JPS6242360B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6242360B2 JPS6242360B2 JP60164121A JP16412185A JPS6242360B2 JP S6242360 B2 JPS6242360 B2 JP S6242360B2 JP 60164121 A JP60164121 A JP 60164121A JP 16412185 A JP16412185 A JP 16412185A JP S6242360 B2 JPS6242360 B2 JP S6242360B2
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- JP
- Japan
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- memory
- address
- pins
- output
- input
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
- G11C5/066—Means for reducing external access-lines for a semiconductor memory clip, e.g. by multiplexing at least address and data signals
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、テスト時と、実使用時とを端子への
印加電圧を変えることにより制御するメモリに関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a memory that is controlled during testing and during actual use by changing the voltage applied to its terminals.
更に、本発明はデータ入出力端子を他のアドレ
ス入力端子等と共用して、メモリの所要ピン数を
減らし、又メモリのテストに要する時間を減少す
るためのものである。 Furthermore, the present invention shares the data input/output terminal with other address input terminals, etc., thereby reducing the number of pins required for the memory and the time required for testing the memory.
従来は第1図のように、アドレスA0〜A7ピン
とデータ入出力Di、D0ピンが分離していた。し
かしメモリが大容量になるにつれて、チツプを複
数個に分割してサブチツプにして、これらサブチ
ツプのそれぞれにD0、Diピンを設けて、D0、Di
を並列処理して、1個のLSIとしてみた場合のテ
スト時間を短縮する必要がある。しかしこのまま
ではD0、Diピンが増大してLSIを収容するパツケ
ージの所要ピン数も増大し、その結果パツケージ
の寸法が大になり、ユーザにおける実装密度が急
激に減少するという欠点があつた。
Conventionally, as shown in FIG. 1, address pins A 0 to A 7 and data input/output D i and D 0 pins were separated. However, as memory capacity increases, the chip is divided into multiple subchips, and each of these subchips is provided with D 0 and D i pins.
It is necessary to process these in parallel to shorten the test time when viewed as a single LSI. However, if things continue as they are, the number of D 0 and D i pins will increase, and the number of pins required for the package that accommodates the LSI will also increase, resulting in an increase in package dimensions and a drawback in that the packaging density for the user will sharply decrease. .
尚、本発明とは全く異なるが、一種の共用とい
う概念を用いた例として、特開昭48−35736号公
報がある。当該公報の第354頁に記載の特許請求
の範囲第13項や、Fig.32aに、共通母線に、低
位アドレス、WRITデータ等のデータを順次伝送
する技術が開示されている。しかしながら当該技
術は、各チツプ間の共通配線であり、共用するこ
とが当然であり本発明の如く、チツプ内部の端子
の共用という点では、全く関係しない技術であ
る。又、当然のことながら、テスト時と実使用時
という概念も全くないものである。 Although it is completely different from the present invention, there is Japanese Patent Application Laid-open No. 48-35736 as an example using the concept of a kind of common use. Claim 13 on page 354 of the publication and FIG. 32a disclose a technique for sequentially transmitting data such as low-order addresses and WRIT data to a common bus. However, this technology is a common wiring between each chip, and it is natural that they be shared, and unlike the present invention, this technology is completely unrelated in terms of sharing the terminals inside the chips. Furthermore, as a matter of course, there is no concept of a time of testing and a time of actual use.
本発明は上述の欠点を除くことを目的とする。 The present invention aims to obviate the above-mentioned drawbacks.
本発明は、テスト時と実使用時とを容易に切替
えることができるメモリを提供することを目的と
する。 An object of the present invention is to provide a memory that can be easily switched between testing and actual use.
本発明は、素子のピン数を減少させ、実装密度
を向上させることを目的とする。 The present invention aims to reduce the number of pins of an element and improve packaging density.
本発明は、メモリのテスト時間を減少させるこ
とを目的とする。 The present invention aims to reduce memory testing time.
〔発明の概要〕
上記目的を達成する為に本発明では、アドレス
入力ピンと情報出力ピンを共通に設け、これを時
間的に異つた時に使用するものである。[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention provides a common address input pin and an information output pin, which are used at different times.
更に本発明では、テスト時における出力を、実
使用時におけるよりも多くし、テスト時間の短縮
を図るものである。 Furthermore, the present invention aims to shorten the test time by increasing the output during testing compared to during actual use.
実施例 1 以下、実施例に従つて、本発明を説明する。 Example 1 The present invention will be described below with reference to Examples.
通常のメモリではアドレス信号は、そのLSIに
外部からクロツク信号を入力して、そのLSIが選
択されてから、ある短時間(いわゆるアドレスホ
ールドタイムTAH)しか必要でない。また通常D
i、D0の信号が有効な期間はTAH以降である。し
たがつてアドレスピンと、D0、Diピンを共用し
て、時間的にそのピンの役割を変えればよい。第
2図はそのための実施例で、D0、Diをそれぞれ
A0、A1で共用し、一種のクロツク信号φ0,φ
1,φ2でゲートQ0,0,Q1,1を制御し
た例である。アドレス信号が有効な期間では、φ
0のみオンにし、D0が有効な期間ではφ1のみ
オンにし、またD1が有効な期間ではφ2のみを
オンにすればよい。これによりA0〜A7だけのピ
ン数でDi、D0も設けたことになる。 In a normal memory, an address signal is required only for a certain period of time (so-called address hold time T AH ) after the LSI is selected by inputting an external clock signal to the LSI. Also usually D
The period during which the signals i and D 0 are valid is after T AH . Therefore, the address pin, D 0 , and D i pins may be used in common, and the roles of the pins may be changed over time. Figure 2 shows an example for that purpose, where D 0 and D i are respectively
Commonly used by A 0 and A 1 , a kind of clock signal φ 0 , φ
This is an example in which gates Q 0 , 0 , Q 1 , 1 are controlled by φ 1 and φ 2 . During the period when the address signal is valid, φ
It is sufficient to turn on only 0 , turn on only φ1 during the period when D 0 is valid, and turn on only φ2 during the period when D 1 is valid. This means that D i and D 0 are also provided with only the number of pins A 0 to A 7 .
実施例 2
通常DiとD0は同時に有効である必要はないか
ら、第3図のように、クロツク信号φ0,φ1,
φ2でゲートQ2,Q3,Q4を制御することにより
A0、D0、Diで1本のピンを共用することもでき
る。なおφ0〜φ2は外部から印加しなくてもチ
ツプCHIP内部で発生した信号でもよい。このよ
うに構成すれば、アドレス入力端子数と同じだけ
のD0を設けられ、特に効果がある。Embodiment 2 Normally, D i and D 0 do not need to be valid at the same time, so as shown in FIG. 3, the clock signals φ 0 , φ 1 ,
By controlling gates Q 2 , Q 3 , Q 4 with φ 2
One pin can also be shared by A 0 , D 0 , and D i . Note that φ 0 to φ 2 do not have to be applied externally, but may be signals generated inside the chip CHIP. With this configuration, the same number of D 0 as the number of address input terminals can be provided, which is particularly effective.
実施例 3
この実施例は、一般のダイナミツクランダムア
クセスモリに用いられている差動の出力を有する
場合である。Embodiment 3 This embodiment is a case in which a differential output used in a general dynamic random access memory is provided.
第4図は1個のLSIから、差動の信号出力D0,
0が出る場合の実施例である。1個のピンを
D0とA1とで、D0とA0とで共用すればよい。 Figure 4 shows the differential signal output D 0 ,
This is an example in which 0 is output. 1 pin
It may be shared by D 0 and A 1 , or by D 0 and A 0 .
実施例 4
この実施例は、メモリをテストする際に出力で
きる数を増加し、テスト時間の短縮を図るもので
ある。Embodiment 4 This embodiment aims to increase the number of outputs when testing a memory and shorten the test time.
第5図は、メモリLSIをテストする際にのみ、
特定の端子(テスト端子、実使用時には単一の信
号が入力され、テスト時にはテスト信号が入力さ
れる端子)に印加する外部電源電圧Vcc(通常使
用時には5V)を0Vにして、アドレスA0と、テス
ト時にのみ有効なデータ出力D0′を共通にできる
ようにした例である。 Figure 5 shows that only when testing memory LSI,
Set the external power supply voltage Vcc (5V during normal use) applied to a specific terminal (test terminal, a terminal to which a single signal is input during actual use and a test signal is input during testing) to 0V, and set the address A to 0 . This is an example in which the data output D 0 ′, which is valid only during testing, can be shared.
ここでDBは周知のプツシユプル型TTLレベル
のD0バツフア回路で、実使用時には常にQ9,Q10
のいずれかがオンになる動作をする。ADSはこ
れまで説明してきたように、MAからのデータ出
力D0′とアドレス信号を切り換える回路である。
通常の実使用時間には上記端子に印加される電圧
は、Vcc=5Vであるから、φ1がオンとなつても
Q11のゲートは低電圧(N−MOSの例)であるた
めにQ11はオフとなる。(ここでは、負論理を採
用しており、NANDへの入力が論理“1”、“1”
のときのみ出力が“0”したがつて、電位として
は、“L”、“L”の入力のときのみ“H”とな
り、Q11のゲートは、φ1、Vccの電位が低いと
きにオンとなる。)したがつてADSは常にA0用の
単なる論理ゲートとして働くだけである。一方
MAからのD0′はDBによつて、正常なTTLレベル
のD0となつて外部に出力する。またメモリ
(CHIP)が良品かどうかをテストする場合には
Vccを0にし、D0は無効端子とし、その代りに
ADS内のQ11はφ1を負論理の“1”にすること
によつて導通するから、ADSはMAからの出力
D0′とMAに入力するアドレスA0を、切り換える
働きをする。 Here, DB is a well-known push-pull type TTL level D 0 buffer circuit, and in actual use, Q 9 and Q 10 are always
One of them will turn on. As explained above, the ADS is a circuit that switches between the data output D 0 ' from the MA and the address signal.
During normal use, the voltage applied to the above terminal is Vcc = 5V, so even if φ1 is turned on,
Since the gate of Q11 is at a low voltage (an example of N-MOS), Q11 is turned off. (Here, negative logic is used, and the input to NAND is logic “1”, “1”
The output is "0" only when the input is "L", so the potential is "H" only when the input is "L", and the gate of Q11 is turned on when the potential of φ1 and Vcc is low. becomes. ) Therefore ADS always acts as just a logic gate for A 0 . on the other hand
D 0 ′ from the MA is output to the outside as D 0 at a normal TTL level by the DB. Also, when testing whether the memory (CHIP) is good or not,
Set Vcc to 0, make D 0 an invalid terminal, and instead
Q11 in ADS is made conductive by setting φ1 to negative logic “1”, so ADS is the output from MA.
It functions to switch between D 0 ′ and address A 0 input to MA.
この実施例の考え方は、たとえば第6図のよう
に、チツプ内を4個のサブメモリアレーMA0〜
MA3に分けて、各メモリアレーMA0〜MA3から
の出力D00′〜D03′を並列処理して、テスト時間を
短縮する場合に有効である。すなわち、通常使用
する場合には、4個の出力D0′〜D3′の中で、2個
のアドレス信号を用いたデコード機能をもつDS
で選択された1個のデータ出力D0を利用する。
一方LSIをテストする場合にはVccを0Vにして、
アドレスピンと共用した4個のデータ出力D0′〜
D3′を利用する。 The idea of this embodiment is that, as shown in FIG .
This is effective when dividing into MA 3 and processing outputs D 00 ′ to D 03 ′ from each memory array MA 0 to MA 3 in parallel to shorten test time. In other words, in normal use, among the four outputs D 0 ′ to D 3 ′, the DS has a decoding function using two address signals.
One data output D 0 selected in is used.
On the other hand, when testing LSI, set Vcc to 0V,
4 data outputs D 0 ′ shared with address pins
Use D 3 ′.
以上からデータ入出力信号と、アドレスピンを
共用することによつて所要ピン数が減少でき、
LSIパツケージの所要ピン数も減少する結果、ユ
ーザにおける実装密度が向上することは自明であ
る。なお、データ信号をアドレス信号以外の他信
号とで共用できることも自明である。また第4,
5,6図ではアドレス信号とD0のみを共用した
が、第3図からも明らかなように、アドレス信号
とDiあるいはアドレス信号とDiとD0を共用でき
る。
From the above, by sharing data input/output signals and address pins, the number of required pins can be reduced.
It is obvious that the number of pins required for the LSI package is reduced, and as a result, the packaging density for the user is improved. Note that it is also obvious that the data signal can be shared with other signals other than the address signal. Also, the fourth
In FIGS. 5 and 6, only the address signal and D 0 are shared, but as is clear from FIG. 3, the address signal and D i or the address signal, D i and D 0 can be shared.
第1図は従来例、第2図〜第6図はデータ入出
力を他の機能のピンと共用した本発明の実施例。
符号の説明、CHIP:チツプ、SA:センスアン
プ、MA,MA0〜MA3:メモリアレー、V:電源
電圧、DS:サブアレーからのデータ出力D00〜
D03の中の1個のデータだけを、アドレス信号を
用いて選択的に出力する回路。
FIG. 1 shows a conventional example, and FIGS. 2 to 6 show an embodiment of the present invention in which data input/output is shared with pins for other functions. Explanation of symbols, CHIP: Chip, SA: Sense amplifier, MA, MA 0 ~ MA 3 : Memory array, V: Power supply voltage, DS: Data output from subarray D 00 ~
A circuit that selectively outputs only one piece of data in D 03 using an address signal.
Claims (1)
レス端子を共用している情報の入力若しくは出力
端子を有するメモリの使用方法において、特定端
子に印加する電圧を実使用時とテスト時で変化さ
せることにより該電圧変化により信号を発生さ
せ、該信号により上記入力若しくは出力端子とア
ドレス端子とを切替えることを特徴とするメモリ
の使用方法。 2 上記印加される電圧は、Vcc電圧と0Vである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のメ
モリの使用方法。[Claims] 1. In a method of using a memory having a memory array, an address terminal, and an information input or output terminal that shares the address terminal, the voltage applied to a specific terminal is determined during actual use and during testing. A method of using a memory, characterized in that a signal is generated by the voltage change by changing the voltage, and the input or output terminal and the address terminal are switched by the signal. 2. The method of using a memory according to claim 1, wherein the applied voltage is a Vcc voltage and 0V.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164121A JPS6150297A (en) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | Using of memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164121A JPS6150297A (en) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | Using of memory |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10669176A Division JPS5332634A (en) | 1976-09-08 | 1976-09-08 | Memory |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150297A JPS6150297A (en) | 1986-03-12 |
| JPS6242360B2 true JPS6242360B2 (en) | 1987-09-08 |
Family
ID=15787145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164121A Granted JPS6150297A (en) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | Using of memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150297A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2553836B2 (en) * | 1985-08-12 | 1996-11-13 | 日本電信電話株式会社 | Self-correcting semiconductor memory |
| EP1189234A1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-03-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Integrated electronic device with reduced internal connections |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60164121A patent/JPS6150297A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150297A (en) | 1986-03-12 |
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