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JPS6258147B2 - - Google Patents
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JPS6258147B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6258147B2
JPS6258147B2 JP60290563A JP29056385A JPS6258147B2 JP S6258147 B2 JPS6258147 B2 JP S6258147B2 JP 60290563 A JP60290563 A JP 60290563A JP 29056385 A JP29056385 A JP 29056385A JP S6258147 B2 JPS6258147 B2 JP S6258147B2
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JP
Japan
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wafer
wafers
transfer
heat treatment
unloading
Prior art date
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Expired
Application number
JP60290563A
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Japanese (ja)
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JPS61166038A (en
Inventor
Hiroto Nagatomo
Tetsuya Takagaki
Hisao Seki
Shiro Terasaki
Jun Suzuki
Hitoshi Horimuki
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6258147B2 publication Critical patent/JPS6258147B2/ja
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    • HELECTRICITY
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    • H10P72/7602Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade or gripped by a gripper for conveyance

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ウエハ処理における新規な装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a novel apparatus in wafer processing.

現在の半導体工業では、半導体ウエハに種々の
ウエハ処理を行なつて、一枚のウエハから数多く
の半導体素子チツプを製作し、これをパツケージ
ングして半導体装置を得るということが行なわれ
ている。この種のウエハ処理における熱拡散など
の熱処理工程では、ウエハ表面に不純物をデイポ
ジシヨンしたり、拡散、酸化を行なう炉作業と、
その炉作業の前にウエハをエツチング、洗浄、乾
燥等の表面処理作業とがあるが、これらの作業は
最近自動化されつつある。しかしながら、従来、
この種の処理装置では、表面処理をする作業は数
千枚のウエハをカートリツジに入れて同時に処理
するバツチ処理のために、洗浄、乾燥における品
質のばらつきが生じている。
In the current semiconductor industry, semiconductor wafers are subjected to various wafer processes to produce a large number of semiconductor element chips from a single wafer, and these chips are packaged to obtain semiconductor devices. Heat treatment steps such as thermal diffusion in this type of wafer processing involve furnace operations that deposit, diffuse, and oxidize impurities on the wafer surface.
Before the furnace operation, the wafer is subjected to surface treatment operations such as etching, cleaning, and drying, but these operations have recently been automated. However, conventionally,
In this type of processing apparatus, surface treatment is performed in batches in which thousands of wafers are placed in a cartridge and processed simultaneously, resulting in variations in quality in cleaning and drying.

また、この種の処理装置では、各種の態様のカ
ートリツジたとえば保管用カートリツジ、洗浄用
カートリツジ(洗浄治具)、拡散用カートリツジ
(熱処理治具)をハンドリングするために装置全
体が大型のものであることと、これに搬送路等を
含め洗浄乾燥処理室を洗浄化するクリーンエア
(清浄な空気)を大量に消費する難点がある。
In addition, in this type of processing equipment, the entire equipment must be large-sized in order to handle various types of cartridges, such as storage cartridges, cleaning cartridges (cleaning jigs), and diffusion cartridges (heat treatment jigs). Another drawback is that a large amount of clean air is consumed for cleaning the cleaning and drying processing chamber, including the conveyance path and the like.

一方、これらの装置では、ウエハの方向合せ作
業は装置外で行なつているため、ウエハの方向合
せのハンドリング作業性が悪い。
On the other hand, in these apparatuses, the wafer orientation is performed outside the apparatus, and therefore the handling efficiency of wafer orientation is poor.

それゆえ、本発明の目的はウエハ処理での品質
の安定化及び歩留の向上を図ることにある。
Therefore, an object of the present invention is to stabilize quality and improve yield in wafer processing.

また、本発明の他の目的はウエハの方向合せも
含めた自動処理方法及びその装置を提供すること
により、作業の能率化、作業人員の削減化を図
り、処理コストを低減することにある。
Another object of the present invention is to provide an automatic processing method including wafer orientation and an apparatus therefor, thereby improving work efficiency, reducing the number of workers, and reducing processing costs.

また、本発明の他の目的は装置全体を小型化
し、クリーンエアの使用量の軽減、装置の据付ス
ペースの縮小化を図ることにある。
Another object of the present invention is to downsize the entire device, reduce the amount of clean air used, and reduce the installation space of the device.

このような目的に適うための本発明の一実施例
によれば、カートリツジ単位でウエハ(被処理
体)をローデイングし、表面処理は一枚ずつ行な
い、熱処理はバツチ処理にて行なつてカートリツ
ジ単位で処理済みのウエハを収納するウエハ処理
装置であり、以下実施例により本発明を具体的に
説明する。
According to an embodiment of the present invention to meet such purposes, wafers (objects to be processed) are loaded in cartridge units, surface treatment is performed one by one, and heat treatment is performed in batches, so that wafers (objects to be processed) are loaded in cartridge units. This is a wafer processing apparatus that stores processed wafers, and the present invention will be specifically explained below with reference to Examples.

第1図に概略平面図、第2図に斜視図で示す本
発明の一実施例であるウエハ一貫処理装置は、大
別して左から右に向かつて並ぶローダ・アンロー
ダ部1、洗浄部2、乾燥部3、ウエハ搬出入部
4、スカベンジヤ5及び炉6並びにガス供給部7
を有する拡散炉部8、制御装置9を主要部とする
ものである。また、制御部(制御系)は前記制御
装置9、ローダ・アンローダ部1の側部の制御機
器部10からなつている。
A wafer integrated processing apparatus, which is an embodiment of the present invention, shown in FIG. 1 as a schematic plan view and FIG. 2 as a perspective view, is roughly divided into a loader/unloader section 1, a cleaning section 2, a drying section section 3, wafer loading/unloading section 4, scavenger 5, furnace 6, and gas supply section 7
The main parts are a diffusion furnace section 8 and a control device 9. Further, the control section (control system) consists of the control device 9 and a control equipment section 10 on the side of the loader/unloader section 1.

つぎに各部について説明する。 Next, each part will be explained.

<ローダ・アンローダ部1> ローダ・アンローダ部は、第2図,第4図およ
び第5図に示すように、保管用カートリツジ11
を収容するストツカ12,ウエハ13を最初の搬
送路に一枚ずつ送り出すローダ機構14、一連の
処理群の最後の搬送路から一枚ずつウエハ13を
回収するアンローダ機構15、前記ストツカ12
とローダ機構14およびアンローダ機構15との
間を動き回りカートリツジ11内のウエハ13の
受け渡しを行なう受渡機構16とを有する。前記
ストツカ12は縦横に複数整列配設され、装置の
外からカートリツジ11を出し入れできる収容部
17を有する。また、収容部17の内側には、前
記受渡機構16がある。これは、ストツカ12内
の指定のカートリツジ11を取り出した後、反転
テーブル18に運んだり、反転テーブル18から
収容部17にカートリツジ11を移す搬送機構1
9と、ローダ機構14およびアンローダ機構15
間を移動する反転テーブル18と、反転テーブル
18上のカートリツジ11のウエハ13をローダ
機構14の収容箱20に送り込む移換プツシヤ2
1と、アンローダ機構15の収容箱22のウエハ
13を反転テーブル18上の空カートリツジ11
に送り込む移換プツシヤ23とを有する。前記搬
送機構19はカートリツジ11の両側上縁部に設
けられる突条部24の下面に臨むフオーク25を
有している。このフオーク25は移動板26にロ
ーラ27を介して取り付けられ収容部17に出入
する方向に移動しうる{たとえばこの装置の長手
方向をX方向とする。以下各機構においてもこの
方向に沿う移動はX移動と呼ぶことにする。これ
に対して装置の幅員方向をY方向、上下方向をZ
方向と呼ぶことにする。また、X方向にあつては
ローダ・アンローダ部1から拡散炉装置部8に向
かう方向を、Y方向にあつては装置の背面から前
方に向かう方向を、Z方向にあつては上昇方向を
それぞれ+(プラス)方向とし、その逆を−(マイ
ナス)方向とする。}。
<Loader/unloader section 1> As shown in FIGS. 2, 4, and 5, the loader/unloader section includes a storage cartridge 11.
a loader mechanism 14 that sends out wafers 13 one by one to the first transport path, an unloader mechanism 15 that collects wafers 13 one by one from the last transport path of a series of processing groups, and the stocker 12.
and a transfer mechanism 16 that moves between the loader mechanism 14 and the unloader mechanism 15 to transfer the wafers 13 in the cartridge 11. A plurality of the stockers 12 are arranged in rows and columns, and each has a storage section 17 into which the cartridges 11 can be taken in and out from the outside of the device. Further, inside the storage section 17, the delivery mechanism 16 is provided. This is a transport mechanism 1 that takes out a designated cartridge 11 from the stocker 12 and then transports it to the reversing table 18 or transfers the cartridge 11 from the reversing table 18 to the storage section 17.
9, a loader mechanism 14 and an unloader mechanism 15
an inversion table 18 that moves between the two, and a transfer pusher 2 that feeds the wafers 13 in the cartridge 11 on the inversion table 18 into the storage box 20 of the loader mechanism 14.
1 and the wafers 13 in the storage box 22 of the unloader mechanism 15 are transferred to the empty cartridge 11 on the inversion table 18.
It has a transfer pusher 23 that feeds the feeder. The transport mechanism 19 has forks 25 that face the lower surface of protrusions 24 provided on both upper edges of the cartridge 11. This fork 25 is attached to a movable plate 26 via a roller 27 and can move in the direction of entering and exiting the storage portion 17 (for example, the longitudinal direction of this device is assumed to be the X direction). Hereinafter, in each mechanism, movement along this direction will be referred to as X movement. In contrast, the width direction of the device is the Y direction, and the vertical direction is the Z direction.
Let's call it direction. Also, in the X direction, the direction from the loader/unloader section 1 to the diffusion furnace device section 8, in the Y direction, the direction from the back of the device to the front, and in the Z direction, the upward direction. The + (plus) direction is defined as the + (plus) direction, and the opposite is defined as the - (minus) direction. }.

また、移動板26はY方向に延びる細長のY方
向ガイド28にローラ29を介してY移動する台
座30に180度正逆回転可能に取り付けられ、回
転機構31によつて回転制御される。前記Y方向
ガイド28はその両端をZ方向に延びるZ方向ガ
イド32にZ移動可能に支持されている。したが
つて、移動板26はY,Z方向に自由に移動しう
るから指定の収容部17にフオーク25を臨ま
せ、フオーク25を−X方向に前進させることに
よつて収容部17のカートリツジ11を抜き出
す。その後180度移動板26を回転させてフオー
ク25の向きを変えるとともにY,Z方向に動作
して反転テーブル18にフオーク25を臨ませ、
フオーク25を+X方向に前進させて反転テーブ
ル18上にカートリツジ11を載置する。なお、
反転テーブル18上からストツカ12にカートリ
ツジ11を移動する際には前記手順の逆を行な
う。
Further, the movable plate 26 is attached to a pedestal 30 that moves in the Y direction via rollers 29 to an elongated Y-direction guide 28 extending in the Y direction so as to be rotatable in forward and reverse directions by 180 degrees, and is rotationally controlled by a rotation mechanism 31 . The Y direction guide 28 is supported at both ends by Z direction guides 32 extending in the Z direction so as to be movable in the Z direction. Therefore, since the movable plate 26 can freely move in the Y and Z directions, the cartridge 11 in the storage section 17 can be moved by allowing the fork 25 to face the designated storage section 17 and moving the fork 25 forward in the -X direction. Extract. After that, the moving plate 26 is rotated 180 degrees to change the direction of the fork 25 and moved in the Y and Z directions to make the fork 25 face the reversing table 18.
The cartridge 11 is placed on the reversing table 18 by moving the fork 25 forward in the +X direction. In addition,
When moving the cartridge 11 from the reversing table 18 to the stocker 12, the above procedure is reversed.

前記反転テーブル18はY方向に延びる2本の
ガイド棒33にローラ34を介してY移動する基
板35と、この基板35上に配設されXZ面に沿
つて反転機構36により90度正逆反転する受台3
7とからなつている。受台37は直交する2板の
受板38,39からなり、90度の正転逆転によつ
て交互にカートリツジ11を支える。また、一方
の受板38には窓40が設けられ、この窓40に
は前記移換プツシヤ21の受板41が通過するよ
うになつている。また、ローダ機構14の−X方
向側には移換プツシヤ21が、アンローダ機構1
5の−X方向側には移換プツシヤ23がそれぞれ
配設してある。収容箱20,22はそれぞれ上下
動し、カートリツジ11の収容溝配列と同じで、
ウエハ13の両縁を1対のV字形収容溝で支える
ものである。また、たとえばカートリツジ11が
25枚のウエハを収容する場合は、これに照合し25
対の収容溝をもつ収容箱20,22を用いる。ま
た、収容箱20,22の収容溝をX方向に延ば
し、ウエハ13を収容箱20,22内を通り抜け
るようにしている。さらに、ローダ機構14に
は、1枚送出プツシヤ42を配し、収容箱20内
のウエハ13を収容箱20の1ピツチずつの上昇
毎に一枚ずつ搬送路43上に送り出しうる。ま
た、搬出路44からはウエハ13が一枚ずつアン
ローダ機構15に送り込まれ、収容箱22の1ピ
ツチずつの上昇あるいは下降毎に一枚のウエハ1
3を収容箱22に収容するようになつている。
The reversing table 18 includes two guide rods 33 extending in the Y direction, a substrate 35 that moves in the Y direction via rollers 34, and a substrate 35 that is disposed on the substrate 35 and is reversely reversed by 90 degrees along the XZ plane by a reversing mechanism 36. cradle 3
It consists of 7. The pedestal 37 consists of two orthogonal receiving plates 38 and 39, which alternately support the cartridges 11 by rotating them forward and backward through 90 degrees. Further, one of the receiving plates 38 is provided with a window 40, through which the receiving plate 41 of the transfer pusher 21 passes. Further, on the -X direction side of the loader mechanism 14, a transfer pusher 21 is provided on the unloader mechanism 1.
Transfer pushers 23 are provided on the -X direction side of 5, respectively. The storage boxes 20 and 22 each move up and down, and have the same arrangement of storage grooves as the cartridge 11.
Both edges of the wafer 13 are supported by a pair of V-shaped receiving grooves. Also, for example, if the cartridge 11
If accommodating 25 wafers, check the 25
Storage boxes 20 and 22 having a pair of storage grooves are used. Further, the storage grooves of the storage boxes 20 and 22 are extended in the X direction, so that the wafer 13 passes through the storage boxes 20 and 22. Further, the loader mechanism 14 is provided with a single-wafer delivery pusher 42, which allows the wafers 13 in the storage box 20 to be delivered one by one onto the transport path 43 each time the storage box 20 is raised one pitch at a time. Further, the wafers 13 are fed into the unloader mechanism 15 one by one from the unloading path 44, and one wafer 1 is transferred each time the storage box 22 is raised or lowered one pitch at a time.
3 is stored in the storage box 22.

したがつて、搬送機構19によつて反転テーブ
ル18の受台37上にカートリツジ11が送り込
まれると、受台37は90度反転してカートリツジ
11を立て(この際カートリツジのウエハ収容溝
は水平状態となる)、カートリツジ11のウエハ
挿脱口をローダ・アンローダ機構14,15側に
向ける。その後、カートリツジ11にウエハ13
を収容してある場合には反転テーブル18はロー
ダ機構14に近接し、移換プツシヤ21の+X移
動による一時的な前進によつてカートリツジ11
内のウエハ13を収容箱20に移し換え、カート
リツジ11がウエハを収容しない空状態では反転
テーブル18はアンローダ機構15に接近し、移
換プツシヤ23の−X移動による一時的な前進に
よつて収容箱22内のウエハ13をカートリツジ
11内に移す。なお、これら収容箱20,22と
カートリツジ11との間のウエハの移換は収容箱
20,22をカートリツジ11の高さと一致させ
た後に行なう。
Therefore, when the cartridge 11 is fed onto the pedestal 37 of the reversing table 18 by the transport mechanism 19, the pedestal 37 is inverted 90 degrees to stand up the cartridge 11 (at this time, the wafer storage groove of the cartridge is in a horizontal state). ), the wafer insertion/ejection opening of the cartridge 11 is directed toward the loader/unloader mechanisms 14 and 15. After that, the wafer 13 is placed in the cartridge 11.
, the reversing table 18 is brought close to the loader mechanism 14 and the transfer pusher 21 is moved temporarily forward by +X movement, so that the cartridge 11 is
The wafers 13 in the storage box 20 are transferred to the storage box 20, and when the cartridge 11 is empty and does not store any wafers, the reversing table 18 approaches the unloader mechanism 15 and is temporarily moved forward by the -X movement of the transfer pusher 23 to store the wafers. The wafer 13 in the box 22 is transferred into the cartridge 11. The wafers are transferred between the storage boxes 20, 22 and the cartridge 11 after the storage boxes 20, 22 are made to match the height of the cartridge 11.

<洗浄部 2> 洗浄部2にはローダ機構14から延びる搬送路
43と、アンローダ機構15に達する搬出路44
とが設けられ、これら両者は洗浄部2の端から端
まで延びている。また、前記搬出路44はウエハ
搬出入部4にまで達するとともに乾燥部3では二
又に別れて乾燥装置の搬出口に繋がつており、第
6図aで示すように、ウエハ13を案内し、噴射
孔46をもつ溝45と、ウエハ13を移送する移
送アーム47を有する。また、移送アーム47に
は下方に2本の移送ピン48が延びウエハ13の
後縁を押すようになつている。溝底部には噴射孔
46に連通している導孔49があり、圧縮空気等
の気体が送り込まれ、ウエハが溝底から浮いて移
送しうるようになつている。したがつて、ウエハ
は溝と非接触でかつ溝の中心部で移送されるた
め、摩耗によるごみの発生もなく、ウエハへのご
みの付着も起きず、ウエハ加工処理の歩留が向上
する。
<Cleaning section 2> The cleaning section 2 includes a conveyance path 43 extending from the loader mechanism 14 and a discharge path 44 reaching the unloader mechanism 15.
are provided, and both extend from one end of the cleaning section 2 to the other. Further, the unloading path 44 reaches the wafer loading/unloading section 4, and in the drying section 3, it splits into two and is connected to the unloading port of the drying apparatus, and as shown in FIG. 6a, the wafer 13 is guided and the jet It has a groove 45 with a hole 46 and a transfer arm 47 for transferring the wafer 13. Further, two transfer pins 48 extend downward from the transfer arm 47 so as to push the rear edge of the wafer 13. At the bottom of the groove, there is a guide hole 49 that communicates with the injection hole 46, through which gas such as compressed air is fed, so that the wafer can be transferred while floating from the bottom of the groove. Therefore, since the wafer is transferred without contacting the groove and at the center of the groove, no dust is generated due to wear and no dust is attached to the wafer, improving the yield of wafer processing.

また、この搬送によれば、大口径のウエハでも
単位面積当りの気体の噴射による浮力は変わらな
いので、浮いた状態で確実に搬送できる。
Furthermore, according to this transport, even large diameter wafers have the same buoyancy due to the gas injection per unit area, so they can be reliably transported in a floating state.

なお、第7図および第8図は他の態様の搬送路
を示し、第7図に示すものは溝45の溝底にウエ
ハの搬送方向とは逆の方向に気体が流れるような
傾斜した予備噴射孔50群(第9図に示すように一
列でもよい。)を設けたもので、これから噴き出
る気体でウエハ13を常に移送ピン48に押し付
け、ウエハの搬送を安定化するとともに、移送ピ
ン48とウエハ13との繰り返し当接を防ぎウエ
ハの破損を防止するものである。また、第8図に
示すものは、移送ピン48の移動域に沿つて溝4
5に細い溝51を形成し、これに移送ピン48の
下端を入れ、ウエハ13が移送ピン48と溝底と
の間に挾まらないようにしたもので、溝底に対す
る移送ピン48の下端との間隙を調整する作業も
不要となる。
Note that FIGS. 7 and 8 show other embodiments of the transport path, and the one shown in FIG. A group of 50 injection holes (a line may be used as shown in FIG. 9) is provided, and the gas ejected from these holes constantly presses the wafer 13 against the transfer pin 48, stabilizing the transfer of the wafer, and This prevents repeated contact between the wafer 13 and the wafer 13, thereby preventing damage to the wafer. In addition, the one shown in FIG. 8 has grooves 4 along the movement range of the transfer pin 48.
A thin groove 51 is formed in the groove 5, and the lower end of the transfer pin 48 is inserted into this groove so that the wafer 13 is not caught between the transfer pin 48 and the groove bottom. There is no need to adjust the gap between the two.

一方、搬送路43の側方には3つの薬液処理槽
A,B,Cが設けられ、ウエハ13が搬出入され
る。この搬出入部の搬送路は不連続構造となつ
て、その途中の予備槽52を介してウエハの受け
渡しを行なう。
On the other hand, three chemical processing tanks A, B, and C are provided on the side of the transport path 43, into which the wafers 13 are carried in and out. The transport path of this carry-in/out section has a discontinuous structure, and wafers are transferred via a preliminary tank 52 along the way.

第9図は、一つの薬液処理槽53とそれに隣接
する搬送路43及びその間のウエハ一枚搬送部を
示す斜視図である。同図において、54は処理槽
本体、55はウエハホルダ、56はウエハ回転駆
動用モータ、57はかくはん板、58はかくはん
板駆動用モータである。槽本体54の一側に予備
槽52が連設され、搬入プツシヤ59により予備
槽内のウエハを処理槽内のウエハホルダに送入
し、あるいは処理槽内から予備槽へ表面処理され
たウエハを取り出すようになつている。
FIG. 9 is a perspective view showing one chemical processing tank 53, the transport path 43 adjacent thereto, and a single wafer transport section therebetween. In the figure, 54 is a processing tank main body, 55 is a wafer holder, 56 is a wafer rotation drive motor, 57 is a stirring plate, and 58 is a stirring plate drive motor. A reserve tank 52 is connected to one side of the tank body 54, and a carry-in pusher 59 transfers wafers in the reserve tank to a wafer holder in the processing tank, or takes out surface-treated wafers from the processing tank to the reserve tank. It's becoming like that.

61は1枚処理水洗槽(搬送路43)上のウエ
ハを予備槽へ送る水洗路用ウエハプツシヤ、62
は1枚処理水洗槽上でウエハを搬送路にそつて送
るウエハ搬送器、軸A,B,Cは上記プツシヤ5
9,61ウエハ搬送器等を動作させるための駆動
軸である。槽53は円形又は円環(ドーナツ)形
の浅底容器を槽本体とし、エツチング液を所定液
位にみたし、円形状のウエハを円環の円周方向に
そつてならべた状態で移動させ、一まわりする中
に槽内に入れたエツチング液で処理するようにな
つている。また、槽底部に液を所要温度に保持す
るためのヒーターを内蔵させてある。この槽の一
側に連設し同じ底面位を有するほぼ四角形の予備
槽52は処理槽との境界部を低く形成すること
で、処理槽内の液が予備槽内に流通し、2つの槽
の液位とが同一に保てるようにしてある。この予
備槽は、外部から供給されたウエハを一たん予備
槽内に仮り置きし、この予備槽から処理槽へウエ
ハを送り込むとともに処理槽で処理されたウエハ
をこの予備槽を介して外部へ送出するようになつ
ている。ウエハ保持プレートは、2枚の扇形プレ
ートを重ねたものからなり、処理槽の円環状底面
にそつてウエハを12〜15個ならべ所定間隔に保持
した状態で、槽と同心の円環プレート上に一体的
に固定され、円環の中心部より延びる数本の回転
アームによつて全体が回転移動するようにしたも
のである。ウエハは隣り合う上記2組の扇形プレ
ートの間に側面方向から挿入され、ウエハの対向
する縁部が両側の扇形プレートの上下のプレート
によつて挾持される状態になり、回転アームを介
してのウエハ保持プレートの回転移動により、ウ
エハ1枚の移動を1ピツチとする間欠移動が行わ
れる。液かくはんプレートは、スリツトを有する
2枚の円環形(ドーナツ形)又は複数の扇状のプ
レートで前記扇状プレートを上下からはさむよう
にして回転アームにより保持されるとともに固定
台部上の駆動モータにより連結ギア等を介して円
環の円周方向にそつて回転する。ウエハ送りプレ
ートと液かくはんプレートとの回転数比を例えば
1対5にセツトできるようにしてある。ウエハ送
り込みプツシヤは予備槽外部に設置され、ウエハ
を矢印方向に押し処理槽との境界部を通して処理
槽内に送りこみ、扇形プレートの間で挾持させる
ようにする。ウエハ取出しプツシヤは処理槽の固
定台部下部に設置され、前記と逆の手順で円環形
処理槽内のウエハを予備槽内へ取出す。予備槽の
一側又は両側には同じ液面位を有する1枚処理水
洗槽(搬送路43)が連設されている。液供給部
は、エツチ洗浄液をプールしたタンクに圧縮空気
を送りこむことによつて液を供給し、液排出部は
同じく下方に示すようなノズルから圧縮空気を噴
出することで液を強制排出する。
61 is a wafer pusher for the washing path that sends the wafer on the single-processing washing tank (transport path 43) to the preliminary tank; 62
is a wafer transfer device that transports wafers along a transfer path on a single-wafer processing washing tank, and axes A, B, and C are the pushers 5 mentioned above.
This is a drive shaft for operating the 9, 61 wafer carrier, etc. The bath 53 has a circular or donut-shaped shallow container as its main body, and the etching liquid is filled to a predetermined level, and the circular wafers are moved in a lined manner in the circumferential direction of the ring. During one rotation, the etching solution is put into the tank and processed. Additionally, a heater is built into the bottom of the tank to maintain the liquid at the required temperature. A substantially rectangular preliminary tank 52 that is connected to one side of this tank and has the same bottom surface has a low boundary with the processing tank, so that the liquid in the processing tank can flow into the preliminary tank, and the two tanks can be connected to each other. The liquid level is maintained at the same level. This reserve tank temporarily stores wafers supplied from the outside in the reserve tank, sends the wafers from this reserve tank to the processing tank, and sends the wafers processed in the processing tank to the outside via this reserve tank. I'm starting to do that. The wafer holding plate is made up of two fan-shaped plates stacked on top of each other, and 12 to 15 wafers are lined up along the annular bottom of the processing tank and held at predetermined intervals, and placed on the annular plate concentric with the tank. It is fixed integrally and the entire ring can be rotated by several rotating arms extending from the center of the ring. The wafer is inserted from the side between the two sets of adjacent fan-shaped plates, and the opposing edges of the wafer are held between the upper and lower plates of the fan-shaped plates on both sides, and the wafer is inserted through the rotary arm. By rotationally moving the wafer holding plate, intermittent movement is performed in which movement of one wafer is defined as one pitch. The liquid stirring plate is composed of two annular (doughnut-shaped) plates having slits or a plurality of fan-shaped plates, which are held by a rotary arm such that the fan-shaped plates are sandwiched from above and below, and connected by a connecting gear by a drive motor on a fixed base. etc., along the circumferential direction of the ring. The rotational speed ratio of the wafer feeding plate and the liquid stirring plate can be set to, for example, 1:5. A wafer feed pusher is installed outside the preliminary tank, and pushes the wafer in the direction of the arrow into the processing tank through the boundary with the processing tank, so that the wafer is held between the fan-shaped plates. The wafer take-out pusher is installed at the lower part of the fixed base of the processing tank, and takes out the wafers in the annular processing tank into the preliminary tank by performing the reverse procedure to the above. On one side or both sides of the preliminary tank, a single-sheet processing rinsing tank (transport path 43) having the same liquid level is connected. The liquid supply section supplies the liquid by sending compressed air into a tank in which the etching cleaning liquid is pooled, and the liquid discharge section forcibly discharges the liquid by jetting compressed air from a nozzle as shown below.

上記処理槽によるウエハの処理動作は、(1)円環
状処理槽においてウエハ保持プレートは間欠回転
運動の停止の状態にあり、予備槽と隣接する方向
のウエハ保持プレート上にウエハがあればウエハ
取出しプツシヤを操作してウエハを予備槽へ送り
出し、(2)予備槽にウエハがない状態であれば送り
リンクを動作して送りリンク機構により予備槽へ
ウエハを送りこむ、(3)予備槽内において送りリン
ク機構のスイングアームに保持されたウエハはウ
エハ供給プツシヤにより円環状処理槽のウエハ保
持プレートへ送り込まれ、(4)ウエハ保持プレート
の間欠回転運動と液かくはんプレートの回転動作
がつづき、(5)ウエハ保持プレートの1/12〜1/15回
転ごとに上記(1)〜(5)の動作をくりかえし、(6)ウエ
ハが処理槽を1回転し終ると取り出しプツシヤが
動作し、ウエハ保持プレートからウエハを1枚ご
とに予備槽内へ送り出す。
The wafer processing operation in the processing tank described above is as follows: (1) In the annular processing tank, the wafer holding plate is in a state where intermittent rotational movement is stopped, and if there is a wafer on the wafer holding plate in the direction adjacent to the preliminary tank, the wafer is taken out. Operate the pusher to send the wafer to the reserve tank, (2) if there is no wafer in the reserve tank, operate the feed link and send the wafer to the reserve tank by the feed link mechanism, (3) feed the wafer in the reserve tank. The wafer held by the swing arm of the link mechanism is sent to the wafer holding plate of the annular processing tank by the wafer supply pusher, (4) the intermittent rotational movement of the wafer holding plate and the rotational movement of the liquid stirring plate continue, (5) Repeat the above operations (1) to (5) every 1/12 to 1/15 rotation of the wafer holding plate, and (6) when the wafer completes one rotation in the processing tank, the eject pusher operates and the wafer is removed from the wafer holding plate. The wafers are sent one by one into the preliminary tank.

ウエハを1枚ずつ送る搬送路43は、細長でか
つ底浅の流路を有し、この一端の下部に設けた供
給口から洗浄液(純水)を流路内に連続して送り
込むとともに、流路の他端の下部に設けた排水口
から順次流路を流れて来た洗浄液を排水してな
る。
The transport path 43 for transporting wafers one by one has an elongated channel with a shallow bottom, and a cleaning liquid (pure water) is continuously fed into the channel from a supply port provided at the bottom of one end of the channel. The cleaning liquid that has sequentially flowed through the channel is drained from a drain port provided at the bottom of the other end of the channel.

供給口から流路内に送り込まれる洗浄液の流れ
が層流となつて流れ、また、ある一定の深さの流
れとなつてウエハの上下面を流れるように、供給
口の近傍には堰が設けられている。
A weir is provided near the supply port so that the cleaning liquid sent into the channel from the supply port flows in a laminar flow and flows at a certain depth over the upper and lower surfaces of the wafer. It is being

このような搬送路(一枚処理水洗槽)にあつて
は、流路内に連続して純水を供給し、流路に沿つ
て流す。そして、流路の下流耐にウエハを1枚ず
つ供給した後、水洗路用ウエハプツシヤ(移送機
構)を上流側に移動(流れと逆方向)させて移送
片でウエハの後端を押し、ウエハをV字溝で案内
しながら水の流れに抗して移動させてウエハの洗
浄を行なう。この結果、ウエハの表裏面には常に
純水液が触れ、かつその流れは速いため、ウエハ
は流路内を移動する間に効果的に水洗される。
In the case of such a conveyance path (single-sheet processing rinsing tank), pure water is continuously supplied into the flow path and flows along the flow path. After feeding the wafers one by one to the downstream end of the flow channel, the wafer pusher (transfer mechanism) for the water washing channel is moved upstream (in the opposite direction to the flow), and the rear end of the wafer is pushed with the transfer piece to push the wafer. The wafer is cleaned by moving it against the flow of water while being guided by a V-shaped groove. As a result, the front and back surfaces of the wafer are always in contact with the pure water liquid, and the flow is fast, so that the wafer is effectively washed with water while moving in the channel.

搬送路43の終端と次の乾燥部3の搬入口の接
続部分においては、ウエハが流路の上流側端部に
設けられた枠状の昇降ステージ上に運ばれ、その
後昇降ステージの上昇により洗浄液中から抜けて
上方に運ばれる。
At the connection between the end of the transport path 43 and the entrance of the next drying section 3, the wafer is carried onto a frame-shaped lifting stage provided at the upstream end of the flow path, and then the cleaning liquid is lifted by raising the lifting stage. It escapes from inside and is carried upwards.

次に再び第1図に戻りウエハの連続洗浄処理動
作を説明する。
Next, referring back to FIG. 1 again, the continuous wafer cleaning processing operation will be explained.

1 1枚処理水洗槽43へ移送されたウエハを水
洗路用プツシヤで水洗路上で移動させるととも
に水洗路に逆方向に純水を流して純水洗浄を行
なう。
1. Single wafer processing The wafers transferred to the washing tank 43 are moved on the washing path by a washing path pusher, and purified water is flowed into the washing path in the opposite direction to perform deionized water washing.

2 純水洗浄を完了したウエハは搬送器により水
洗槽43から予備層52へ両槽間の堰を越えて
搬送する。
2. The wafer that has been cleaned with pure water is transported from the washing tank 43 to the preliminary layer 52 by a transporter across the weir between the two tanks.

3 予備槽内のウエハを搬入プツシヤにより処理
槽本体54の回転部へ送り込む。
3. The wafers in the preliminary tank are sent to the rotating part of the processing tank main body 54 by the carry-in pusher.

4 送りこまれたウエハはエツチ処理槽内の回転
するウエハホルダに線接触の状態でホールドさ
れ、処理槽内を回転し、一方かくはん板も回転
しウエハ面上の薬液を交換しながらウエハのエ
ツチングがなされる。
4 The loaded wafer is held in line contact with a rotating wafer holder in the etching tank and rotates in the processing tank.Meanwhile, the stirring plate also rotates and the wafer is etched while exchanging the chemical solution on the wafer surface. Ru.

5 エツチング完了後のウエハはウエハホルダよ
り搬出入プツシヤにより引出され、予備槽52
を経て次の1枚処理水洗槽43へ移送され、水
洗されながら乾燥器の方向へ搬送される。
5 After the etching is completed, the wafer is pulled out from the wafer holder by the loading/unloading pusher and transferred to the preliminary tank 52.
The sheet is then transferred to the next single-sheet processing washing tank 43, and transported toward the dryer while being washed with water.

この薬液処理装置によれば下記の効果を得るこ
とができる。(1)まずウエハ13は処理槽内にあつ
て1枚ずつ周縁部で保持され、表裏面に対して液
が十分に接触し、ウエハ近傍に他のウエハ等の障
害物がないためエツチングを有効に行なうことが
できる、(2)どのウエハも同一手段で保持されかつ
槽内の同じ通路を通ることから全てのウエハは常
に同一条件で処理される、(3)液かくはんプレート
(円板)で液を流動させるとともに液の交換をは
かることによりエツチングの濃度、温度の分布状
態が均一化され、そのためウエハは常に均一かつ
清浄なエツチングがなされエツチング液の不均一
に起因する処理不良率を低減する、(4)槽の深さは
ウエハの厚さ(例えばt=0.5mm)及びウエハ保
持プレート、液かくはんプレートの厚さに見合う
程度薄くすれば良く槽の実質的容積を小さくする
ことができるので液の消費量が少なくてすむ、(5)
上記(4)と同じ理由でウエハのみ(カートリツジを
使用しない)を搬送するだけで済むことから、搬
送機構が簡単になり複数の処理槽全体をコンパク
トに構成できる。このような処理槽によるウエハ
の個別エツチングの効果は従来の方式と比較し
て、例えばSiO2膜被膜Siウエハを10%沸酸でエツ
チングした場合のSiO2膜エツチ量のバラツキは
従来3σ=83Åであつたのに対し、この処理槽で
は3σ=56Åと減少した、(6)次に搬送路を兼ねる
1枚処理水洗槽についてはウエハは1枚ずつその
周縁部の一部をガイド溝に接触しながら流路内を
移動するため、ウエハの表裏面全域は水に接触し
ウエハの表裏面における洗浄液との間の摩擦力は
ウエハが液の流れに抗して移動するため大きくな
り、水洗が促進され、また、水は常に流れている
ことから、ウエハの表裏面には常に新鮮で清浄な
純水が連続して供給され、清浄度が優れた水洗が
常に行なわれる、(7)ウエハ1枚ずつ水洗処理され
るが、流路内を一定の距離だけ順次移動させられ
るだけで所望の清浄度に水洗され、したがつて、
ウエハ1枚当りの処理時間が短かくなる、(8)はウ
エハは流路内を1枚ずつ移動するため、流路は浅
くても充分効果的な水洗を行なうことができ、し
たがつて、従来のオーバーフロータイプに較べて
洗浄液の消費量が少なくなる。
According to this chemical treatment device, the following effects can be obtained. (1) First, the wafers 13 are placed in the processing tank and held one by one by the periphery, and the liquid is in sufficient contact with the front and back surfaces, and there are no obstacles such as other wafers near the wafers, making etching effective. (2) All wafers are held by the same means and pass through the same passage in the tank, so all wafers are always processed under the same conditions; (3) A liquid stirring plate (disk) By making the liquid flow and exchanging the liquid, the etching concentration and temperature distribution are made uniform, so that the wafer is always etched uniformly and cleanly, reducing the rate of processing defects caused by non-uniformity of the etching liquid. , (4) The depth of the tank can be made as thin as the thickness of the wafer (for example, t = 0.5 mm) and the thickness of the wafer holding plate and the liquid stirring plate, and the actual volume of the tank can be reduced. Less liquid consumption (5)
For the same reason as (4) above, it is only necessary to transport wafers (without using cartridges), which simplifies the transport mechanism and allows for a compact configuration of the entire plurality of processing tanks. Compared to the conventional method, the effect of individual etching of wafers using such a processing tank is as follows: For example, when a Si wafer coated with a SiO 2 film is etched with 10% hydrochloric acid, the variation in the amount of SiO 2 film etched is 3σ = 83 Å. In contrast, in this processing tank, the decrease was 3σ = 56 Å. (6)Next, in the single-wafer processing washing tank that also serves as a transport path, each wafer has a part of its periphery contacting the guide groove. As the wafer moves in the flow channel while moving, the entire front and back surfaces of the wafer come into contact with water, and the frictional force between the front and back surfaces of the wafer and the cleaning liquid increases as the wafer moves against the flow of the liquid. (7) Wafer 1 The sheets are washed with water one by one, and they are washed to the desired level of cleanliness by simply moving them a certain distance in the flow path.
The processing time per wafer is shortened. (8) Since the wafers are moved one by one in the flow channel, sufficiently effective water washing can be performed even if the flow channel is shallow. The amount of cleaning fluid consumed is reduced compared to the conventional overflow type.

<乾燥部3> 乾燥部3は第10図に示すように、モータ10
によつて回転駆動される回転テーブル111と、
その周囲に設けたリング状空隙を有する乾燥部カ
ツプ112を主体とする乾燥装置3Aからなり、
回転テーブルをはさむようにガイド95および同
一構造のガイド113を設け、回転テーブルの回
転中心に上方の供給管114から乾燥N2を導入
し、乾燥カツプから強制排出するようになつてい
る。水洗路から移送されたウエハすすぎ部搬送路
の終端に移り、上下動作する前記ステージにより
ガイドの高さに上げられてガイドを経て回転テー
ブル上に載置される。回転テーブル上のウエハは
ピン等の脱出防止手段が施された状態で、テーブ
ルを高速回転させると同時に乾燥N2を導入する
ことにより乾燥する。乾燥したウエハはテーブル
上から次のガイド113に移され、ウエハ振分け
テーブル116により次の工程のウエハ搬出入部
4又は戻りの搬出路44のいずれかに選択的に移
送される。
<Drying section 3> As shown in FIG. 10, the drying section 3 has a motor 10.
a rotary table 111 rotationally driven by;
Consisting of a drying device 3A mainly consisting of a drying section cup 112 having a ring-shaped gap provided around the drying section cup 112,
A guide 95 and a guide 113 of the same structure are provided to sandwich the rotary table, and dry N 2 is introduced from an upper supply pipe 114 to the center of rotation of the rotary table and is forcibly discharged from the drying cup. The wafer rinse section transferred from the water washing path moves to the end of the transport path, is raised to the height of the guide by the stage that moves up and down, and is placed on the rotary table via the guide. The wafer on the rotary table is dried by rotating the table at high speed and simultaneously introducing dry N 2 with a pin or other escape prevention means applied. The dried wafer is transferred from the table to the next guide 113, and selectively transferred by the wafer sorting table 116 to either the wafer carry-in/out section 4 for the next process or the return carry-out path 44.

ここで前記回転テーブルについて説明する。回
転テーブルの上面にはウエハを収容する収容溝1
17が設けられるとともに、この収容溝の側壁に
はそれぞれV字溝が設けられ、この1対のV字溝
でウエハ13の両側縁を支持するようになつてい
る。
Here, the rotary table will be explained. A storage groove 1 for storing wafers is provided on the top surface of the rotary table.
17 are provided, and V-shaped grooves are provided in the side walls of the storage grooves, respectively, and both side edges of the wafer 13 are supported by the pair of V-shaped grooves.

また、前記回転テーブルの収容溝の一端部には
ストツパピン119が2本植設され、収容溝内に
搬入されたウエハはこれらストツパピンによつて
その移動を停止させられる。ストツパピンは回転
テーブルの一外縁に近い位置に配設されているた
め、ストツパピンによつて停止されたウエハの中
心(重心)は回転テーブルの回転中心から大きく
外れる。このため、この状態で回転テーブルが回
転しても、ウエハは遠心力がストツパピン方向に
動くため、ストツパピンによつて阻止され、回転
テーブルの収容溝からは飛び出さない。
Furthermore, two stopper pins 119 are implanted at one end of the accommodation groove of the rotary table, and the movement of the wafer carried into the accommodation groove is stopped by these stopper pins. Since the stopper pin is disposed close to one outer edge of the rotary table, the center (center of gravity) of the wafer stopped by the stopper pin is far away from the center of rotation of the rotary table. Therefore, even if the rotary table rotates in this state, the centrifugal force moves the wafer in the direction of the stopper pin, so the wafer is blocked by the stopper pin and does not fly out of the storage groove of the rotary table.

また、前記回転テーブルの下方にはシリンダ等
によつて昇降するカツプ120が配設されてい
る。このカツプはほぼドーナツ状の空間121を
形作つている。空間121を形作る下板122の
内周部は回転テーブルの軸受部123の外周に気
密的に嵌合しかつ上下に摺動可能となつている。
また、空間121を形作る上板124の内周部は
途中から上方に立ち上がつて突出し、このリング
状の突出部は回転テーブルの外周と供給用・搬出
用ガイド95,113との間の下方に常時は位置
するようになつている。そして、回転テーブルに
ウエハが供給されると、シリンダによつてカツプ
120が上昇し、カツプ120の上板124の突
出部は回転テーブルの上面よりも高い位置まで上
昇する。また、回転テーブルの上方には第12図
a,bに示すように円板状のカバー125が配設
されていて、上昇した上板124の突出部の上端
はこのカバー125の下面に密着する。この結
果、カバー125およびカツプ120によつて処
理室(乾燥室)が形成され、この処理室内に回転
テーブルが位置するようになる。
Further, a cup 120 that is raised and lowered by a cylinder or the like is disposed below the rotary table. This cup forms an approximately donut-shaped space 121. The inner periphery of the lower plate 122 forming the space 121 is hermetically fitted to the outer periphery of the bearing part 123 of the rotary table and is slidable up and down.
Further, the inner circumferential portion of the upper plate 124 that forms the space 121 rises upward from the middle and protrudes, and this ring-shaped protruding portion extends downward between the outer circumference of the rotary table and the supply/export guides 95, 113. It has come to be located at all times. Then, when the wafer is supplied to the rotary table, the cup 120 is raised by the cylinder, and the protruding portion of the upper plate 124 of the cup 120 is raised to a position higher than the upper surface of the rotary table. Further, a disk-shaped cover 125 is disposed above the rotary table as shown in FIGS. . As a result, a processing chamber (drying chamber) is formed by the cover 125 and the cup 120, and the rotary table is located within this processing chamber.

なお、処理室をできるだけ小さくするためにも
回転テーブルはできるだけ薄くなるようにするこ
とが望ましい。また、カバー125の中央には供
給管114が配設され、この供給管からは乾燥し
た清浄な気体(たとえば窒素N2)が処理室内に送
り込まれるようになり、乾燥促進機構を構成して
いる。また、カツプの下板122の外周部には図
示しない排気孔が設けられ、処理室内の空気や窒
素等を排出するようになつている。また、排気孔
は図示しない排出ポンプに接続され強制排出機構
を構成している。また、以上の各部材は架台12
6上に配設される。
Note that it is desirable to make the rotary table as thin as possible in order to make the processing chamber as small as possible. Further, a supply pipe 114 is arranged in the center of the cover 125, and a dry and clean gas (for example, nitrogen N 2 ) is sent into the processing chamber from this supply pipe, thereby forming a drying promotion mechanism. . Further, an exhaust hole (not shown) is provided on the outer periphery of the lower plate 122 of the cup to exhaust air, nitrogen, etc. from the processing chamber. Further, the exhaust hole is connected to a discharge pump (not shown) to constitute a forced discharge mechanism. In addition, each of the above members is attached to the frame 12.
6.

なお、ウエハが接触する部分は摩耗によつても
ごみが生じにくい石英ガラスやフツ素樹脂にす
る。
Note that the parts that the wafer comes into contact with are made of quartz glass or fluorine resin, which does not easily generate dust even when worn.

つぎに、ウエハの乾燥について説明する。洗浄
されたウエハは回転テーブル111の収容溝11
7内に送られる。この際、回転テーブルの収容溝
はガイド95の搬送路の延長上に沿つて延びると
ともに、ストツパピン119は搬出用のガイド1
13側に位置している。そこで、回転テーブルの
収容溝117内に送り込まれたウエハ13は収容
溝の奥深く入り、ストツパピン119に当接して
停止する。したがつて、この状態では、ウエハの
中心は回転テーブルの回転中心から大きく外れか
つその外方をストツパピン119で支えられるよ
うになる。
Next, drying of the wafer will be explained. The cleaned wafer is placed in the storage groove 11 of the rotary table 111.
Sent within 7. At this time, the accommodation groove of the rotary table extends along the extension of the conveyance path of the guide 95, and the stopper pin 119 is inserted into the guide 1 for unloading.
It is located on the 13th side. Then, the wafer 13 sent into the accommodation groove 117 of the rotary table enters deep into the accommodation groove, comes into contact with the stopper pin 119, and is stopped. Therefore, in this state, the center of the wafer is far away from the center of rotation of the rotary table, and the outside of the wafer can be supported by the stopper pins 119.

つぎに、カツプ120がシリンダ等によつて上
方に移動してカツプ120の上板124の突出端
をカバー125の下面に密着させ、カツプ120
とカバー125とで処理室を形作り、この処理室
内にウエハ13を載置した回転テーブルを位置さ
せる。その後、カバー125の供給管114から
は清浄でかつ乾燥した窒素ガスが吹き出され、こ
の窒素ガスは回転テーブル上に当たる。また、カ
ツプ120に設けられた排気孔からは強制的に排
気がなされる。この状態にあつて、回転テーブル
は高速で回転(たとえば3000rpm)し、ウエハの
表面に付着する水分は遠心力によつて飛び散る。
ウエハは収容溝117のV字溝118およびスト
ツパピン119によつて点あるいは線接触状態で
接触支持されるだけであることから、ウエハ表面
の水滴は効率よく飛び散る。また、ウエハの表面
には窒素ガスが吹き付けられるため、ウエハの表
面の水滴は蒸発し易くなり、乾燥がさらに促進さ
れる。一定時間回転テーブルが回転すると、回転
テーブルは回転を停止し、処理室内からの窒素ガ
ス等の排気は停止する。また、カツプ120は下
方に降下する。この際、前記回転テーブルの収容
溝117は搬出用のガイド113の搬送路の延長
線上に沿うように停止するとともに、ストツパピ
ン119は供給用のガイド95側に位置するよう
になる。
Next, the cup 120 is moved upward by a cylinder or the like to bring the protruding end of the upper plate 124 of the cup 120 into close contact with the lower surface of the cover 125.
and cover 125 form a processing chamber, and a rotary table on which wafer 13 is placed is positioned within this processing chamber. Thereafter, clean and dry nitrogen gas is blown out from the supply pipe 114 of the cover 125, and this nitrogen gas impinges on the rotary table. In addition, exhaust is forced through an exhaust hole provided in the cup 120. In this state, the rotary table rotates at a high speed (for example, 3000 rpm), and the moisture adhering to the surface of the wafer is scattered by centrifugal force.
Since the wafer is only supported in point or line contact by the V-shaped groove 118 of the accommodation groove 117 and the stopper pin 119, water droplets on the wafer surface are efficiently scattered. In addition, since nitrogen gas is blown onto the surface of the wafer, water droplets on the surface of the wafer easily evaporate, further promoting drying. After the rotary table has rotated for a certain period of time, the rotary table stops rotating and the exhaust of nitrogen gas and the like from the processing chamber is stopped. Also, the cup 120 descends downward. At this time, the storage groove 117 of the rotary table stops along the extension line of the conveyance path of the unloading guide 113, and the stopper pin 119 comes to be located on the supplying guide 95 side.

つぎに、回転テーブル上のウエハは図示しない
搬出用プツシヤ等によつて搬出されてガイド11
3に移り、さらにウエハ振分けテーブル116に
送り込まれる。
Next, the wafer on the rotary table is unloaded by an unillustrated unloading pusher or the like, and is moved to a guide 11.
3, the wafer is further sent to the wafer sorting table 116.

このような乾燥装置によれば、次のような効果
が生ずる。
According to such a drying device, the following effects occur.

(1) ウエハは1枚ずつ乾燥室内に運ばれ、従来の
ようなカートリツジは使用されない。このた
め、乾燥室内は小さくなるため、強制排気効率
がよくなり、乾燥室内の新陳代謝が向上してウ
エハの乾燥化が促進される。また、乾燥室内に
持ち込まれる水分はウエハに付着する水分だけ
であることから乾燥時間が短かくなる。また、
ウエハに付着する水分のそのほとんどはウエハ
の面方向に沿つて飛散するような遠心力(特に
ウエハの中心が回転中心から大きく外れること
もあつて大きな遠心力を得ることができるので
ウエハに付着する水滴の飛散効果も大とな
る。)を受けかつその飛散方向には2本の細い
ストツパピンだけしか存在しないため、水分の
飛散は効率的に行なわれる。また、ウエハ表面
には清浄な乾燥した窒素ガスが吹き付けられ、
これら窒素ガスは回転テーブルの中心から放射
状に流れ、ウエハ面に速い気流を作るため乾燥
が促進される。さらに、回転テーブルから出た
ウエハは熱風乾燥炉内を通過するため、完全な
乾燥が図れる。このようなことから、ウエハの
乾燥は均一でかつ短時間で行なわれる。
(1) Wafers are transported into the drying chamber one by one, and conventional cartridges are not used. Therefore, the drying chamber becomes smaller, which improves forced exhaust efficiency, improves metabolism within the drying chamber, and promotes drying of wafers. Furthermore, since the only moisture brought into the drying chamber is the moisture adhering to the wafer, the drying time is shortened. Also,
Most of the moisture that adheres to the wafer is caused by centrifugal force that causes it to scatter along the surface direction of the wafer (particularly when the center of the wafer deviates significantly from the center of rotation, a large centrifugal force can be obtained, causing moisture to adhere to the wafer). The scattering effect of water droplets is also large.), and only two thin stopper pins are present in the direction of the scattering, so that the water is dispersed efficiently. Additionally, clean, dry nitrogen gas is blown onto the wafer surface.
These nitrogen gases flow radially from the center of the rotary table, creating a fast airflow over the wafer surface, thereby promoting drying. Furthermore, since the wafer that comes out of the rotary table passes through a hot air drying oven, it can be completely dried. For this reason, the wafer can be dried uniformly and in a short time.

(2) 回転テーブルでは単にウエハしか保持しな
い。このため、構造が簡単になるばかりか、気
流の流れも中心から外方に向かいかつ排気孔か
ら排気されるスムースな流れとなり易い。した
がつて、均一な品質の良好な乾燥がなされ易
い。
(2) Rotary tables only hold wafers. Therefore, not only the structure becomes simple, but also the airflow tends to flow smoothly outward from the center and exhausted from the exhaust hole. Therefore, it is easy to achieve good drying with uniform quality.

(3) 回転テーブルへのウエハのローダ・アンロー
ダはウエハが一枚でありかつその両端のみを支
持されて移動する構造となつていることから、
ローダ・アンローダ機構が簡素化できる利点も
ある。
(3) The wafer loader/unloader to the rotary table has a structure in which the wafer is a single piece and only its ends are supported and moved.
There is also the advantage that the loader/unloader mechanism can be simplified.

(4) 回転テーブルは小型であることから、イナー
シヤが小さく、回転の立上がりが早くなるので
乾燥時間の短縮化が促進される。
(4) Since the rotary table is small, the inertia is small and the rotation start-up is quick, which helps shorten the drying time.

なお、乾燥装置は前記実施例に限定されない。
すなわち、ウエハのローダ・アンローダ機構(プ
ツシヤ構造)は一般によく用いられるねじ送り機
構、ワイヤ巻き取り機構等でもよい。
Note that the drying device is not limited to the above embodiment.
That is, the wafer loader/unloader mechanism (pusher structure) may be a commonly used screw feeding mechanism, wire winding mechanism, or the like.

また、熱風乾燥炉を設けないで、乾燥室内に熱
風を吹き込むようにしてもよい。
Alternatively, hot air may be blown into the drying chamber without providing a hot air drying oven.

また、遠心分離乾燥ではウエハから振り切られ
た水滴がカツプの内壁に衝突し跳ね返り易い。ま
た、水滴は衝突により微細化されミスト状にな
り、回転テーブルの回転によつて生じた気流に乗
つて乾燥室内を飛び回り易い。そして、これらの
結果から、汚れた微細な水滴がウエハに再付着し
易い。そこで、飛散した水滴はカツプの内壁で跳
ね返り再びウエハ上に舞い戻ることのないよう
に、第12図a,bで示すように、カツプ120
の内周壁面を円弧状として、内周壁に衝突した水
滴が下方に向かうような態様とすることもでき
る。また、この内周壁は回転テーブル111から
できるだけ遠くになるようにして、内周壁に衝突
した水滴が再び回転テーブル上に舞い戻りにくく
する態様とすることができる。
Furthermore, in centrifugal drying, water droplets shaken off from the wafer collide with the inner wall of the cup and tend to bounce back. In addition, the water droplets are miniaturized by collision, become mist-like, and tend to fly around in the drying chamber on the airflow generated by the rotation of the rotary table. From these results, dirty fine water droplets tend to re-adhere to the wafer. Therefore, in order to prevent the scattered water droplets from bouncing off the inner wall of the cup and falling back onto the wafer, the cup 120 is installed as shown in FIGS. 12a and 12b.
It is also possible to make the inner circumferential wall surface of the inner circumferential wall arc-shaped so that the water droplets colliding with the inner circumferential wall are directed downward. Further, this inner circumferential wall can be arranged as far away from the rotary table 111 as possible to make it difficult for water droplets that have collided with the inner circumferential wall to return onto the rotary table.

また、この種のものは、カバー125の上方か
ら吹き付けられる窒素ガスが回転テーブルの中心
から放射状に層流となつて流れるように、第11
図a,bで示すように、回転テーブル111のウ
エハ13を収容する使容溝(収容孔)117はト
ンネル状とし、回転テーブルの上面は層流を乱さ
ないように平担となつている。なお、ウエハ表面
に窒素ガスが当たるように、回転テーブルの中心
上部にはガイド管127が設けられ、このガイド
管127はカバー125の供給管114内に入つ
ている。また、ウエハの収容魂117内での搬送
は前後進する細長の2本のプツシヤ128に取り
付けられたピン129によつて行なわれ、これら
ピンは収容孔に設けられたガイド溝130内を移
動するようになつている。また、第11図a,
b、第12図a,bの実施例では乾燥室を形成し
たり、収容孔117と供給用・搬出用のガイドと
の高さを一致させたりする動作は回転テーブル1
11およびカバー125を上下動させることによ
つて行なつている。また、カツプ120の下板1
22はその外周部から分離するとともに、軸受部
123との嵌合部には窒素ガスを吹き込む供給管
131が設けられている。また、図中132,1
33はシールを示す。
In addition, in this type of device, the nitrogen gas blown from above the cover 125 flows radially from the center of the rotary table in a laminar flow.
As shown in Figures a and b, the usage groove (receiving hole) 117 of the rotary table 111 for accommodating the wafer 13 is shaped like a tunnel, and the upper surface of the rotary table is flat so as not to disturb the laminar flow. Note that a guide tube 127 is provided at the upper center of the rotary table so that the nitrogen gas hits the wafer surface, and this guide tube 127 is inserted into the supply tube 114 of the cover 125. Further, the wafer is transported within the housing hole 117 by pins 129 attached to two elongated pushers 128 that move forward and backward, and these pins move within a guide groove 130 provided in the housing hole. It's becoming like that. Also, Figure 11a,
b. In the embodiments shown in FIGS. 12a and 12b, the operation of forming the drying chamber and matching the heights of the accommodation hole 117 and the supply/export guides is performed by the rotary table 1.
This is done by moving the cover 11 and the cover 125 up and down. In addition, the lower plate 1 of the cup 120
22 is separated from its outer circumferential portion, and a supply pipe 131 for blowing nitrogen gas is provided at the fitting portion with the bearing portion 123. Also, 132,1 in the figure
33 indicates a seal.

また、この実施例ではウエハはトンネル内に位
置し、上面をも被われているため、仮りに回転テ
ーブル上に汚れた水滴が舞い戻つたりしてもウエ
ハに再付着することはない。したがつて、品質の
良好な乾燥が行なえる。
Furthermore, in this embodiment, the wafer is located within the tunnel and its upper surface is covered, so even if dirty water droplets fall back onto the rotary table, they will not re-adhere to the wafer. Therefore, high quality drying can be performed.

<ウエハ搬出入部4及び拡散炉部8> ウエハ搬出入部4および拡散炉部8について第
13図〜第31図を参照しながら説明する。ウエ
ハ搬出入部4は搬入経路134と搬出経路135
を有している。搬入経路134には前記乾燥部3
のウエハ振分けテーブル116から延び熱風乾燥
路136Aを通るプツシヤによる搬送方式からな
る搬送路136Bからウエハ13を1枚ずつ受け
取る受取部137から始まり、右に向かつて姿勢
修正機構138、搬入バツフア139が並び、左
右、体後動するトランスフア140上に臨んでい
る。また、搬出経路135は搬入経路134の手
前に沿つて配設され、トランスフア140の上方
左側から右に向かつて搬出バツフア141、1枚
送出機構142、搬出テーブル143が配設さ
れ、装置の左端からウエハ13を1枚ずつ送り出
すようになつている。また、3段に配設される炉
心管(プロセスチユーブ)202の炉口部分には
トレイステーシヨン144を支持し、2本の直立
するガイド棒145に沿つて昇降(上下動)する
エレベータ146が配設されている。また、この
エレベータ146の上下動と同期してガイド棒1
47に沿つて上下動するボートローダ148が装
置の背面側に設けられている。さらに、前記トラ
ンスフア140(トレイステーシヨン144)上
の熱処理治具149を保持してトレイステーシヨ
ン(トランスフア)上に運ぶ移載機150が配設
されている。
<Wafer loading/unloading section 4 and diffusion furnace section 8> The wafer loading/unloading section 4 and the diffusion furnace section 8 will be explained with reference to FIGS. 13 to 31. The wafer loading/unloading section 4 has a loading path 134 and a loading path 135.
have. The drying section 3 is located in the carry-in route 134.
Starting from a receiving section 137 that receives wafers 13 one by one from a transfer path 136B using a pusher, which extends from the wafer sorting table 116 and passes through a hot air drying path 136A, a posture correction mechanism 138 and a loading buffer 139 are lined up toward the right. , facing the transfer 140 that moves from side to side and backwards. Further, the carry-out route 135 is arranged along the front side of the carry-in route 134, and a carry-out buffer 141, a single sheet feed-out mechanism 142, and a carry-out table 143 are arranged from the upper left side of the transfer 140 to the right, and the left end of the apparatus The wafers 13 are fed out one by one. Furthermore, an elevator 146 is disposed at the furnace mouth of the process tube 202 arranged in three stages to support a tray station 144 and move up and down (move up and down) along two upright guide rods 145. It is set up. Also, in synchronization with the vertical movement of the elevator 146, the guide rod 1
A boat loader 148 that moves up and down along 47 is provided on the back side of the device. Furthermore, a transfer machine 150 is provided that holds the heat treatment jig 149 on the transfer station 140 (tray station 144) and transports it onto the tray station (transfer).

つぎに、各部を説明する。乾燥部3から送られ
て来たウエハは受取部137の対面する両側部に
設けたV字溝にウエハの両縁部を臨ませるように
して受け取られる。そして、この受取部137に
は姿勢修正装置138が前進して受取部のウエハ
を受け取る。この姿勢修正装置138は2本の平
行に延びるガイドレール151にガイドされて第
13図に示すポジシヨンAとポジシヨンBを往復
動する表裏面修正機構152と、第15図に示す
ポジシヨンA側の第1次方向修正ステーシヨン
A1に配設される第1次方向修正機構153と、
ポジシヨンB側の第2次方向修正ステーシヨン
A2に配設される第2次方向修正機構154とか
らなつている。
Next, each part will be explained. The wafer sent from the drying section 3 is received with both edges of the wafer facing the V-shaped grooves provided on both opposing sides of the receiving section 137. Then, an attitude correction device 138 advances to this receiving section 137 and receives the wafer from the receiving section. This posture correction device 138 includes a front and back surface correction mechanism 152 that is guided by two parallel guide rails 151 and reciprocates between position A and position B shown in FIG. Primary orientation correction station
A primary direction correction mechanism 153 disposed in A1 ;
Secondary orientation correction station on position B side
It consists of a secondary direction correction mechanism 154 disposed at A2 .

前記表裏面修正機構152は箱体155と、こ
の箱体155内に配設されるウエハ収容体156
と、ウエハ収容体156を裏返す方向に回転する
回転機構157とからなつている。前記箱体15
5は平行に配設される2枚の側板158と、これ
ら側板158の各隅をそれぞれ連結する4本の連
結棒159とからなるとともに、一方の側板15
8の外壁にはローラ160が複数取り付けられて
いる。そして、箱体155はこれらローラ160
を介してガイドレール151に懸架され、図示し
ない一般公知の搬送機構によつて移動するように
なつている。収容体156は基板161と、基板
161の上面に平行に配設される2本のガイド片
162と、基板に固定され側板158に回転可能
に取り付けられる回転軸163とを有している。
前記ガイド片162の対応面にはその長手方向に
沿つてV字溝からなるガイド溝164が設けら
れ、このガイド溝164内にウエハ13の両端縁
が入り、保持されるようになつている。また、ウ
エハはガイド溝164の延びる方向の両端側から
自由に出入可能となり、基板162が水平状態の
際にはウエハは周縁部をガイド溝部分で支えられ
る。しかし、基板162を反転させるように傾斜
させ始めるとウエハはガイド溝164内を滑動し
てガイド溝164から抜けて脱落する。そこで、
収容体156のウエハ出入端にはそれぞれ2本の
ピン165,166からなる第1ストツパ167
および第2ストツパ168を配設している。そし
て、第1・第2ストツパ167,168がそれぞ
れ開状態の際にはそれぞれ2本のピン165,1
66は互いに離れ、各ピン間をウエハが通過し、
閉状態の際にはそれぞれ2本のピン165,16
6は接近してウエハの周縁を支えるようになつて
いる。
The front and back surface correction mechanism 152 includes a box 155 and a wafer container 156 disposed within the box 155.
and a rotation mechanism 157 that rotates the wafer container 156 in a direction to turn it over. The box body 15
5 consists of two side plates 158 arranged in parallel, and four connecting rods 159 that connect each corner of these side plates 158, and one of the side plates 15
A plurality of rollers 160 are attached to the outer wall of 8. The box body 155 is connected to these rollers 160.
It is suspended on a guide rail 151 via a guide rail 151, and is moved by a generally known transport mechanism (not shown). The container 156 includes a substrate 161, two guide pieces 162 arranged parallel to the upper surface of the substrate 161, and a rotating shaft 163 fixed to the substrate and rotatably attached to the side plate 158.
A guide groove 164 consisting of a V-shaped groove is provided along the longitudinal direction of the corresponding surface of the guide piece 162, and both ends of the wafer 13 are inserted into the guide groove 164 and held therein. Further, the wafer can freely enter and exit from both ends in the direction in which the guide groove 164 extends, and when the substrate 162 is in a horizontal state, the wafer's peripheral edge is supported by the guide groove portion. However, when the substrate 162 begins to be tilted so as to be reversed, the wafer slides within the guide groove 164 and falls out of the guide groove 164. Therefore,
A first stopper 167 consisting of two pins 165 and 166 is provided at the wafer entrance/exit end of the container 156.
and a second stopper 168. When the first and second stoppers 167 and 168 are in the open state, the two pins 165 and 1 are connected, respectively.
66 are separated from each other, the wafer passes between each pin,
Two pins 165 and 16 respectively in the closed state
6 are arranged close together to support the periphery of the wafer.

前記回転機構157は側板158の外壁に取り
付けられる支持板169に支持される正逆回転可
能な反転モータ170と、このモータ軸171の
先端に固定されるドライブ側傘歯車172とから
なつていて、ドライブ側傘歯車172は側板15
8を貫通突出する回転軸163の一端に固定され
るドリブン側傘歯車173と噛み合つている。
The rotation mechanism 157 consists of a reversing motor 170 capable of forward and reverse rotation supported by a support plate 169 attached to the outer wall of the side plate 158, and a drive side bevel gear 172 fixed to the tip of this motor shaft 171. The drive side bevel gear 172 is the side plate 15
8 and meshes with a driven side bevel gear 173 fixed to one end of a rotating shaft 163 that protrudes through the shaft.

一方、第1次方向修正ステーシヨンA1に配設
される第1次方向修正機構153は昇降制御され
るブロツク174上に固定されるコの字形状のハ
ウジング175と、このハウジングの上部開口側
に配設される3本の修正軸176と、これら修正
軸を回転する無端状のベルト177と、このベル
トを回動させるモータ178とかなつている。ベ
ルトは第16図でも示すように、モータ178の
回転軸に固定された駆動プーリ179およびガイ
ドプーリ180に掛けられ、駆動プーリ179の
回転によつて回動し、それぞれ3本の修正軸17
6を回転させる。3本の修正軸における端の1本
は他の2本とは異なる方向に回転するとともに、
これらの修正軸3は同一の太さとなつている。ま
た、中央の修正軸176は両側の修正軸176の
高さよりもわずかに低い位置に配設され、林立状
態で並べられるウエハの弧状縁が3本の修正軸1
76に全て接触するようになつている。また、ウ
エハのO.F.181がこれら3本の修正軸176
に臨んだ際には両端の修正軸176はO.F.18
1に接触するが、中央の修正軸176は低いため
O.F.181には接触しないようになつている。
On the other hand, the primary direction correction mechanism 153 disposed in the primary direction correction station A1 has a U-shaped housing 175 fixed on a block 174 that is controlled to move up and down, and an upper opening side of this housing. Three correction shafts 176 are provided, an endless belt 177 that rotates these correction shafts, and a motor 178 that rotates the belt. As shown in FIG. 16, the belt is hung around a drive pulley 179 and a guide pulley 180 that are fixed to the rotating shaft of a motor 178, and is rotated by the rotation of the drive pulley 179, so that each of the three correction shafts 17
Rotate 6. One of the ends of the three correction axes rotates in a different direction from the other two, and
These correction axes 3 have the same thickness. Furthermore, the center correction shaft 176 is arranged at a position slightly lower than the height of the correction shafts 176 on both sides, and the arcuate edges of the wafers arranged in a forest form the three correction shafts 176.
76 are all in contact with each other. Also, the OF 181 of the wafer is connected to these three correction axes 176.
When facing the correction axis 176 at both ends is OF18
1, but since the center correction axis 176 is low
It is designed not to come into contact with OF181.

そこで、方向性がアトランダムとなつている収
容体156内のウエハを回動する3本の修正軸1
76に一定時間載せる。すると、第16図で示す
ように、円弧部分が3本の修正軸176に接触す
るウエハは3本の修正軸によつて受ける回転力が
一方に偏ることから回転する。そして、直線縁か
らなるO.F.181が下方にくると、両端の修正
軸しかウエハ6に接触しなくなる。両端の修正軸
は同一太さであることから回転力が同じであると
ともに、回転方向が相互に逆方向であることか
ら、ウエハは互いに反対方向の回転力を受けるた
めバランスし回転しなくなる。この結果、収容体
156内のウエハの方向性はほぼ修正され、O.
F.181は下部に位置するようになる。しか
し、これら3本の修正軸による修正では必ずしも
O.F.181は水平状態とはならない。そこで、
これを第2次方向修正ステーシヨンA2で修正す
る。
Therefore, there are three correction shafts 1 that rotate the wafer in the container 156 whose directionality is at random.
76 for a certain period of time. Then, as shown in FIG. 16, the wafer whose arc portion contacts the three correction shafts 176 rotates because the rotational force received by the three correction shafts is biased to one side. When the OF 181 consisting of a straight edge comes downward, only the correction shafts at both ends come into contact with the wafer 6. Since the correction shafts at both ends have the same thickness, the rotational force is the same, and since the rotational directions are mutually opposite, the wafer is balanced and does not rotate because it receives rotational forces in opposite directions. As a result, the orientation of the wafer within the container 156 is almost corrected, and the O.
F.181 will be located at the bottom. However, correction based on these three correction axes does not necessarily
OF181 is not in a horizontal state. Therefore,
This is corrected by the secondary orientation correction station A2 .

第2次方向修正ステーシヨンA2に配設される
第2次方向修正機構154はブロツク182に案
内されて昇降制御される上面が平担な修正板18
3からなつている。そして、第2次方向修正ステ
ーシヨンA2に停止した収容体156内のウエハ
13に対して下方から修正板183を突き上げ、
その上面平担面でウエハ13のO.F.181を水
平に揃える。
The secondary direction correction mechanism 154 disposed in the secondary direction correction station A2 is guided by a block 182 and is controlled by a correction plate 18 with a flat top surface.
It consists of 3. Then, the correction plate 183 is pushed up from below against the wafer 13 in the container 156 stopped at the secondary direction correction station A2 ,
The OF 181 of the wafer 13 is aligned horizontally with the upper flat surface.

つぎに、搬入バツフア139について説明す
る。搬入バツフア139は搬出バツフア141と
同一構造となつていて、これらのバツフアは上
部、下部がそれぞれ開口した細長の箱体からな
り、対面する両側壁には平行にV字溝からなる収
容溝184が鉛直方向に複数(たとえば100本ず
つ)設けられ、対応する1対の収容溝184で1
枚のウエハ13の両側縁をガイドするようになつ
ている。また、第19図で示すように、バツフア
の下方には長手方向に沿つて延びる2本のストツ
パ185が設けられている。このストツパにはバ
ツフアのVの字溝184に対応してVの字溝が切
られている。このストツパは開閉し、閉状態では
ウエハを支え、開状態ではウエハは収容溝を通り
抜けて下方に落下するようになつている。また、
バツフアはその両側に配設されたガイド棒186
にローラ187を介して滑動自在に取り付けられ
ている。なお、搬出バツフア141は搬入バツフ
ア139に隣接している。また、搬出バツフア1
41の上方には1枚送出機構142が配設されて
いる。この1枚送出機構は前記表裏面修正機構1
52とほぼ同様な構造となり、ウエハを1対のV
字溝かならるガイド溝188に収容する回転する
収容体189および図示しない第1・第2ストツ
パ等からなる反転機構190と、搬出バツフア1
41内のウエハを1枚ずつ上方に押し上げる突出
プツシヤ191と、反転機構190内に水平状態
に修正されたウエハを搬出テーブル143上に押
し出す送出プツシヤ192とからなつている。そ
して、搬出バツフア141から搬出テーブル14
3へのウエハの送り出しは、搬出バツフアのピツ
チ移動毎の突上プツシヤ191の上昇、収容体1
89の水平回転化、送出プツシヤ192の前進に
よる一連の動作によつて行なわれる。また、搬出
テーブルへ移送されたウエハは搬出テーブルの底
部から噴き出される気体が作り出す流れに乗つて
装置外へ1枚ずつ送り出される。なお、表裏面修
正機構152から搬入バツフア139へのウエハ
の移し換えは、第17図に示すように受けプツシ
ヤ193の上昇によるウエハ下部の保持、それに
続くピン165の開動作、受けプツシヤ193の
下降によつて行なわれる。
Next, the carry-in buffer 139 will be explained. The carry-in buffer 139 has the same structure as the carry-out buffer 141, and these buffers are made of elongated boxes with openings at the top and bottom, and parallel V-shaped accommodation grooves 184 are formed on the opposite side walls. A plurality of grooves (for example, 100 each) are provided in the vertical direction, and one
It is designed to guide both side edges of the wafer 13. Further, as shown in FIG. 19, two stoppers 185 are provided below the buffer and extend along the longitudinal direction. A V-shaped groove is cut in this stopper in correspondence with the V-shaped groove 184 of the buffer. This stopper opens and closes, supporting the wafer in the closed state, and allowing the wafer to fall downward through the receiving groove in the open state. Also,
The guide rods 186 are arranged on both sides of the buffer.
via rollers 187 in a slidable manner. Note that the carry-out buffer 141 is adjacent to the carry-in buffer 139. In addition, the unloading buffer 1
A one-sheet delivery mechanism 142 is disposed above 41. This one-sheet feeding mechanism is the front and back surface correction mechanism 1.
The structure is almost the same as that of 52, and the wafer is connected to a pair of V
A rotating storage body 189 accommodated in a guide groove 188 having a shape of a shape, a reversing mechanism 190 consisting of first and second stoppers (not shown), etc., and an unloading buffer 1
41, and a delivery pusher 192, which pushes the wafers corrected to a horizontal state into the reversing mechanism 190 onto the delivery table 143. Then, from the carry-out buffer 141 to the carry-out table 14
The sending of the wafer to the container 1 is carried out by raising the pusher 191 every time the transfer buffer moves in pitch.
This is performed by a series of operations including horizontal rotation of 89 and advancement of delivery pusher 192. Further, the wafers transferred to the carry-out table are carried out one by one out of the apparatus by riding on the flow created by the gas blown out from the bottom of the carry-out table. The transfer of the wafer from the front and back surface correction mechanism 152 to the carry-in buffer 139 is carried out by holding the lower part of the wafer by raising the receiving pusher 193, followed by the opening operation of the pin 165, and lowering the receiving pusher 193, as shown in FIG. It is carried out by.

一方、搬入・搬出バツフア139,141およ
び移載機150の移動域の下方には前後左右動す
るトランスフア140が配設されている。このト
ランスフア上には熱処理治具149が載置され
る。この熱処理治具149は4群の収容溝群19
4が設けられ単一の収容溝群194は市販の洗浄
治具あるいは保管用治具の収容ピツチおよび収容
溝数と同一となつている。また、各収容溝群19
4が位置するトランスフア部分には窓195が設
けられ、この窓には第18図および第19図で示
すように補助プツシヤ196の上端受板197が
下方から侵入するようになつている。また熱処理
治具149をささえるテーブルには上下動できる
構造になつている。これら受板197の上面には
熱処理治具149の収容溝198に対応する受溝
199が設けられ、熱処理治具と搬入・搬出バツ
フア139,141との間のウエハの受け渡し時
には熱処理治具149を上昇させまず搬入バツフ
ア139に近づきウエハを受溝199に支持した
状態で補助プツシヤ196が上下動して一方から
他方にウエハを移換させて、熱処理治具149を
載せたテーブルが下降する。
On the other hand, below the moving area of the loading/unloading buffers 139, 141 and the transfer machine 150, a transfer station 140 that moves back and forth and left and right is provided. A heat treatment jig 149 is placed on this transfer. This heat treatment jig 149 has four groups of accommodation grooves 19.
4, and the single housing groove group 194 is the same as the housing pitch and number of housing grooves of a commercially available cleaning jig or storage jig. In addition, each accommodation groove group 19
A window 195 is provided in the transfer portion where 4 is located, and the upper end receiving plate 197 of the auxiliary pusher 196 enters into this window from below, as shown in FIGS. 18 and 19. Further, the table supporting the heat treatment jig 149 has a structure that allows it to move up and down. Receiving grooves 199 corresponding to the receiving grooves 198 of the heat treatment jig 149 are provided on the upper surface of these receiving plates 197. The auxiliary pusher 196 moves up and down with the wafer approaching the carry-in buffer 139 and supported in the receiving groove 199 to transfer the wafer from one side to the other, and the table on which the heat treatment jig 149 is placed is lowered.

他方、前記移載機150はガイドレール200
上を前後動してトランスフア140とエレベータ
146との間を往復動するとともに、トランスフ
ア140あるいはエレベータ146上の熱処理治
具149をチヤツク機構201で一時的にクラン
プするようになつている。なお、トランスフア上
の熱処理治具149をクランプするときテーブル
が上昇して行なわれることから移載機150の接
近時トランスフア140上のウエハにチヤツク機
構201が当接しない。
On the other hand, the transfer machine 150 has a guide rail 200
The heat treatment jig 149 on the transfer 140 or the elevator 146 is temporarily clamped by the chuck mechanism 201 while moving back and forth between the transfer 140 and the elevator 146. Note that since the table is raised when clamping the heat treatment jig 149 on the transfer, the chuck mechanism 201 does not come into contact with the wafer on the transfer 140 when the transfer machine 150 approaches.

また、前記ボートローダ148は第21図およ
び第22図で示すように、ボート203を炉心管
202に出入する引出棒204をボートローダ駆
動部205に取り付けた構造となつている。すな
わち、ボートローダ駆動部上には固定軸206を
有する固定ブロツク207が固定され、前記固定
軸には回動可能に引出棒支持ブロツク208が取
り付けられ、この引出棒支持ブロツクには引出棒
204の一端が固定されている。そして、この引
出棒204は固定軸206を中心にその先端引掛
端209を上下に首振りするようになつている。
Further, as shown in FIGS. 21 and 22, the boat loader 148 has a structure in which a pull-out rod 204 for moving the boat 203 into and out of the reactor core tube 202 is attached to the boat loader drive section 205. That is, a fixed block 207 having a fixed shaft 206 is fixed on the boat loader drive section, a pull-out rod support block 208 is rotatably attached to the fixed shaft, and the pull-out rod support block 208 is rotatably attached to the fixed shaft. One end is fixed. The pull-out rod 204 is configured so that its distal hook end 209 can swing up and down about a fixed shaft 206.

また、前記固定ブロツク207上にはガイドブ
ロツク210が固定され、このガイドブロツク2
10には前記固定軸206に対して平行に延びる
回転軸211が回動自在に取り付けられている。
この回転軸211の一端は前記引出棒支持ブロツ
ク208の上方に離れて位置する制御棒支持ブロ
ツク212に固定され、制御棒支持ブロツク21
2を支えるようになつている。そして、この制御
棒支持ブロツク212には制御棒213の一端が
固定される。この制御棒213は前記引出棒20
4に対して平行に延びるとともに他端先端は屈曲
してフツク部214を形作り、このフツク部21
4で引出棒204の途中を支えるようになつてい
る。また、前記回転軸211の他端には従動側傘
歯車215はボートローダ駆動部204に支持台
216を介して固定されるモータ217の回転軸
にカツプリング218を介して連結された駆動側
傘歯車219に噛み合つている。そして、前記制
御棒213はモータ217の正逆回転によつて第
22図に示すように、水平方向から上方にθだけ
上下動する。この回転角度θはたとえば1度と設
定され、上下回動は引出棒204の先端の引掛端
209をボート203の引掛孔220に着脱する
際に自動的に行なわれるようになつている。ま
た、ガイド棒147はX方向に延びるガイド棒2
21に沿つて往復動するようになつている。
Further, a guide block 210 is fixed on the fixed block 207.
A rotary shaft 211 extending parallel to the fixed shaft 206 is rotatably attached to the rotary shaft 10 .
One end of this rotating shaft 211 is fixed to a control rod support block 212 located apart above the pull-out rod support block 208.
It is designed to support 2. One end of a control rod 213 is fixed to this control rod support block 212. This control rod 213 is the pull-out rod 20
4, and the tip of the other end is bent to form a hook portion 214.
4 to support the middle of the pull-out rod 204. Further, at the other end of the rotating shaft 211, a driven bevel gear 215 is a driving bevel gear connected via a coupling 218 to the rotating shaft of a motor 217 that is fixed to the boat loader drive section 204 via a support 216. It meshes with 219. As shown in FIG. 22, the control rod 213 is vertically moved by θ upward from the horizontal direction by the forward and reverse rotation of the motor 217. The rotation angle θ is set to 1 degree, for example, and the vertical movement is automatically performed when the hooking end 209 at the tip of the pull-out rod 204 is attached to or removed from the hooking hole 220 of the boat 203. Further, the guide rod 147 is a guide rod 2 extending in the X direction.
It is designed to reciprocate along 21.

このような機構のボートローダにあつては、常
時は引出棒204は制御棒213に支えられて水
平方向に延びているが、先端の引掛端209をト
レーステーシヨン上のボート203あるいは炉心
管202内のボート203の引掛孔220に挿脱
する際には上方に上下動して、その挿脱を行な
う。そして、ボートローダ駆動部205の前後進
によつてボート203の炉心管202に対する出
入(ロード,アンロード)を自動的に行なう。し
たがつて、このようなボートローダによれば、ボ
ートの出入は自動的に行なわれるので、作業者の
引出棒の取り扱いも不要となることから作業者の
動きによる塵埃の舞い上がりも防止され、引出棒
炉心管内の汚染も少なくなり、ウエハの汚染も防
止できる。
In a boat loader with such a mechanism, the pull-out rod 204 is normally supported by the control rod 213 and extends horizontally, but the hook end 209 at the tip is attached to the boat 203 on the trace station or inside the core tube 202. When inserting into and removing from the hooking hole 220 of the boat 203, it is moved upward and downward to perform the insertion and removal. The boat 203 is automatically moved in and out of the furnace tube 202 (loading and unloading) by moving the boat loader drive unit 205 back and forth. Therefore, according to such a boat loader, since the boat is automatically loaded and unloaded, there is no need for the operator to handle the pull-out rod, which prevents dust from flying up due to the movement of the operator, and makes it easier to pull out the boat. Contamination within the rod furnace tube is also reduced, and contamination of wafers can also be prevented.

また、このボートローダでは、引出棒はボート
ローダに常設され、かつボートのロード,アンロ
ードも機械的に行なわれる。
Further, in this boat loader, the pull-out rod is permanently installed in the boat loader, and loading and unloading of the boat is also performed mechanically.

ここで、本発明の特長の1つである炉心管支持
構造について第23図〜第25図を用いて説明す
る。従来の拡散炉装置ではつぎのような欠点があ
る。
Here, the core tube support structure, which is one of the features of the present invention, will be explained using FIGS. 23 to 25. Conventional diffusion furnace devices have the following drawbacks.

(1) 炉心管の取外時、炉心管はボート搬送部(製
品搬送部)側の装置前面に抜き出している。こ
の際、ボート搬送側に装備している前面の装
置、治具類が障害になり取り外しが困難であ
る。
(1) When removing the reactor core tube, the reactor core tube is pulled out to the front of the equipment on the boat transfer section (product transfer section) side. At this time, the front equipment and jigs installed on the boat transport side become obstacles and are difficult to remove.

(2) 炉心管の取外時発生する塵埃が抜取部周辺の
前面の各装置、治具等に付着し、これら塵埃が
その後のウエハ等の製品に付着する。この付着
の結果、均一な拡散ができなくなつたりその後
の工程においてウエハに鮮明なパターンが形成
できない等の不良が発生し、歩留が低下してし
まう。
(2) Dust generated during removal of the reactor core tube adheres to various devices, jigs, etc. on the front side around the removal section, and this dust adheres to subsequent products such as wafers. As a result of this adhesion, defects such as inability to uniformly diffuse or inability to form a clear pattern on the wafer in subsequent steps occur, resulting in a decrease in yield.

(3) 拡散炉装置は炉心管を多段に配設しているの
が一般的であるが、このうち1本でも炉心管を
交換すると、その交換時は他の炉心管は使用で
きず、装置の稼動率は低下する。
(3) Diffusion furnace equipment generally has core tubes arranged in multiple stages, but if even one of the core tubes is replaced, the other core tubes cannot be used at the time of replacement, and the equipment The operating rate will decrease.

そこで、このような欠点を解消するための構造
内容について説明する。第23図は拡散炉装置の
一部外観図、第24図は一部の平面図、第25図
は炉心管の回転機構を示す斜視図である。第23
図および第24図にはスカベンジヤ5、炉6、ガ
ス供給部7が示されている。前記炉6内には多段
に3本の炉心管202が配設されている。各炉心
管はその外周部を図示しない均熱管で被われ、そ
の外周にはヒータ222が取り付けられている。
そして、各炉心管およびヒータは第25図で示す
ように、細長の回転板223上にガイド224に
よつて位置決めされて載置されている。この回転
板は基板225上にレール226を介して滑動自
在に載つているとともに、炉心管の尾管227側
の基板に植設された支持軸に回動自在に嵌合され
ている。また、回転板よりも上方に突出する支持
軸には従動側傘歯車228が回動自在に嵌合され
ている。この従動側傘歯車229は下面で回転板
に固定されている。
Therefore, the contents of the structure for eliminating such drawbacks will be explained. FIG. 23 is a partial external view of the diffusion furnace apparatus, FIG. 24 is a partial plan view, and FIG. 25 is a perspective view showing the rotation mechanism of the furnace core tube. 23rd
A scavenger 5, a furnace 6, and a gas supply section 7 are shown in the figure and FIG. In the furnace 6, three furnace core tubes 202 are arranged in multiple stages. The outer periphery of each core tube is covered with a heat soaking tube (not shown), and a heater 222 is attached to the outer periphery.
As shown in FIG. 25, each furnace core tube and heater are positioned and placed on an elongated rotary plate 223 by a guide 224. This rotating plate is slidably mounted on the base plate 225 via a rail 226, and is rotatably fitted to a support shaft implanted in the base plate on the tail tube 227 side of the core tube. Further, a driven bevel gear 228 is rotatably fitted to a support shaft that protrudes above the rotary plate. This driven side bevel gear 229 is fixed to the rotary plate at its lower surface.

また、前記従動側傘歯車には歯数の少ない駆動
側傘歯車230が噛み合い、この駆動側傘歯車は
基板225に固定された支持ブロツク231に回
動自在に取り付けられた回転軸232の一端に固
定されている。また、この回転軸の他端にはハン
ドルが挿脱自在に取り付けられている。したがつ
て、ハンドル233は他の回転軸にも使用できる
ため、この拡散炉装置には1つのハンドルを用意
しておけばよい。このような基板225を含む炉
心管は第23図の破線で示すように3組積層配設
されている。また、炉6を被うカバー234内に
あつて、電源トランスを含む制御回路部235は
炉6の高さを低くするために炉心管202の側部
に配設されている。また回転後炉心がもとの位置
(高さ、横方向)に復帰できるよう位置決めピン
236をもうける。
Further, a drive side bevel gear 230 having a small number of teeth meshes with the driven side bevel gear, and this driving side bevel gear is attached to one end of a rotating shaft 232 rotatably attached to a support block 231 fixed to the base plate 225. Fixed. Further, a handle is detachably attached to the other end of this rotating shaft. Therefore, since the handle 233 can also be used for other rotating shafts, this diffusion furnace apparatus only needs to have one handle. Three sets of furnace core tubes including such substrates 225 are stacked as shown by broken lines in FIG. 23. Further, within a cover 234 that covers the furnace 6, a control circuit section 235 including a power transformer is disposed on the side of the furnace core tube 202 in order to lower the height of the furnace 6. Additionally, positioning pins 236 are provided so that the core can return to its original position (height, lateral direction) after rotation.

つぎに、炉心管の交換(取り外し、取り付け)
について説明する。まず、炉のカバー234の背
面部を開けた後、交換を必要とする炉心管202
の尾管227とガス供給機構237との分離を図
り、また回転時、炉心管202とトレイステーシ
ヨン144との接触をさけるため炉心管202を
ガス供給部7の方向に10mm程度おしこみその後、
位置決めピン236を抜き取り交換する炉心管2
02を支持する基板225の回転軸232にハン
ドル233を取り付けてハンドルを逆転させて、
炉心管202を載せる回転板223を回動させ、
第24図で示すようにカバー234の背面側に突
出させる。つぎに、カバーの背面側でヒータ22
2から炉心管202を抜き出す。そして、新しい
炉心管を再びヒータ222内に入れた後、ハンド
ルを正転させて回転板223を炉内に納め位置決
めピン236をさしこんで位置決めを行ない炉心
管202をスカベンジヤ5の方向に移動(10mm程
度)させてトレイステーシヨン144と突き合せ
る。さらに尾管227とガス供給機構237との
連結を図り、ハンドルを回転軸232から取り外
してカバー234を閉じ、一連の炉心管交換作業
を完了する。この炉心管交換時、交換しない炉心
管は使用できる。
Next, replace the furnace core tube (removal and installation)
I will explain about it. First, after opening the back side of the furnace cover 234, the furnace core tube 202 that needs to be replaced is
In order to separate the tail pipe 227 and the gas supply mechanism 237, and to avoid contact between the reactor core tube 202 and the tray station 144 during rotation, the reactor core tube 202 was pushed in about 10 mm in the direction of the gas supply section 7.
Furnace tube 2 where the positioning pin 236 is removed and replaced
Attach the handle 233 to the rotating shaft 232 of the board 225 that supports 02, reverse the handle,
Rotating the rotary plate 223 on which the furnace core tube 202 is mounted,
As shown in FIG. 24, it is made to protrude from the back side of the cover 234. Next, place the heater 22 on the back side of the cover.
2, the furnace core tube 202 is taken out. Then, after putting the new reactor core tube into the heater 222 again, rotate the handle in the normal direction to place the rotary plate 223 in the furnace, insert the positioning pin 236 to position it, and move the reactor core tube 202 in the direction of the scavenger 5. (approximately 10 mm) and butt against tray station 144. Furthermore, the tail pipe 227 and the gas supply mechanism 237 are connected, the handle is removed from the rotating shaft 232, and the cover 234 is closed, completing a series of reactor core tube replacement operations. When replacing the core tube, the core tube that is not replaced can be used.

このような装置によればつぎのような効果が得
られる。
Such a device provides the following effects.

(1) 炉心管の交換は装置の背面側で行なわれるこ
とから、前面の装置部分や治具部分に炉心管交
換時に発生する塵埃は付着しにくい。このた
め、ウエハの汚染は少なく歩留の向上が図れ
る。
(1) Since the core tube is replaced on the back side of the equipment, dust generated during core tube replacement is unlikely to adhere to the front equipment and jig parts. Therefore, wafer contamination is reduced and yield can be improved.

(2) 炉心管は装置の背面側で行なうことから、ボ
ート搬送部には自動ボートローダ等を常設して
おくこともできる。また、装置の背面に炉心管
交換用のスペースを設けておくだけで簡単に炉
心管の交換が行なえることから、作業性も向上
する。
(2) Since the core tube is installed on the back side of the equipment, an automatic boat loader or the like can be permanently installed in the boat transport section. Furthermore, work efficiency is improved because the furnace core tube can be easily replaced by simply providing a space for replacing the furnace core tube at the back of the device.

(3) 多段の炉心管は各部独立して交換ができるよ
うになつていることから、部分的な炉心管の交
換にあつては、交換しない炉心管はそのまま使
用でき、装置の稼動率が向上する。
(3) Each part of the multi-stage reactor core tube can be replaced independently, so when replacing a part of the reactor core tube, the reactor core tube that is not replaced can be used as is, improving the operating rate of the equipment. do.

(4) 従来装置では下部に制御回路部等が内蔵され
ていたが、この装置では細部に設けることがで
き、装置全体が低くできると共にコンパクトに
できる。
(4) In conventional devices, control circuits, etc. are built in at the bottom, but with this device, they can be installed in small details, making the entire device lower and more compact.

なお、他の実施態様としてはたとえば、炉心管
は装置の背面方向に平行移動するように取り外し
ができるようにしてもよい。
In addition, as another embodiment, for example, the furnace core tube may be detachable so as to be moved in parallel in the rear direction of the apparatus.

つぎに、ウエハ13を所望の方向性に揃えて炉
心管202内に入れ、かつ取り出す動作につい
て、第14図a,bを参照しながら説明する。ウ
エハの姿勢修正としては、熱処理治具上にウエハ
のO.Fを上にしかつウエハの主面が拡散炉の炉心
管202の奥に向く方向(以下略称して炉奥向と
称す。これに対してウエハの主面が炉心管の入口
側に向くのを略称して炉口向と称する。)、すなわ
ち、ウエハ主面をウエハの搬送方向の前面となる
向きに揃える姿勢形態A第17図の最上段の動作
群を参考にして説明する。なお、14図a,bで
示すポジシヨンA〜Jは第13図で示すA〜Jに
対応する。まず、表裏面修正機構152は最初に
ポジシヨンAに位置し、この状態では収容体15
6は前記乾燥部から受取部137に送り込まれる
ウエハを収容できるように水平状態となり、ガイ
ド溝164を水平にしている。また、搬入側に位
置する第2ストツパ168の2本のピン166は
互いに離反して開き、移動して来たウエハがピン
166に当接しないようになるとともに、搬出側
に位置する第1ストツパ167のピン165は互
いに接近する閉状態となり、ガイド溝164内に
入つてきたウエハ収容体156から脱落しないよ
うになる。この際、ウエハはその周縁の一部をV
の字溝型ガイド溝164によつて保持されること
から、ウエハの上面の主面および裏面はこすられ
ることもなく傷が付いたりしない。
Next, the operation of aligning the wafers 13 in a desired direction, placing them in the furnace tube 202, and taking them out will be described with reference to FIGS. 14a and 14b. To correct the posture of the wafer, place the wafer on the heat treatment jig with the OF side up and the main surface of the wafer facing toward the back of the furnace core tube 202 of the diffusion furnace (hereinafter abbreviated as the furnace back direction). When the main surface of the wafer faces toward the inlet of the furnace tube, it is abbreviated as the direction of the furnace inlet.) In other words, in the posture mode A shown in FIG. This will be explained with reference to the operation group in the upper row. The positions A to J shown in FIGS. 14a and 14b correspond to the positions A to J shown in FIG. 13. First, the front and back surface correction mechanism 152 is initially located at position A, and in this state, the storage body 15
6 is in a horizontal state so as to accommodate the wafer sent from the drying section to the receiving section 137, and the guide groove 164 is made horizontal. Further, the two pins 166 of the second stopper 168 located on the carry-in side are separated from each other and opened to prevent the moving wafer from coming into contact with the pins 166, and the first stopper 168 located on the carry-in side is opened. The 167 pins 165 are in a closed state in which they approach each other and are prevented from falling out of the wafer container 156 that has entered the guide groove 164. At this time, the wafer has a part of its periphery
Since the wafer is held by the square guide groove 164, the upper main surface and the back surface of the wafer will not be rubbed or scratched.

ウエハを収容した表裏面修正機構152はガイ
ドレール151に沿つて第1次方向修正ステーシ
ヨンA1に移動して停止する。この移動時、第2
ストツパ168は閉じ、代りに第1ストツパ16
7が開き、その後、回転機構157によつて収容
体156は回転軸163を中心に逆転して(左回
転し)、ウエハを直立させる。第1次方向修正ス
テーシヨンA1では第1次方向修正機構153が
上昇した後修正軸176を回転させ、ウエハを回
転させて第17図で示す動作で示すようにウエ
ハO.F.181を下方に位置させる。その後、第
1次方向修正機構153が下降した後、表裏面修
正機構152は再びガイドレール151に沿つて
第2次方向修正ステーシヨンA2に達して停止す
る。すると、第2次方向修正機構154が上昇し
て修正板183の平担な上面で傾斜しているかも知
れないウエハのO.F.181をわずかに押し上げ
る。この結果、動作で示すようにウエハのO.
F.181は水平に揃えられる。
The front and back surface correction mechanism 152 containing the wafer moves along the guide rail 151 to the primary direction correction station A1 and stops there. During this movement, the second
Stop 168 is closed and first stop 16 is closed instead.
7 is opened, and then the container 156 is reversely rotated (rotated to the left) about the rotation axis 163 by the rotation mechanism 157, and the wafer is stood upright. At the primary direction correction station A1, after the primary direction correction mechanism 153 is raised, the correction shaft 176 is rotated to rotate the wafer and position the wafer OF 181 downward as shown in the operation shown in FIG. Thereafter, after the primary direction correction mechanism 153 is lowered, the front and back surface correction mechanism 152 again reaches the secondary direction correction station A2 along the guide rail 151 and stops. Then, the secondary direction correction mechanism 154 rises and slightly pushes up the OF 181 of the wafer, which may be tilted by the flat upper surface of the correction plate 183. As a result, the wafer's O.
F.181 is horizontally aligned.

つぎに、第2次方向修正機構154が下降する
と、表裏面修正機構152は第2次方向修正ステ
ーシヨンA2からポジシヨンBに移動し、保持し
ているウエハを第18図で示すように受けプツシ
ヤ193を用いて下方に位置する搬入バツフア1
39内に落下挿入する(第17図動作参照)。
ところで、第2次方向修正機構154がポジシヨ
ンBに移動する間には図示してないが、第17図
で示す動作、動作で示すように、収容体15
6は90度ずつの正転を2度繰返してウエハのO.
F.181を上にする。また、2回の正転動作の
間には第1ストツパ167は閉じ、第2ストツパ
168は開く。そして、O.F.181が上になつ
て直立するウエハは下方を第1ストツパで支えら
れ、第1ストツパの開放動作によつてストツパ1
85が閉状態の搬入バツフア139内に落下す
る。搬入バツフアの1本の収容溝184内にウエ
ハが入ると、搬入バツフア139は1ピツチ動
き、同様な手順で順次収容溝184内にはウエハ
が入れられる。なお、熱処理治具149の収容溝
群間に対応する搬入バツフアにあつては搬入バツ
フアは一度に数ピツチ移動する。このようにして
搬入バツフア内に所望の方向性(姿勢)を有して
ウエハが入れられる。
Next, when the secondary direction correction mechanism 154 descends, the front and back surface correction mechanism 152 moves from the secondary direction correction station A2 to position B, and receives and pushes the wafer it is holding as shown in FIG. Loading buffer 1 located below using 193
39 (see operation in Figure 17).
By the way, while the secondary direction correction mechanism 154 is moving to position B, although not shown, as shown in the operation shown in FIG.
6 repeats the forward rotation of 90 degrees twice to rotate the wafer in the O.
F.181 on top. Further, between the two normal rotation operations, the first stopper 167 is closed and the second stopper 168 is opened. The wafer, which stands upright with the OF 181 on top, is supported downwardly by the first stopper, and when the first stopper is opened, the wafer is held upright by the first stopper.
85 falls into the carry-in buffer 139 in the closed state. When a wafer enters one storage groove 184 of the carry-in buffer, the carry-in buffer 139 moves one pitch, and wafers are sequentially placed into the storage groove 184 in the same manner. Note that in the case of the carry-in buffers corresponding to the spaces between the housing groove groups of the heat treatment jig 149, the carry-in buffers move several pitches at a time. In this way, the wafer is loaded into the loading buffer with the desired directionality (orientation).

なお、ウエハの姿勢形態は第17図B〜Dに示
すように他の3例が考えられる。すなわち、Bで
は主面を炉口向にし、O.F.面を下とする。Cで
は、主面を炉口向にするとともにO.F.面を上と
する。さらにDでは主面を炉奥向にし、O.F.面
を下とする。そして、これら姿勢修正は、それぞ
れ動作,動作,動作にあつて収容体を所望
の方向に回転させることによつて行なうことがで
きる。
Note that three other examples of the wafer posture are possible, as shown in FIGS. 17B to 17D. That is, in B, the main surface faces toward the furnace mouth, and the OF surface faces down. In C, the main surface is facing the furnace mouth and the OF surface is facing upward. Furthermore, in D, the main surface faces toward the back of the furnace, and the OF surface faces downward. These posture corrections can be carried out by rotating the container in a desired direction during each movement, movement, and movement.

つぎに、たとえば100枚ウエハを収容した搬入
バツフア139はポジシヨンCに移動するととも
に、ポジシヨンCにはトランスフア140も前進
して来る。そして、両者の位置合せが終了する
と、熱処理治具を載せたテーブルが上昇し、搬入
バツフア139に近接する。次に補助プツシヤ1
96が上昇して搬入バツフア139上のウエハを
支持し、ストツパ185の開放動作後に下降して
トランスフア140上の熱処理治具149上にウ
エハを移し、熱処理治具149を載せたテーブル
が下降する。
Next, the carry-in buffer 139 containing, for example, 100 wafers moves to position C, and the transfer 140 also advances to position C. When the alignment of both is completed, the table on which the heat treatment jig is placed rises and approaches the carry-in buffer 139. Next, auxiliary pusher 1
96 rises to support the wafer on the carry-in buffer 139, and after the stopper 185 is opened, it descends to transfer the wafer onto the heat treatment jig 149 on the transfer 140, and the table on which the heat treatment jig 149 is placed descends. .

つぎに、トランスフアは+X方向に後退してポ
ジシヨンDで停止する。すると、移載機150が
トランスフア上に移動して来て次にトランスフア
のテーブルが上昇し、チヤツク位置まで移動し、
そのチヤツク機構201でトランスフア上の熱処
理治具149を掴み、トランスフアのテーブルが
下降して所定の高さに停止しているエレベータ1
46上に運ぶ。この際、必要ならばポジシヨンD
で熱処理治具にダミーウエハを挿し込む。また、
エレベータ上には熱処理治具はエレベータの上に
載せられているボート203上に載せられる。
Next, the transfer moves backward in the +X direction and stops at position D. Then, the transfer machine 150 moves onto the transfer, and then the transfer table rises and moves to the chuck position.
The chuck mechanism 201 grips the heat treatment jig 149 on the transfer, and the transfer table lowers and stops at a predetermined height in the elevator 1.
46 carry it on top. At this time, position D if necessary.
Insert the dummy wafer into the heat treatment jig. Also,
The heat treatment jig is placed on a boat 203 placed on the elevator.

つぎに、エレベータ146は使用中でない所定
の炉心管202の炉口に移動する(ポジシヨンF
参照)。そして、エレベータ146と同期して上
昇したボートローダ148が動作してボート20
3を炉心管内に入れる(ポジシヨンG参照)。ボ
ートを炉心管の中央部に入れると引出棒204は
わずかに上方に回動してその先端の引掛端209
をボートの引掛孔220から抜き、後退し、炉心
管の入口部はシヤツター機構238によつて塞が
れる。
Next, the elevator 146 moves to the furnace mouth of a predetermined furnace tube 202 that is not in use (position F
reference). Then, the boat loader 148, which has risen in synchronization with the elevator 146, operates to load the boat 20.
3 into the reactor core tube (see position G). When the boat is placed in the center of the core tube, the pull-out rod 204 rotates slightly upward and the hook end 209 at the tip of the pull-out rod 204 rotates upward.
is pulled out from the hooking hole 220 of the boat and retreated, and the inlet of the reactor core tube is closed by the shutter mechanism 238.

一方、炉心管からのウエハの搬出時には、エレ
ベータおよびボートローダ148は自動的に指令
を受けた炉口に移動する。その特定の炉口はエレ
ベータ移動前あるいは後に扉(シヤツタ)が開
く。そこで、炉口にエレベータが停止するとボー
トローダ148が動作して、引出棒の先端引掛端
209を炉心管内のボートの引掛孔内に差し込ま
せ、後退してボートをエレベータ上のトレイステ
ーシヨン144上に引き出す。その後、エレベー
タが所定の高さに達すると、移載機150が移動
して来てエレベータ上の熱処理治具149を掴
み、搬出側に位置するトランスフア上に熱処理治
具を載置する。ここで、図示しない機構で熱処理
治具上のダミーウエハを取り出す。
On the other hand, when unloading wafers from the reactor core tube, the elevator and boat loader 148 automatically move to the reactor mouth where the command has been received. The door (shutter) of that particular furnace opening opens before or after the elevator moves. Therefore, when the elevator stops at the furnace mouth, the boat loader 148 operates to insert the hooking end 209 at the tip of the pull-out rod into the boat's hooking hole in the core tube, and retreats to place the boat on the tray station 144 on the elevator. Pull out. After that, when the elevator reaches a predetermined height, the transfer machine 150 moves and grabs the heat treatment jig 149 on the elevator, and places the heat treatment jig on the transfer located on the unloading side. Here, the dummy wafer on the heat treatment jig is taken out by a mechanism not shown.

つぎに、トランスフアは搬出バツフアの下方
(ポジシヨンH)に移動し、この位置で熱処理治
具上のウエハは移動して来た補助プツシヤ196
によつて搬出バツフアに一度に移し換えられる。
Next, the transfer moves below the unloading buffer (position H), and at this position the wafer on the heat treatment jig is transferred to the auxiliary pusher 196.
It is transferred all at once to an unloading buffer.

つぎに、ポジシヨンの位置に移動して来たウ
エハは1枚送出機構によつて順次搬出テーブル上
に送り出される。そして、搬出テーブル上のウエ
ハは気流に載せられて搬出テーブルの延長上に位
置する搬出路44上に送り出される。
Next, the wafers that have been moved to the position are sequentially delivered onto the delivery table by the one-sheet delivery mechanism. Then, the wafer on the carry-out table is carried by the airflow and sent out onto the carry-out path 44 located on the extension of the carry-out table.

なお、前記各装置、機構群は保管用のカートリ
ツジ11を搬出入するストツカ12の収容部17
の一端開口側を除いてはカバー238で被われて
いて、カバー外からカバー内に汚れた空気が入り
込まないようになつている。また、カバー内には
特に図示はしないが、清浄な空気が送り込まれる
とともに排気がなされている。また、カバー内は
大気圧よりもわずかに圧力が高くなり、カバー外
の空気が入り込まないように配慮されている。
The above-mentioned devices and mechanisms include a storage section 17 of a stocker 12 for loading and unloading storage cartridges 11;
It is covered with a cover 238, except for one open end, to prevent dirty air from entering the cover from outside the cover. Although not particularly shown in the drawings, clean air is fed into the cover and exhausted. Additionally, the pressure inside the cover is slightly higher than atmospheric pressure to prevent air from entering outside the cover.

また、制御部(制御系)は第32図で示すよう
に、各装置、機構の動作順序、作業条件を記憶す
る記憶部を有するとともに、各装置、機構等の作
業状況およびウエハの処理状況を監視、管理し、
各部の制御を行なう。
Furthermore, as shown in FIG. 32, the control unit (control system) has a storage unit that stores the operating order and working conditions of each device and mechanism, and also stores the working status of each device, mechanism, etc., and the processing status of wafers. monitor, manage,
Controls each part.

つぎに、このような一貫処理装置におけるウエ
ハの処理作業について第3図のフローチヤートを
も参考にして説明する。まず、ウエハ13を収容
したカートリツジ(たとえばウエハ25枚を収容す
る保管用カートリツジ)11を保管棚となるスト
ツカ12の収容部17に収容する。この際、スト
ツカにおけるカートリツジの収容状況やカートリ
ツジ内に収容されるウエハの種類、処理条件、処
理優先順位等は制御系に記憶される。そこで、作
業者が制御系の操作盤等を操作することによつて
以下に箇条書きする順序でウエハ処理が成され
る。
Next, wafer processing operations in such an integrated processing apparatus will be explained with reference to the flowchart shown in FIG. First, a cartridge 11 containing wafers 13 (for example, a storage cartridge containing 25 wafers) 11 is stored in the storage section 17 of the stocker 12, which serves as a storage shelf. At this time, the storage status of the cartridges in the stocker, the types of wafers stored in the cartridges, processing conditions, processing priorities, etc. are stored in the control system. Therefore, the wafer processing is performed in the order listed below by the operator operating the operation panel of the control system.

(1) 装置が駆動すると、受渡機構16によつてロ
ーダ機構14に1つのカートリツジ11のウエ
ハが移し換えられ、ローダ機構14から順次ウ
エハが搬送路43に1枚ずつ送り込まれる。
(1) When the apparatus is driven, the wafers in one cartridge 11 are transferred to the loader mechanism 14 by the transfer mechanism 16, and the wafers are sequentially fed into the transport path 43 from the loader mechanism 14 one by one.

(2) 搬送路43内を純水の流れに抗して洗浄され
ながら移動したウエハはAなる薬液処理槽(処
理槽)の前に位置する予備槽52内に入れら
れ、その後搬出入プツシヤ59によつて処理槽
内に送り込まれる。処理槽内に移つたウエハは
この処理槽内のエツチング液中を円環状に移動
して再び元の回動開始位置に戻り、前記搬出入
プツシヤ59のウエハの処理槽への送り動作時
の戻り動作によつて予備槽52内に戻る。その
後、このウエハは予備槽52から搬出路43を
通つて次のBなる薬液処理槽に運ばれ再びエツ
チングがなされる。このようにして、順次ウエ
ハはA,B,Cなる薬液処理装置で処理され、
搬送路43を通つて次の乾燥部に送られる。
(2) The wafers that have been moved through the transport path 43 while being cleaned against the flow of pure water are placed in a reserve tank 52 located in front of the chemical treatment tank A, and then transferred to the loading/unloading pusher 59. into the processing tank. The wafer transferred into the processing tank moves in an annular manner through the etching solution in the processing tank and returns to the original rotation start position again, and returns when the carry-in/out pusher 59 transports the wafer to the processing tank. The operation returns it to the reserve tank 52. Thereafter, this wafer is transported from the preliminary tank 52 through the carry-out path 43 to the next chemical treatment tank B, and is etched again. In this way, the wafers are sequentially processed by chemical processing equipment A, B, and C.
It is sent to the next drying section through the conveyance path 43.

(3) 乾燥部ではウエハは回転テーブル111に保
持されて回転乾燥され、その後ウエハ振分けテ
ーブル116に至る。そして、このウエハ振分
けテーブル116によつてアンローダ機構15
に転送される指令がない限り、ウエハ搬出入部
4に続く搬送路136Bに移り、熱風乾燥路1
36Aを通つてウエハ搬出入部に移る。
(3) In the drying section, the wafer is held on a rotary table 111 and dried by rotation, and then reaches the wafer sorting table 116. The wafer sorting table 116 allows the unloader mechanism 15 to
Unless there is a command transferred to
It passes through 36A and moves to the wafer loading/unloading section.

(4) ウエハ搬出入部4に移つたウエハは姿勢修正
機構138によつてウエハのO.F.181およ
び回路素子パターンを形作る主面の方向性を一
定に揃えられて順次搬入バツフア139に入れ
られる。搬入バツフア139に所望枚数(たと
えば100枚)のウエハが収容されるとウエハ処
理作業はバツチ処理形態に変わり、前記搬入バ
ツフア139のウエハは熱処理治具149に移
し換えられる。この熱処理治具149はトラン
スフア140、移載機150によつてエレベー
タ146上のトレイステーシヨン144のボー
ト203上に運ばれた後、エレベータ146に
よつて指定された炉口に運ばれ、ボートローダ
148によつて炉心管202内に挿入される。
炉心管202内に熱処理治具149が収容され
ると炉口はシヤツター機構で塞がれ、熱処理治
具149上のウエハは拡散等の熱処理が施こさ
れる。
(4) The wafers transferred to the wafer loading/unloading section 4 are sequentially loaded into the loading buffer 139 with the orientation of the OF 181 of the wafer and the main surface forming the circuit element pattern being uniformly aligned by the attitude correction mechanism 138. When a desired number of wafers (for example, 100 wafers) are stored in the carry-in buffer 139, the wafer processing operation changes to a batch processing mode, and the wafers in the carry-in buffer 139 are transferred to the heat treatment jig 149. This heat treatment jig 149 is transported to the boat 203 of the tray station 144 on the elevator 146 by the transfer machine 140 and the transfer machine 150, and then transported to the designated furnace mouth by the elevator 146, and then transferred to the boat loader. 148 into the reactor core tube 202 .
When the heat treatment jig 149 is housed in the furnace core tube 202, the furnace opening is closed by a shutter mechanism, and the wafers on the heat treatment jig 149 are subjected to heat treatment such as diffusion.

(5) ウエハの熱処理後は、炉心管202内の熱処
理治具149は再びボートローダ148、エレ
ベータ146、移載機150の連撃動作によつ
て搬出側位置であるポジシヨンHに位置するト
ランスフア140に運ばれる。その後、トラン
スフア140上の熱処理治具149に収容され
るウエハは搬出バツフア141に100枚同時に
移される。つぎに、搬出バツフア141内のウ
エハは1枚送出機構142によつて1枚ずつ搬
出路44上に送り出される。搬出路44上に送
り出されたウエハは搬出路44に沿つて移動し
てアンローダ機構15の収容箱22に順次収容
される。アンローダ機構15の収容箱22にウ
エハが一杯になると再び受渡機構16が動作し
て、アンローダ機構に保持される25枚のウエハ
13を空のカートリツジ11に移し換え、ウエ
ハで一杯になつたカートリツジ11をストツカ
12の空の収容部17に収容して一連のウエハ
処理作業を完了する。なお、炉心管202や薬
液処理槽53は複数設置されていることから、
前記各作業は有機的に行なわれ、少なくとも3
本の炉心管202は常に有効に使用される。
(5) After the wafer heat treatment, the heat treatment jig 149 in the furnace core tube 202 is moved again to the transfer chamber located at position H, which is the unloading side position, by the continuous action of the boat loader 148, elevator 146, and transfer machine 150. Transported to 140. Thereafter, 100 wafers accommodated in the heat treatment jig 149 on the transfer 140 are simultaneously transferred to the unloading buffer 141. Next, the wafers in the carry-out buffer 141 are delivered onto the carry-out path 44 one by one by the single-wafer delivery mechanism 142. The wafers sent out onto the unloading path 44 move along the unloading path 44 and are sequentially accommodated in the storage box 22 of the unloader mechanism 15. When the storage box 22 of the unloader mechanism 15 is full of wafers, the transfer mechanism 16 operates again and transfers the 25 wafers 13 held by the unloader mechanism to the empty cartridge 11, and the cartridge 11 that is full of wafers is transferred. The wafers are stored in the empty storage section 17 of the stocker 12 to complete a series of wafer processing operations. Note that since a plurality of furnace core tubes 202 and chemical treatment tanks 53 are installed,
Each of the above operations is carried out organically, with at least 3
The main furnace tube 202 is always used effectively.

このようなウエハ一貫処理方法およびその装置
によればつぎのような多くの効果を生じさせる。
Such a wafer integrated processing method and its apparatus produce many effects as described below.

(1) 各作業は機械で自動的に行なわれる。また装
置全体はカバーで被われ、ウエハ通過空間は常
に清浄な空気で充されるようになつている。し
たがつて、従来のように作業処理空間内には発
塵源となる作業者もいないことから、ウエハの
汚染は極めて少なくなり、品質の低下を防止で
きる。
(1) Each work is performed automatically by a machine. Furthermore, the entire apparatus is covered with a cover, so that the wafer passage space is always filled with clean air. Therefore, there is no worker in the work processing space who is a source of dust, unlike in the past, so wafer contamination is extremely reduced, and deterioration in quality can be prevented.

(2) 熱処理作業前のウエハの清浄化にあつては、
ウエハは個別処理されるため、ウエハの清浄度
は良好であるばかりでなく各ウエハ間の処理が
均一化し、その状態で熱処理作業が行なわれ
る。したがつて、品質が高くかつ歩留が向上す
る。
(2) When cleaning wafers before heat treatment,
Since the wafers are individually processed, not only the cleanliness of the wafers is good, but also the processing between each wafer is uniform, and the heat treatment work is performed in this state. Therefore, quality is high and yield is improved.

(3) 各作業は自動化されているため作業人員の削
減を図ることができるばかりでなく、従来のよ
うな作業者の取扱ミスによるウエハの破損は防
止できる。特に各装置間のウエハの運搬作業が
不要となつた点でこの効果は大きい。
(3) Since each work is automated, it is possible not only to reduce the number of workers, but also to prevent damage to wafers due to handling errors by workers, which was the case in the past. This is particularly effective in that it eliminates the need to transport wafers between devices.

(4) 各装置部はマイクロ・コンピユータ等の制御
部によつて最適化制御されるため効率的な作業
が行なえ、ウエハ処理コストの低減化も図るこ
とができる。
(4) Since each device section is optimally controlled by a control section such as a microcomputer, efficient work can be performed and wafer processing costs can be reduced.

なお、本発明は前記実施例に限定されない。た
とえば、第26図a,b〜第31図で示すよう
に、1枚ずつ送り込まれるウエハを所定枚数(た
とえば25枚)一時的に貯蔵し、この25枚のウエハ
を同時に方向合せを行なつてから熱処理治具に運
ぶようにしてもよい。この実施例の構造は基本的
思想において前記第13図〜第20図で示す実施
例と同じであることから各部は同一あるいは極め
て似ているものが多く、大きく異なる部分は1枚
ずつ送られてくるウエハを一時貯蔵して所定枚数
(たとえば25枚)になると、姿勢修正機構に移し
変えて全てのウエハの姿勢修正を行なう部分と、
これら25枚単位でのウエハの受授機構と、ボート
ローダおよびトレイステーシヨンを各炉心管毎に
配設した部分とである。つぎにこの実施例におい
て特に説明を必要とする部分の構造動作について
説明する(説明省略部分は前記実施例の同一対応
部の説明を参照。また、前記実施例と同一あるい
は近似する機構の名称、指示番号はそのまま用い
る。)。装置外部から送り込まれるウエハはポジシ
ヨンAの受取ガイド240によつて両縁部をのみ
支えられるようにして受け取られ、この受取ガイ
ド240はガイド棒241に沿つてポジシヨンB
に移動する。ポジシヨンBではプツシヤ242が
ガイド棒243に沿つて移動し、プツシヤで受取
ガイド240内のウエハを移送して搬入カートリ
ツジ244に入れる。この搬入カートリツジはた
とえば25枚のウエハを収容できるように平行に25
対の収容溝が設けられ、各1対の収容溝にウエハ
を収容する。また、この搬入カートリツジは上下
動し、ウエハが1枚入れられる毎に1ピツチ上昇
して順次ウエハを収容する。なお、直接ポジシヨ
ンAからウエハをこの搬入カートリツジに入れる
ようにしてもよい。
Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, as shown in FIGS. 26a, b to 31, a predetermined number (for example, 25) of wafers that are fed one by one are temporarily stored, and the orientation of these 25 wafers is aligned simultaneously. Alternatively, it may be transported from there to a heat treatment jig. The structure of this embodiment is basically the same as the embodiment shown in FIGS. 13 to 20, so many parts are the same or very similar, and parts that differ greatly are sent one by one. A part that temporarily stores the coming wafers and when a predetermined number (for example, 25 wafers) is reached, transfers them to an attitude correction mechanism to correct the attitude of all wafers;
These are a mechanism for receiving and receiving wafers in units of 25 wafers, and a section in which a boat loader and tray station are arranged for each reactor core tube. Next, the structure and operation of parts that require special explanation in this embodiment will be explained (for parts omitted from explanation, refer to the explanation of the same corresponding parts in the previous embodiment. Also, the names of mechanisms that are the same as or similar to those in the previous embodiment, (Use the instruction number as is.) A wafer sent from outside the apparatus is received by a receiving guide 240 in position A with only both edges supported, and this receiving guide 240 is moved along a guide bar 241 to position B.
Move to. In position B, the pusher 242 moves along the guide bar 243, and the pusher transfers the wafer in the receiving guide 240 into the loading cartridge 244. This loading cartridge is arranged in parallel to accommodate 25 wafers, for example.
Pairs of receiving grooves are provided, and each pair of receiving grooves accommodates a wafer. Further, this carry-in cartridge moves up and down, and each time a wafer is loaded, it rises one pitch and accommodates the wafers one by one. Note that the wafer may be placed directly into this loading cartridge from position A.

つぎに、この搬入カートリツジに25枚のウエハ
が収容されると下降して、第27図で示すように
搬入カートリツジは一定高さに静止する。する
と、移換プツシヤ245が前進して搬入カートリ
ツジ内の25枚のウエハを姿勢修正機構138に移
し換える。移換プツシヤ245の先端は平行に25
条の受溝246が設けられ、この受溝で各ウエハ
の後端を押す。以下、説明の便宜上25枚のウエハ
を移し換えるプツシヤは全て移換プツシヤ245
と呼ぶことにする。
Next, when 25 wafers are stored in this carry-in cartridge, it is lowered, and the carry-in cartridge comes to rest at a constant height as shown in FIG. Then, the transfer pusher 245 moves forward and transfers the 25 wafers in the carry-in cartridge to the posture correction mechanism 138. The tip of the transfer pusher 245 is parallel to 25
A striped receiving groove 246 is provided which presses the rear end of each wafer. For convenience of explanation, all pushers for transferring 25 wafers are transfer pushers 245.
I will call it.

つぎに、姿勢修正機構138ではポジシヨンD
でウエハの姿勢修正を行ない、ポジシヨンEで搬
入バツフア139に移管プツシヤを用いてウエハ
を25枚移し換える。ここで第30図で示す25枚収
容の姿勢修正機構138について簡単に説明す
る。収容体156には複数、たとえば25枚のウエ
ハが並列的にガイド溝164を利用して収容され
るようになつている。そして、この収容体156
はポジシヨンDに設けられた第1次方向修正機構
153および第2次方向修正機構154を組み込
んだ方向修正機構247によつて、O.F.整列が
なされるようになつている。また、第1次方向修
正機構の修正軸176と第2次方向修正機構の修
正板183はそれぞれガイドレール151に沿つ
て移動する収容体156の真下に交互に位置でき
るように、方向修正機構247の基台248に支
片249を介して取り付けられる2本のガイド棒
250に沿つて往復動できるようになつている。
また、第1・第2次方向修正機構153,154
の昇降軸251,252はガイド棒に摺動自在に
取り付けられるスライダ253に固定されたブロ
ツク254に上下動可能に取り付けられ、これら
昇降軸251,252はカム255(一方のカム
は図示されていないが)によつて上下動する。ま
た、スライダ253の往復動もカム256によつ
て行なわれる。また、昇降軸251,252の上
昇力およびスライダ253の一方の移動力はばね
257,258によつて与えられる。
Next, the posture correction mechanism 138 moves to position D.
At position E, the wafer posture is corrected, and at position E, 25 wafers are transferred to the transfer buffer 139 using the transfer pusher. Here, the posture correction mechanism 138 for accommodating 25 sheets shown in FIG. 30 will be briefly described. A plurality of wafers, for example, 25 wafers, are accommodated in the container 156 in parallel using guide grooves 164. And this container 156
The OF alignment is performed by a direction correction mechanism 247 provided at position D and incorporating a primary direction correction mechanism 153 and a secondary direction correction mechanism 154. Further, the direction correction mechanism 247 is arranged so that the correction shaft 176 of the primary direction correction mechanism and the correction plate 183 of the secondary direction correction mechanism can be alternately positioned directly below the container 156 moving along the guide rail 151. It is designed to be able to reciprocate along two guide rods 250 attached to a base 248 via support pieces 249.
In addition, the first and second direction correction mechanisms 153 and 154
The lifting shafts 251, 252 are vertically movably attached to a block 254 fixed to a slider 253 which is slidably attached to a guide rod, and these lifting shafts 251, 252 are connected to a cam 255 (one cam is not shown). ) moves up and down. Further, the reciprocating movement of the slider 253 is also performed by the cam 256. Further, the lifting force of the lifting shafts 251 and 252 and the moving force of one of the sliders 253 are provided by springs 257 and 258.

つぎに、25枚ずつのウエハの搬送を4回繰り返
して搬入バツフア139に100枚のウエハが収容
されると、搬入バツフアは第27図および第28
図で示すように、ポジシヨンFに位置するトラン
スフア140上に移動する。このトランスフアは
ウエハを25枚ずつ支持する補助プツシヤ196
(移換プツシヤ245)を有するとともに、熱処
理治具149を支持する載置テーブル259をも
有している。また、この載置テーブルには図示は
しないが補助プツシヤ196の受板197が通過
する窓が設けられている。また、この載置テーブ
ルも昇降プツシヤ260によつて上下動する。さ
らに、このトランスフア140はポジシヨンJ,
F,G間をガイド棒261に沿つて移動する。
Next, when 100 wafers are stored in the carry-in buffer 139 by repeating the transfer of 25 wafers four times, the carry-in buffer is
Move onto the transfer 140 located at position F as shown in the figure. This transfer is supported by an auxiliary pusher 196 that supports 25 wafers at a time.
(transfer pusher 245), and also has a mounting table 259 that supports the heat treatment jig 149. Further, although not shown, this mounting table is provided with a window through which the receiving plate 197 of the auxiliary pusher 196 passes. Further, this mounting table is also moved up and down by the lifting pusher 260. Furthermore, this transfer 140 is in position J,
Move along the guide rod 261 between F and G.

つぎに、トランスフアの載置テーブル259お
よび補助プツシヤ260が上昇して搬入バツフア
139に収容されている100枚のウエハを載置テ
ーブル上の熱処理治具上に移し換える。ウエハの
移換えが終わるとトランスフアは第29図で示す
ようにポジシヨンGに移動する。その後、上方か
ら移載機150が下降し、そのチヤツク機構20
1でトランスフア上の熱処理治具149を掴み上
昇する。そして、トランスフアがポジシヨンGか
ら外れると、炉口に配設されたトレイステーシヨ
ン144の1つがガイド棒262に沿つて前進し
てポジシヨンGで停止する。すると、再び移載機
150は下降してトレイステーシヨン144の上
方で停止し、チヤツク機構201を開放してポジ
シヨンHにあるトレイステーシヨンのボート20
3上に熱処理治具を載置する。
Next, the transfer table 259 and the auxiliary pusher 260 are raised to transfer the 100 wafers housed in the carry-in buffer 139 onto the heat treatment jig on the transfer table. When the wafer transfer is completed, the transfer moves to position G as shown in FIG. After that, the transfer machine 150 descends from above, and its chuck mechanism 20
1, grab the heat treatment jig 149 on the transfer and move up. When the transfer moves away from position G, one of the tray stations 144 disposed at the furnace mouth moves forward along the guide rod 262 and stops at position G. Then, the transfer machine 150 descends again and stops above the tray station 144, releases the chuck mechanism 201, and transfers the boat 20 of the tray station in position H.
3. Place the heat treatment jig on top.

つぎに、再び移載機が上昇すると、トレイステ
ーシヨンは後退して炉口にトレイステーシヨンを
位置させる。すると、ボートローダ148の引出
棒204は前進してボート203と共に熱処理治
具をポジシヨンで示す炉心管202内に入れ、
一連のウエハ搬入作業を終了する。
Next, when the transfer machine rises again, the tray station moves back and positions the tray station at the furnace mouth. Then, the pull-out rod 204 of the boat loader 148 moves forward and puts the heat treatment jig together with the boat 203 into the furnace core tube 202 indicated by the position.
A series of wafer loading operations is completed.

ところで、前記ボートローダ148の引出棒2
04は常にボートローダ駆動部205に取り付け
られる構造となつている。すなわち、引出棒20
4の屈曲した引掛端209は従来と同様に単にボ
ート203の引掛孔220に上方から挿脱自在に
挿し込まれるだけであるが、他の一端はボートロ
ーダ駆動部に回転自在に取り付けられる回転体2
63に摺動可能に取り付けられている。また、こ
の取付端には引出棒を炉心管202に向かつて前
進させる際前記回転体の周面が当接し引出棒20
4が押すための挿入用ストツパ264と、ボート
203を炉心管202から引き出す際、回転体の
周面に当接する抜取用ストツパ265とが鍔状に
固定されている。また、挿入用ストツパ264と
抜取用ストツパとの間隔l(たとえばl=15mm、
トレイステーシヨン水平移動距離180mm)は広く
形成され、トレイステーシヨン144を移動した
際、回転体263の位置とトレイステーシヨン1
44上のボート203の引掛孔220との長さの
変化を回転体での引出棒204の摺動変化によつ
て吸収できるようになつている。また、引出棒は
回転体に対して上下方向に首振りできるようにな
つていて、トレイステーシヨン144上のボート
の引掛孔220から引出棒の引掛端を挿脱できる
ようになつている。また、引出棒は常時その引掛
端をボートの引掛孔に挿入する状態となり、拡散
時にはその引掛端部を炉心管202内に入れる。
なお、図中266はボートローダ駆動部205の
下面に固定される支持ブロツクであつて、回転体
の下部を回動自在に支持するものである。
By the way, the pull-out rod 2 of the boat loader 148
04 is always attached to the boat loader drive section 205. That is, the pull-out rod 20
The bent hooking end 209 of No. 4 is simply inserted into and removably from above into the hooking hole 220 of the boat 203 as in the conventional case, but the other end is a rotating body that is rotatably attached to the boat loader drive unit. 2
63 so as to be slidable. Further, when the pull-out rod is advanced toward the furnace core tube 202, the circumferential surface of the rotating body comes into contact with this mounting end, and the pull-out rod 20
An insertion stopper 264 for pushing the boat 203 from the furnace core tube 202 and an extraction stopper 265 that comes into contact with the circumferential surface of the rotating body when the boat 203 is pulled out from the furnace core tube 202 are fixed in a brim shape. Also, the distance l between the insertion stopper 264 and the extraction stopper (for example, l = 15 mm,
The tray station horizontal movement distance (180 mm) is formed to be wide, so that when the tray station 144 is moved, the position of the rotating body 263 and the tray station 1 are
Changes in length between the boat 203 and the hooking hole 220 on the rotating body can be absorbed by the sliding change of the pull-out rod 204 on the rotating body. Further, the pull-out rod is designed to be able to swing vertically relative to the rotating body, and the hook end of the pull-out rod can be inserted into and removed from the boat hook hole 220 on the tray station 144. Further, the pull-out rod always has its hooked end inserted into the hooking hole of the boat, and the hooked end is inserted into the furnace core tube 202 during diffusion.
In the figure, reference numeral 266 is a support block fixed to the lower surface of the boat loader drive section 205, which rotatably supports the lower part of the rotating body.

ウエハ搬出作業にあつては前記搬入作業の手順
の逆を行なわせて、炉心管202から熱処理治具
149を取り出し、トランスフア140でポジシ
ヨンJに運び、補助プツシヤ196および昇降プ
ツシヤ260を動作させて搬出バツフア141に
100枚のウエハを移し換える。その後、搬出バツ
フアはポジシヨンKに進み、そこで移換プツシヤ
245を用いて前記収容体156(25枚収容)と
同一構造の搬出収容体267に25枚のウエハを移
し換える。この搬出収容体はガイド棒268に沿
つてポジシヨンMに移動する間(ポジシヨンL)
に90度反転し、ウエハを水平状態にする。ポジシ
ヨンMに到達すると、水平方向に前後進する移換
プツシヤが上昇した後作動して、搬出収容体内に
収容されている25枚のウエハを全て搬出カートリ
ツジ269に移し換える。この搬出カートリツジ
は前記搬入カートリツジ244と構造および動き
も同じであることから、順次上方にピツチ移動す
る。そして、1ピツチ動作毎に1枚のウエハは図
示しない送出プツシヤによつて搬出カートリツジ
から押し出されて搬出テーブル143(搬出路4
4)上に送り出される。搬出テーブル143上に
送り出されたウエハ13は気流によつてアンロー
ダ機構15に運ばれる。搬出カートリツジ内のウ
エハ13が全て送り出されると、再び搬出収容体
207は搬出バツフア141から25枚のウエハを
運んで来る。これら以上の各動作は制御装置9で
自動的に制御される。また、装置全体はカバー2
70で被われ塵埃が入り込まないようになつてい
る。
For the wafer unloading operation, the procedure for carrying in the wafer is reversed, and the heat treatment jig 149 is taken out from the furnace core tube 202, transported to position J by the transfer 140, and the auxiliary pusher 196 and the elevating pusher 260 are operated. To the unloading buffer 141
Transfer 100 wafers. Thereafter, the carry-out buffer advances to position K, where the transfer pusher 245 is used to transfer 25 wafers to a carry-out container 267 having the same structure as the container 156 (accommodating 25 wafers). While this unloading container moves along the guide rod 268 to position M (position L)
Flip the wafer 90 degrees and place the wafer horizontally. When position M is reached, the transfer pusher, which moves back and forth in the horizontal direction, is raised and then operated to transfer all 25 wafers housed in the transfer container to the transfer cartridge 269. Since this carry-out cartridge has the same structure and movement as the carry-in cartridge 244, it sequentially moves upward in pitches. Then, for each pitch operation, one wafer is pushed out from the carry-out cartridge by a feed-out pusher (not shown), and is pushed out from the carry-out table 143 (the carry-out path 4).
4) It is sent upward. The wafer 13 delivered onto the unloading table 143 is carried to the unloader mechanism 15 by the air current. When all the wafers 13 in the carry-out cartridge are sent out, the carry-out container 207 again carries 25 wafers from the carry-out buffer 141. Each of the above operations is automatically controlled by the control device 9. In addition, the entire device is covered by cover 2.
70 to prevent dust from entering.

この実施例は前記実施例が有する各効果に加え
て、所定枚数のウエハを一度で姿勢修正するた
め、作業速度が向上する特長もある。
In addition to the effects of the previous embodiments, this embodiment also has the advantage of improving the work speed because the postures of a predetermined number of wafers are corrected at one time.

以上のように、本発明のウエハ一貫処理装置に
よれば、ウエハは個別清浄化処理されることから
品質のばらつきがなく安定し、その状態で熱処理
が行なわれる。このため、ウエハ処理の品質向
上、歩留向上を図ることができる。
As described above, according to the wafer integrated processing apparatus of the present invention, since the wafers are individually cleaned, the quality of the wafers is stable without variation, and the heat treatment is performed in this state. Therefore, it is possible to improve the quality and yield of wafer processing.

また、本発明によれば、各作業処理間のウエハ
の搬送はウエハの1枚が主体的であり、従来のよ
うなウエハを収容する大きな保管用(搬送用)カ
ートリツジは不要となる。このため、ウエハの搬
送空間も小さくなり、装置全体が小型化する。ま
た、装置全体が小型化できるため、設備費が安価
となるばかりでなく清浄化(クリーン化)を必要
とする空間が狭くなり、空間清浄化に必要な清浄
空気の使用量が低減し、装置の維持コストが大幅
に軽減される。
Further, according to the present invention, one wafer is mainly transported between each work process, and a large storage (transport) cartridge for accommodating wafers as in the prior art is not required. Therefore, the wafer transport space becomes smaller, and the entire apparatus becomes smaller. In addition, since the entire device can be made smaller, not only does the equipment cost become cheaper, but the space that needs to be cleaned becomes smaller, reducing the amount of clean air needed to clean the space, and reducing the equipment cost. maintenance costs are significantly reduced.

さらに、本発明によれば、各装置部は制御系で
最適制御されるため、各装置部は最適稼動し、ウ
エハ処理コストの低減化も図ることができる。
Further, according to the present invention, since each device section is optimally controlled by the control system, each device section can operate optimally, and wafer processing costs can also be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第32図は本発明の一実施例による一
貫処理装置を示す図であつて、第1図は概略平面
図、第2図は外観を示す斜視図、第3図はウエハ
の処理工程を示すフローチヤート、第4図はロー
ダ・アンローダ部の機構を示す斜視図、第5図は
同じく一部の正面図、第6図a,bは搬出路を示
す斜視図および断面図、第7図、第8図は搬出路
の他の実施態様を示す斜視図および断面図、第9
図は洗浄部における洗浄装置を示す斜視図、第1
0図は乾燥部の斜視図、第11図a,bは乾燥装
置における回転テーブルの斜視図および断面図、
第12図a,bは同じく乾燥装置の断面図、第1
3図はウエハ搬出入部の斜視図、第14図a,b
はウエハの移動経路を示す斜視図、第15図はウ
エハ姿勢修正機構を示す斜視図、第16図はウエ
ハ方向合せ機構を示す正面図、第17図はウエハ
姿勢修正形態例を示す図、第18図は収容体とバ
ツフアとの間のウエハ受渡し動作を示す断面図、
第19図および第20図はバツフアと熱処理治具
との間のウエハ受渡し機構を示す正面図および側
面図、第21図はボートローダを示す斜視図、第
22図は同じく一部を示す正面図、第23図は拡
散炉装置を示す斜視図、第24図は同じく平面
図、第25図は炉心管を支持する回転機構の斜視
図、第26図a,b〜第31図a,bは本発明の
他の実施例を示す図であつて、第26図a,bは
ウエハの移動経路を示す斜視図、第27図はウエ
ハ搬出入部の正面図、第28図は同じく平面図、
第29図は同じく側面図、第30図はウエハ姿勢
修正機構を示す斜視図、第31図a,bはボート
ローダを示す斜視図、第32図はウエハ一貫処理
装置の自動処理系統を示す系統図である。 1…ローダ・アンローダ部、2…洗浄部、3…
乾燥部、3A…乾燥装置、4…ウエハ搬出入部、
5…スカベンジヤ、6…炉、7…ガス供給部、8
…拡散炉装置部、9…制御装置、10…制御機器
部、11…保管用のカートリツジ、12…ストツ
カ、13…ウエハ、14…ローダ機構、15…ア
ンローダ機構、16…受渡機構、18…反転テー
ブル、19…搬送機構、25…フオーク、42…
1枚送出プツシヤ、43…搬送路、44…搬出
路、46…噴射孔、47…移送アーム、52…予
備槽、53…薬液処理槽(処理槽)、54…処理
槽本体、55…ウエハホルダ、57…かくはん
板、59…搬入プツシヤ、61…水洗路用ウエハ
プツシヤ、63…ヒーター、64…境界部、65
…ウエハ保持プレート、66…扇形プレート、7
4…液かくはんプレート、75…回転アーム、7
6…ウエハ送りこみプツシヤ、94…ステージ、
107…連結棒、111…回転テーブル、112
…乾燥カツプ、115…すすぎ部搬送路、116
…ウエハ振分けテーブル、119…スツパピン、
120…カツプ、134…搬入経路、135…搬
出経路、136A…熱風乾燥炉、139…搬入バ
ツフア、140…トランスフア、141…搬出バ
ツフア、144…トレイステーシヨン、146…
エレベータ、148…ボートローダ、149…熱
処理治具、150…移載機、152…表裏面修正
機構、153…第1次方向修正機構、154…第
2次方向修正機構、165,166…ピン、16
7…第1ストツパ、168…第2ストツパ、18
1…O.F.、202…炉心管、203…ボート、
204…引出棒、235…制御回路部、238…
シヤツタ機構、339…カバー、240…受取ガ
イド、241…ガイド棒、242…プツシヤ、2
43…ガイド棒、244…搬入カートリツジ、2
45…移換プツシヤ、247…方向修正機構、2
55,256…カム、260…昇降プツシヤ、2
69…搬出カートリツジ、270…カバー。
1 to 32 are diagrams showing an integrated processing apparatus according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a schematic plan view, FIG. 2 is a perspective view showing the external appearance, and FIG. 3 is a wafer processing apparatus. Flowchart showing the process, FIG. 4 is a perspective view showing the mechanism of the loader/unloader section, FIG. 5 is a front view of a part of the same, FIGS. 7 and 8 are perspective views and sectional views showing other embodiments of the carrying out path, and FIG.
The figure is a perspective view showing the cleaning device in the cleaning section.
Figure 0 is a perspective view of the drying section, Figures 11a and 11b are perspective views and cross-sectional views of the rotary table in the drying device,
Figures 12a and 12b are also cross-sectional views of the drying device;
Figure 3 is a perspective view of the wafer loading/unloading section, Figures 14a and b
15 is a perspective view showing a wafer posture correction mechanism, FIG. 16 is a front view showing a wafer orientation mechanism, FIG. 17 is a diagram showing an example of a wafer posture correction mode, and FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view showing the wafer transfer operation between the container and the buffer;
19 and 20 are front and side views showing the wafer transfer mechanism between the buffer and the heat treatment jig, FIG. 21 is a perspective view showing the boat loader, and FIG. 22 is a front view showing a part of the same. , FIG. 23 is a perspective view showing the diffusion furnace apparatus, FIG. 24 is a plan view, FIG. 25 is a perspective view of the rotating mechanism that supports the core tube, and FIGS. 26 a, b to 31 a, b are 26A and 26B are perspective views showing the wafer moving path, FIG. 27 is a front view of the wafer loading/unloading section, and FIG. 28 is a plan view of the wafer loading/unloading section.
FIG. 29 is a side view, FIG. 30 is a perspective view showing the wafer posture correction mechanism, FIGS. 31 a and b are perspective views showing the boat loader, and FIG. 32 is a system showing the automatic processing system of the wafer integrated processing device. It is a diagram. 1...Loader/unloader section, 2...Cleaning section, 3...
Drying section, 3A...Drying device, 4...Wafer loading/unloading section,
5...Scavengeer, 6...Furnace, 7...Gas supply section, 8
...Diffusion furnace device section, 9...Control device, 10...Control equipment section, 11...Storage cartridge, 12...Stocker, 13...Wafer, 14...Loader mechanism, 15...Unloader mechanism, 16...Delivery mechanism, 18...Reversing Table, 19...Transportation mechanism, 25...Fork, 42...
Single sheet delivery pusher, 43...Transportation path, 44...Ejection path, 46...Ejection hole, 47...Transfer arm, 52...Preliminary tank, 53...Chemical solution processing tank (processing tank), 54...Processing tank main body, 55...Wafer holder, 57... Stirring plate, 59... Carrying pusher, 61... Wafer pusher for water washing path, 63... Heater, 64... Boundary part, 65
...Wafer holding plate, 66...Sector plate, 7
4...Liquid stirring plate, 75...Rotating arm, 7
6... Wafer feeding pusher, 94... Stage,
107...Connection rod, 111...Rotary table, 112
...Drying cup, 115...Rinse section conveyance path, 116
...Wafer sorting table, 119...Suppa pin,
120...Cup, 134...Carry-in route, 135...Carry-out route, 136A...Hot air drying oven, 139...Carry-in buffer, 140...Transfer, 141...Carry-out buffer, 144...Tray station, 146...
Elevator, 148...Boat loader, 149...Heat treatment jig, 150...Transfer machine, 152...Front and back surface correction mechanism, 153...Primary direction correction mechanism, 154...Second direction correction mechanism, 165, 166...Pin, 16
7...First stopper, 168...Second stopper, 18
1...OF, 202...furnace tube, 203...boat,
204... Pull-out rod, 235... Control circuit section, 238...
Shutter mechanism, 339... Cover, 240... Receiving guide, 241... Guide rod, 242... Pusher, 2
43... Guide rod, 244... Carrying-in cartridge, 2
45...transfer pusher, 247...direction correction mechanism, 2
55, 256...Cam, 260...Elevating pusher, 2
69...Export cartridge, 270...Cover.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 実質的に水平にされた搬送路を介して順次に
供給される各ウエハを順次に表面処理する表面処
理装置と、熱処理治具に収納された複数枚のウエ
ハを同時に熱処理する熱処理装置と、複数枚のウ
エハの収納のためのカートリツジから一枚づつウ
エハを送り出すローダ機構とかかるローダ機構に
よつて送り出されたウエハを順次に搬送しかつ上
記表面処理装置を通過させる上記搬送路とを備え
た搬送機構系と、上記搬送機構系から送られたウ
エハの外周部が回転修正軸に当接されるようにウ
エハ面を回転せしめる機構とウエハのオリエンテ
ーシヨンフラツト部以外の外周部が当接されてい
るときにウエハにその外周方向に沿う回転力を与
えかつ上記オリエンテーシヨンフラツト部が当接
されたときウエハへの回転力の付与を停止する上
記回転修正軸とを少なくとも持つ姿勢修正機構と
上記姿勢修正機構によつてオリエンテーシヨンフ
ラツト部の方向が揃えられた複数枚のウエハを上
記熱処理治具へ収納する移載機構と上記熱処理治
具の上記熱処理装置への搬入搬出を行なう搬入搬
出機構とを備えた搬入出機構系と、上記搬入出機
構系から供給されたウエハの複数枚をカートリツ
ジに収納するアンロード機構を含む搬出機構系
と、上記装置及び機構系の動作制御を行なう制御
手段とからなることを特徴とするウエハ処理装
置。 2 すくなくとも上記搬送機構系、搬入出機構系
及び搬出機構系はカバーで被われるとともに、カ
バー内は清浄な雰囲気とされる様にしたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のウエハ処理
装置。
[Claims] 1. A surface treatment device that sequentially processes the surface of each wafer that is sequentially supplied through a substantially horizontal conveyance path, and a surface treatment device that simultaneously processes a plurality of wafers stored in a heat treatment jig. a heat treatment device that performs heat treatment; a loader mechanism that feeds out wafers one by one from a cartridge for storing a plurality of wafers; and a loader mechanism that sequentially transports the wafers sent out by the loader mechanism and passes through the surface treatment device. A transport mechanism system having a transport path, a mechanism for rotating the wafer surface so that the outer peripheral part of the wafer sent from the transport mechanism system comes into contact with a rotation correction shaft, and a wafer orientation flat part. The rotation correction shaft applies a rotational force along the outer circumference of the wafer when the outer circumference of the wafer is in contact with the wafer, and stops applying the rotational force to the wafer when the orientation flat part is in contact with the wafer. a transfer mechanism for storing a plurality of wafers whose orientation flat portions are aligned in the direction of the orientation flat portion by the attitude correction mechanism into the heat treatment jig; a loading/unloading mechanism system including a loading/unloading mechanism for loading/unloading the heat treatment apparatus; an unloading mechanism system including an unloading mechanism for storing a plurality of wafers supplied from the loading/unloading mechanism system in a cartridge; A wafer processing apparatus comprising a control means for controlling the operation of the apparatus and a mechanical system. 2. The wafer processing according to claim 1, wherein at least the transport mechanism system, carry-in/out mechanism system, and carry-out mechanism system are covered with a cover, and the inside of the cover is made to have a clean atmosphere. Device.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5150569A (en) * 1974-10-29 1976-05-04 Kyushu Nippon Electric UEHAATATE KAESOCHI
JPS5285461A (en) * 1976-01-09 1977-07-15 Hitachi Ltd Continuous treating apparatus for plate form objects
JPS5945219B2 (en) * 1976-05-17 1984-11-05 株式会社日立製作所 wafer processing equipment

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