JPS6238875B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6238875B2 JPS6238875B2 JP60094732A JP9473285A JPS6238875B2 JP S6238875 B2 JPS6238875 B2 JP S6238875B2 JP 60094732 A JP60094732 A JP 60094732A JP 9473285 A JP9473285 A JP 9473285A JP S6238875 B2 JPS6238875 B2 JP S6238875B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridges
- layer
- substrate
- forming
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置は、その劣化という大
きな問題がほぼ解決され、数千時間から数万時間
の寿命をもつものが容易に得られるようになり、
光通信や光情報処理をはじめとする光技術応用シ
ステムに使用されるようになつて来ている。
きな問題がほぼ解決され、数千時間から数万時間
の寿命をもつものが容易に得られるようになり、
光通信や光情報処理をはじめとする光技術応用シ
ステムに使用されるようになつて来ている。
このような半導体レーザ装置としては種々のタ
イプのものがある。
イプのものがある。
発明が解決しようとする問題点
半導体レーザ装置を広く実用に供するために
は、単にそれを長寿命化するだけでなく、性能を
大幅に向上させなければならない。そのために
は、縦・横とも同一モードでスポツト状発振する
こと、光ビームの広がりが小さいこと、電流−光
出力特性においてその二次歪がきわめて小さいこ
と、および、動作電流が小さいことなどの要件を
いかに満たすかが課題となる。
は、単にそれを長寿命化するだけでなく、性能を
大幅に向上させなければならない。そのために
は、縦・横とも同一モードでスポツト状発振する
こと、光ビームの広がりが小さいこと、電流−光
出力特性においてその二次歪がきわめて小さいこ
と、および、動作電流が小さいことなどの要件を
いかに満たすかが課題となる。
従来のストライプ型半導体レーザ装置において
は、電流の増加に従つて多モード発振となり、ま
た、電流−光出力特性においてもキンクの発生に
よつて直線性が非常に悪い。
は、電流の増加に従つて多モード発振となり、ま
た、電流−光出力特性においてもキンクの発生に
よつて直線性が非常に悪い。
本発明は、このような問題点を解決した半導体
レーザ装置を容易に作製できる方法を提供しよう
とするものである。
レーザ装置を容易に作製できる方法を提供しよう
とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明の方法は、半導体基板の表面に、互いに
平行な二つのリツジを形成してそれらの間にスト
ライプ状溝を形成してから、二つのリツジが形成
された半導体基板上にクラツド層を、その二つの
リツジ上での厚さを他の領域上での厚さより薄
く、かつストライプ状溝上の表面を下方に湾曲さ
せて形成し、さらに、活性層をクラツド層上に、
リツジ上での厚さが他の領域上での厚さより薄く
形成するものである。
平行な二つのリツジを形成してそれらの間にスト
ライプ状溝を形成してから、二つのリツジが形成
された半導体基板上にクラツド層を、その二つの
リツジ上での厚さを他の領域上での厚さより薄
く、かつストライプ状溝上の表面を下方に湾曲さ
せて形成し、さらに、活性層をクラツド層上に、
リツジ上での厚さが他の領域上での厚さより薄く
形成するものである。
作 用
上述のようにリツジを形成し、リツジ形成面上
にクラツド層を形成すると、クラツド層の成長速
度はリツジ部側面における方がリツジ部頂面や基
板主面におけるよりもいちじるしく大きくなる。
したがつて、クラツド層は、リツジ対の外側面近
傍の部分がそれよりもさらに外側の部分上よりも
厚く形成される。そのため、前記クラツド層上に
活性層を形成すると、このクラツド層の斜面部分
上における活性層の成長速度が、それ以外の実質
的な平面部分上における活性層の成長速度に比べ
て大きいため、活性層はリツジ対の外側近傍の部
分が、リツジの頂面上や基板上のリツジより遠い
部分に比べて厚く形成される。
にクラツド層を形成すると、クラツド層の成長速
度はリツジ部側面における方がリツジ部頂面や基
板主面におけるよりもいちじるしく大きくなる。
したがつて、クラツド層は、リツジ対の外側面近
傍の部分がそれよりもさらに外側の部分上よりも
厚く形成される。そのため、前記クラツド層上に
活性層を形成すると、このクラツド層の斜面部分
上における活性層の成長速度が、それ以外の実質
的な平面部分上における活性層の成長速度に比べ
て大きいため、活性層はリツジ対の外側近傍の部
分が、リツジの頂面上や基板上のリツジより遠い
部分に比べて厚く形成される。
リツジ間のストライプ状溝部に対応する上方の
位置に電極を配置し、通電して発光させると、リ
ツジ頂面上におけるクラツド層の厚みが薄いの
で、この部分では光を基板に吸収させることがで
きる。そして、リツジ対の外側面近傍においてク
ラツド層と活性層とが厚く形成されるため、電流
の広がりが効果的に抑制される。したがつて、発
光部分がきわめて狭い領域に制限される。
位置に電極を配置し、通電して発光させると、リ
ツジ頂面上におけるクラツド層の厚みが薄いの
で、この部分では光を基板に吸収させることがで
きる。そして、リツジ対の外側面近傍においてク
ラツド層と活性層とが厚く形成されるため、電流
の広がりが効果的に抑制される。したがつて、発
光部分がきわめて狭い領域に制限される。
実施例
以下、本発明の方法の一実施例について、第１
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
まず、第１図Ａに示すように、ｎ型GaAs基板
１を準備し、その一方の主面上に通常のフオトエ
ツチング技術を用いて、間隔が５μｍで幅15μｍ
の対をなすストライプ状パターンマスクを250〜
300μｍのピツチで形成する。そして、このマス
クを用いて、基板１をH2O：H2O2：H2SO4＝
８：８：１の硫酸系エツチング液で1.5〜1.7μｍ
の深さまでエツチする。この選択的なエツチング
でリツジ１ａ，１ｂが実質的な平面上に二条平行
に突出した形状に形成される。
１を準備し、その一方の主面上に通常のフオトエ
ツチング技術を用いて、間隔が５μｍで幅15μｍ
の対をなすストライプ状パターンマスクを250〜
300μｍのピツチで形成する。そして、このマス
クを用いて、基板１をH2O：H2O2：H2SO4＝
８：８：１の硫酸系エツチング液で1.5〜1.7μｍ
の深さまでエツチする。この選択的なエツチング
でリツジ１ａ，１ｂが実質的な平面上に二条平行
に突出した形状に形成される。
上記のような粘性の低い硫酸系エツチング液で
は、反応律速過程が支配的であり、エツチング深
さがエツチング時間に比例するだけでなく、エツ
チング速度も比較的遅いのでリツジ１ａ，１ｂの
高さを容易に制御できる。
は、反応律速過程が支配的であり、エツチング深
さがエツチング時間に比例するだけでなく、エツ
チング速度も比較的遅いのでリツジ１ａ，１ｂの
高さを容易に制御できる。
次に、リツジ１ａ，１ｂを有するｎ型GaAs基
板１上に、液相エピタキシヤル成長法によつてダ
ブルヘテロ構造を形成する。リツジ１ａ，１ｂの
ある基板上での結晶成長のメカニズムは平坦な基
板上での結晶成長のメカニズムと異なる。すなわ
ち、リツジ１ａ，１ｂのある基板ではリツジ部頂
面上それ以外の平坦な面上での成長速度が、同じ
（100）面であつても異なる。たとえば、250μｍ
ピツチで幅15μｍの一つのリツジを有する基板で
は、リツジ頂面上での成長速度が平坦な面上にお
けるそれの1/6程度と遅くなる。これはリツジの
一部分がメルトバツクすることや、リツジ部分で
の成長が（100）面である頂面上におけるよりも
（111）面である側面における方が支配的となるた
めである。そのため、基板１のリツジ１ａ，１ｂ
間の部分上においても、基板１の他の主面上やリ
ツジ１ａ，１ｂの頂面上よりも、結晶の成長速度
が大となる。このような結晶成長の性質を利用し
て、リツジ１ａ，１ｂをもつGaAs基板１上にｎ
型Ga1-xAlxAsクラツド層２、Ga1-yAlyAs活性層
３、ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド層４およびｐ型
GaAs層５を順次成長させる。赤外光レーザの場
合、ｘおよびｙの値はそれぞれ0.3および0.05で
ある。
板１上に、液相エピタキシヤル成長法によつてダ
ブルヘテロ構造を形成する。リツジ１ａ，１ｂの
ある基板上での結晶成長のメカニズムは平坦な基
板上での結晶成長のメカニズムと異なる。すなわ
ち、リツジ１ａ，１ｂのある基板ではリツジ部頂
面上それ以外の平坦な面上での成長速度が、同じ
（100）面であつても異なる。たとえば、250μｍ
ピツチで幅15μｍの一つのリツジを有する基板で
は、リツジ頂面上での成長速度が平坦な面上にお
けるそれの1/6程度と遅くなる。これはリツジの
一部分がメルトバツクすることや、リツジ部分で
の成長が（100）面である頂面上におけるよりも
（111）面である側面における方が支配的となるた
めである。そのため、基板１のリツジ１ａ，１ｂ
間の部分上においても、基板１の他の主面上やリ
ツジ１ａ，１ｂの頂面上よりも、結晶の成長速度
が大となる。このような結晶成長の性質を利用し
て、リツジ１ａ，１ｂをもつGaAs基板１上にｎ
型Ga1-xAlxAsクラツド層２、Ga1-yAlyAs活性層
３、ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド層４およびｐ型
GaAs層５を順次成長させる。赤外光レーザの場
合、ｘおよびｙの値はそれぞれ0.3および0.05で
ある。
ｎ型Ga1-xAlxAs層２の成長過程はリツジ１
ａ，１ｂの側面とそれ以外の面とで異なり、成長
開始温度800℃、冷却速度0.5℃／分の条件で４分
間成長をさせると、リツジ１ａ，１ｂの頂面上で
は0.3μｍ、リツジ１ａ，１ｂ間の部分では1.8μ
ｍの膜厚が得られる。
ａ，１ｂの側面とそれ以外の面とで異なり、成長
開始温度800℃、冷却速度0.5℃／分の条件で４分
間成長をさせると、リツジ１ａ，１ｂの頂面上で
は0.3μｍ、リツジ１ａ，１ｂ間の部分では1.8μ
ｍの膜厚が得られる。
基板１のリツジ１ａ，１ｂ間の部分上での結晶
成長の速度はリツジ１ａ，１ｂの高さによつて異
なる。すなわち、リツジ１ａ，１ｂが低い場合
（約１μｍ以下）、リツジ１ａ，１ｂと同一の高さ
まで成長するが、リツジ１ａ，１ｂが約１μｍ以
上になると第１図Ｂに示すように凹状をなす成長
となる。
成長の速度はリツジ１ａ，１ｂの高さによつて異
なる。すなわち、リツジ１ａ，１ｂが低い場合
（約１μｍ以下）、リツジ１ａ，１ｂと同一の高さ
まで成長するが、リツジ１ａ，１ｂが約１μｍ以
上になると第１図Ｂに示すように凹状をなす成長
となる。
このｎ型Ga1-xAlxAs層２上にGa1-yAlyAs活性
層３を極めて薄く成長させる。この場合もリツジ
１ａ，１ｂ上の成長速度が遅くなるため薄膜成長
には有利であり、0.1μｍの膜厚が再現性よく得
られる。クラツド層２の、リツジ１ａ，１ｂの外
側部分上、すなわち斜面部分上では、活性層３の
成長速度が平坦面上でのそれに比べて大きいた
め、活性層３の厚さはクラツド層３の頂面上に比
べてその斜面上の方が大となる。リツジ１ａ，１
ｂ間の活性層３の膜厚はリツジ１ａ，１ｂの頂面
上の部分よりもわずかに厚くなり、ほぼ平坦な面
となる。活性層３の上にさらに厚さ２μｍのｐ型
Ga1-xAlxAs層４および厚さ１μｍのｐ型GaAs層
５を順次形成する。ストライプ構造としてヘテ
ロ・アイソレーシヨンとする場合、さらに厚さ１
μｍのｎ型Ga0.5Al0.5As層６が必要となる
が、酸化膜ストライプの場合には成長後、CVD
法やスパツタ法によつて膜を形成する（第１図
Ｃ）。ここでは、ヘテロ・アイソレーシヨンスト
ライプ構造について説明する。第１図Ｃのウエハ
上にマスク用として酸化膜を形成し、フオトエツ
チング技術によつてリツジ１ａ，１ｂ間の直上に
幅５μｍの窓あけをする。さらに、熱リン酸やヨ
ードエツチ液等を用いて選択エツチング法によつ
てｐ型GaAs層５がストライプ状に露出するまで
ｎ型Ga0.5Al0.5As層６の窓あけをする。電極
とのコンタクトをよくするためにZnによる追加
拡散をし、ｐ+層を窓部に形成した後、Ti−Pt−
Auを蒸着することによつて正電極８を形成し、
さらに全体の厚みが約100μｍになるよう裏面エ
ツチを行う。裏面エツチの溶液としてはH2O：
H2O2：H2SO4＝１：１：８の液を用いる。エツ
チ後、裏面にAu−Ge−Niを蒸着し、負電極７を
形成する（第１図Ｄ）。
層３を極めて薄く成長させる。この場合もリツジ
１ａ，１ｂ上の成長速度が遅くなるため薄膜成長
には有利であり、0.1μｍの膜厚が再現性よく得
られる。クラツド層２の、リツジ１ａ，１ｂの外
側部分上、すなわち斜面部分上では、活性層３の
成長速度が平坦面上でのそれに比べて大きいた
め、活性層３の厚さはクラツド層３の頂面上に比
べてその斜面上の方が大となる。リツジ１ａ，１
ｂ間の活性層３の膜厚はリツジ１ａ，１ｂの頂面
上の部分よりもわずかに厚くなり、ほぼ平坦な面
となる。活性層３の上にさらに厚さ２μｍのｐ型
Ga1-xAlxAs層４および厚さ１μｍのｐ型GaAs層
５を順次形成する。ストライプ構造としてヘテ
ロ・アイソレーシヨンとする場合、さらに厚さ１
μｍのｎ型Ga0.5Al0.5As層６が必要となる
が、酸化膜ストライプの場合には成長後、CVD
法やスパツタ法によつて膜を形成する（第１図
Ｃ）。ここでは、ヘテロ・アイソレーシヨンスト
ライプ構造について説明する。第１図Ｃのウエハ
上にマスク用として酸化膜を形成し、フオトエツ
チング技術によつてリツジ１ａ，１ｂ間の直上に
幅５μｍの窓あけをする。さらに、熱リン酸やヨ
ードエツチ液等を用いて選択エツチング法によつ
てｐ型GaAs層５がストライプ状に露出するまで
ｎ型Ga0.5Al0.5As層６の窓あけをする。電極
とのコンタクトをよくするためにZnによる追加
拡散をし、ｐ+層を窓部に形成した後、Ti−Pt−
Auを蒸着することによつて正電極８を形成し、
さらに全体の厚みが約100μｍになるよう裏面エ
ツチを行う。裏面エツチの溶液としてはH2O：
H2O2：H2SO4＝１：１：８の液を用いる。エツ
チ後、裏面にAu−Ge−Niを蒸着し、負電極７を
形成する（第１図Ｄ）。
以上のようにして作製したレーザ装置の特徴を
次に述べる。第２図に示すようにリツジ１ａ，１
ｂより外側の高さd2と溝の深さd1とは必ずしも一
致させておく必要はないが、一例としてd1＝d2＝
1.5μｍの基板を用いたレーザを作製した。
次に述べる。第２図に示すようにリツジ１ａ，１
ｂより外側の高さd2と溝の深さd1とは必ずしも一
致させておく必要はないが、一例としてd1＝d2＝
1.5μｍの基板を用いたレーザを作製した。
正電極８と負電極７との間に電圧を印加し、こ
の半導体レーザ装置に通電すると、活性層３の、
リツジ１ａ，１ｂ間の溝部上の部分で、単一スポ
ツト状のレーザ発振が生じた。その光出力と電流
との関係は直線性のよいものであつた。そして、
その発振に要する動作電流も少なくてよい。これ
は、リツジ１ａ，１ｂの頂面上でのクラツド層２
の厚みが非常に薄く形成されているので、この部
分では光が基板１に吸収されて、発振部分が特定
されるとともに、クラツド層２と活性層３の厚み
がリツジ１ａ，１ｂの外側の側面近傍の部分で大
となつているので、電流の広がりが効果的に抑制
されるためと考えられる。
の半導体レーザ装置に通電すると、活性層３の、
リツジ１ａ，１ｂ間の溝部上の部分で、単一スポ
ツト状のレーザ発振が生じた。その光出力と電流
との関係は直線性のよいものであつた。そして、
その発振に要する動作電流も少なくてよい。これ
は、リツジ１ａ，１ｂの頂面上でのクラツド層２
の厚みが非常に薄く形成されているので、この部
分では光が基板１に吸収されて、発振部分が特定
されるとともに、クラツド層２と活性層３の厚み
がリツジ１ａ，１ｂの外側の側面近傍の部分で大
となつているので、電流の広がりが効果的に抑制
されるためと考えられる。
レーザ発振のしきい値電流密度は、リツジ１
ａ，１ｂの寸法に依存する。これについて、以下
具体的に説明する。
ａ，１ｂの寸法に依存する。これについて、以下
具体的に説明する。
第３図には溝の幅W1を５μｍとした時の発振
しきい値電流密度Ｊthとリツジ１ａ，１ｂの幅
W2，W3との関係を示している。図中、実線はW2
がW3と同じ幅のもの（W2＝W3）であり、破線は
W2＝100μｍ一定とした場合のＪthの変化を示し
ている。W2を100μｍ以上とした場合のＪthの変
化の様子は、ほぼ破線と同じであつた。この結果
より、W3が100μｍ以上ではＪthはほとんど一定
となるが、W3＜100μｍになるとＪthはW3ととも
に単調に減少するのがわかる。ただ、W3を１μ
ｍよりも狭く形成すると、レーザ発振は単一スポ
ツト状でなくなる。したがつて、実用的には、そ
の幅を１〜100μｍとすることが好ましい。
しきい値電流密度Ｊthとリツジ１ａ，１ｂの幅
W2，W3との関係を示している。図中、実線はW2
がW3と同じ幅のもの（W2＝W3）であり、破線は
W2＝100μｍ一定とした場合のＪthの変化を示し
ている。W2を100μｍ以上とした場合のＪthの変
化の様子は、ほぼ破線と同じであつた。この結果
より、W3が100μｍ以上ではＪthはほとんど一定
となるが、W3＜100μｍになるとＪthはW3ととも
に単調に減少するのがわかる。ただ、W3を１μ
ｍよりも狭く形成すると、レーザ発振は単一スポ
ツト状でなくなる。したがつて、実用的には、そ
の幅を１〜100μｍとすることが好ましい。
リツジ１ａ，１ｂの間隔については、それが１
μｍよりも狭くなると、発生した光がリツジ１
ａ，１ｂを通して基板１に吸収される比率が高く
なるので、レーザ発振のしきい値電流密度が高く
なる。また、その間隔が10μｍよりも広くなる
と、発振しきい値電流密度が高くなる。実使用
上、リツジ１ａ，１ｂの幅は１〜10μｍの範囲内
とすることが望ましい。
μｍよりも狭くなると、発生した光がリツジ１
ａ，１ｂを通して基板１に吸収される比率が高く
なるので、レーザ発振のしきい値電流密度が高く
なる。また、その間隔が10μｍよりも広くなる
と、発振しきい値電流密度が高くなる。実使用
上、リツジ１ａ，１ｂの幅は１〜10μｍの範囲内
とすることが望ましい。
第４図には、d2＝1.5μｍ，d3＝1.8μｍ，W3＝
W2＝１μｍとした時の、d1によるＪthの変化を示
したものである。図のようにd1が0.7μｍから1.7
μｍ程度の範囲ではＪthはほとんど変化ないが、
d1が0.7μｍ以下ではＪthが急峻に増加する。これ
はd1が0.7μｍ以下になるとリツジ１ａ，１ｂ間
の溝部直上で発生した光がｎ−GaAs基板１に吸
収される比率が大きくなるからで、この吸収の度
合は活性領域とｎ−GaAs基板１との距離が短い
ほど大きくなる。一方、d1が1.7μｍ以上になる
と溝部分での直列抵抗が高くなり、電流が溝部分
にある活性層２の領域を流れにくくなるためであ
る。
W2＝１μｍとした時の、d1によるＪthの変化を示
したものである。図のようにd1が0.7μｍから1.7
μｍ程度の範囲ではＪthはほとんど変化ないが、
d1が0.7μｍ以下ではＪthが急峻に増加する。これ
はd1が0.7μｍ以下になるとリツジ１ａ，１ｂ間
の溝部直上で発生した光がｎ−GaAs基板１に吸
収される比率が大きくなるからで、この吸収の度
合は活性領域とｎ−GaAs基板１との距離が短い
ほど大きくなる。一方、d1が1.7μｍ以上になる
と溝部分での直列抵抗が高くなり、電流が溝部分
にある活性層２の領域を流れにくくなるためであ
る。
発明の効果
本発明の方法においては、半導体基板の一方の
主面側を、対をなすリツジが実質的な平面上に平
行に突出する形状に形成してから、これらリツジ
を有する基板面上にクラツド層と活性層とを順次
形成している。そのため、クラツド層はリツジ頂
面上では薄く、また対をなすリツジの外側面近傍
の部分がそれよりもリツジから遠い部分に比べて
容易に厚く形成される。そして、活性層も対をな
すリツジの外側面近傍の部分がそれよりも遠去か
つた部分に比べて容易に厚く成長する。したがつ
て、この方法によれば、実施が非常に容易である
だけでなく、レーザ発振部分をきわめて狭い領域
に制限することができるので、単一モード発振さ
せることができるだけでなく、動作電流の少ない
半導体レーザ装置を作製することができる。
主面側を、対をなすリツジが実質的な平面上に平
行に突出する形状に形成してから、これらリツジ
を有する基板面上にクラツド層と活性層とを順次
形成している。そのため、クラツド層はリツジ頂
面上では薄く、また対をなすリツジの外側面近傍
の部分がそれよりもリツジから遠い部分に比べて
容易に厚く形成される。そして、活性層も対をな
すリツジの外側面近傍の部分がそれよりも遠去か
つた部分に比べて容易に厚く成長する。したがつ
て、この方法によれば、実施が非常に容易である
だけでなく、レーザ発振部分をきわめて狭い領域
に制限することができるので、単一モード発振さ
せることができるだけでなく、動作電流の少ない
半導体レーザ装置を作製することができる。
第１図Ａ〜Ｄは本発明の方法の一実施例の製造
工程を説明するための断面図、第２図は本発明の
方法によつて得られる半導体レーザ装置の特性を
説明するための要部拡大断面図、第３図および第
４図は同装置のリツジの寸法としきい値電流密度
との関係を示す図である。 １……ｎ−GaAs基板、２……ｎ−Ga1-xAlxAs
層、３……ｎ−Ga1-yAlyAs層、４……ｐ−
Ga1-xAlxAs層、５……ｐ−GaAs層、６……ｎ−
Ga0.5Al0.5As層、７……ｎ側電極、８……ｐ
側電極。
工程を説明するための断面図、第２図は本発明の
方法によつて得られる半導体レーザ装置の特性を
説明するための要部拡大断面図、第３図および第
４図は同装置のリツジの寸法としきい値電流密度
との関係を示す図である。 １……ｎ−GaAs基板、２……ｎ−Ga1-xAlxAs
層、３……ｎ−Ga1-yAlyAs層、４……ｐ−
Ga1-xAlxAs層、５……ｐ−GaAs層、６……ｎ−
Ga0.5Al0.5As層、７……ｎ側電極、８……ｐ
側電極。
Claims (1)
- １ 半導体基板の表面に、互いに平行な二つのリ
ツジを形成して前記リツジ間にストライプ状溝を
形成する工程と、前記二つのリツジを有する前記
半導体基板上にクラツド層を、前記二つのリツジ
上での厚さを他の領域上での厚さより薄く、かつ
前記ストライプ状溝上の表面を下方に湾曲させて
形成する工程と、前記クラツド層上に活性層を、
前記二つのリツジ上での厚さを他の領域上での厚
さより薄く形成する工程と、前記ストライプ状溝
上方の前記活性層の上方に電流流入部を形成する
工程とを備えていることを特徴とする半導体レー
ザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094732A JPS60239087A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094732A JPS60239087A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101863A Division JPS61179590A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239087A JPS60239087A (ja) | 1985-11-27 |
| JPS6238875B2 true JPS6238875B2 (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=14118285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094732A Granted JPS60239087A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239087A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513991A (en) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 | Nec Corp | Method of manufacturing semiconductor laser |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60094732A patent/JPS60239087A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60239087A (ja) | 1985-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4958202A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JPS6238875B2 (ja) | ||
| JP3523432B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| EP0032401B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JPS60167488A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0530315B2 (ja) | ||
| JP2000252587A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH03185889A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS6119186A (ja) | 二波長モノリシツク半導体レ−ザアレイの製造方法 | |
| JP2708949B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH065969A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6122478B2 (ja) | ||
| JPH084180B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JP2812187B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH02119285A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2538258B2 (ja) | 半導体レ―ザ | |
| JPH05145182A (ja) | 端面窓構造付き半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP4048044B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2525776B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2547459B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS60224288A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0730190A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
| JPS60258991A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61179590A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |