JPS6250231B2 - - Google Patents
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- JPS6250231B2 JPS6250231B2 JP55094710A JP9471080A JPS6250231B2 JP S6250231 B2 JPS6250231 B2 JP S6250231B2 JP 55094710 A JP55094710 A JP 55094710A JP 9471080 A JP9471080 A JP 9471080A JP S6250231 B2 JPS6250231 B2 JP S6250231B2
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- JP
- Japan
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- rotating body
- laser beam
- pulsed laser
- rotational speed
- energy density
- Prior art date
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M1/00—Testing static or dynamic balance of machines or structures
- G01M1/30—Compensating imbalance
- G01M1/34—Compensating imbalance by removing material from the body to be tested, e.g. from the tread of tyres
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Balance (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回転体の回転速度が異なつても能率
良くかつ安定に回転体の除去加工を行ない得るよ
うにしたレーザ加工方法に関する。
良くかつ安定に回転体の除去加工を行ない得るよ
うにしたレーザ加工方法に関する。
従来、電動機の回転子等、回転体のダイナミツ
クバランスを調整する一手法として、回転中の回
転体の不平衡部位にパルスレーザビームを照射し
て上記不平衡部位を除去加工し、これにより回転
体のダイナミツクバランスをとることが行なわれ
ている。ところで、この場合上記回転体の不平衡
部位は、回転中の回転体の振動として検出され、
この検出感度は回転体の回転速度がある程度速け
れば良く、一方回転体の回転速度が遅いと悪化す
る。したがつて、回転体のダイナミツクバランス
を調整する場合には、回転体を高速回転させてレ
ーザ加工することが望ましい。
クバランスを調整する一手法として、回転中の回
転体の不平衡部位にパルスレーザビームを照射し
て上記不平衡部位を除去加工し、これにより回転
体のダイナミツクバランスをとることが行なわれ
ている。ところで、この場合上記回転体の不平衡
部位は、回転中の回転体の振動として検出され、
この検出感度は回転体の回転速度がある程度速け
れば良く、一方回転体の回転速度が遅いと悪化す
る。したがつて、回転体のダイナミツクバランス
を調整する場合には、回転体を高速回転させてレ
ーザ加工することが望ましい。
しかしながら、回転体はある程度のバランスが
とれていないと高速回転領域で回転（共振）しな
いので、回転体の不平衡部位が大きい場合には回
転体を低速回転領域にてダイナミツクバランスの
ための加工をせざるを得ない。このように低速回
転領域にて加工する場合に、パルスレーザビーム
の照射エネルギ密度を高速速回転用に高く定めて
おくと、加工除去される溝の深さが非常に深くな
るおそれがある。このように溝が深くなり過ぎる
と、回転体の強度上好ましくなく、また比較的肉
厚の薄い回転体の場合には孔が穿たれて使用でき
なくなる危険があつた。
とれていないと高速回転領域で回転（共振）しな
いので、回転体の不平衡部位が大きい場合には回
転体を低速回転領域にてダイナミツクバランスの
ための加工をせざるを得ない。このように低速回
転領域にて加工する場合に、パルスレーザビーム
の照射エネルギ密度を高速速回転用に高く定めて
おくと、加工除去される溝の深さが非常に深くな
るおそれがある。このように溝が深くなり過ぎる
と、回転体の強度上好ましくなく、また比較的肉
厚の薄い回転体の場合には孔が穿たれて使用でき
なくなる危険があつた。
一方、パルスレーザビームの照射エネルギ密度
を低速回転領域用として低く設定し、これにより
高速回転領域における加工を行なうと、１パルス
毎の加工除去量が著しく減少して加工能率の低下
を招くといつた別の問題を生じていた。
を低速回転領域用として低く設定し、これにより
高速回転領域における加工を行なうと、１パルス
毎の加工除去量が著しく減少して加工能率の低下
を招くといつた別の問題を生じていた。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところは、回転体の回転速度に応
じてパルスレーザビームの照射エネルギ密度を可
変制御することにより、回転体の加工過多を防止
して安定で高品質のバランス調整を行ない得、か
つ加工能率を高めて生産性の向上をはかり得るレ
ーザ加工方法を提供することにある。
その目的とするところは、回転体の回転速度に応
じてパルスレーザビームの照射エネルギ密度を可
変制御することにより、回転体の加工過多を防止
して安定で高品質のバランス調整を行ない得、か
つ加工能率を高めて生産性の向上をはかり得るレ
ーザ加工方法を提供することにある。
また、本発明の別の目的とするところは、回転
体の回転速度に応じてパルスレーザビームの照射
エネルギ密度を可変制御すると同時に、パルスレ
ーザビームのパルス幅を可変することにより、加
工能率をより一層向上させ得、かつ精度の良いバ
ランス調整を行ない得るレーザ加工方法を提供す
ることにある。
体の回転速度に応じてパルスレーザビームの照射
エネルギ密度を可変制御すると同時に、パルスレ
ーザビームのパルス幅を可変することにより、加
工能率をより一層向上させ得、かつ精度の良いバ
ランス調整を行ない得るレーザ加工方法を提供す
ることにある。
以下、本発明の図面に示す一実施例を参照して
説明する。第１図は同実施例におけるレーザ加工
方法を適用したレーザ加工装置の概略構成図で、
図中１は被加工物としての回転体、２はレーザ発
振器、３は加工制御回路をそれぞれ示している。
回転体１は、軸受１１および弾性部材１２をそれ
ぞれ介して図示しない基台に支持してあり、この
状態で可変速モータ１３により矢印Ａ方向に回転
駆動されるようになつている。したがつて不平衡
部位があると、回転体１はその不平衡部位の大き
さ等によつて重量的に偏心し、これにより回転中
に振動を起こす。また、回転体１の周辺部には、
回転周面に対向して回転体１の振動から不平衡部
位を検出する不平衡検出プローブ３１と、回転体
１の回転基準位相を検出する回転位相検出プロー
ブ３２とがそれぞれ配置してある。これらの各プ
ローブ３１，３２にて検出された情報は、加工制
御回路３に供給される。
説明する。第１図は同実施例におけるレーザ加工
方法を適用したレーザ加工装置の概略構成図で、
図中１は被加工物としての回転体、２はレーザ発
振器、３は加工制御回路をそれぞれ示している。
回転体１は、軸受１１および弾性部材１２をそれ
ぞれ介して図示しない基台に支持してあり、この
状態で可変速モータ１３により矢印Ａ方向に回転
駆動されるようになつている。したがつて不平衡
部位があると、回転体１はその不平衡部位の大き
さ等によつて重量的に偏心し、これにより回転中
に振動を起こす。また、回転体１の周辺部には、
回転周面に対向して回転体１の振動から不平衡部
位を検出する不平衡検出プローブ３１と、回転体
１の回転基準位相を検出する回転位相検出プロー
ブ３２とがそれぞれ配置してある。これらの各プ
ローブ３１，３２にて検出された情報は、加工制
御回路３に供給される。
一方、レーザ発振器２は、レーザ電源２１によ
りフラツシユランプ２２をパルス発光させて
YAGレーザロツド２３を励起し、このYAGレー
ザロツド２３で発生されたパルスレーザビーム２
４を集光レンズ２５を介して前記回転体１の不平
衡部位に照射し、この不平衡部位を除去加工す
る。なお、図中２６は共振器ミラーを示してい
る。
りフラツシユランプ２２をパルス発光させて
YAGレーザロツド２３を励起し、このYAGレー
ザロツド２３で発生されたパルスレーザビーム２
４を集光レンズ２５を介して前記回転体１の不平
衡部位に照射し、この不平衡部位を除去加工す
る。なお、図中２６は共振器ミラーを示してい
る。
加工制御回路３は、前記不平衡検出プローブ３
１および回転位相検出プローブ３２にて検出され
た不平衡情報および回転基準位相情報から不平衡
部位の位置とその大きさ、回転体１の回転速度お
よびパルスレーザビーム２４を照射すべきタイミ
ングをそれぞれ算出している。そして、上記不平
衡部位の大きさに応じてモータ制御信号MSを発
生し、前記モータ１３を駆動制御して回転体１の
回転速度を最適値になるように制御している。ま
た、それとともに加工制御回路３は、前記各算出
結果に基づいてレーザ電源２１へパルスレーザビ
ーム２４の波形を制御するための信号（波形制御
信号）HSを送出し、これによりパルスレーザビ
ーム２４の照射エネルギ密度およびパルス幅をそ
れぞれ制御して、回転体１の回転速度に応じた最
適なパルスレーザビーム２４を発生せしめてい
る。
１および回転位相検出プローブ３２にて検出され
た不平衡情報および回転基準位相情報から不平衡
部位の位置とその大きさ、回転体１の回転速度お
よびパルスレーザビーム２４を照射すべきタイミ
ングをそれぞれ算出している。そして、上記不平
衡部位の大きさに応じてモータ制御信号MSを発
生し、前記モータ１３を駆動制御して回転体１の
回転速度を最適値になるように制御している。ま
た、それとともに加工制御回路３は、前記各算出
結果に基づいてレーザ電源２１へパルスレーザビ
ーム２４の波形を制御するための信号（波形制御
信号）HSを送出し、これによりパルスレーザビ
ーム２４の照射エネルギ密度およびパルス幅をそ
れぞれ制御して、回転体１の回転速度に応じた最
適なパルスレーザビーム２４を発生せしめてい
る。
ここで、この加工制御回路３は、回転体１の不
平衡部位が大きい場合には回転体１を低速で回転
させて比較的照射エネルギ密度が低くパルス幅の
長いパルスレーザビーム２４を発生せしめ、上記
不平衡部位が小さくなるに従つて回転体１を高速
に回転させ、同時にパルスレーザーム２４の照射
エネルギ密度を増加させるとともにパルス幅を短
かくするように制御する。
平衡部位が大きい場合には回転体１を低速で回転
させて比較的照射エネルギ密度が低くパルス幅の
長いパルスレーザビーム２４を発生せしめ、上記
不平衡部位が小さくなるに従つて回転体１を高速
に回転させ、同時にパルスレーザーム２４の照射
エネルギ密度を増加させるとともにパルス幅を短
かくするように制御する。
第２図は前記レーザ電源２１の回路構成を示す
図である。同図において、直流主電源４０の出力
は第１のコンデンサ４１に充電され、この第１の
コンデンサ４１の充電電荷はサイリスタ４２の点
弧時に共振充電コイル４３を介して第２および第
３のコンデンサ４４，４５に共振充電されるよう
になつている。また、上記第１のコンデンサ４１
の充電電荷は、サイリスタ４６の点弧時に波形成
形コイル４７およびダイオード４８をそれぞれ介
してフラツシユランプ２２で放電される。一方、
上記第２および第３のコンデンサ４４，４５の各
充電電荷は、サイリスコ４９の点弧時に前記波形
成形コイル４７およびダイオード４８をそれぞれ
介してフラツシユランプ２２で放電されるように
なつている。なお、図中５０に示すサイリスタ
は、フラツシユランプ２２の発光レベルを低く押
える必要がある場合に、前記第２および第３のコ
ンデンサ４４，４５の放電電流を部分的に第１の
コンデンサ４１へ側流せしめてフラツシユランプ
２２へ流入する電流量を制限するためのものであ
る。また、図中５１に示す直流補助電源は、予め
フラツシユランプ２２を微少放電させて前記各コ
ンデケサによる主放電を円滑に行なわしめる目的
で設けられている。さらに、点弧制御回路５２
は、前記加工制御回路３からの波形制御信号HS
に応じて前記各サイリスタを所定のタイミングで
点弧させるものである。
図である。同図において、直流主電源４０の出力
は第１のコンデンサ４１に充電され、この第１の
コンデンサ４１の充電電荷はサイリスタ４２の点
弧時に共振充電コイル４３を介して第２および第
３のコンデンサ４４，４５に共振充電されるよう
になつている。また、上記第１のコンデンサ４１
の充電電荷は、サイリスタ４６の点弧時に波形成
形コイル４７およびダイオード４８をそれぞれ介
してフラツシユランプ２２で放電される。一方、
上記第２および第３のコンデンサ４４，４５の各
充電電荷は、サイリスコ４９の点弧時に前記波形
成形コイル４７およびダイオード４８をそれぞれ
介してフラツシユランプ２２で放電されるように
なつている。なお、図中５０に示すサイリスタ
は、フラツシユランプ２２の発光レベルを低く押
える必要がある場合に、前記第２および第３のコ
ンデンサ４４，４５の放電電流を部分的に第１の
コンデンサ４１へ側流せしめてフラツシユランプ
２２へ流入する電流量を制限するためのものであ
る。また、図中５１に示す直流補助電源は、予め
フラツシユランプ２２を微少放電させて前記各コ
ンデケサによる主放電を円滑に行なわしめる目的
で設けられている。さらに、点弧制御回路５２
は、前記加工制御回路３からの波形制御信号HS
に応じて前記各サイリスタを所定のタイミングで
点弧させるものである。
このような構成において、回転体１をセツト
し、図示しないスタート信号を加工制御回路３に
印加すると、加工制御回路３は先ず回転体１を適
当な速度で回転させて不平衡部位の大きさを検出
し、この大きさに応じて回転体１の回転速度を最
適値に設定する。したがつて、例えば不平衡部位
が比較的大きければ回転体１は低速回転せしめら
れる。
し、図示しないスタート信号を加工制御回路３に
印加すると、加工制御回路３は先ず回転体１を適
当な速度で回転させて不平衡部位の大きさを検出
し、この大きさに応じて回転体１の回転速度を最
適値に設定する。したがつて、例えば不平衡部位
が比較的大きければ回転体１は低速回転せしめら
れる。
この状態で加工制御回路３は、回転体１の回転
速度に応じた波形制御信号HSを、つまりこの場
合には低速回転領域であるからパルスレーザビー
ム２４の照射エネルギ密度を低くかつパルス幅を
長く設定すべき信号を発生する。ここで、この波
形制御信号HSの発生タイミングはパルスレーザ
ビーム２４を照射すべきタイミングよりも若干早
く定められる。これは、フラツシユランプ２２に
おける発光動作の立上がり遅れやパルスレーザビ
ーム２４の立上がり遅れを考慮したためである。
速度に応じた波形制御信号HSを、つまりこの場
合には低速回転領域であるからパルスレーザビー
ム２４の照射エネルギ密度を低くかつパルス幅を
長く設定すべき信号を発生する。ここで、この波
形制御信号HSの発生タイミングはパルスレーザ
ビーム２４を照射すべきタイミングよりも若干早
く定められる。これは、フラツシユランプ２２に
おける発光動作の立上がり遅れやパルスレーザビ
ーム２４の立上がり遅れを考慮したためである。
上記波形制御信号HSが発生されると、レーザ
電源２１の点弧制御回路５２は、先ずt1において
サイリスタ４６を点弧して第１のコンデンサ４１
の充電電荷をフラツシユランプ２２に放電せし
め、さらに比較的長めの時間が経過したのちt2に
てサイリスタ４９および５０をそれぞれ点弧し
て、第２および第３のコンデンサ４４，４５の充
電電荷をフラツシユランプ２２に放電させる。こ
のとき、第１のコンデンサ４１は大容量のものか
らなり、かつ第２および第３のコンデンサ４４，
４５の放電電流は部分的にサイリスタ５０を介し
て第１のコンデンサ４１に側流される。このた
め、フラツシユランプ２２では、第３図ａ−Ｘに
示す如く発光レベルが低くしかも比較的パルス幅
の長い台形状のパルス発光波形が得られる。そし
て、このような発光波形により励起されたYAG
レーザロツド２３からは、第３図ｂ−ｘに示す如
く上記発光波形に対応して照射エネルギ密度が低
くかつパルス幅の長いパルスレーザビーム２４が
発生される。したがつて、回転体１の不平衡部位
は、第４図ａのように低速であるにもかかわらず
加工溝がそれほど深くならず、しかも長めに除去
加工される。
電源２１の点弧制御回路５２は、先ずt1において
サイリスタ４６を点弧して第１のコンデンサ４１
の充電電荷をフラツシユランプ２２に放電せし
め、さらに比較的長めの時間が経過したのちt2に
てサイリスタ４９および５０をそれぞれ点弧し
て、第２および第３のコンデンサ４４，４５の充
電電荷をフラツシユランプ２２に放電させる。こ
のとき、第１のコンデンサ４１は大容量のものか
らなり、かつ第２および第３のコンデンサ４４，
４５の放電電流は部分的にサイリスタ５０を介し
て第１のコンデンサ４１に側流される。このた
め、フラツシユランプ２２では、第３図ａ−Ｘに
示す如く発光レベルが低くしかも比較的パルス幅
の長い台形状のパルス発光波形が得られる。そし
て、このような発光波形により励起されたYAG
レーザロツド２３からは、第３図ｂ−ｘに示す如
く上記発光波形に対応して照射エネルギ密度が低
くかつパルス幅の長いパルスレーザビーム２４が
発生される。したがつて、回転体１の不平衡部位
は、第４図ａのように低速であるにもかかわらず
加工溝がそれほど深くならず、しかも長めに除去
加工される。
このように低速回転領域における除去加工がな
され、不平衡部位がある程度小さくなつて高速回
転が可能になると、加工制御回路３は回転体１を
高速回転させるとともに、この回転速度に応じた
波形制御信号HSをレーザ電源２１へ送出する。
つまり、レーザ電源２１へはパルスレーザビーム
２４の照射エネルギ密度を高くし、かつパルス幅
を短かく設定すべき信号が印加される。このよう
な波形制御信号HSが印加されると、点弧制御回
路５２は先ずt3にてサイリスタ４６を点弧して第
１のコンデンサ４１の充電電荷をフラツシユラン
プ２２へ放電させ、その直後t4においてサイリス
タ４９のみを点弧して第２および第３のコンデン
サ４４，４５をフラツシユランプ２２へ放電させ
る。したがつて、フラツシユランプ２２へは、上
記第１のコンデンサ４１からの放電電流に第２お
よび第３のコンデンサ４４，４５の放電電流を重
畳した、ピーク値の高い電流が供給される。この
結果、フラツシユランプ２２からは第３図ａ−Ｙ
に示す如く発光レベルの高いパルス発光波形が得
られる。また、このとき前記第２および第３のコ
ンデンサ４４，４５の容量は比較的低容量にして
あるため、当然フラツシユランプ２２の発光期
間、つまりパルス幅は短かくなる。
され、不平衡部位がある程度小さくなつて高速回
転が可能になると、加工制御回路３は回転体１を
高速回転させるとともに、この回転速度に応じた
波形制御信号HSをレーザ電源２１へ送出する。
つまり、レーザ電源２１へはパルスレーザビーム
２４の照射エネルギ密度を高くし、かつパルス幅
を短かく設定すべき信号が印加される。このよう
な波形制御信号HSが印加されると、点弧制御回
路５２は先ずt3にてサイリスタ４６を点弧して第
１のコンデンサ４１の充電電荷をフラツシユラン
プ２２へ放電させ、その直後t4においてサイリス
タ４９のみを点弧して第２および第３のコンデン
サ４４，４５をフラツシユランプ２２へ放電させ
る。したがつて、フラツシユランプ２２へは、上
記第１のコンデンサ４１からの放電電流に第２お
よび第３のコンデンサ４４，４５の放電電流を重
畳した、ピーク値の高い電流が供給される。この
結果、フラツシユランプ２２からは第３図ａ−Ｙ
に示す如く発光レベルの高いパルス発光波形が得
られる。また、このとき前記第２および第３のコ
ンデンサ４４，４５の容量は比較的低容量にして
あるため、当然フラツシユランプ２２の発光期
間、つまりパルス幅は短かくなる。
そして、このようなパルス発光波形にて励起さ
れたYAGレーザロツド２３からは、上記パルス
発光波形と略同一波形のパルスレーザビーム２４
（第３図ｂ−ｙ）が発生される。したがつて、こ
のパルスレーザビーム２４により加工される回転
体１の不平衡部位は、第４図ｂに示す如く高速回
転しているにもかかわらず、ある程度深く、しか
もそれほど加工溝が長くならない程度に加工され
る。
れたYAGレーザロツド２３からは、上記パルス
発光波形と略同一波形のパルスレーザビーム２４
（第３図ｂ−ｙ）が発生される。したがつて、こ
のパルスレーザビーム２４により加工される回転
体１の不平衡部位は、第４図ｂに示す如く高速回
転しているにもかかわらず、ある程度深く、しか
もそれほど加工溝が長くならない程度に加工され
る。
なお、第３図ａ−Ｚは第２および第３のコンデ
ンサ４４，４５のみを放電させたときのパルス発
光波形を示すもので、第３図ｂ−ｚはそのときの
パルスレーザビーム２４の波形を示している。こ
のパルスレーザビーム２４は、ピーク値が前記第
３図ｂ−ｘよりは高く同図ｂ−ｙよりは低いの
で、前記回転体１の中速回転領域において使用で
きる。
ンサ４４，４５のみを放電させたときのパルス発
光波形を示すもので、第３図ｂ−ｚはそのときの
パルスレーザビーム２４の波形を示している。こ
のパルスレーザビーム２４は、ピーク値が前記第
３図ｂ−ｘよりは高く同図ｂ−ｙよりは低いの
で、前記回転体１の中速回転領域において使用で
きる。
このように、本実施例によれば、回転体１の低
速回転領域ではパルスレーザビーム２４の照射エ
ネルギ密度を低くし、高速回転領域において同照
射エネルギ密度を高くしたことによつて、低速回
転領域において従来のように回転体１を深く加工
し過ぎたり、孔が穿たれるといつた加工過多を確
実に防止し得、安定で品質の良いバランス調整を
行なうことができる。また、高速回転領域におい
て１パルス毎の加工量を増加させることができる
ので、加工能率の向上をはかり得る。また本実施
例によれば、回転体１の低速回転領域においてパ
ルスレーザビーム２４のパルス幅を長くし、高速
回転領域において同パルス幅を短かくしたことに
よつて、低速回転領域において照射エネルギ密度
の低下による加工量の低下分を加工長の増加によ
り補なうことができ、低速回転領域における加工
能率の低下をある程度阻止できる。また、高速回
転領域において高速回転に伴なう加工長の増加を
阻止して加工部位を制限することができ、この結
果高速回転により不平衡部位の検出感度が向上す
ることと相まつて加工精度の向上をはかり得、結
果的にバランスの調整精度を向上させることがで
きる。さらに本実施例によれば、不平衡部位の大
きさに応じて回転体の回転速度を定め、この回転
速度を加工の進行に伴なつて段階的に自動可変し
て加工を行なつているので、回転体１の加工動作
を一貫して行なうことができ、この結果極めて能
率良くバランス調整を行ない得る。また、システ
ムとしての実用性が高い。また、この場合回転体
１の回転速度とパルスレーザビーム２４のパルス
幅との関係を適当に定めると、回転体１に形成さ
れる加工溝の長さが均一化され、美観等の面で商
品価値を定めることができる。
速回転領域ではパルスレーザビーム２４の照射エ
ネルギ密度を低くし、高速回転領域において同照
射エネルギ密度を高くしたことによつて、低速回
転領域において従来のように回転体１を深く加工
し過ぎたり、孔が穿たれるといつた加工過多を確
実に防止し得、安定で品質の良いバランス調整を
行なうことができる。また、高速回転領域におい
て１パルス毎の加工量を増加させることができる
ので、加工能率の向上をはかり得る。また本実施
例によれば、回転体１の低速回転領域においてパ
ルスレーザビーム２４のパルス幅を長くし、高速
回転領域において同パルス幅を短かくしたことに
よつて、低速回転領域において照射エネルギ密度
の低下による加工量の低下分を加工長の増加によ
り補なうことができ、低速回転領域における加工
能率の低下をある程度阻止できる。また、高速回
転領域において高速回転に伴なう加工長の増加を
阻止して加工部位を制限することができ、この結
果高速回転により不平衡部位の検出感度が向上す
ることと相まつて加工精度の向上をはかり得、結
果的にバランスの調整精度を向上させることがで
きる。さらに本実施例によれば、不平衡部位の大
きさに応じて回転体の回転速度を定め、この回転
速度を加工の進行に伴なつて段階的に自動可変し
て加工を行なつているので、回転体１の加工動作
を一貫して行なうことができ、この結果極めて能
率良くバランス調整を行ない得る。また、システ
ムとしての実用性が高い。また、この場合回転体
１の回転速度とパルスレーザビーム２４のパルス
幅との関係を適当に定めると、回転体１に形成さ
れる加工溝の長さが均一化され、美観等の面で商
品価値を定めることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。例えば、パルスレーザビーム２４の照射
エネルギ密度を制御する手段は、フラツシユラン
プ２２の発光波形を制御する以外に、集光レンズ
２５の焦点距離を移動させることによりパルスレ
ーザビーム２４の照射スポツト径を可変して行な
つてもよい。また、前記実施例では回転体１の回
転速度を不平衡部位の減少に従つて段階的に可変
するようにしたが、これを連続的に行なつてもよ
い。その他、パルスレーザビーム２４の照射エネ
ルギ密度の可変手段や不平衡部位の検出手段等に
ついても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できる。
はない。例えば、パルスレーザビーム２４の照射
エネルギ密度を制御する手段は、フラツシユラン
プ２２の発光波形を制御する以外に、集光レンズ
２５の焦点距離を移動させることによりパルスレ
ーザビーム２４の照射スポツト径を可変して行な
つてもよい。また、前記実施例では回転体１の回
転速度を不平衡部位の減少に従つて段階的に可変
するようにしたが、これを連続的に行なつてもよ
い。その他、パルスレーザビーム２４の照射エネ
ルギ密度の可変手段や不平衡部位の検出手段等に
ついても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できる。
第１図は本発明の一実施例におけるレーザ加工
方法を適用したレーザ加工装置の概略構成図、第
２図は同装置の要部構成図、第３図ａ，ｂおよび
第４図ａ，ｂは上記実施例の作用説明に用いるた
めの図で、第３図ａ，ｂは波形図、第４図ａ，ｂ
は加工状態を示す模式図である。 １……回転体、２……レーザ発振器、３……加
工制御回路、２１……レーザ電源、２２……フラ
ツシユランプ、２３……YAGレーザロツド、２
５……集光レンズ。
方法を適用したレーザ加工装置の概略構成図、第
２図は同装置の要部構成図、第３図ａ，ｂおよび
第４図ａ，ｂは上記実施例の作用説明に用いるた
めの図で、第３図ａ，ｂは波形図、第４図ａ，ｂ
は加工状態を示す模式図である。 １……回転体、２……レーザ発振器、３……加
工制御回路、２１……レーザ電源、２２……フラ
ツシユランプ、２３……YAGレーザロツド、２
５……集光レンズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 回転体の不平衡部位にパルスレーザビームを
照射して除去加工を行ない、上記回転体のダイナ
ミツクバランスを調整するレーザ加工方法におい
て、前記回転体の回転速度が遅いときには前記パ
ルスレーザビームの照射エネルギ密度を低くし、
かつ回転体の回転速度が速いときにはパルスレー
ザビームの照射エネルギ密度を高くするように制
御したことを特徴とするレーザ加工方法。 ２ パルスレーザビームの照射エネルギ密度は、
回転体をその回転速度を低速度から高速度に次第
に変化させることにより一貫して加工する場合
に、回転体の回転速度が低速度から高速度になる
に従つて連続的あるいは段階的に可変制御される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ーザ加工方法。 ３ 回転体の不平衡部位にパルスレーザビームを
照射して除去加工を行ない、上記回転体のダイナ
ミツクバランスを調整するレーザ加工方法におい
て、前記回転体の回転速度が遅いときには前記パ
ルスレーザビームのエネルギ密度を低くするとと
もにパルス幅を長くし、かつ回転体の回転速度が
速いときにはパルスレーザビームの照射エネルギ
密度を高くするとともにパルス幅を短かくするよ
うに制御したことを特徴とするレーザ加工方法。 ４ パルスレーザビームの照射エネルギ密度およ
びパルス幅は、回転体をその回転速度を低速度か
ら高速度に次第に変化させることにより一貫して
加工する場合に、回転体の回転速度が低速度から
高速度になるに従つて連続的あるいは段階的に可
変制御されることを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9471080A JPS5719637A (en) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9471080A JPS5719637A (en) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Laser processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5719637A JPS5719637A (en) | 1982-02-01 |
| JPS6250231B2 true JPS6250231B2 (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=14117706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9471080A Granted JPS5719637A (en) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Laser processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5719637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106052960A (zh) * | 2015-04-14 | 2016-10-26 | 丰田自动车株式会社 | 旋转体平衡校正设备和旋转体平衡校正方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5008195B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-08-22 | 大和製罐株式会社 | 破断開口容易な容器の製造方法 |
| DE102013204151B4 (de) * | 2013-03-11 | 2016-12-15 | Continental Automotive Gmbh | Steuervorrichtung zum Betreiben einer Werkzeugmaschine und Werkzeugmaschine |
| EP3139044B1 (de) * | 2015-09-04 | 2020-04-22 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Verfahren zum wuchten eines rotors einer vakuumpumpe oder eines rotors einer rotationseinheit für eine vakuumpumpe |
-
1980
- 1980-07-11 JP JP9471080A patent/JPS5719637A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106052960A (zh) * | 2015-04-14 | 2016-10-26 | 丰田自动车株式会社 | 旋转体平衡校正设备和旋转体平衡校正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5719637A (en) | 1982-02-01 |
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