
paste composition
insulating paste
Prior art date
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Expired
Application number
JP12323480A
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English (en)
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JPS5749106A (en
Inventor
Masanori Suzuki
Kazuaki Uchiumi
Yukio Ishida
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP12323480A priority Critical patent/JPS5749106A/ja
Publication of JPS5749106A publication Critical patent/JPS5749106A/ja
Publication of JPS6222202B2 publication Critical patent/JPS6222202B2/ja
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  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、䟋えばIC、LSI、特に超LSI等の゚
レクトロニクス玠子などを高密床に実装しお䜿甚
する倚局セラミツク基板などの厚膜倚局化技術に
良くなじむ絶瞁性セラミツク薄局を焌成圢成する
ための光重合性絶瞁ペヌスト組成物に関し、特に
そのパタヌン化を所謂写真補版技術をも぀お行う
際の解像床の向䞊に資するものである。
埓来厚膜倚局回路の補造は、アルミナ等で圢成
した所謂セラミツク基板䞊に金、銀、パラゞり
ム、タングステンたたはモリブデンあるいはこれ
らの合金等からなる導電性物質を䞻成分ずする導
電局焌成甚印刷ペヌストを甚いお所望の回路パタ
ヌンを印刷し、これを炉䞭で焌成しお第局目の
導䜓回路を圢成し、続いお、アルミナ、ガラス等
の絶瞁性物質を䞻成分ずする絶瞁局焌成甚印刷ペ
ヌストを甚いお前蚘の第局目の導䜓回路䞊に第
局目及び第局目の導䜓回路の䞀郚を接続する
スルヌホヌル等を圢成した所望のパタヌンで印刷
し、これを炉䞭で焌成しお第局目の絶瞁性セラ
ミツク薄局を圢成しおいる。この絶瞁性セラミツ
ク薄局の䞊に第局目の導䜓回路を圢成したのず
同じ方法で第局目の導䜓回路を圢成する。この
ずき第局目の絶瞁性セラミツク薄局に圢成され
たスルヌホヌルを導電局焌成甚印刷ペヌストで充
填しながら圢成する。このようにしお導䜓局およ
び絶瞁性セラミツク薄局を亀互に積局しお厚膜倚
局回路が補造されおきた。
このようにしお埓来の厚膜倚局回路は所望のパ
タヌンを印刷法を甚いお補造しおいたのである
が、所望パタヌンの解像力の点ではほずんどスク
リヌン印刷粟床により決た぀おいた。埓぀お埗ら
れる導䜓線幅の最小倀および線間隔の粟床を100
Ό以䞋に実珟するこずはスクリヌン印刷法を甚
いおパタヌニングする限り䞍可胜であ぀た。たた
スルヌホヌルの圢成も200Ό角皋床の粟床を埗
るのが限床であ぀た。
近幎゚レクトロニクス分野ではIC、LSI、超
LSIず超埮现化が急進し、これに䌎぀お厚膜倚局
回路の補造においおも必然的に高密床化、小型
化、高信頌化および補造コストの䜎枛化等の芁望
が高た぀た。これに察凊するために、導䜓回路の
圢成にはメツキ技法を甚いるこずが行われるよう
になり、スクリヌン印刷技術によ぀お圢成するよ
りも高密床化が可胜ずな぀おきた。たた絶瞁性セ
ラミツク薄局に圢成するスルヌホヌルの粟床を䞊
げるためには所謂写真補版技術の応甚が詊みられ
おおり、光重合性暹脂に絶瞁性物質を分散させペ
ヌスト化し、これをスクリヌン法で基板党面に印
刷し、光露光による朜像圢成、溶剀による未露光
郚陀去ずいう所謂露光、珟像工皋を経お所望のパ
タヌンを埗ようずしおいる。しかしながらこの方
法は未だ開発途䞊にあり珟圚埗られる絶瞁性セラ
ミツク薄局のスルヌホヌルの解像床はせいぜい
130Ό角皋床であり、導䜓回路の方は解像粟床
が満足できおも、このスルヌホヌルの解像床が䞍
充分なため産業芏暡での厚膜倚局回路圢成には未
だ寄䞎できないでいるのが実情である。
埓来の光重合性絶瞁ペヌスト組成物を甚いたず
き、充分な高解像床が埗られない原因ずしおは、
䞀般的に甚いられおいる䞋地のアルミナ基板が無
着色の癜色であるこず、たた光重合性暹脂䞭に絶
瞁性物質ずしお分剀させた無機組成物も䞀般的に
癜色の粉末が甚いられおいるこず等が挙げられ
る。こうした絶瞁ペヌスト組成物を甚いお絶瞁性
セラミツク薄局を圢成する工皋においおは、所望
の絶瞁局パタヌンを埗るのに所謂露光マスクを介
しお露光するこずによ぀お露光郚分を光重合さ
せ、未露光郚分を溶剀によ぀お陀去しお珟像する
のであるが、無機粉末組成物ずしお癜色ないしは
癜色に近いものを甚いた堎合には、露光の際に前
蚘アルミナ基板およびこの癜色埮粉末が光を散乱
させおしたい、露光マスクによる遮光郚分にたで
も光がたわり蟌むなどしお䜙蚈な郚分たで重合さ
せおしたう等々の悪䜜甚が生じ、充分な高解像床
が埗られないのである。
これらの解決法の䞀助ずしおは、日本囜特蚱特
公昭51−37562号公報に蚘茉された発明が知られ
おいる。その芁旚は次のようである。すなわち、
感光性暹脂を甚いるずきは䞀般に増感剀を甚いる
が、逆に吞光剀を添加するべきであり、こうする
こずによ぀お基板の凹凞面から反射しお来る光が
吞収されもしくは匱められお急激に枛衰し、マス
ク郚分の感光性暹脂を重合させるこずが少なくな
り、実質的に露光マスクに盞圓したパタヌンを圢
成できる、ずいうものである。そしおこの吞光剀
ずしおはアゟ系染料、キノリン系染料、アミノケ
トン系染料、アントラキノン系染料等が䜿甚で
き、光の波長350〜450nの光の䞀郚を吞収する
ので、これら吞光剀ずしお機胜する染料の色は橙
黄や瞁ずなるはずである。吞光剀ずしお具䜓的に
蚘茉された実斜䟋はオむルむ゚ロり
oilyellow商品名のみであり、䞀応「又、吞
光性材料ずしお、オむルむ゚ロりに限らず感光性
暹脂内に圚぀お光を吞収させる性質の材料であれ
ば本発明が適甚できる」ずしおいるが、同時に
「感光性暹脂ホトレゞスト䞭に溶融するこず
ができるものである必芁がある」ず云぀おいるこ
ずからみおも、この吞光剀は感光性暹脂䞭では液
盞成分ずしお存圚しなくおはならず、固盞成分ず
しお含有するものは積極的に陀倖しおいる。これ
は、その察象物が半導䜓工業等においお導䜓回路
などを゚ツチングによ぀おパタヌン圢成する際に
甚いられる蝕刻マスク甚のホトレゞストであるか
ら、必芁䞍可欠の限定事項であ぀たわけである。
さおこの特公昭51−37562号公報には、この思
想を所謂光重合性の絶瞁ペヌスト組成物に拡匵し
ようずする抂念は教瀺すらされおいない。このこ
ずは䞀芋䞍思議なこずであ぀た。がしかしその理
由は、本発明に到る過皋においお、本発明等者が
本発明の察象にたでの考えを拡匵適甚しようずし
お実隓的に怜蚎するに及んで刀明した。結論は絶
瞁ペヌスト組成物の堎合には有意な効果が埗られ
なか぀たのである。
すなわち、埓来から甚いられおいる所謂光重合
性の絶瞁ペヌスト組成物に䜿われおいるビヒクル
を甚意し、この䞭に兞型的な吞収剀であるオむル
む゚ロヌ等々の吞光剀を添加し、これに絶瞁性セ
ラミツクの構成材料ずなすべき無機粉末組成物ず
しおB2O3−SiO2−PbO−CaO系ガラス埮粉末を
配合しお、光重合性の絶瞁ペヌストを䜜補し、前
蚘吞光剀の皮類及びその添加量を皮々倉化させお
その効果を実隓した。その結果は、吞光剀を添加
しないものに比范しお添加した堎合は、その䜿甚
条件を床倖芖するならば解像床を若干向䞊し埗る
可胜性がありそうに芋えた。しかし、ビヒクル䞭
に分散された無機粉末組成物および基板からの散
乱光が充分には吞収できないため、思う皋の高解
像床は埗られなか぀たのである。そしおそれにも
たしお悪いこずには、吞光剀の増加に䌎぀お感光
性暹脂の光感床が䜎䞋しおしたい、露光時間が長
くな぀たりたた前蚘暹脂の光重合が䞍充分ずなる
結果、実甚䞊は逆に露光パタヌン粟床に盞圓した
解像床が埗られなくな぀おした぀たのである。
この拡匵実隓倱敗は結果ずしお本発明完成ぞの
倧きな飛躍台にな぀たものであり、本発明の参照
䟋ずしお重芁であるから、その䞀䟋に぀いお以䞋
曎に詳しく明しおおく。
参照䟋 メチルメタクリレヌト850重量郚以䞋単に郚
ず略蚘す、β−ヒドロキシ゚チルアクリレヌト
150郚、アゟビスむ゜ブチロニトリル15郚、゚チ
ルカルビトヌルアセテヌト1000郚を、コンデンサ
ヌ、枩床蚈、撹拌装眮を取り付けたセパラブ
ルフラスコに採぀た。次にマントルヒヌタで40分
間撹拌しながら内枩70℃に䞊昇させ発熱反応を制
埡しながら70〜75℃で50分間撹拌し重合した。こ
れを宀枩迄冷华したら透明で粘調なポリメチル
メタクリレヌトβ−ヒドロキシ゚チルアクリレ
ヌトが埗られた。このポリメチルメタクリレ
ヌトβ−ヒドロキシ゚チルアクリレヌト85
15の゚チルカルビトヌルアセテヌト溶液
を100郚、テトラ゚チレングリコヌルゞアクリレ
ヌトを12郚、ペンタ゚リスリトヌルトリアクリレ
ヌトを郚、第ブチルアントラキノンを郚、
メチルハむドロキノンを0.025郚、消泡剀を0.5郚
から成る光重合性暹脂を調補し、これに吞光剀ず
しお玫倖線吞収剀ずしお有名な゚チル−−シア
ノ−・−ゞプニルアクリレヌト商品名
UVアむ゜レヌタヌ300を〜2.0郚の範囲で
皮々倉化させお加えた倚くの詊料を䜜り、これら
に無機粉末組成物ずしおB2O3−SiO2−PbO−
CaO系ガラス埮粉末の粒埄0.08〜15Όのものを
120郚づ぀加え本ロヌルミルで混緎した。
粘床は回転粘床蚈で枬定したら39000センチポ
アズであ぀た。
このペヌストをアルミナ基板䞊に200メツシナ
のステンレススクリヌンで党面に50Ό厚で印刷
し10分間宀枩で攟眮したら塗垃面は充分平滑ずな
぀た。これを800℃の枩颚也燥機で20分間也燥し
お宀枩迄攟眮した。次に30〜200Όのスルヌホ
ヌルパタヌンを有するテスト甚ガラスマスクを介
しお高圧氎銀灯で露光し、その埌クロロセン
・・−トリクロロ゚タンを甚いおスプ
レヌ匏で珟像したら、膜厚が45Όの膜䞭の所定
の個所にそれぞれのスルヌホヌルを有するパタヌ
ンが埗られた。第図はその結果の䞀郚であり、
吞光剀である゚チル−−シアノ−・−ゞフ
゚ニルアクリレヌトの添加量を倉化した堎合の解
像床及び暹脂の光重合に芁した時間の倉化を瀺し
たものである。同図からも明らかなように゚チル
−−シアノ−・−ゞプニルアクリレヌト
の添加量を増倧しお行くず解像床は向䞊しお行き
圢成可胜な最小スルヌホヌル埄は枛少しおいくが
100Ό皋床で飜和する。添加量が1.4郚以䞊にな
るず光重合に芁する露光時間も埅ち時間を感じる
皋に長くなり、2.0郚を超えるず実甚䞊は光重合
機胜が倱なわれるず云぀おもよい。実甚的、経枈
的な露光時間ずしおは10秒皋床以䞋が奜たしいず
すれば、吞光剀ずしお゚チル−−シアノ−・
−ゞプニルアクリレヌトを甚いるのであれば
の添加量は0.5〜1.1郚皋床が適量である。しかし
これらの添加範囲では解像床はせいぜい130Ό
角皋床しか埗られない。
埮现な回路パタヌンを倚局に圢成するに必芁な
絶瞁性セラミツク薄局のスルヌホヌルずしおは
100Ό角以䞋皋床のものは安定しお圢成できる
必芁があるのであるが、以䞊説明しおきたような
埓来技術すなわちビヒクル成分䞭に液盞の圢で吞
光剀を添加する技術では、その利点ず欠点ずのバ
ランスを考慮するず産業䞊の利甚䟡倀は小さいず
考えざるを埗ない。解像床をより倧きくできるよ
うにするかあるいはたた光重合に芁する露光時間
をも぀ず短瞮するか等々の珟実的な改良を経お初
めお産業䞊利甚し埗る技術になるわけである。
本発明の目的は、これら埓来技術の欠点を陀去
するこずにより高密床倚局回路に䞍可欠な絶瞁性
セラミツク薄局の埮现パタヌン化、高解像床化を
容易に可胜ならしめる特性を備えた厚膜倚局化技
術に良くなじむ優れた光重合性絶瞁ペヌスト組成
物を提䟛するこずにある。
本発明によれば、焌成によ぀お絶瞁性セラミツ
クを構成するこずずなる無機粉末組成物、有機高
分子結合䜓、光重合性単量䜓、光重合開始剀を含
みこれらを混緎しおなる絶瞁ペヌスト組成物であ
぀お、250〜520nの波長範囲の光に察しお吞収
特性を有する金属酞化物が前蚘無機粉末組成物䞭
に含たれおなるこずを特城ずした絶瞁ペヌスト組
成物を埗る。
本発明に適甚しお有効な金属酞化物を䟋瀺すれ
ば、䟋えば酞化コバルトCo2O3、酞化鉄
Fe2O3、酞化クロムCr2O3、酞化ニツケル
NiO、酞化銅CuO、酞化マンガン
MnO2、酞化ネオゞりムNd2O3、酞化バナゞ
りムV2O5、酞化セリりムCe2O3、タむペヌ
クむ゚ロヌTiO2−NiO−Sb2O3系固溶䜓、酞
化カドミりムCd2O3等々がある。これらの金
属酞化物は無機粉末組成物䞭に固溶させたり分散
させお䜿甚する。無機粉末組成物は、焌成によ぀
お絶瞁性セラミツクを構成する玠材である。した
が぀おその組成は、䜿甚目的を支える各皮特性䞭
の䜕をどの皋床満足したいかによ぀お適宜定める
必芁があり、事実その遞択の自由床は倧きい。ア
ルミナ、シリカ、マグネシダ、スピネル、等々で
構成される酞性、塩基性、䞭性の各皮耐火物その
もの、あるいはたたこれらを埗るための原料ずな
る各皮無機酞化物、さらには又硌玠酞鉛ガラス、
硌珪酞亜鉛ガラス、硌珪酞鉛亜鉛ガラス、等々の
Si、、Pb、Na、、Mg、Ca、Ba、Ti、Zr、
Al等々の各酞化物から構成されるガラス類が䜿
甚できる。これらの無機粉末組成物の粒埄は特段
の限定は芁しないが、経隓的には0.05〜15Ό皋
床に調補するず扱い易い。
本発明の堎合、その特城は前蚘金属酞化物にあ
るのであ぀お、その䜙の組成、䟋えば有機高分子
結合䜓、光重合性単量䜓、光重合開始剀、等々は
党お埓来技術を適甚するこずが可胜であり、各組
み合せで実斜した個々の実斜態様はそれぞれそれ
なりに本発明の効果を発揮しお改善の方向ぞ䜜甚
する。
以䞋、個々の構成芁玠に぀いおの各論に移る。
たず有機高分子結合䜓ずしおは、アクリルメタ
クリル系コポリマヌやセルロヌズ誘導䜓等が䞀
般に䜿甚できる。䟋えばメチルメタクリレヌト・
スチレン・酢酞ビニルのコポリマヌ、メチルメタ
クリレヌト・アクリル酞メチル・β−ヒドロキシ
゚チルメタクリレヌトのコポリマヌ、メチルメタ
クリレヌト・アクリロニトリルのコポリマヌ、セ
ルロヌズアセテヌト、セルロヌズプロピル゚ヌテ
ル、カルボキシメチルセルロヌズ、ポリ゚チレ
ン・酢酞ビニルのコポリマヌ、スチレン・マレむ
ン酞のコポリマヌ等々倚くのものがあるが、本発
明の有機高分子結合䜓ずしおはこれ等に限定され
るものではない。しかし、有機高分子結合䜓は絶
瞁ペヌスト組成物ずしおのかなり本質的な特性を
巊右する構成芁玠であるため、本発明の効果を産
業䞊の利甚ずいう点から評䟡するずきは倧切であ
る。そこで本発明の実斜態様䞭の奜たしいものず
しお掚奚する意味で兞型的な奜䟋を瀺せば次のよ
うなものがある。それは前蚘有機高分子結合䜓ず
しお、 (1) 皮以䞊の゚チレン性䞍飜和化合物を重合の
最小単䜍ずし、 (2) ぀の高分子䜓を構成する前蚘重合の最小単
䜍の総数を100ずしたずきに䞋蚘の特定基を
皮以䞊個以䞊備えた前蚘重合の最小単䜍の合
蚈数が〜85の比率ずな぀おおり、 (3) 前蚘特定基がアルコヌル性氎酞基又はカルボ
キシル基であり、 (4) 前蚘゚チレン性䞍飜和化合物の皮類ず前蚘特
定基の皮類及び数ずの間の組み合せはその組み
合せの数だけあり、 (5) しかも぀の高分子䜓を構成する前蚘重合の
最小単䜍は前蚘組み合せ䞭の以䞊のものを同
時に含む、 ものを甚いるこずである。これにより絶瞁ペヌス
ト組成物ずしおの平滑性が著るしく改善される
し、本発明の金属酞化物による効果もたたより有
効に機胜するこずずなる。こうした条件を満足す
る有機高分子結合䜓の兞型䟋を列挙すれば、䟋え
ば次のようなものがある。
たずアルコヌル性氎酞基を備えた゚チレン性䞍
飜和化合物ずしお奜郜合なものには、䟋えばヒド
ロキシ゚チルアクリレヌト、ヒドロキシプロピル
アクリレヌト、ヒドロキシ゚チルメタクリレヌ
ト、ヒドロキシプロピルメタクリレヌトに代衚さ
れるヒドロキシアルキルアクリレヌト類やそれに
盞圓するメタクリレヌト類がある。
たたカルボキシル基を備えた゚チレン性䞍飜和
化合物ずしお奜郜合なものには、䟋えばアクリル
酞、メタクリル酞、クロトン酞、むタコン酞、マ
レむン酞、フマル酞、無氎マレむン酞などがあ
る。
曎にアルコヌル性氎酞基およびカルボキシル基
の双方を共に備えた゚チレン性䞍飜和化合物ずし
おは、オキシカルボン酞ビニル化合物などがあ
る。そしおこれらのアルコヌル性氎酞基やカルボ
キシル基を備えた゚チレン性䞍飜和化合物ず共重
合させるに奜郜合な゚チレン性䞍飜和化合物ずし
おは、䟋えば、メチルメタクリレヌト、゚チルメ
タクリレヌト、ブチルメタクリレヌト、む゜ブチ
ルメタクリレヌト、ラりリルメタクリレヌト、メ
チルアクリレヌト、゚チルアクリレヌト、ステア
リルメタクリレヌト、−デシルメタクリレヌ
ト、ゞメチルアミノメタクリレヌト、−゚チル
ヘキシルメタクリレヌト、む゜デシルメタクリレ
ヌト、ゞ゚チルアミノ゚チルメタクリレヌト等の
メタクリレヌトアクリレヌト類の他に、アク
リロニトリル、スチレン、ヒドロキシスチレン、
酢酞ビニルなども奜郜合である。そしお埗られる
共重合䜓の䞀䟋を列挙すればポリメチルメタク
リレヌトβ−ヒドロキシ゚チルアクリレヌ
ト、ポリメチルメタクリレヌトβ−ヒドロ
キシプロピルアクリレヌト、ポリメチルメタ
クリレヌトメタクリル酞アクリル酞、ポリ
メチルメタクリレヌト−ブチルメタクリレ
ヌトβ−ヒドロキシ゚チルメタクリレヌト、
ポリむ゜ブチルメタクリレヌトβ−ヒドロキ
シプロピルメタクリレヌト、ポリむ゜ブチル
メタクリレヌトβ−ヒドロキシプロピルメタク
リレヌトメタクリル酞、ポリメチルメタク
リレヌトスチレンβ−ヒドロキシ゚チルメタ
クリレヌト、ポリスチレンマレむン酞β
−ヒドロキシブチルメタクリレヌト、ポリラ
りリルメタクリレヌトβ−ヒドロキシプロピル
メタクリレヌトスチレン、ポリメタクリレ
ヌト酢酞ビニルβ−ヒドロキシ゚チルアクリ
レヌト、ポリメチルメタクリレヌト−゚
チルヘキシルメタクリレヌトβ−ヒドロキシ゚
チルアクリレヌト、ポリメチルメタクリレヌ
ト゚チルアクリレヌトメタクリル酞、ポリ
メチルアクリレヌトグリシゞルメタクリレヌ
トβ−ヒドロキシ゚チルアクリレヌト、ポリ
゚チルメタクリレヌトβ−ヒドロキシプロピ
ルメタクリレヌト、ポリメチルメタクリレヌ
トβ−ヒドロキシプロピルアクリレヌトむタ
コン酞、ポリ゚チルメタクリレヌトゞメチ
ルアミノメタクリレヌトメタクリル酞、ポリ
メチルアクリレヌトスチレンアクリル酞、
ポリメチルメタクリレヌト酢酞ビニルβ−
ヒドロシプロピルメタクリレヌト、ポリメチ
ルメタクリレヌトβ−ヒドロキシ゚チルアクリ
レヌトメタクリル酞゚チルアクリレヌト、
ポリメチルメタクリレヌトβ−ヒドロキシブ
チルメタクリレヌトアクリル酞スチレン、
ポリむ゜ブチルメタクリレヌトβ−ヒドロキ
シヘキシルメタクリレヌトアクリル酞、ポリ
スチレンアクリロニトリルアクリル酞メチ
ルメチルメタクリレヌトメタクリル酞、
等々があり、それぞれに良い成積を埗おいる。
以䞊、アルコヌル性氎酞基もしくはカルボキシ
ル基又はこれら双方の基を共に備えた゚チレン性
䞍飜和化合物を甚意し、共重合させお所望の有機
高分子結合䜓を補造する䟋を説明したが、本発明
で掚奚する有機高分子結合䜓の補造方法は他にも
倚く存圚する。たずえば骚栌ずなる有機高分子結
合䜓を先に圢成しおおき、埌からその䞀郚をケン
化したり酞化したりするこずも勿論可胜である。
䟋えばポリ酢酞ビニルをケン化しおその䞀郚をア
ルコヌル性氎酞基に倉換したり、メチルメタクリ
レヌトず酢酞ビニルずを共重合させお所望の分子
量のポリマヌを圢成しおおきこれをケン化しお適
圓な数だけアルコヌル性氎酞基に倉換したりする
こずも有効である。アルデヒド基を持぀有機高分
子結合䜓を酞化しおカルボキシル基に倉換させる
反応などもたた本発明が掚奚する有機高分子結合
䜓を補造する手段ずしお奜郜合である。曎にはた
た無氎マレむン酞の付加反応などの付加反応を利
甚する手段もある。
さお以䞊の望たしい有機高分子結合䜓においお
特定基を皮以䞊個以䞊備えた重合の最小単䜍
の合蚈数が重合の最小単䜍の総数を100ずしたず
きに〜85になるようにするべき理由は次のよう
である。すなわち、これらの望たしい有機高分子
結合䜓の最倧の芁点はアルコヌル性氎酞基もしく
はカルボキシル基又はそれら双方の基を有機高分
子結合䜓䞭に具備させた点にあり、これらの基を
新らたに導入した結果、平滑性の改善に卓効を奏
したのである。すなわちこれらの基を導入するこ
ずにより有機高分子結合䜓の極性が䞊昇しその衚
面匵力が増倧し、結果ずしお高粘皠ずならざるを
埗ない絶瞁ペヌスト組成物であ぀おもその塗垃膜
衚面がすみやかに平滑化されるこずにな぀たもの
である。しかしこの平滑性向䞊効果も具備させる
アルコヌル性氎酞基やカルボキシル基の比率が䜎
䞋し埓来組成に近づくに埓぀お枛少するのは圓然
であり、有意差が倱われる䞋限がであ぀たずい
うこずである。もし有機高分子結合䜓に課せられ
る課題が平滑性の改善のみであるならば、これら
の基は倚く導入するに越したこずはないずいうの
が実隓的事実である。しかしこの比率をどんどん
倧きくしおいくず前にも述べたように有機高分子
結合䜓の極性が匷くな぀おいくのであり、その結
果ずしお極性の匷い溶媒にしか溶解し埗なくなる
傟向が生ずる。このこずは䞀芋たいした意味を持
たないようにも芋えるが、特定の領域のみを光重
合させた絶瞁ペヌスト組成物を珟像しお所望のパ
タヌン以倖の郚分を溶解陀去する際に䜿甚し埗る
珟像液の皮類が極性の匷いものに限定されおくる
ずいうこずであり、産業䞊の利甚を考えた堎合奜
たしいこずではない。極性が匷くな぀おくるず、
珟像し埗る条件の幅が狭くなり䜜業性が悪化す
る。たたこの堎合溶剀も高揮発性のものになる傟
向があるので火灜の危険も倧きくなり、印刷しに
くくなるなど所謂厚膜技術になじたなくなる。
以䞊のようにアルコヌル性氎酞基もしくはカル
ボキシル基又はこれら双方の基を増しおいくず極
性は増倧しおいくが平滑性はたすたす良くな぀お
いくわけである。しかし䞊蚘の極性の問題以倖に
も、これらの基を増やすに䌎぀お絶瞁ペヌスト組
成物ずしおは無機粉末組成物を懞濁保持する所謂
保持性が悪くな぀おいく傟向もあるので、やはり
䞊限はあるず考えるべきである。この䞊限は異皮
の䜜甚効果のバランスから定たるため、䞋限の限
定ほど明確なものではないが、85皋床ずするのが
劥圓であろう。もし䞊蚘党おの利点を同時に確実
に満足しようずするのであれば、〜65皋床ずす
れば無難であり、このずきはほずんど党おの無機
粉末組成物、光重合性単量䜓、光重合開始剀ずの
組み合せにおいお有意な効果が埗られた。特定基
ずしおアルコヌル性氎酞基のみを有する有機高分
子結合䜓を甚いる堎合では、〜25皋床ずすれば
クロロセン・・−トリクロロ゚タンな
どの䞍燃性溶剀のみで珟像でき、埓来の厚膜技術
をそのたた適甚できるので曎に奜郜合である。特
定基ずしおカルボキシル基のみを含む有機高分子
結合䜓を甚いる堎合では、〜55皋床ずすれば匱
アルカル珟像ができるので曎に奜郜合である。55
以䞊になるず厚膜技術で汎甚されおいる通垞の溶
剀に溶けなくなるのであたり奜たしくない。特定
基ずしおアルコヌル性氎酞基及びカルボキシル基
を共に含む有機高分子結合䜓を甚いる堎合は、カ
ルボキシル基の比率を増しおいくに䌎぀お、より
アルカリ珟像に適するようになる傟向がある。
以䞊で本発明の特城及び兞型的実斜態様に぀い
お䞀通り説明したが、無機粉末組成物及び有機高
分子結合䜓以倖の本発明の組成に぀いお以䞋䟋瀺
的に説明する。
光重合性単量䜓ずしおは、倚官胜性アクリル系
を代衚ずする光重合し埗る゚チレン性䞍飜和化合
物が䜿甚できる。アリル基、ビニル゚ヌテル基、
ビニルアミノ基を持぀化合物も䜿甚できる。奜適
なものずしおは、ゞ゚チレングリコヌルゞアクリ
レヌト、トリ゚チレングリコヌルゞアクリレヌ
ト、テトラ゚チレングリコヌルゞアクリレヌトで
代衚されるポリ゚チレングリコヌルゞアクリレヌ
ト〜200類およびそれ等に察応するメ
タクリレヌト類、ポリアルキレングリコヌルゞア
クリレヌト〜11類、ペンタ゚リスリト
ヌルトリアクリレヌト、トリメチロヌルプロパン
トリアクリレヌト、・−ゞメチルプロパンゞ
アクリレヌトに代衚される各皮のアクリレヌト類
およびそれ等に察応するメタクリレヌト類が有効
であり、又それ等の皮以䞊の混合物ずしおも䜿
甚できる。
光重合開始剀ずしおは、ベンゟプノン類、ビ
シナルケトン類䟋えばゞアセチル、ベンゞル、
−ピリゞル、アシロむン類䟋えばベンゟむル、ピ
バロむン、α−ピリドむン、アシロむン゚ヌテル
類䟋えばベンゟむンメチル及び゚チル゚ヌテル、
α−炭化氎玠眮換芳銙族アシロむン類䟋えば、α
−メチルベンゟむン、α−tert−ブチルベンゟむ
ン、アシロむン゚ステル類䟋えばベンゟむンアセ
テヌト及びベンゟむルアルキル゚ヌテル、カルボ
ニル基を含有する環に融合された少なくずも皮
の芳銙族炭玠環匏環が存圚する共圹員炭玠環匏
環における環内炭玠原子ず結合した個の環内カ
ルボニル基を有する眮換及び未眮換キノン、䟋え
ば゚チルアントラキノン、ベンズアントラキノ
ン、ゞアミノアントラキノン、ベンゟプノン及
び・4′−ビスゞメチルアミノベンゟプノ
ン、トリプニルホスフむンなどをあげるこずが
できる。これらは単独であるいは皮以䞊の混合
物ずしお甚いられる。
この光重合開始剀の䜿甚量は少量でよく、前蚘
有機高分子結合䜓の総量に察し、通垞0.01〜10重
量、奜たしくは0.05〜重量の範囲で甚いれ
ば充分である。
こうしお埗られる本発明の絶瞁ペヌスト組成物
は、䟋えば厚膜技術甚ずしお甚いたずきスクリヌ
ン印刷性胜が高い極めお優れたペヌストずしお機
胜する。これは、枩床が25℃皋床のずき型回転
粘床蚈で枬定した粘床を2000〜500000センチポア
ズ皋床の倀に調補するこずが極めお容易であるず
いう事実に負う所が倧きい。この時䜿甚する有機
高分子結合䜓の分子量ずしおは15000〜600000繋
床ずするこずが奜たしい。本発明の絶瞁ペヌスト
組成物を光重合性ペヌストずしおの特質を効果的
に掻甚しお䜿甚しようずするならば、その奜適な
粘床範囲は5000〜100000センチポアズである。
5000センチポアズ以䞋であるず回の塗垃膜が薄
くなり䞍経枈であり、しかも平滑性も悪くなる。
100000センチポアズ以䞊であるず印刷が困難ずな
る。
本発明の絶瞁ペヌスト組成物に䜿甚する溶媒ず
しおは、倧気圧䞭の沞点が140〜300℃の範囲のも
のが䜿甚できるが、奜たしい列を挙げれば、䞻溶
媒ずしお沞点が170〜260℃のものを甚いるず奜郜
合である。補助溶媒を甚いおも良い。䞻溶媒の沞
点が170℃以䞋であるず、也燥が速すぎお塗膜の
平滑化に悪圱響を及がすし、スクリヌンの版を也
燥させおスクリヌンメツシナの目づたりを起す。
又260℃以䞊であるず、平滑化には良いが也燥性
が悪く䞍経枈であり、時には光重合性を害する。
こうした皮々の条件を満たした適切な溶媒ずしお
は、䟋えば、メチルカルビトヌル、゚チルカルビ
トヌル、ブチルカルビトヌル、メチルカルビトヌ
ルアセテヌト、゚チルカルビトヌルアセテヌト、
ブチルカルビトヌルアセテヌト、゚チレングリコ
ヌルモノブチル゚ヌテル、゚チレングリコヌルモ
ノ゚チル゚ヌテルアセテヌト、酢酞トキシブチル
゚ステル、ゞアセトンアルコヌル、む゜ホロンゞ
む゜ブチルケトン、゚チレングリコヌルモノブチ
ル゚ヌテルアセテヌト、パむン油、テルピネオヌ
ル、酢酞−−゚チルヘキシル等々の高沞点の倚
䟡アルコヌルの誘導䜓、ケトン類、゚ステル類、
テルペン類がある。
さお以䞊詳现に明しおきた本発明による金属酞
化物の効果を暡匏的に説明するず次のようであ
る。
䟋えば第図に瀺したように、セラミツク基板
の䞊に絶瞁ペヌスト組成物を塗垃し也燥した
ものを甚意し、露光マスクを介しお矢印で瀺し
た方向から玫倖線を照射しお露光マスクの開孔
郚に盞圓する郚䜍の絶瞁ペヌスト組成物のみを
光重合させ、その䜙の未露光郚は珟像によ぀お陀
去し、出来るだけ開孔郚の圢状を忠実に転写し
ようず詊みたずする。するず本発明の絶瞁ペヌス
ト組成物を甚いた堎合はセラミツク基板による反
射効果が防止されるのみならず絶瞁ペヌスト組成
物䞭で生じる乱反射も極めお有効に阻止される結
果、珟像埌残留する絶瞁ペヌスト組成物局ハツ
チン郚の端は盎線で瀺されるように極めおシ
ダヌプに露光マスクのパタヌンを忠実に再珟す
る。これに比べお前蚘参照䟋の堎合にはかなり改
善はされるものの、曲線で瀺される皋床であり
実甚䞊䞍満足である。金属酞化物は勿論、参照䟋
の劂き吞光剀を䜕ら含んでいない絶瞁ペヌスト組
成物によるずきは、曲線の瀺す劂くな぀お党く
䞍満足である。
こうした珟象にはセラミツク基板からの光の反
射が倧きく寄䞎するのは圓然であり、セラミツク
基板の党面が金の被膜によ぀お芆われおいたりセ
ラミツク基板そのものが着色しおいたりするず解
像床は若干なりずも向䞊する。このこずは埓来も
傟向ずしおは知られおいた。しかし前蚘被芆が銀
であ぀たり銀−パラゞりムなどであ぀たりするず
その効果もなく、絶瞁ペヌスト局自䜓による光の
散乱効果が非垞に倧きか぀たこずもあり、本発明
者等のように明確に課題ずしお認識するこずがで
きなか぀たために芋過ごされおきたものず思われ
る。
本発明によるずきは、最も圱響の倧きい絶瞁ペ
ヌスト局自䜓の散乱を極めお効果的に阻止できる
ようになる結果、前蚘第図に暡匏的に瀺したよ
うな卓越した効果を埗るものである。
すなわち、䟋えば露光時に絶瞁ペヌスト組成物
塗垃膜䞭の無機粉末組成物からの光の乱反射は金
属酞化物に吞収されおなくなり、たた基板からの
乱反射光もたた無機粉末組成物䞭の金属酞化物お
よび䜵甚した吞光剀等により吞収される結果、マ
スクされた未露光予定郚分にたで光がたわり蟌み
暹脂を重合させる等の悪䜜甚を陀去できるのであ
る。
これにより埓来技術の問題は解決し、絶瞁性セ
ラミツク薄局のスルヌホヌルパタヌン圢成の解像
床は著しく向䞊し、埓来、実珟䞍可胜であ぀た䟋
えば100Ό角以䞋のスルヌホヌルを有する絶瞁
性セラミツク薄局のパタヌン化が容易になり、高
密床倚局回路の実珟を可胜にした。無機粉末組成
物䞭に金属酞化物を添加含有させた本発明の他の
効果ずしおは次のようなものもある。䟋えば倚局
回路をアルミナ基板䞊に圢成する工皋においお導
䜓回路の䞊にスルヌホヌルを有する絶瞁性セラミ
ツク薄局を亀互に圢成するが、このずき導䜓回路
䞊の絶瞁性セラミツク薄局に圢成されたスルヌホ
ヌルの良吊を怜査する工皋が必芁ずなる。しかし
本発明を実斜しお無機粉末組成物䞭に分散たたは
固溶した金属酞化物を有する絶瞁ペヌスト組成物
を焌結しお埗られた絶瞁性セラミツク薄局は適床
に着色されおいるために、スルホヌルが芋やすく
なり圢状やその良吊の識別が容易ずなる。したが
぀お絶瞁性セラミツク薄局の怜査工皋の䜜業胜率
が栌段に向䞊するのである。尚、本発明を実斜す
るこずによ぀お光重合に芁する露光時間は若干増
加するが、前蚘参照䟋などの堎合に比范しお埗ら
れる効果が栌段に倧きくなるのでバランスを考え
れば益の方が倧きい。金属酞化物の添加量を光重
合に芁する時間が10秒皋床以内になるような範囲
内で遞択すれば絶瞁ペヌスト組成物ずしおの接着
性および絶瞁局ずしおの電気特性たたは耐酞性に
はほずんど悪圱響を䞎えない。
本発明の䞀実斜態様ずしお、所望の金属酞化物
を導入した䞊に、曎に重ねお参照䟋の劂き液盞分
ずしおの吞光剀をも䜵甚するこずは勿論可胜であ
り、所望に応じお適甚するずよい。この堎合、䜿
甚しお奜郜合な吞光剀ずしおは、䟋えば−ヒド
ロキシ−−オクトキシ−ベンゟプノン、−
ヒドロキシ−−メトキシ−ベンゟプノン、
−ヒドロキシ−−ベンゞロキシベンゟプノン
等のベンゟプノン系類、 −2′−ヒドロキシ−3′・5′−ゞタヌシダリブ
チルプニル−−クロロベンゟトリアゟヌ
ル、 −2′−ヒドロキシ−3′−タヌシダリブチル
−5′−メチルプニル−−クロロベンゟトリ
アゟヌル等のベンゟトリアゟヌル系類、 ゚チル−−シアノ−・−ゞプニルアク
リレヌトに代衚されるシアノアクリレヌト系、お
よび橙黄色、瞁色、青色染料が䜿甚可胜である。
本発明の光重合性絶瞁ペヌスト組成物が光重合反
応を開始する波長は通垞250〜520nであるが、
これらの波長範囲に吞収垯を有するものであれば
前蚘䟋瀺の吞光剀に限定されるものではない。尚
これらの吞光剀染料等はビヒクル成分䞭に液盞状
態で溶解し埗るものが望たしい。
以䞊本発明に぀いお詳现に説明しおきたが、そ
の実斜の䞀䟋に぀いお以䞋具䜓的に説明する。
実斜䟋 第図 本実斜䟋では、本発明の実斜䟋である酞化コバ
ルトCo2O3を含む詊料グルヌプ第図の
デヌタの他に、曎に加えお前述の参照䟋ず同
様の吞光剀をも添加した本発明の他の実斜䟋であ
る詊料グルヌプ第図のデヌタを甚意し
た。たず詊料グルヌプは、アルミナAl2O3
100郚に金属酞化物ずしお酞化コバルト
Co2O3を0.005〜20郚の範囲で皮々倉化させお
添加し、アルミナボヌルミルで時間アルコヌル
を分散媒ずしお湿匏混合した。そしおこれらを也
燥埌1150℃の枩床で時間熱凊理した。次にアル
ミナボヌルミルで16時間湿匏粉砕し粒子埄0.01〜
0.5Όのコバルトブルヌに着色されしかも着色
濃床をそれぞれ異にした倚くのアルミナ固溶䜓埮
粉末を埗た。このアルミナ固溶䜓埮粉末を46郚づ
぀採り、各々にB2O3−SiO2−PbO−CaO系ガラ
ス埮粉末54郚をそれぞれ配合し、アルミナボヌル
ミルで曎に時間湿匏混合した埌也燥し、それぞ
れを平均粒子埄0.6Όの無機粉末組成物ずし
た。この無機粉末組成物120郚ず前述した参照䟋
で甚いたものず同じ組成の光重合性暹脂117.525
郚ずを本ロヌルミルでそれぞれ混緎し、粘床
43000センチポアズのペヌスト状ずした。たた察
照する詊料グルヌプは、前蚘詊料グルヌプの
無機粉末組成物ず同じものを120郚ず前述の参照
䟋に甚いたず同じ組成の光重合性暹脂120郚ずに
参照䟋で甚いたず同じ吞光剀゚チル−−シアノ
−・−ゞプニルアクリレヌトを0.7郚添加
し、本ロヌルミルで混緎し、粘床42000センチ
ポアズのペヌスト状ずした。これらグルヌプの
ペヌストをアルミナ基板䞊に前述の参照䟋ず同様
な方法で塗垃、也燥、露光、珟像を行い、各サむ
ズのスルヌホヌルを有する膜厚50Όのパタヌン
化した絶瞁ペヌスト組成物局を埗た。次にこれを
電気炉に入れ昇枩速床25℃min、930℃で10分
間焌結し攟冷した。その結果、シダヌプなスルヌ
ホヌルを有する絶瞁性セラミツク薄局を埗た。第
図はこのようにしお埗た結果であり、酞化コバ
ルトの添加量を倉化させた堎合に埗られる圢成可
胜な最小スルヌホヌル埄及び光重合に芁する露光
時間に぀いお詊料グルヌプ及びの䞡グルヌプ
から埗たデヌタを瀺したものである。
第図からも明らかなように、解像床はCO2O3
の添加量が増倧するに䌎い向䞊し、添加量が郚
皋床以䞊では100Ό角以䞋のスルヌホヌルが埗
られる。たた゚チル−−シアノ−・−ゞフ
゚ニルアクリレヌト及びCo2O3を同時に含有させ
た堎合は曎に解像床が高くなるこずがわかる。し
かし、光重合に芁する露光時間はCo2O3の添加量
の増倧に䌎い長くなるこずから、添加量は17郚以
䞋皋床に抌えるこずが奜たしい。
実斜䟋 第図 SiO258.2郚、B2O37.0郚、PbO16.6郚、Na2O2.4
郚、K2O2.2郚、MgO0.4郚、CaO10.4郚、BaO0.2
郚、TiO20.6郚、ZrO22.0郚から構成されるガラス
組成物を100郚づ぀グルヌプ甚意し、各グルヌ
プ毎に異なる金属酞化物NiO、Fe2O3、Cr2O3、
CuO、MnO2をそれぞれ〜10郚の範囲で皮々倉
化させお添加し、通垞の方法でガラス固溶䜓を埗
た。これをアルミナボヌルミルで湿匏粉砕し粉末
粒床500メツシナ以䞋に調補した着色されたガラ
ス埮粉末を埗た。次いでこれらのガラス埮粉末を
それぞれ郚、平均粒子埄0.5ΌのAl2O3埮粉末
をそれぞれ55郚、前述の参照䟋に甚いたず同じ光
重合性暹脂をそれぞれ、120郚、及び前述の参照
䟋で甚いたず同じ吞光剀゚チル−−シアノ−
・−ゞプニルアクリレヌトをそれぞれ0.7
郚採り、各々混合し、本ロヌルミルで混緎しお
粘床41000〜43000センチポアズのペヌスト状ずし
た。これらのペヌストをアルミナ基板䞊に参照䟋
ず同様な方法で塗垃、也燥、露光、珟像を行い、
各サむズのスルヌホヌルを有する膜厚45〜48Ό
の塗膜を埗た。
次にこれらを電気炉で実斜䟋ず同じ条件で焌
結しおシダヌプなスルヌホヌルを有する絶瞁性セ
ラミツク薄局を埗た。埗られた絶瞁性セラミツク
薄局は、NiO−黄瞁色、Fe2O3−赀茶色、Cr2O3
−瞁色、CuO−黄瞁〜瞁色、MnO2−玫色、等に
着色されおいた。第図にこれら金属酞化物の添
加量を倉えた堎合の圢成可胜な最小スルヌホヌル
埄及び光重合に芁する露光時間をそれぞれ瀺す。
図䞭はNiO、はFe2O3、はCr2O3、
はCuO、はMnO2をそれぞれ添加した堎
合のデヌタである。
同図からも明らかなように、前蚘各金属酞化物
の添加量が増倧するに䌎い解像床は向䞊するが、
光重合に芁する露光時間は長くなる。スルヌホヌ
ル埄が100Ό角以䞋の高解像床は金属酞化物の
添加量が2.5〜郚以䞊添加するこずで埗られお
いる。
実斜䟋  実斜䟋に甚いたず同じに構成されたガラス埮
粉末65郚ずMgAl2O4の埮粉末55郚ずを配合した
無機粉末組成物䞭にスピネル顔料CoO−MgO
−Cr2O3−TiO2系青瞁〜20郚の範囲で皮々
倉化させお均䞀に分散させた粒床0.05〜Όの
埮粉末を120郚ず、前述の参照䟋に甚いたず同じ
光重合性暹脂を120郚ず、油溶性染料オむルブル
ヌを郚ずを本ロヌルミルで混緎しお粘床
42000センチポアズのペヌスト状ずした。これら
のペヌストをアルミナ基板䞊に前述の参照䟋ず同
様な方法で塗垃、也燥、露光、珟像しお50〜200
Ό角のスルヌホヌルを有する膜厚50Όの塗膜
を埗た。次にこれらを電気炉を甚い実斜䟋ず同
じ条件で焌結した。埗られた絶瞁性セラミツク薄
局は青瞁色に着色されたたシダヌプなスルヌホヌ
ルが圢成されおいた。スピネル顔料の添加量は解
像床、光重合に芁する露光時間等から実甚的に
〜15郚が奜たしい結果を䞎えた。
尚、以䞊䟋瀺した各実斜䟋に衚蚘した解像床
圢成可胜な最小スルヌホヌル埄の刀定は、露
光マスクに盞圓したスルヌホヌルパタヌンを正確
に圢成できた堎合ずし、これを埗るに芁した最適
露光時間を光重合に芁する露光時間ずした。
以䞊詳述しおきたように、本発明は、絶瞁ペヌ
スト組成物の無機粉末組成物䞭に、光重合性暹脂
の光重合反応を掻発化する波長範囲に吞収垯を持
぀金属酞化物を添加含有させ分散たたは固溶䜓ず
しおこの無機粉末組成物自身に吞光性を付䞎、そ
れによ぀おこの絶瞁ペヌスト組成物を露光する際
に無機粉末組成物による光の乱反射を防止する。
曎にたたその結果埗られる絶瞁性セラミツク薄局
は着色されおいるため、圢成したスルヌホヌルの
良吊の怜査が容易ずなる等々の倚くの利点があ
り、所定の露光マスクに察応させお正確なパタヌ
ンを圢成し、も぀おより高密床な倚局電子回路が
極めお容易に補造できるようになるなどその産業
的利益は卓越したものである。
【図面の簡単な説明】
第図は、埓来の光重合性絶瞁ペヌスト組成物
䞭に液盞成分ずしお吞光剀゚チル−−シアノ−
・−ゞプニルアクリレヌトを添加しおい぀
たずきの、「光重合に芁する露光時間」の倉化及
び解像床を瀺す「圢成可胜な最小スルヌホヌル
埄」の倉化、を瀺した図である。第図は、本発
明による固盞成分吞光剀である金属酞化物の効果
を説明するために瀺した暡匏図であり、セラミツ
ク基板䞊に圢成した絶瞁ペヌスト組成物の塗垃
膜を露光マスクを介しお矢印で瀺した光によ
぀お露光し、珟像した結果を瀺しおいる。残留す
る絶瞁ペヌスト組成物局の端は、本発明の絶瞁ペ
ヌスト組成物を甚いたずきはのように極めおシ
ダヌプであるが、前蚘参照䟋の堎合は、埓来技
術によるずきはのようになる。第図は、本発
明の䞀実斜䟋である酞化コバルトを甚いたものに
぀いお第図になら぀お瀺したものである。デヌ
タは酞化コバルトのみを添加したもので、デヌ
タは酞化コバルトに加え曎に䞀定量の吞光剀゚
チル−−シアノ−・−ゞプニルアクリレ
ヌトを付加したものである。第図もたた本発明
の実斜の䞀䟋に぀いお第図及び第図になら぀
お瀺したものである。金属酞化物の皮類は、
がNiO、がFe2O3、がCr2O3、が
CuO、がMnO2である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  焌成によ぀お絶瞁性セラミツクを構成するこ
    ずずなる無機粉末組成物、有機高分子結合䜓、光
    重合性単量䜓、光重合開始剀を含みこれらを混緎
    しおなる絶瞁ペヌスト組成物であ぀お、250〜
    520nの波長範囲の光に察しお吞収特性を有す
    る金属酞化物が前蚘無機粉末組成物䞭に含たれお
    なるこずを特城ずした絶瞁ペヌスト組成物。  有機高分子結合䜓ずしお、 (1) 皮以䞊の゚チレン性䞍飜和化合物を重合の
    最小単䜍ずし、 (2) ぀の高分子䜓を構成する前蚘重合の最小単
    䜍の総数を100ずしたずきに䞋蚘の特定基を
    皮以䞊個以䞊備えた前蚘重合の最小単䜍の合
    蚈数が〜85の比率ずな぀おおり、 (3) 前蚘特定基がアルコヌル性氎酞基又はカルボ
    キシル基であり、 (4) 前蚘゚チレン性䞍飜和化合物の皮類ず前蚘特
    定基の皮類及び数ずの間の組み合せはその組み
    合せの数だけあり、 (5) しかも぀の高分子䜓を構成する前蚘重合の
    最小単䜍は前蚘組み合せ䞭の以䞊のものを同
    時に含む、 こずを特城ずした有機高分子結合䜓を甚いた特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の絶瞁ペヌスト組成物。
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