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JPS6227749B2 - - Google Patents
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JPS6227749B2 - - Google Patents

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JPS6227749B2
JPS6227749B2 JP55168599A JP16859980A JPS6227749B2 JP S6227749 B2 JPS6227749 B2 JP S6227749B2 JP 55168599 A JP55168599 A JP 55168599A JP 16859980 A JP16859980 A JP 16859980A JP S6227749 B2 JPS6227749 B2 JP S6227749B2
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JP
Japan
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plating layer
nickel plating
lead frame
frame body
layer
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Application number
JP55168599A
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JPS5792854A (en
Inventor
Hisaharu Sakurai
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止半導体装置に関する。 従来、樹脂封止半導体装置の外囲器内に封止さ
れた半導体素子は、コバール等の耐食性に優れた
材質で形成されたリードフレーム本体上に固着さ
れている。しかしながら、このような材質で形成
されたリードフレーム本体は高価であるため、近
年、鉄鋼、銅などの材質で形成されたリードフレ
ーム本体が開発されている。このように鉄鋼など
で形成されたリードフレーム本体は、腐食しやす
いため防食メツキが施されている。この防食メツ
キとしてはニツケルメツキ層を形成するものや銅
メツキ層上にニツケルメツキ層を形成する二層構
造のメツキ層が一般に採用されている。ここで、
防食メツキとしてニツケルメツキ層を形成するの
は、リードフレーム本体から外部に突出したアウ
ターリードと半導体素子とをボンデング線で接続
する際に接続部の導通を良くするために設ける銀
メツキ層の下地としてニツケルメツキ層が優れた
接続特性を有するからである。 ニツケルメツキ層の層厚は、耐防食性を向上さ
せるためには大きい程好ましいが、層厚を大きく
するとアウターリードの曲げ強度（例えば、
MIL、STD883B−2004試験で測定することがで
きる。）が低下して曲げ回数が少なくなり好まし
くない。 因に、鉄で形成されたリードフレームに銅メツ
キ層及びニツケルメツキ層を形成したリードフレ
ーム本体のアウターリードに８オンスの荷重を加
えて、銅メツキ層の層厚及びニツケルメツキ層の
層厚の変化に対する90度の曲げ角による有効曲げ
回数（アウターリードが破断するまでの曲げ回
数）を調べたところ下記表に示す結果が得られ
た。
【表】 同表から明らかな如く、ニツケルメツキ層の層
厚が約１μｍ大きくなると有効曲げ回数は、平均
0.65回減少する。このため従来の樹脂封止半導体
装置では、リードフレーム本体のニツケルメツキ
層の層厚を大きくすると耐食性を向上させること
はできるが、アウターリードの有効曲げ回数が著
しく低下する欠点があつた。 本発明は、かかる点に鑑みてなされたものでア
ウターリードの有効曲げ回数が多く、しかも耐食
性に優れたリードフレーム本体で形成された樹脂
封止半導体装置を提供するものである。 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。 図は、本発明の一実施例の樹脂封止半導体装置
である。図中１は、鉄鋼などの鉄素材で形成され
リードフレーム本体である。リードフレーム本体
１の表面全面には、銅メツキ層２が形成されてい
る。銅メツキ層２の表面にはニツケルメツキ層３
が形成されている。ニツケルメツキ層３の層厚
は、後述する外囲器９から外部に突出してアウタ
ーリード４となる部分では２μｍ以下の層厚に設
定されている。アウターリード４となる部分のニ
ツケルメツキ層３ａの層厚を２μｍよりも大きく
するとアウターリード４の有効曲げ回数が著しく
少なくなり好ましくない。リードフレーム本体１
の中央部のアイランド１ａとなる部分には、ニツ
ケルメツキ層３上に銀メツキ層５が形成されてお
り、銀メツキ層５上にはマウント部材６を介して
半導体素子７が固着されている。アイランド１ａ
に対向するリードフレーム本体１の領域のニツケ
ルメツキ層３上には、銀メツキ層５が形成されて
おり、この銀メツキ層５と半導体素子間にはボン
デイング線８が架設されている。半導体素子７、
ボンデイング線８及びリードフレーム本体１は、
アウターリード４になる部分が外部に突出するよ
うにしてエポキシ樹脂などで形成された外囲器９
で封止されている。外囲器９から外部に突出した
アウターリード４のニツケルメツキ層３ａ上に
は、半田層１０が被覆されている。ここで、アウ
ターリード４上のニツケルメツキ層３の層厚を
1.2μｍ以下に形成する方法としては、リードフ
レーム本体１の全表面にニツケルメツキ層３を形
成してアイランド１ａ上に半導体素子７を形成
し、この半導体素子７とリードフレーム本体１の
所定領域間にボンデイング線８を架設してこれら
を外囲器９で一体に封止し、外囲器９から外部に
突出したアウターリード４の曲げ加工を施した後
に、例えば塩化第２鉄等のエツチング液でアウタ
ーリード４上のニツケルメツキ層３をエツチング
により除去するのが望ましい。 このように構成された樹脂封止半導体装置１１
によれば、アウターリード４の表面に形成された
ニツケルメツキ層３ａは十分に薄肉になつている
のでアウターリード４の有効曲げ回数を向上させ
ることができる。また、アウターリード４のニツ
ケルメツキ層３ａ上には半田層１０が形成されて
おり、外囲器９内のリードフレーム本体１は厚肉
のニツケルメツキ層３で覆われているので耐食性
にも優れている。更に、アウターリード４上のニ
ツケルメツキ層３に施すエツチング処理によつて
外囲器９のバリを除去することができるので、半
田層１０をアウターリード４の外表面全面に完全
に形成せしめて耐食性の向上作用を助長すること
ができる。 以上説明した如く、本発明に係る樹脂封止半導
体装置によれば、アウターリード上のニツケルメ
ツキ層を十分に薄肉にしてその上に半田層を形成
したので、アウターリードの有効曲げ回数を増加
させ、しかも耐食性を向上させることができるも
のである。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の一実施例の断面図である。 １……リードフレーム本体、２……銅メツキ
層、３，３ａ……ニツケルメツキ層、４……アウ
ターリード、５……銀メツキ層、６……マウント
部材、７……半導体素子、８……ボンデイング
線、９……外囲器、１０……半田層、１１……樹
脂封止半導体装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体素子が固着された鉄素材からなるリー
    ドフレーム本体と、該リードフレーム本体及び前
    記半導体素子を封止する外囲器と、該外囲器から
    外部に突出したアウターリードと、該アウターリ
    ードの表面に形成された厚さ２μｍ以下のニツケ
    ルメツキ層と、該ニツケルメツキ層上に形成され
    た半田層とを具備することを特徴とする樹脂封止
    半導体装置。
JP55168599A 1980-11-29 1980-11-29 Plastic molded type semiconductor device Granted JPS5792854A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55168599A JPS5792854A (en) 1980-11-29 1980-11-29 Plastic molded type semiconductor device

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JP55168599A JPS5792854A (en) 1980-11-29 1980-11-29 Plastic molded type semiconductor device

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Publication Number Publication Date
JPS5792854A JPS5792854A (en) 1982-06-09
JPS6227749B2 true JPS6227749B2 (ja) 1987-06-16

Family

ID=15871034

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JP55168599A Granted JPS5792854A (en) 1980-11-29 1980-11-29 Plastic molded type semiconductor device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57169265A (en) * 1981-04-10 1982-10-18 Hitachi Cable Ltd Lead frame for semiconductor
JPS59149042A (ja) * 1983-02-15 1984-08-25 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JPS63160367A (ja) * 1986-12-24 1988-07-04 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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