JPS6234718B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6234718B2 JPS6234718B2 JP56147012A JP14701281A JPS6234718B2 JP S6234718 B2 JPS6234718 B2 JP S6234718B2 JP 56147012 A JP56147012 A JP 56147012A JP 14701281 A JP14701281 A JP 14701281A JP S6234718 B2 JPS6234718 B2 JP S6234718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- litao
- voltage
- applying
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明はリチウムタンタレート（以下LiTaO3
と記す）単結晶の単一分域の方法に関する。 LiTaO3単結晶を単一分域化することは公知で
ある。（特公昭47−8450号、特開昭54−15196号
等）。 例えばＸ軸引上げLiTaO3単結晶を単一分域化
する為には第１図に示すようにヒータ１で加熱で
きるようにした電気炉２内に引上げた単結晶３を
Ｚ面に電極４を設け、スイツチ７を投入してリー
ド線５から電圧６を加えられるようにしておく。
このときのLiTaO3単結晶の加熱曲線（実線）お
よび電圧印加特性（破線）を第２図に示す。多く
の場合単結晶の温度上昇は200℃／時間、t0から
h2までの保持温度は650℃、温度降下は200℃／時
間である。一定温度に保持し始める時間t0から20
分後t1において電圧を印加し、さらに20分後t2か
ら温度を降下させ、t1から１時間後t3で電圧を切
る。以上の操作によりLiTaO3単結晶の単一分域
化は終了する。 さてこのようにして得られる単一分極化した
LiTaO3単結晶は、分極化終了時点で単結晶のク
ラツクが観察されることである。このクラツクの
大きさは種々様々で大きいものはＸ軸方向に長さ
10cm外周面での幅１mm程度から小さいものは肉眼
でやつと見つかる程度のものまである。又クラツ
クの方向もＸ軸方向とは限らない。数多くの実験
中に発生したクラツク発生率は約５％であつた。 単結晶に発生するクラツクは生産コスト面だけ
でなく単結晶の品質特性面からみても好ましい現
象ではなく極力減少しなければならない。 発明者等は分極化後のクラツクを減少させるべ
く分極化の方法における種々の要因について実験
研究を行う中で単結晶の電圧印加条件もクラツク
の一原因になつていることを見出しこの発明を完
成した。 すなわち本発明はLiTaO3単結晶のＺ軸の両端
に電界印加のための電極を設け、この単結晶を所
定の温度に加熱し、この所定温度において前記単
結晶に所定の電界を印加する工程を有する単結晶
の単一分域化方法において、前記所定の電界の印
加は緩やかに行うことを特徴とするLiTaO3の単
一分極化方法である。 数多くの実験によれば第３図の破線（実線は単
結晶の温度）に示す様に電圧を印加するに当り、
時間に対して傾斜を与えるように緩やかに印加す
ることによりクラツクが防止され、第２図の破線
に示すような急峻な電圧印加ではクラツクが多
い。こゝで電圧印加の緩やかさとクラツク発生率
との関係を第１表に示す。
と記す）単結晶の単一分域の方法に関する。 LiTaO3単結晶を単一分域化することは公知で
ある。（特公昭47−8450号、特開昭54−15196号
等）。 例えばＸ軸引上げLiTaO3単結晶を単一分域化
する為には第１図に示すようにヒータ１で加熱で
きるようにした電気炉２内に引上げた単結晶３を
Ｚ面に電極４を設け、スイツチ７を投入してリー
ド線５から電圧６を加えられるようにしておく。
このときのLiTaO3単結晶の加熱曲線（実線）お
よび電圧印加特性（破線）を第２図に示す。多く
の場合単結晶の温度上昇は200℃／時間、t0から
h2までの保持温度は650℃、温度降下は200℃／時
間である。一定温度に保持し始める時間t0から20
分後t1において電圧を印加し、さらに20分後t2か
ら温度を降下させ、t1から１時間後t3で電圧を切
る。以上の操作によりLiTaO3単結晶の単一分域
化は終了する。 さてこのようにして得られる単一分極化した
LiTaO3単結晶は、分極化終了時点で単結晶のク
ラツクが観察されることである。このクラツクの
大きさは種々様々で大きいものはＸ軸方向に長さ
10cm外周面での幅１mm程度から小さいものは肉眼
でやつと見つかる程度のものまである。又クラツ
クの方向もＸ軸方向とは限らない。数多くの実験
中に発生したクラツク発生率は約５％であつた。 単結晶に発生するクラツクは生産コスト面だけ
でなく単結晶の品質特性面からみても好ましい現
象ではなく極力減少しなければならない。 発明者等は分極化後のクラツクを減少させるべ
く分極化の方法における種々の要因について実験
研究を行う中で単結晶の電圧印加条件もクラツク
の一原因になつていることを見出しこの発明を完
成した。 すなわち本発明はLiTaO3単結晶のＺ軸の両端
に電界印加のための電極を設け、この単結晶を所
定の温度に加熱し、この所定温度において前記単
結晶に所定の電界を印加する工程を有する単結晶
の単一分域化方法において、前記所定の電界の印
加は緩やかに行うことを特徴とするLiTaO3の単
一分極化方法である。 数多くの実験によれば第３図の破線（実線は単
結晶の温度）に示す様に電圧を印加するに当り、
時間に対して傾斜を与えるように緩やかに印加す
ることによりクラツクが防止され、第２図の破線
に示すような急峻な電圧印加ではクラツクが多
い。こゝで電圧印加の緩やかさとクラツク発生率
との関係を第１表に示す。
【表】
この表に示す通り電圧の印加が緩やかであれば
クラツク発生率が小さく電圧印加条件が15V／分
を越えるとクラツクが多発し、10V／分以下では
非常にクラツクが少ない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 第１図に示すように直径２インチのLiTaO3単
結晶のＺ軸の両端に電極４を設け、電気炉２内に
挿入し、650℃まで加熱する。その後、スイツチ
７を入れ、電圧６を10V／分の割合で徐々に昇圧
し、60Vになるまで昇圧を続ける。650℃60Vの条
件で20分間の処理を行つた後200℃／時間で降温
させる。このようにしてｎ＝800個の単一分極化
処理を行つたところ４個がクラツクしていた。 実施例 ２ 実施例１と同様に２インチのLiTaO2単結晶の
Ｚ軸の両端に電極４を設け、電気炉２内に挿入し
700℃まで加熱する。その後スイツチ７を入れ電
圧６を15V／分の割合で昇上し、60Vになるまで
昇圧を続ける。700℃60Vの条件で20分間の処理
を行つた後200℃／時間で降温させる。このよう
にしてｎ＝600個の単一分極化処理を行つたとこ
ろ３個がクラツクしていた。 以上説明した通り、本発明はLiTaO3単結晶の
単一分極化方法において単極結晶に印加する電界
を緩やかに行うことに特徴を有するもので、本発
明によれば分極化処理における単結晶のクラツク
が大幅に減少する。
クラツク発生率が小さく電圧印加条件が15V／分
を越えるとクラツクが多発し、10V／分以下では
非常にクラツクが少ない。 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 第１図に示すように直径２インチのLiTaO3単
結晶のＺ軸の両端に電極４を設け、電気炉２内に
挿入し、650℃まで加熱する。その後、スイツチ
７を入れ、電圧６を10V／分の割合で徐々に昇圧
し、60Vになるまで昇圧を続ける。650℃60Vの条
件で20分間の処理を行つた後200℃／時間で降温
させる。このようにしてｎ＝800個の単一分極化
処理を行つたところ４個がクラツクしていた。 実施例 ２ 実施例１と同様に２インチのLiTaO2単結晶の
Ｚ軸の両端に電極４を設け、電気炉２内に挿入し
700℃まで加熱する。その後スイツチ７を入れ電
圧６を15V／分の割合で昇上し、60Vになるまで
昇圧を続ける。700℃60Vの条件で20分間の処理
を行つた後200℃／時間で降温させる。このよう
にしてｎ＝600個の単一分極化処理を行つたとこ
ろ３個がクラツクしていた。 以上説明した通り、本発明はLiTaO3単結晶の
単一分極化方法において単極結晶に印加する電界
を緩やかに行うことに特徴を有するもので、本発
明によれば分極化処理における単結晶のクラツク
が大幅に減少する。
第１図はLiTaO3単結晶の単一分極処理を行う
装置の概略図、第２図は従来のLiTaO3単結晶の
加熱曲線及び電圧印加特性を示す図、第３図は本
発明に係るLiTaO3単結晶の電圧印加特性を説明
する図である。
装置の概略図、第２図は従来のLiTaO3単結晶の
加熱曲線及び電圧印加特性を示す図、第３図は本
発明に係るLiTaO3単結晶の電圧印加特性を説明
する図である。
Claims (1)
- １ リチウムタンタレート（LiTaO3）単結晶の両
端に電界印加のための電極を設け、前記単結晶を
所定の温度に加熱し、この所定温度において前記
単結晶に所定の電界を印加する工程を有する単結
晶の単一分域化方法において、前記所定の電界の
印加のために電圧を上昇するときの割合は１分間
に15V以下の割合であることを特徴とするリチウ
ムタンタレート単結晶の単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147012A JPS5849696A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147012A JPS5849696A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849696A JPS5849696A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS6234718B2 true JPS6234718B2 (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=15420548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147012A Granted JPS5849696A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849696A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0168628U (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5932438B2 (ja) * | 1976-11-22 | 1984-08-08 | 株式会社東芝 | 単結晶の単一分域化方法 |
-
1981
- 1981-09-19 JP JP56147012A patent/JPS5849696A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0168628U (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5849696A (ja) | 1983-03-23 |
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