JPS6260703B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本出願は1974.6.10出願の“Coating Method
To Improve Adhesion Of Phtoconductors”と
名付けられた米国特許出願Sevial No. 477737の
CIPであり、かつ本発明は可撓性基質と比較的も
ろい重いイオン化可能無機光導電性材料を使用す
る改良された光受容体に係り、この光受容体は酸
化―イオン―沈積法に従つて得られる。 光受容体、特にゼログラフイーに係るものは、
伝統的にセレン（無定形又は三方晶）及び種々の
量のハロゲンと共にセレン―ヒ素合金のようなセ
レン合金により例示されるイオン化可能元素又は
その合金のような光導電性絶縁層を含む。この材
料は通例支持性金属又は金属被覆電荷伝導性基質
に電荷ブロツキング接触で適用される。この目的
のために好適な基質は例えばアルミニウム、鋼、
ニツケル、黄銅、NESAガラス又は対応する金属
重合体材料を含む。 少くとも前記の成分を含む光受容体は一般に均
一に静電荷が与えられ、かつ次にこの増感された
表面は光のような電磁輻射線により形成された像
パターンに露出される。光衝突は最初に適用され
た電荷の選択的消失を生じて正の静電像を残す。
次にこの静電像は通例この電荷保有光受容体表面
上に反対に帯電された検電性マーキング粒子を適
用することによつて現像される。 前記の原理は米国特許No.2297691でカールソン
（Carlson）により初めて記載され、かつ以来こ
の分野の多くの関連特許で拡大されかつ再録され
ている。しかしながら、概して言えば、前記の作
用を行なうために適した光導電性層は照明の不存
在で約10¹⁰−10¹³オーム−cmの比抵抗率を有す
る。更に、この抵抗率は光のような活性化輻射線
に露出される場合には少くとも幾つかのオーダー
の大きさで低下しなければならない。 前記の基準に合致する光受容体はまた通常露光
の不存在においてさえ、適用された電荷に若干の
損失を示す。この現像は“暗減衰（dark
decay）”として公知であり、かつ光受容体の感
度及び用途と共に若干異なろう。“暗減衰”の問
題の存在は周知でありかつベース又は基質と光導
電性絶縁層の間に誘電フイルムのような薄い障壁
層の挿入によりかなりの程度まで調節されてい
る。デソーエル（Dessauer）等の米国特許No.
2901348はこの目的のために約25ないし200Åの酸
化アルミニウムのフイルム又は約0.1ないし２ミ
クロン厚さのポリスチレンのような絶縁性樹脂層
を利用する。ある限界と共に、これらの障壁層は
“暗減衰”を最少にしながら、光導電性層が高い
場の強さの電荷を支持することを許すように作用
する。しかしながら、照明により活性化される時
には、この光導電性層と障壁層は短い時間の間に
光衝突区域内の適用された電荷の実質上の消失を
許すのに十分に伝導性にならなければならない。 前記の電気的要件の外に、光受容体は可撓性と
耐久性のような機械的性質に関してかなり厳格な
要件に合致することが増加的に重要になつてい
る。この付加基準は光受容体がエンドレス可撓性
ベルト（参照、米国特許No.2691450）の形である
場合には、高速度で作動する最新の自動被写機に
おいて特に重要になる。ベルト型光受容体が多く
の利点を有する一方、その使用に固有な重大な技
術的問題がまた存在する。例えば、高速機サイク
リング条件は光導電性層と下方の基質の間に特に
強い接着を必要とする。しかしながら、不幸にも
最も増感性かつ有効な光導電性材料のあるものは
フイルムとして比較的もろくかつ一般に良好な電
荷ブロツキング接触を有する可撓性金属基質によ
く接着しない。しかしながら、導電性支持基質と
光導電性層の間のいかなる電荷ブロツキング界面
も安定であり、かつ両方に対して強く接着性であ
ることが重要であり、その理由はこの点における
変化は光受容体の電気的性質と寿命に関して重大
な効果を有するからである。 前記の問題は1974.6.10出願されたルイス・ビ
ー．レーダー（Lewis B.Leder）、ジヨン・シ
ー・シヨツトミラー（John Ｃ Schottmiller）
及びハロルド・エツチ・シユレーダー（Harold
H.Schroeder）による“Improued Photoreceptor
Fabrication“（米国特許出願SerialNo.477736）に
記載の方法に考慮されかなりの程度まで解決さ
れ、そこでは基質（陰極）が空気又は少くとも１
容量％利用し得る酸素を含有する不活性希ガスの
存在でDCグロー放電下非金属性イオンにより最
初に衝撃される。この工程は次に窒素又はアルゴ
ンのような不活性ガスの非金属性高エネルギー陽
イオン、未帯電蒸発光導電性材料、及び光導電性
材料の高エネルギーイオンの混合物で基質（陰
極）の別の露出により続けられ又は重複される。
前記の方法は可撓性ベルト型光受容体に更に有効
なもろい光導電体を利用することに実質上の技術
的成功を示す一方、なおかなりの改良の余地が残
る。特に、衝撃目的に対するグロー放電で高エネ
ルギー光導電性陽イオンの製造は比較的非能率で
あり（せいぜい５％までのイオン製造）そして適
当な電場を保つため限定された性能の高価な電気
的装置を必要とする。 本発明の目的は高速度ゼログラフイー複写目的
のために適した改良された光受容体を得ることに
ある。 本発明の別の目的は良好なブロツキング接触、
耐久性及び可撓性を得るため基質の複雑化した化
学前処理に対する必要性なしに高速度可撓性光受
容体の種類にもろい光導電性要素を成功して使用
するための新規な方法を開発することにある。 本発明のこれらの及び他の目的は清浄な酸化物
被覆基質を接地された又は浮動性（floating）ド
ナー源からの光導電性材料を含有する蒸気クラウ
ドへ露出すること、前記の蒸気クラウドが未帯電
光導電性材料とグロー放電からの光導電性材料の
高エネルギーイオンの両方を含むこと、この高エ
ネルギーイオンがドナー源を加熱して光導電性材
料の蒸発を行なうことにより実質上得られるこ
と、そして生成する蒸気クラウドにグロー放電で
の電子及び／又はガスイオンで衝撃することによ
り、金属又は金属被覆基質とこの基質と電荷ブロ
ツキング接触した無機光導電性含有光導電体層の
間に改良された耐久性と接着性を有する可撓性光
受容体を得ることで達成される。 多数の変型が可能である一方、清浄な一酸化さ
れた基質を得る初期工程は最も好都合には空気又
は少くとも一つの不活性非金属イオン形成性ガ
ス、例えば窒素、アルゴン、キセノン等と酸素の
混合の存在でグロー放電下生じた電子とガスイオ
ンで接地された又は浮動性基質に最初に衝撃する
こと、そして次に前記の高エネルギーイオン含有
光導電体蒸気クラウドに生成する酸化された基質
を露出することによつて得られる。 何れの場合でも、最も適した光受容体は米国特
許No.2901348に大体従つた又は別の方法で得られ
た少くとも一つの薄い酸化物電荷ブロツキング層
を含む。しかしながら、ニツケルベルトのような
可撓性金属ベルトが基質として使用される時に
は、好適な中間の電荷ブロツキング層を得るため
に特別の化学処理が時には必要とされる。 基質の性質、プラス電極の帯電、形状及び配置
に応じて、化学的よりむしろ電気的前処理が使用
される場合には、蒸気クラウドへ酸化物被覆基質
の露出の重要な工程が初期基質洗浄及び酸化衝撃
工程の少くとも一部に続いて又はこれと共に行な
われ得る。 本発明の目的のために適した基質は有用には比
較的薄い層又は銅、鋼、黄銅、アルミニウム、亜
鉛、ニツケルの金属ホイル又は対応する金属被覆
可撓性重合体ベース、例えば被覆ポリエチレンテ
レフタレートを含み得る。アルミニウム被覆ポリ
エチレンテレフタレートベルト及びニツケルベツ
トが特に興味深い。 本方法に使用に適した光導電性材料は一般にセ
レンのような無機イオン化可能元素、テルル、ゲ
ルマニウム、アンチモン、ビスマス及びヒ素、及
び／又は一つ又はそれ以上のハロゲン、例えば塩
素、臭素又はヨウ素とセレンの合金を含めたセレ
ン合金である。この光導電性材料は、例えば、セ
レンプラス少量のヒ素、等及びハロゲンを加熱す
ることによつて得られる。 前記の可撓性光金属基質へ、前記のようなもろ
い無機光導電性材料の満足すべき接着はここで本
発明の特定具体例に従つて更に容易にかつ良好な
結果と共に満足に行なわれ得る。 洗浄しかつ酸化するため電子及び非金属ガスの
イオンで接地された又は浮動性基質の初期衝撃
は、例えば約５×10^-5トル又はよりよい圧力へ適
当に変更された真空コーターを排気すること、そ
して次に約５―30ミクロン圧に逆充填することに
よつて最良に行なわれる。しかしながら約10―20
ミクロンの圧力が一般にこの目的のために好まし
い。減圧下の空気が認容される一方、匹敵し得る
圧力で正のイオン生成及び酸化ガスの種々の別の
混合物を使用することも好都合であることが判明
する。基質の初期酸化のため利用し得る酸素の量
が利用し得るガスの約１容量％以下ではないこ
と、そしてグロー放電が接続され得る場合には、
これは例えばアルゴン―酸素、アルゴン―空気、
アルゴン―CO₂、又は純粋な窒素と酸素の混合物
等を含む。 本発明に従つて、接地された基質の初期イオン
衝撃は、衝撃性イオンを形成するために使用され
たガスの型式と圧力に応じて、約5000Vまでの、
そして約3500―5000ボルトの電位でアルミニウム
陰極のような“グローバー”（第IA及び第IC図）
の下で直接に最良に行なわれることも判明する。
“グローバー”が好適である一方、グロー放電を
生ずる別の公知手段が別の又は補助の源として使
用され得る。この源は、例えば、高電圧ホツトフ
イラメント又は電子銃を含み得る。 約10―200Å厚さの酸化物障壁層を置きかつ約
55―80℃の温度に基質を加熱するのに十分な時間
の終了の前又は直後に（前記の条件下約５―20
分、好ましくは８―10分）、接地された酸化物保
有基質は加熱された光導電体源から生じた未帯電
及びイオン性光導電性粒子を含むクラウドによる
衝撃に露出され、これから得られた蒸気クラウド
は電子又は直接にガス状イオン衝撃に露出されて
蒸発剤光導電体材料の少量のイオンを得る。この
状況では、アルゴン又は窒素のような非金属性イ
オンによる同時重複基質衝撃は蒸発された未帯電
光導電体材料よりずつと大きい速度とエネルギー
容量をイオン性光導電体粒子に有利に、基質上に
既に置かれた更に弛く接着性の凝縮された光導電
性粒子を置換する傾向を示す。これは熱的に生成
された光導電体粒子の総量に比較して得られた光
導電体イオンの比較的低い濃度にもかかわらず生
ずる。 本発明の目的のために、清浄な酸化された基質
上の沈積は室温と光導電性材料の最大蒸発温度の
間の温度に光導電体ドナー源を別に加熱すること
によつて最良に行なわれる。この目的のために、
好適な温度範囲は(1)加熱された光導電体源と基質
に近接してグロー放電圧の接続とつり合つた最大
蒸気濃度と場条件に好都合であり、そして(2)基質
上へ最大の可能な濃度の高エネルギー光導電体粒
子の衝突を行なうため帯電（イオン）光導電体材
料へ未帯光導電体材料の最高の可能な転換に好都
合である。 電極とドナー源の種々の配置がこの目的のため
に認容し得る一方、今日まで最も将来有望なもの
が略示断面図で示される（参照、第IB、第ID、
第IF図）。 特に一好適配置は加熱されたるつぼのようなド
ナー源と基質の間の絶縁体上に好都合に装着され
たロツド又はワイヤのような少くとも一つの負の
高圧電極を使用する。この装置は、例えば少くと
も一つの加熱された光導電体―材料―含有るつぼ
ボートに対して上方にかつ長軸に平行な配置で一
つ又はそれ以上の電極を含み得る。複数のるつぼ
ボートの場合には、これはまたコーター中で隣接
したるつぼの各リツプの上に、又はこのリツプの
間に共有されかつその上に電極を含み得る（参照
第IC―IF図）。 光導電性材料の高エネルギーイオンを得るため
他の適当な配置はドナー源によつて生成された蒸
気クラウドへ少くとも一つのグローバーを向ける
ことを必要とする（参照第IB図）。 被覆成分の前記の物理的配置に加えて、適当な
濃度のイオンが帯電された光導電性粒子と共に保
持されることがまた重要である。 実際の事として、金属基質の初期処理（参照、
第IA、第IC、第IE図、）は約５―30ミクロンの雰
囲気圧中で最良に行なわれ、存在する酸素の量は
利用し得るガスの約１容量％以下ではない。しか
しながら、続く光導電体沈積工程（参照、第
IB、第ID、第IF図）において、真空の量を約５
×10^-5トル又はよりよく増加し、そして次に約１
―30ミクロンまでのアルゴン、窒素、キセノン又
は類似の比較的不活性ガスで被覆室を逆充填する
ことが時には望ましい。 酸化された基質上に沈積のため光導電性材料の
蒸気圧を効果的に上げるために、この光導電体源
は多くの異なる方法により好都合に加熱される。
これは、例えば、光導電体材料を含有する一つ又
はそれ以上のるつぼ又はボートの抵抗加熱、ドナ
ー源の未蒸発光導電体材料に向けられた電子電子
ビーム又は銃の使用又は光導電体材料のイオンビ
ーム加熱によるものも含む。何れの場合でも、最
適温度は光導電性材料、源と基質の間の距離、及
び使用される雰囲気組成物と圧力と共に変わる。 例として、約350℃までの、そして好ましくは
約180―300℃のるつぼ温度が約30ミクロンまでの
圧力下セレンと公知のセレン合金の殆どを蒸発す
るために好適であることが判明する。 清浄な酸化物被覆基質上に光導電体沈積の間
中、グロー放電が高エネルギー光導電体イオンを
生成する目的のために保たれることが必須である
が基質上へ光導電体材料の沈積の速度と面積を厳
密に限定することはない。 前記のように、本発明の方法を行うため電極と
他の必須成分の関係は第IA―第IE図に略示断面
でごく一般的に表わされる。第IA図では、特に
要素ａとｄは各々に真空コーター（図示せず）内
で金属基質と光導電体ドナー源（即ち、光導電体
材料“Ｍ”を含有するるつぼ）を示す：要素ｂは
基質へ向けられた、そして好ましくは所望に応じ
て基質の加熱と酸化を行なうため約10―20μの雰
囲気圧下活性化された一つ又はそれ以上のアルミ
ニウムグローバー（陰極）を示す。記載のこの工
程は好都合には約3000―5000Vの高圧グローバー
放電へ基質ａの初期露出により行なわれる。 次の工程は好都合には第IB図により略示断面
で示され、ここではａは酸化された金属基質を表
わし、ｄは光導電体源を表わすが蒸発により若干
の光導電体材料Ｍを欠き、そして要素ｃとｆは
各々負のグローバーと正のターゲツト電極を表わ
す。これらの二つの図は動的状況を表わし、ここ
では第一のグローバー（第IA図）は清浄な酸化
された基質を確立した後切られ、そして一つ又は
それ以上の高圧グローバーｃは加熱されたるつぼ
ｄから高エネルギー光導電体イオンを生成する目
的のためにｃとｆの間で負のグロー区域を確立す
るために活性化される。別法として、第二の工程
はｆのような接地されたターゲツト電極が設けら
れる場合には第IA図でグローバーｂの位置又は
方向を変えることによつて行なわれ得る。真空コ
ーターの接地金属壁はその容量で作用し得る。記
載の第二の工程を行なう際に、真空コーター内部
の圧力は好ましくは約10―20ミクロンに保たれ、
そしてドナーるつぼｄは好ましくは前記のように
約180―300℃に加熱されて光導電体材料の適当な
蒸気クラウドを得る。何れの場合にも、第二の工
程はグロー（非金属ガス雰囲気のイオン化）が好
都合な位置で起こつてドナーるつぼと基質の間の
どこかで蒸発された光導電体材料をさえぎるよう
に行なわれる。 所望の光導電体材料の約0.5―10％を沈積する
のに十分な間の後（即ち約２―５分）、グローバ
ー（複数）が切られ、圧力は５×10^-5トル又はよ
りよく低下され、そして光導電体材料の蒸着は通
常の方法で蒸発―凝縮により任意に進むままにさ
れて基質上に約40―60μの全光導電体被覆を得
る。殆どの場合で、比較的少量の（約１―５重量
％）蒸発剤が基質上に沈積のためイオン化され
る。 減圧下空気が前記の方法のために好ましい一
方、少くとも１容量％の酸素が初期酸化工程に存
在する場合には、アルゴン又は類似の不活性ガス
を利用することも可能である。 窒素又はアルゴンのような正の非金属イオンの
存在で第二の沈積工程（参照、第IB図）を行な
うことにより、利用し得る帯電高エネルギー光導
電体イオンに有利に、基質からかなりの量の付随
する低エネルギー沈積光導電体材料を置換するこ
とが可能である。この工程の効率は基質が“浮動
する（float）”（大地に接続されない）ことを許
すこと、又は基質に低電圧（100―500ボルト）負
電位を適用することの何れかにより改良され得
る。 それ故に成功した衝突沈積は正味の被覆作用を
得るように除去と沈積速度の間に均衡をしばしば
必要とする。適切な光導電性層を得るために必要
な時間は主としてこれらの要因に依存するであろ
う。 初めに記載したように、金属性基質上にイオン
化されたガラス質光導電体を沈積する主要な利点
は改良された接着性と改良された界面電気的性質
において実現され、高エネルギイオン性状態で全
体の光導電体厚さの一部分を沈積することのみが
必要がある。概して言えば、約５×10^-5トルで更
に通例の真空蒸着技術により完成された沈積の均
衝と共に、約0.5−10％が十分である。しかしな
がら、所望に応じて、全体の光導電性層が前記の
方式で沈積され得る。 前記に概説した工程の別の変型、及び特に減少
された電力需要に関して特に価値あるものは更に
第IC、第ID、第IE、及び第IF図に略示断面で表
わされ、ここでは要素ａ２とａ４は各々ニツケル
又はアルミニウムのような予備洗浄された金属基
質又はベースを表わし、これは次に部分真空（第
IC及び第IE図）下グローバーｂ２とｂ３により
又は他の標準手段により最初に加熱されかつ酸化
される。るつぼボートｄ２とｄ３は適当量の光導
電性材料“Ｍ”を含有し、かつ加熱装置（図示せ
ず）を備付けかつ好都合な直径のむくの又は管状
の構造体のイオンめつき（plating）ロツド又は
ワイヤ電極ｇ２とｇ３に好都合な平行軸配置で基
質ａ２とａ４の下に好都合に配置され、これは減
圧下負の高電圧下で活性化され（第IDと第IF
図）るつぼｄ２とｄ３と対応する酸化された基質
ａ３又はａ５の間にグロー放電区域をもたらす。
グロー放電の直前に又はこれと関連して、るつぼ
ｄ２とｄ３の加熱装置が活性化されて光導電性材
料を蒸発しかつ所望の高エネルギー光導電性イオ
ンM^-並びに酸化された基質と衝突のために未帯
電光導電性材料ｍを得る。基質とるつぼの両方は
好都合には図示のように接地され又は基質は浮動
することが許され得る。更に、イオンめつきロツ
ドは、特に複数の基質が単一コーターで処理され
る場合には（参照第IE及びIF図）、各るつぼから
等距離にある必要はない。 種々の寸法のロツド又は針金及び種々の材料と
距離が適当なイオン形成性グロー放電を得るため
に使用され得る一方、被覆されるべき基質（複
数）と平行配置でそしてその約２―30″下に一つ
又はそれ以上の５ないし100″のるつぼの上に約
0.25―4″吊り下げられた、不定の長さの1/16―1/
２″直径のむくのステンレス鋼、アルミニウム、又
はタングステンロツドを使用することが特に有用
であることが判明する。圧力、ロツド直径及びる
つぼ温度等に応じて、間隔の他の組合せが可能で
ある。 基質がその上に光導電体材料を沈積するために
適した温度である時に、第IC―第IF図で表わさ
れる工程に更に特に言及すると、グローバーが第
IA図に関して前に記載したように止められ、そ
してグロー放電が約５―20μの雰囲気下イオンめ
つきロツドｇ２とｇ３を活性化することによつて
開始される。同時にるつぼｄ２又はｄ３は段階状
に約180ないし350℃まで加熱され、そして約１―
10分間この範囲に（即ち使用される光導電性材料
に応じて）保たれる：グロー放電は次に電流を切
ることによつて完了される。簡単な蒸発―凝縮に
よる光導電体材料の続く被覆は前記の方法で適当
なるつぼ温度で若干低い圧力で（５×10^-4トル又
はよりよく）選択的に行なわる。 得られた光導電性層の厚さは前記のようにロツ
ド形状イオンめつきロツド又は針金に適用された
負電圧に正に相関されるけれど、約１―4KV、そ
して好ましくは約2.5KVのAC又はDC電圧そして
1/8−15″むくのアルミニウムめつきロツドと共
に、約20ないし25maの最大電流と約0.2ないし
0.5maの最少電流で最適の結果が得られる。この
条件下、めつきロツドはランの最後に認め得る量
のセレンの沈積を避けるのに十分に熱くなるであ
ろう。 一つのめつきロツド／鎖を有するるつぼの幾つ
かの100″長さ鎖上で回転する基質の遊星系では対
応する基質又はベース上に耐久性、可撓性光導電
体被覆（複数）を得るために僅か約167ma／鎖の
最大電流及び約6ma／鎖の最少電流を使用するこ
とが実際的であると判明した。得られた結果は高
エネルギー光導電体イオンの十分に適切な供給が
生成されることを示す。 下記の実施例は本発明を限定することなく本発
明の好適具体例を特に示す。 実施例 １ Ａ―１と名付けられ、そして4.5ミル
（0.0045″）の厚さ、10″の長さ及び4.75″の直径を
有するニツケル合金試験ベルト10重量％の“ミツ
チエルブラツドフオード＃14クリーナー”を含有
する熱い水溶液で洗浄し、そして次に約２分間脱
イオン化水で水洗する。 抵抗加熱手段を備付けかつ約99.5％セレンと
0.5％ヒ素から本質的になる光導電体セレン合金
を含有する接地された又は浮動性ステンレス鋼る
つぼから約6″離れて真空コーター中の接地された
又は浮動性回転可能マンドレル上に試料ベルトＡ
―１を装着する。二つの高圧グローバー（500V
まで）を試験ベルトから約3″に装着し、第一のも
のGB１を10時計位置でベルトに本質上向け、そ
して第二のものGB２をセンターとしてベルトへ
約５時方向に同様の距離で、そして基質ベルトと
ステンレス鋼るつぼの間の空間に実質上向ける。
５×10^-5トルに排気しかつ20ミクロン空気圧に逆
充填した後、ベルトを加熱しかつ酸化するために
負の3000ボルトを約10分間第一のグローバーGB
１に適用する。次に第一のグローバー電圧を止
め、その後コーター圧を約15ミクロンに低下し、
るつぼを280℃以下に加熱し、そして第二のグロ
ーバーGB２（3500ボルト）を約10分間つける。
次に第二のグローバーを止めそして約25分間減圧
下（５×10^-5トル）ストレートな蒸着が進行する
ことを許して約50ミクロン厚さの全体の均一な光
導電体被覆を得る。両工程の間、均一な露出を得
るため分当り約10回転でマンドレルを一定に回転
する。次にベルトを冷却し、コーターから取外
し、電気的性質と可撓性を試験し、そして結果を
下記の第Ｉ表に報告する。 実施例 試験ベルトと本質的に同一の寸法と形状の、そ
してＡ―２ないしＡ―３と名付けられた二つのニ
ツケル試験ベルトを実施例Ｉにおけると同様に洗
浄しかつ下記のように被覆する： ベルトＡ―２を実施例Ｉと同様に被覆し、ただ
し酸素（５容量％）とアルゴン（95容量％）の30
μ逆充填を、第一のグローバーGB１の下でベル
トの初期加熱と酸化の間、及び第二のグローバー
の下で一部被覆の間空気の代りに使用する。 ベルトＡ―３（対照）を実施例ＩにおけるＡ―
Ｉと同一に処理するが、ただし第二の工程（即
ち、酸化された基質上に光導電体材料の初期沈
積）をグローバーの使用なしに５×10^-5トルで35
分間行なう。約50ミクロンの光導電性材料を沈積
した後に、ベルトを冷却し、コーターから取出
し、実施例Ｉにおけるように試験しかつ第Ｉ表に
報告する。 実施例 Ａ―と同一の寸法のステンレス鋼、アルミニ
ウム及び黄銅試験ベルトを各々使用して実施例Ｉ
を繰返し、そして比較し得る試験結果が得られる

【表】 実施例 （対照） 実施例Ｉ―で使用したものと同一でかつＡ―
４とＡ―５と各々名付けられた二つのニツケル試
験ベルトを洗浄しかつ実施例Ｉと同様に水洗す
る。ベルトＡ―４を回転性マンドレル（10回転／
分）上に装着しそしてセレン合金（99.5％Se―
0.5％As）を含有する15″抵抗加熱浮動性るつぼ
ボートの上に都合よく近付いて５×10^-5トルで真
空コーター中に配置し、これを300℃の温度へ段
階的に上げ、そして約20分間この温度に保つ。次
にベルトとコーターを周辺条件へ冷却しそして処
理したベルトを取出しかつ電気的性質と可撓性を
試験する。結果を下記の第表に報告する。 実施例 ベルトＡ―５を実施例におけるものと同一の
組成のセレン合金を含有する同一の寸法の15″接
地された抵抗加熱るつぼボート上に真空コーター
中のマンドレルに同様に装着する。裸の1/8″×
15″むくのアルミニウムロツドを、その長軸と平
行軸整合でかつ試験ベルトから6″にるつぼ上2″の
絶縁体上に装着する（参照第IC―第ID図）。また
試験ベルトを最初に加熱しかつ均一に酸化するた
め第IC図の方法で基質の予備電子衝撃のため片
側にアルミニウムグローバーを配置する。コータ
ーをポンプで10μ圧に下げかつベルトを10分間こ
のアルミニウムグローバーに最初に露出し、続い
てるつぼを230℃に加熱し、そして同時に2.5KV
DCに裸のむくのアルミニウムロツドを活性化し
て近似のロツド形状グロー放電を得る。３分後、
電流を止めそして簡単な蒸発―凝縮工程として20
分間被覆を続けて所望の厚さを与える。次にコー
ターを周辺条件に冷却するにまかせる。ベルトを
取出し、前のように試験しそして結果を第表に
報告する。

【表】 実施例 Ａ―６及び―７と名付けられ、かつ前記の実施
例で使用された試験ベルトと同一の寸法を有する
二つのアルミニウム試験ベルトを前記のように清
浄にしかつ洗浄し、次に実施例と同一の光導電
性材料を含む二つの15″るつぼの上で回転可能マ
ンドレルに並んで装着する。三つの1/2″中空（1/
８同上）ステンレス鋼管を、第IEと第IF図に略示
の方法でイオンめつきロツドとして二つのるつぼ
のリツプの上各々2″，3″及び2″の絶縁体上に装着
する。次にロツドを、処理されるアルミニウムベ
ルトの露出された底部表面の下方に最大約10″に
配置する。試験ベルトをグローバーに露出して表
面を加熱しかつ酸化し、そして次に各ロツドに対
して1.8KV DCで実施例Ｖの方法で未帯電蒸発光
導電体材料とイオン化された蒸発光導電体材料の
空方で衝撃する。３分後、電流を停止し、かつ簡
単な蒸発―凝縮工程として20分間被覆を続けるこ
とを許し、そして次に実施例Ｖにおけるように除
去と試験のためにコーターと試験ベルトが周囲条
件へ冷却するに任せる。生成する被覆ベルトを前
記のように可撓性に対して試験して結果を第表
に報告する。 実施例 前記の実施例の三つの1/16裸のステンレス鋼管
を使用し、そして一般に第IEと第IF図に従つて
同一の試験ベルトＡ―８とＡ―９で実施例を繰
返す。しかしながら、前記の実施例における食い
違いよりむしろ各るつぼリツプ上1″に平行に均一
にワイヤを配置する。酸化と沈積工程の終了後、
実施例におけるようにベルトを冷却し、取出
し、そして試験する。被覆されたベルトの可撓性
と一体性はベルトＡ―６とＡ―７で得られたもの
と匹敵し得ることが判る。

【表】 周りに一度曲げられた時にひび
割れ又はスポールはみられない)
前記の実施例は本発明の好適具体を目的とする
一方、本発明はこれにより限定されないことが理
解されよう。 なお、次に本発明の態様を列挙する。 (1) 光導電性材料の高エネルギーイオンがドナー
源と基質の間に好都合に装着された少なくとも
一つの負の高圧電極によつて作られる特許請求
の範囲３の方法。 (2) 光導電体材料の高エネルギーイオンが少くと
も一つの加熱された光導電体―材料―含有るつ
ぼボートに関して長軸配置に平行に配置された
少くとも一つの負の高電圧ロツド形状電極又は
ワイヤ電極によつて作られる上記(1)の方法。 (3) 基質の初期正イオン衝撃が約５―30ミクロン
の雰囲気圧で行なわれ、存在する酸素の量が利
用し得るガスの約容量％以下ではない特許請求
の範囲３の方法。 (4) 酸化物被覆接地基質が約350℃までの温度に
光導電性材料を加熱することにより行なわれ、
そして高エネルギーイオンが光導電体ドナー源
によつて作られた蒸気クラウドへ少くとも１つ
のグローバーを向けることにより得られる特許
請求の範囲３の方法。 (5) 接地された基質の初期衝撃が約10―20ミクロ
ン圧で酸素含有雰囲気下で行なわれる特許請求
の範囲５の方法。 (6) 光導電体ドナー源が電子衝撃、イオン衝撃又
は抵抗加熱手段により加熱されるグローバー(4)
の方法。 (7) 接地された基質が電荷導電性金属ベルトであ
りそして無機光導電体材料がセレン、テルル、
アンチモン、ビスマス又は対応するこれらの合
金の少なくとも一つを含む特許請求の範囲４の
方法。 (8) 基質が電荷伝導性金属ベルトであり、そして
光導電性層がセレン又はセレン―ヒ素―ハロゲ
ン合金を含む特許請求の範囲４の方法。 (9) 付加の光導電体材料が未帯電光導電体材料の
蒸着により基質に適用される上記(3)の方法。 (10) 高エネルギー電子による接地基質の初期衝撃
は少くとも一つのグローバーで行われる特許請
求の範囲４の方法。

【図面の簡単な説明】

第IAないし第IF図は本発明の方法を行なうた
め電極と他の必須成分の関係を、種々の具体例を
示す、略示断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 清浄な酸化物被覆基質を接地された又は浮動
   性ドナー源からの光導電性材料を含有する蒸気ク
   ラウドに露出すること、前記の蒸気クラウドが未
   帯電光導電性材料とグロー放電からの光導電性材
   料の高エネルギーイオンの両方を含むこと、この
   高エネルギーイオンがドナー源を加熱して光導電
   性材料の蒸発を行なうことにより実質上得られる
   こと、そしてグロー放電での電子及び／又はガス
   イオンで、生成する蒸気クラウドに衝撃するこ
   と、を特徴とする金属又は金属被覆基質及びこの
   基質と電荷ブロツキング接触した無機光導電性材
   料を含有する光導電体材料の間に改良された耐久
   性と接着性を有する可撓性光受容体を得る方法に
   従つて得られた、金属又は金属被覆基質及びこれ
   と良好な電荷ブロツキング接触した無機光導電性
   材料の光導電体層を含む可撓性光受容体。 ２ 空気又は少くとも一つの不活性非金属性イオ
   ン形成性ガスと酸素の混合物の存在でグロー放電
   下接地された又は浮動性基質に電子及びガスイオ
   ンで最初に衝撃すること；そして接地された又は
   浮動性ドナー源からの、光導電体材料を含有する
   蒸気クラウドにこの生成する酸化された基質を露
   出すること、しかも前記のクラウドが未帯電光導
   電性材料とグロー放電からの高エネルギーイオン
   を含むこと、この高エネルギーイオンが光導電体
   ドナー源を加熱して蒸発を行なうこと、そしてグ
   ロー放電での電子及び／又はガスイオンで生成す
   る蒸気クラウドに衝撃することによつて得られる
   こと、を特徴とする金属又は金属被覆基質及びこ
   の基質と電荷ブロツキング接触した無機光導電性
   元素又は合金の光導電体層を含有しかつこの成分
   間に改良された耐久性と接着性を有する可撓性光
   受容体を得る方法に従つて得られた、金属又は金
   属被覆基質及びこれと良好な電荷ブロツキング接
   触した無機光導電性材料の光導電性層を含む可撓
   性光受容体。 ３ 清浄な酸化物被覆基質を接地された又は浮動
   性ドナー源からの光導伝性材料を含有する蒸気ク
   ラウドに露出すること、前記の蒸気クラウドが未
   帯電光導電性材料とグロー放電からの光導電性材
   料の高エネルギーイオンの両方を含むこと、この
   高エネルギーイオンがドナー源を加熱して光導電
   性材料の蒸発を行なうことにより実質上得られる
   こと、そしてグロー放電での電子及び／又はガス
   イオンで、生成する蒸気クラウドに衝撃するこ
   と、を特徴とする金属又は金属被覆基質及びこの
   性質と電荷ブロツキング接触した無機光導電性材
   料を含有する光導電体材料の間に改良された耐久
   性と接着性を有する可撓性光受容体を得る方法。 ４ 空気又は少くとも一つの不活性非金属性イオ
   ン形成性ガスと酸素の混合物の存在でグロー放電
   下接地された又は浮動性基質に電子及びガスイオ
   ンで最初に衝撃すること；そして接地された又は
   浮動性ドナー源からの、光導電体材料を含有する
   蒸気クラウドにこの生成する酸化された基質を露
   出すること、しかも前記のクラウドが未帯電光導
   電性材料とグロー放電からの高エネルギーイオン
   を含むこと、この高エネルギーイオンが光導電体
   ドナー源を加熱して蒸発を行なうこと、そしてグ
   ロー放電での電子及び／又はガスイオンで生成す
   る蒸気クラウドに衝撃することによつて得られる
   こと、を特徴とする金属又は金属被覆基質及びこ
   の基質と電荷ブロツキング接触した無機光導電性
   元素又は合金の光導電体層を含有しかつこの成分
   間に改良された耐久性と接着性を有する可撓性光
   受容体を得る方法。