JPS6222541B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6222541B2 JPS6222541B2 JP56208672A JP20867281A JPS6222541B2 JP S6222541 B2 JPS6222541 B2 JP S6222541B2 JP 56208672 A JP56208672 A JP 56208672A JP 20867281 A JP20867281 A JP 20867281A JP S6222541 B2 JPS6222541 B2 JP S6222541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sides
- silicon diaphragm
- beam leads
- lead
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/50—Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、シリコンダイヤフラムを用い流体
の圧力を検出する、半導体圧力検出装置の改良に
関する。
の圧力を検出する、半導体圧力検出装置の改良に
関する。
従来のこの種の半導体圧力検出装置は、第１図
に正面断面図で示すようになつていた。１はシリ
コンダイヤフラムで、薄肉部の表面層にはゲージ
抵抗層（図示は略す）が形成されてある。２はこ
のシリコンダイヤフラム１を気密固着したシリコ
ン当板で、ダイヤフラム１のくぼみ部に密閉室３
を形成し、内部を真空又は基準圧のガス体を充て
んし封鎖している。４はシリコン又はガラス材な
どからなり、シリコン当板２をできるだけ機械的
ひずみを与えないように接着固定した台座で、回
路基板５に接着固定されている。６は回路基板５
上に施された配線導体の端子電極部、７はシリコ
ンダイヤフラム１上の引出電極部（図示は略す）
と対応する端子電極部６とをワイヤボンドした金
属細線である。
に正面断面図で示すようになつていた。１はシリ
コンダイヤフラムで、薄肉部の表面層にはゲージ
抵抗層（図示は略す）が形成されてある。２はこ
のシリコンダイヤフラム１を気密固着したシリコ
ン当板で、ダイヤフラム１のくぼみ部に密閉室３
を形成し、内部を真空又は基準圧のガス体を充て
んし封鎖している。４はシリコン又はガラス材な
どからなり、シリコン当板２をできるだけ機械的
ひずみを与えないように接着固定した台座で、回
路基板５に接着固定されている。６は回路基板５
上に施された配線導体の端子電極部、７はシリコ
ンダイヤフラム１上の引出電極部（図示は略す）
と対応する端子電極部６とをワイヤボンドした金
属細線である。
上記従来の装置では、シリコンダイヤフラム１
に機械的ひずみをできるだけ与えないように、台
座４はシリコン又はガラス材を用いているが、台
座４の取付け、ワイヤボンドなど面倒な組立作業
を要していた。また、圧力検出するガスの種類に
よつては、金属細線７が腐食断線することがあ
り、信頼性上問題があつた。
に機械的ひずみをできるだけ与えないように、台
座４はシリコン又はガラス材を用いているが、台
座４の取付け、ワイヤボンドなど面倒な組立作業
を要していた。また、圧力検出するガスの種類に
よつては、金属細線７が腐食断線することがあ
り、信頼性上問題があつた。
この発明は、シリコンダイヤフラムの表面層に
形成されたゲージ抵抗層からの両側の引出電極部
にそれぞれビームリードを形成し両側方向に引出
し、上記シリコンダイヤフラム部を表面側を下向
きにし、回路基板上の両側の対応する端子電極部
に両側のビームリードを接着接続するとともに、
シリコンダイヤフラム部を支持し、従来の台座及
び金属細線のワイヤボンドを不要とし、組立作業
を容易にし、信頼度が高く安価な半導体圧力検出
装置を提供することを目的としている。
形成されたゲージ抵抗層からの両側の引出電極部
にそれぞれビームリードを形成し両側方向に引出
し、上記シリコンダイヤフラム部を表面側を下向
きにし、回路基板上の両側の対応する端子電極部
に両側のビームリードを接着接続するとともに、
シリコンダイヤフラム部を支持し、従来の台座及
び金属細線のワイヤボンドを不要とし、組立作業
を容易にし、信頼度が高く安価な半導体圧力検出
装置を提供することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例による半導体圧力
検出装置の正面断面図であり、１〜３，５，６は
上記従来装置と同一のものである。１０はシリコ
ンダイヤフラム１の表面層に形成されたゲージ抵
抗層（図示は略す）からの両側の引出電極部（図
示は略す）にそれぞれ形成され側方に引出された
両側複数本宛のビームリードである。
検出装置の正面断面図であり、１〜３，５，６は
上記従来装置と同一のものである。１０はシリコ
ンダイヤフラム１の表面層に形成されたゲージ抵
抗層（図示は略す）からの両側の引出電極部（図
示は略す）にそれぞれ形成され側方に引出された
両側複数本宛のビームリードである。
上記一実施例の装置では、裏面にシリコン当板
２が接着されたシリコンダイヤフラム１部を、ビ
ームリード１０側を下向きにし回路基板５上に位
置し、両側のビームリード１０を対応する両側の
配線の端子電極部６にそれぞれ熱圧着又はろう付
けなどで接着接続するとともに、両側複数本宛の
ビームリード１０によりシリコンダイヤフラム１
部を支持している。
２が接着されたシリコンダイヤフラム１部を、ビ
ームリード１０側を下向きにし回路基板５上に位
置し、両側のビームリード１０を対応する両側の
配線の端子電極部６にそれぞれ熱圧着又はろう付
けなどで接着接続するとともに、両側複数本宛の
ビームリード１０によりシリコンダイヤフラム１
部を支持している。
以上のように、この発明によれば、シリコンダ
イヤフラムの表面の両側の引出電極部に複数本宛
のビームリードを形成して両側方に引出し、この
シリコンダイヤフラム部を表面を下向きにし、両
側のビームリードを回路基板上の対応する両側の
端子電極部にそれぞれ接着接続し、かつ、シリコ
ンダイヤフラム部を上記両側複数本宛のビームリ
ードにより支持したので、従来の台座及び金属細
線のワイヤボンドを要せず、信頼度を高くし、安
価にすることができる。
イヤフラムの表面の両側の引出電極部に複数本宛
のビームリードを形成して両側方に引出し、この
シリコンダイヤフラム部を表面を下向きにし、両
側のビームリードを回路基板上の対応する両側の
端子電極部にそれぞれ接着接続し、かつ、シリコ
ンダイヤフラム部を上記両側複数本宛のビームリ
ードにより支持したので、従来の台座及び金属細
線のワイヤボンドを要せず、信頼度を高くし、安
価にすることができる。
第１図は従来の半導体圧力検出装置の要部の正
面断面図、第２図はこの発明の一実施例による半
導体圧力検出装置の要部の正面断面図である。 １…シリコンダイヤフラム、２…シリコン当
板、３…密閉室、５…回路基板、６…配線端子電
極部、１０…ビームリード。なお、図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。
面断面図、第２図はこの発明の一実施例による半
導体圧力検出装置の要部の正面断面図である。 １…シリコンダイヤフラム、２…シリコン当
板、３…密閉室、５…回路基板、６…配線端子電
極部、１０…ビームリード。なお、図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 裏面側にシリコン当板が気密に接着されて内
部に真空又は基準圧にされた密閉室が形成され、
表面層にゲージ抵抗層が設けられて両側に引出電
極部が施されたシリコンダイヤフラムと、これら
両側の引出電極部にそれぞれ形成され、先端部が
両側方向に引出された両側複数本宛のビームリー
ドと、上面に間隔をあけて両側に配線導体の端子
電極部が施された回路基板とを備え、上記シリコ
ンダイヤフラム部を表面を下向きにして上記両側
のビームリードの先端部を上記対応する両側の端
子電極部にそれぞれ接着接続し、かつ、シリコン
ダイヤフラム部を上記両側複数本宛のビームリー
ドにより支持したことを特徴とする半導体圧力検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208672A JPS58107683A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208672A JPS58107683A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体圧力検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107683A JPS58107683A (ja) | 1983-06-27 |
| JPS6222541B2 true JPS6222541B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=16560141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208672A Granted JPS58107683A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183567U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56208672A patent/JPS58107683A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183567U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107683A (ja) | 1983-06-27 |
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