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JPS626344B2 - - Google Patents
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JPS626344B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS626344B2
JPS626344B2 JP12609176A JP12609176A JPS626344B2 JP S626344 B2 JPS626344 B2 JP S626344B2 JP 12609176 A JP12609176 A JP 12609176A JP 12609176 A JP12609176 A JP 12609176A JP S626344 B2 JPS626344 B2 JP S626344B2
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JP
Japan
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wafer
dicing
wafers
cleaning
semiconductor
Prior art date
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Application number
JP12609176A
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Japanese (ja)
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JPS5351962A (en
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Tsutomu Mimata
Akira Kabashima
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体ウエーハを対称としたダイシン
グ及び洗浄方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a method for dicing and cleaning semiconductor wafers.

〔従来技術〕[Prior art]

トランジスタ、半導体集積回路(IC)等の半
導体素子の製造においては、先ずインゴツト状の
単結晶半導体材料を用意しこれら半導体インゴツ
トを多数の半導体ウエハに切断する作業からスタ
ートされる。上記半導体インゴツトの切断作業は
通常スライシングとして知られており、ダイヤモ
ンドカツター等により半導体インゴツトを切断す
ることが行われる。
In manufacturing semiconductor elements such as transistors and semiconductor integrated circuits (ICs), the process begins with preparing ingot-shaped single crystal semiconductor materials and cutting these semiconductor ingots into a number of semiconductor wafers. The cutting operation of the semiconductor ingot is generally known as slicing, and the semiconductor ingot is cut with a diamond cutter or the like.

このようにして得られた半導体ウエハは以後酸
化、拡散、蒸着等の各工程へ送られ半導体ウエハ
内には多数の半導体素子領域が形成される。
The semiconductor wafer thus obtained is then sent to various steps such as oxidation, diffusion, and vapor deposition, and a large number of semiconductor element regions are formed within the semiconductor wafer.

そして半導体ウエハ内に形成された多数の半導
体素子を個々に分離するため、半導体ウエハは次
にダイシング作業が施され、各素子を囲むように
ウエハ表面に縦横方向の多数の溝が造られる。次
にウエハはブレーキング作業が施され、上記ダイ
シング溝に沿つてウエハを割ることによりウエハ
を多数の半導体ペレツト(ダイスあるいはチツ
プ)に分離する。これらペレツトは次に選別作業
を受けて特性ごとに分類された後、各々のペレツ
トはリードフレームあるいはステム等の支持体上
にろう付けされ、続いてワイヤボンデイング作
業、封止作業を受けて半導体素子として組み立て
られる。
In order to individually separate the large number of semiconductor elements formed within the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is then subjected to a dicing operation, and a large number of vertical and horizontal grooves are formed on the wafer surface so as to surround each element. Next, the wafer is subjected to a breaking operation, and the wafer is divided into a number of semiconductor pellets (dies or chips) by breaking the wafer along the dicing grooves. These pellets are then sorted and classified according to their characteristics, and then each pellet is brazed onto a support such as a lead frame or stem, followed by wire bonding and encapsulation to form semiconductor devices. It is assembled as.

ところで以上のような一連の製造工程におい
て、上記ダイシング作業は多数の半導体素子が形
成されている状態の一枚の半導体ウエハから多数
の半導体ペレツトを分離する作業であるため、作
業は迅速に、しかも能率的に行う必要がある。
By the way, in the above-mentioned series of manufacturing processes, the dicing work is a work to separate a large number of semiconductor pellets from a single semiconductor wafer on which a large number of semiconductor elements are formed, so the work can be done quickly and efficiently. It needs to be done efficiently.

第1図は従来における一連のダイシング作業を
工程順に示すものである。先ずAのように、多数
のダイシングすべきウエハ1を収納したケース2
を用意し、次にBのようにピンセツト3により上
記ケース2からウエハ1を一枚ずつ拾い上げ、ダ
イシングテーブル4上に載せて位置決めした後、
Cのようにダイシングブレード5により本来のダ
イシング作業を施こす。次にDのようにダイシン
グの終了したウエハ1はピンセツト2によりテー
ブル4上から移されて、Eのように再びケース2
内に収納される。
FIG. 1 shows a series of conventional dicing operations in order of process. First, as shown in A, case 2 stores a large number of wafers 1 to be diced.
Next, as shown in B, pick up the wafers 1 one by one from the case 2 with the tweezers 3, place them on the dicing table 4, and position them.
Perform the original dicing work using the dicing blade 5 as shown in C. Next, as shown in D, the wafer 1 that has been diced is transferred from the table 4 by the tweezers 2, and then transferred to the case 2 again as shown in E.
stored inside.

しかし従来におけるダイシング作業は、本来の
ダイシング作業自体に必要な時間よりもその前後
の工程との関連での準備作業に費やされる時間の
方が大となつて非能率的であつた。
However, the conventional dicing operation was inefficient because more time was spent on preparatory work related to the steps before and after the dicing operation than the time required for the actual dicing operation itself.

即ち、ダイシング作業の前後におけるウエハの
取扱い作業いわゆるハンドリングはすべて手作業
であるため、またダイシングすべきウエハを所定
のテーブル上に位置決め(アライメント)するの
に時間がかかつたため、本来のダイシングの着工
数が伸びなかつた。
In other words, since all wafer handling work before and after dicing is done manually, and because it takes time to position (align) the wafer to be diced on a predetermined table, it is difficult to start the original dicing process. The number did not increase.

また、上記ダイシングテーブルに対するウエハ
のセツトおよび取りはずし等のハンドリングを手
作業でやつている関係上、ウエハの機械的外力の
加え方や強さが不安定となるため、ウエハに対し
機械的損傷を与えるのは避けられなかつた。
In addition, since handling such as setting and removing the wafer from the dicing table is done manually, the method and strength of the mechanical external force applied to the wafer becomes unstable, resulting in mechanical damage to the wafer. was inevitable.

〔従来技術の問題点〕[Problems with conventional technology]

ところで、従来にあつては、回転ブレードによ
る切削の後、そのまま乾燥していたが、本発明者
が解析したところによると、このように切削くず
が充分除去されないまま完全に乾燥させると、大
小の切削くずがセラミツクス状のかたまりとな
り、非常に除去しずらい付着物となることが明ら
かになつた。
By the way, in the past, after cutting with a rotary blade, it was left to dry, but according to the analysis of the present inventor, if the cutting waste is completely dried without being sufficiently removed, large and small particles will be removed. It has become clear that the cutting waste forms a ceramic-like mass and becomes a deposit that is extremely difficult to remove.

本発明者は、このような強力な付着物を生成さ
せない為には、ダイシング処理直後に、スピン洗
浄、すなわち、洗浄水の吹き付け(ウオータージ
エツト)とウエハの回転(吸着スピン・テーブ
ル)の組合せが有効であることに着目して、本発
明をなすにいたつた。
In order to prevent the formation of such strong deposits, the present inventor proposed spin cleaning, a combination of spraying cleaning water (waterjet) and rotating the wafer (suction spin table) immediately after the dicing process. The present invention was developed by paying attention to the fact that this is effective.

〔本発明の目的〕[Object of the present invention]

従つて、本発明の目的は、切削くず等の除去が
完全に行なえるダイシング装置を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a dicing device that can completely remove cutting waste and the like.

〔本発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の要旨は、半導体ウエハを第1のテーブ
ルに固定して冷却液を供給しながら回転ブレード
により前記半導体ウエハをダイシングするダイシ
ング工程、前記ダイシング工程によりダイシング
された半導体ウエハをダイシング後直ちに前記第
1のテーブルとは別個の第2のテーブルに自動的
に移送する移送工程、前記第2のテーブルに前記
半導体ウエハを固定させて前記第2のテーブルを
回転させながら洗浄液を前記半導体ウエハの表面
に吹き付けて前記半導体ウエハ表面の洗浄を行な
いかつその後前記第2のテーブルの回転によるス
ピン乾燥を行なうスピン洗浄乾燥工程を有するこ
とを特徴とするダイシング及び洗浄方法にある。
The gist of the present invention is to provide a dicing process in which the semiconductor wafer is fixed to a first table and the semiconductor wafer is diced with a rotating blade while supplying a cooling liquid; a transfer step of automatically transferring the semiconductor wafer to a second table separate from the first table; fixing the semiconductor wafer on the second table and applying a cleaning liquid to the surface of the semiconductor wafer while rotating the second table; The dicing and cleaning method includes a spin cleaning and drying step of cleaning the surface of the semiconductor wafer by spraying and then performing spin drying by rotating the second table.

〔実施例〕〔Example〕

以下では本発明を実施する上で用いられる自動
ダイシング装置を例にとり説明する。
An automatic dicing apparatus used in carrying out the present invention will be described below as an example.

以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。第2図はダイシング装置(以下装置と称す
る)はウエハローダ部A、ウエハ位置決め部B、
ウエハアライメント部およびダイシング部C、ウ
エハ洗浄部C、ウエハアンローダ部Eおよびウエ
ハチヤツク部F等から構成されている。以上の構
成において特に重要なのはウエハチヤツク部Fで
ありチヤツク機構としては流体(エア等)と被処
理体に吹き付けた場合の浮力を利用したいわゆる
ベルヌイチヤツクが用いられ、各構成部間にウエ
ハを移送する場合のハンドリング作業は直接手で
被処理体には触れないでこのチヤツクにより行わ
れる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 shows a dicing device (hereinafter referred to as the device) that includes a wafer loader section A, a wafer positioning section B,
It consists of a wafer alignment section, a dicing section C, a wafer cleaning section C, a wafer unloader section E, a wafer chuck section F, and the like. Particularly important in the above configuration is the wafer chuck part F. The chuck mechanism is a so-called Bernuy chuck that uses fluid (air, etc.) and buoyancy when sprayed onto the object to be processed, and is used to transfer the wafer between each component. The handling work is performed using this chuck without directly touching the object to be processed.

以下各構成部ごとに詳細に説明する。第3図は
ウエハローダ部を示すもので、ダイシングすべき
ウエハ1を一定数(例えば20〜25枚程度)収納し
たカートリツジ6を装置の所定位置7にセツトす
る。この位置7にはエアシユート8が設けられて
おり上記カートリツジ6からウエハ1がエアシユ
ート8の端部に載置(供給)されると、そのウエ
ハ1は直ちにエアシユート8上で矢印で示された
エアの吹き付け方向に移送される。カートリツジ
6内には例えば縦方向に一列に規則的に並べられ
てウエハが充填されており、特にこのうち最下部
にあるウエハ(エアシユート上に載置されるウエ
ハ)は、光源9から発せられた光がフオトトラン
ジスタ10に至る光線通路中に置かれる。フオト
トランジスタ10の出力信号はモータ11に伝え
られており、この出力信号に応じてモータ11の
動作は制御される。例えばウエハがBのように上
記通路中にあれば(光線を遮え切つている状
態)、フオトトランジスタ10からは「ウエハ有
り」の信号がモータ11に伝えられこの時モータ
11は動作しない、しかしAのように上記ウエハ
が次の瞬間エアシユート上に移送されてしまう
と、上記光線通路は導通した状態になりフオトト
ランジスタ10からは「ウエハ無し」の信号がモ
ータ11に伝えられるのでこの時モータ11は動
作して上記カートリツジ6内のウエハ1を一ピツ
チずつ下降させるように働く。第3図CおよびD
はウエハ検知方法の他の例を示すもので、Cはカ
ートリツジ6の後方から検知する方法、Dは上記
Cの方法に更にもう一つの検知手段をエアシユー
トの裏側に付加した構成を示すものである。Dの
方法はウエハがエアシユート入口において何らか
の原因で引掛つた場合フオトトランジスタ10′
からフイードバツグ信号がモータに伝えられて後
続のウエハの供給を防止するように働らく。以上
の各方法は目的に応じて適宜選ぶことができる。
Each component will be explained in detail below. FIG. 3 shows a wafer loader section, in which a cartridge 6 containing a certain number of wafers 1 (for example, about 20 to 25) to be diced is set at a predetermined position 7 of the apparatus. An air chute 8 is provided at this position 7, and when the wafer 1 is placed (supplied) from the cartridge 6 onto the end of the air chute 8, the wafer 1 is immediately exposed to the air indicated by the arrow on the air chute 8. It is transferred in the direction of spraying. The cartridge 6 is filled with wafers that are regularly arranged in a vertical line, for example, and the wafers at the bottom of the cartridges (the wafers placed on the air chute) are particularly exposed to light emitted from the light source 9. Light is placed in the beam path leading to phototransistor 10. The output signal of the phototransistor 10 is transmitted to the motor 11, and the operation of the motor 11 is controlled according to this output signal. For example, if the wafer is in the above path as shown in B (the state where the light beam is completely blocked), the phototransistor 10 transmits a "wafer present" signal to the motor 11, and the motor 11 does not operate at this time. When the wafer is transferred onto the air chute in the next instant as shown in A, the light beam path becomes conductive and the phototransistor 10 transmits a "no wafer" signal to the motor 11. is operated to lower the wafers 1 in the cartridge 6 one pitch at a time. Figure 3 C and D
1 shows other examples of wafer detection methods, C shows a method of detecting from the rear of the cartridge 6, and D shows a configuration in which another detection means is added to the above method C on the back side of the air chute. . In method D, if the wafer is caught for some reason at the air chute inlet, the phototransistor 10'
A feedback signal is transmitted from the motor to the motor to prevent the feeding of subsequent wafers. Each of the above methods can be selected as appropriate depending on the purpose.

エアシユート上に送られたウエハはエアシユー
トの他端部において第4図のような位置合せテー
ブル上に入る。先ずエアシユート8他端部に移送
されてきたウエハ1は位置合せテーブル12上に
送られるが、この表面において設けられた真空吸
引孔に吸引されてブレーキがかけられ移送速度が
抑えられる。そして二つのガイド13によつて一
定の方向に向きが変えられる。二つのガイド13
間の中央位置には位置決め用ピン14がCのよう
に三本設けられており、このうち両端の二本のピ
ンは固定されたままであるが、中央の一本のピン
は前後に可動するようになつている。なおテーブ
ル12上では上記真空吸孔とは別にエア吹き出し
孔も設けられているので、ウエハは浮き上つた状
態になつている。このような状態でEのようにテ
ーブル12をエアシリンダ15によつて傾かせか
つウエハ1を浮かせた状態で回転させてウエハを
回転する。そしてCのように矢印方向に徐々に回
転させるとウエハ1の周囲部のうち平坦な基準面
16が上記位置決め用ピン14の3本のすべてに
接触した状態でDのように自動的に停止した位置
決めが行なわれる。この時点で傾いていたテーブ
ル12は元の位置に戻される。
The wafer sent onto the air chute is placed on an alignment table as shown in FIG. 4 at the other end of the air chute. First, the wafer 1 transferred to the other end of the air chute 8 is transferred onto the alignment table 12, and is sucked into a vacuum suction hole provided on the surface of the wafer 1, and a brake is applied to suppress the transfer speed. Then, the two guides 13 change the direction in a fixed direction. two guides 13
Three positioning pins 14 are provided at the center position between them as shown in C. Of these, the two pins at both ends remain fixed, but the one pin in the center is movable back and forth. It's getting old. Note that since an air blowing hole is also provided on the table 12 in addition to the vacuum suction hole, the wafer is in a floating state. In this state, as shown in E, the table 12 is tilted by the air cylinder 15 and rotated with the wafer 1 floating thereon to rotate the wafer. Then, when the wafer 1 is gradually rotated in the direction of the arrow as shown in C, it automatically stops as shown in D with the flat reference surface 16 of the periphery of the wafer 1 in contact with all three of the positioning pins 14. Positioning is performed. The table 12, which was tilted at this point, is returned to its original position.

以上のように一定の方向に位置決めされたウエ
ハはこの位置合せ方向を保持した状態で次にウエ
ハチヤツクによつて空間的にダイシングテーブル
上に移送される。第5図はウエハチヤツクとして
用いられるベルヌイチヤツクを示すものである。
The wafer, which has been positioned in a fixed direction as described above, is then spatially transferred onto a dicing table by a wafer chuck while maintaining this alignment direction. FIG. 5 shows a Bernuy chuck used as a wafer chuck.

ウエハの面積に応じた大きさのウエハ保持面1
7のほぼ中央部に設けられた複数のノズル18か
ら、保持面17の背面のチユーブ19から供給さ
れたエアが吹き付けられるようになつており、エ
アはウエハ等の処理体に吹き付けていわゆるベル
ヌイの原理に従つてウエハ1を吸引するように働
く。20は保持面17の周縁部の一部に設けられ
たウエハの位置決め部であり、ウエハはこの部分
を基準として保持面17に吸引される。しかしこ
の位置決め部は必ずしも必要ではない。
Wafer holding surface 1 whose size corresponds to the area of the wafer
Air supplied from a tube 19 on the back side of the holding surface 17 is blown from a plurality of nozzles 18 provided approximately in the center of the holding surface 17. It works to suck the wafer 1 according to the principle. Reference numeral 20 denotes a wafer positioning portion provided on a part of the peripheral edge of the holding surface 17, and the wafer is attracted to the holding surface 17 with this portion as a reference. However, this positioning part is not always necessary.

ダイシングテーブル21(第2図)上に移送さ
れたウエハはこのテーブル端部に載置された真空
チヤツクにより吸着された状態で、テーブル自体
を後退させることにより顕微鏡22直下に運ばれ
ダイシングを行うための位置決め(アライメン
ト)がなされる。この位置決め作業はダイシング
テーブル21下に設けられてあるX、Yおよびθ
方向の微調機構(図示せず)を制御することによ
りウエハを顕微鏡に設けられた基準面(ダイシン
グブレードの位置と一致させてある)にそのダイ
シングエリア中心を合わせることにより行われ
る。以下第6図を参照して位置決め作業を具体例
を説明する。Aは顕微鏡上に最初に現れた上記基
準線22とダイシングエリア23との関係を示
し、当然ながら両者は一致していない。従つて次
にBのように先ずθ方向機構を調整してθ方向の
位置決めを完了し、次にCのようにY方向機構を
調整してY方向の位置決めを完了し、最後に同様
にDのようにX方向機構を調整して完全に基準線
22とダイシングエリア23との中心とを一致さ
せて位置決め作業を完了する。
The wafer transferred onto the dicing table 21 (Fig. 2) is attracted by a vacuum chuck placed on the edge of this table, and by retracting the table itself, the wafer is transported directly below the microscope 22 for dicing. Positioning (alignment) is performed. This positioning work is carried out using the X, Y and θ
This is done by controlling a direction fine adjustment mechanism (not shown) to align the center of the dicing area of the wafer with a reference plane (aligned with the position of the dicing blade) provided on the microscope. A specific example of the positioning work will be described below with reference to FIG. A shows the relationship between the reference line 22 that first appears on the microscope and the dicing area 23, which naturally do not match. Therefore, next, as shown in B, first adjust the θ direction mechanism to complete the positioning in the θ direction, then adjust the Y direction mechanism as shown in C to complete the positioning in the Y direction, and finally in the same manner as D. The positioning work is completed by adjusting the X-direction mechanism to completely align the reference line 22 with the center of the dicing area 23.

次に上記基準線22に沿つてダイシングブレー
ドを走査させて先ずY方向(あるいはX方向)の
ダイシングエリアのダイシングを行い、続いてダ
イシングテーブルを90゜回転させてX方向(ある
いはY方向)のダイシングエリアのダイシングを
行う。上記ダイシングテーブルの回転は自動的に
行わせることができる。またウエハとダイシング
テーブルとの回転中心が一致していなくとも90゜
回転させる際に支障は生じない。
Next, the dicing blade is scanned along the reference line 22 to perform dicing in the Y direction (or X direction), and then the dicing table is rotated 90 degrees to perform dicing in the X direction (or Y direction). Perform area dicing. The rotation of the dicing table can be performed automatically. Further, even if the centers of rotation of the wafer and the dicing table do not coincide, there is no problem when rotating the wafer by 90 degrees.

なお従来におけるダイシング装置にはθおよび
Y方向の二方向のみの位置決め機構しか備わつて
いなかつたため、実際にダイシングを行うに当つ
ては第6図においてCにおいて一度Y方向のダイ
シングを行つた後、ダイシングテーブルを90゜回
転させて再びX方向の位置決めを行なつてDのよ
うになした後改めてX方向のダイシングを行わね
ばならなかつた。このため、X、Y方向の連続ダ
イシングは不可能であり、作業を途中で中断して
再び位置決めをし直さなければならず作業が非能
率となるのは避けられなかつた。
In addition, since conventional dicing equipment was equipped with a positioning mechanism only in two directions, θ and Y directions, when actually dicing, after performing dicing in the Y direction at C in Fig. 6, Then, the dicing table had to be rotated 90 degrees and positioned in the X direction again as shown in D, and then dicing in the X direction had to be performed again. For this reason, continuous dicing in the X and Y directions is impossible, and the work must be interrupted midway and positioning must be done again, which inevitably leads to inefficiency in the work.

顕微鏡における基準線22の巾は、ダイシング
ブレードの巾、ダイシング作業中のチツピングの
程度を考慮して決定される。例えばダイシングブ
レードの巾を30μに選んだ場合、チツピングを含
めて約50μに選ばれる。従つて基準線上にこの寸
法を表示しておけばいちいち他の測定機構で測る
ことは不要となり一目で知ることができる。
The width of the reference line 22 in the microscope is determined in consideration of the width of the dicing blade and the degree of chipping during the dicing operation. For example, if the width of the dicing blade is selected to be 30μ, the width including chipping will be approximately 50μ. Therefore, if this dimension is displayed on the reference line, there is no need to measure it each time with another measuring mechanism, and it can be known at a glance.

ダイシング作業が完了したウエハはダイシング
テーブルを移動することによつて再び元の位置に
戻される。そして真空吸着を解かれると共に、エ
アを吹き上げてテーブルより浮上させて、上で待
機している前記ベルヌイチヤツクにより吸引され
て次の洗浄工程へと送られることになる。
The wafer after dicing is returned to its original position by moving the dicing table. Then, the vacuum suction is released and air is blown up to float above the table, whereupon it is suctioned by the Bernoulli check waiting above and sent to the next cleaning process.

ところで上記ウエハはダイシングの際、水等の
液体により冷却された状態で作業が行われるた
め、ダイシングテーブルからテーブルに水等で密
着しているウエハを取りはずすことは非常に困難
であり、多くの割れ不良を発生させていた。この
ため次のような手段を考えた。第7図はエアブロ
ー方法を示すもので、Aは上面図、Bは断面図を
示し、ウエハ1の斜め上方から管24より部分的
にエア25をウエア1に対し吹き付けることによ
りウエハ周辺の液体を排除しようとするものであ
る。
By the way, when dicing the above-mentioned wafers, the wafers are cooled with liquid such as water, so it is very difficult to remove the wafers from the dicing table that are in close contact with the table due to water, etc., and many cracks occur. It was causing defects. For this reason, we considered the following method. FIG. 7 shows an air blowing method, in which A shows a top view and B shows a cross-sectional view, in which air 25 is partially blown onto the wafer 1 from a pipe 24 from diagonally above the wafer 1 to blow the liquid around the wafer. It is something that we try to eliminate.

ダイシングテーブルからベルヌイチヤツクによ
り吸引されたウエハはチヤツクのアームを90゜回
転することにより次の洗浄工程へ送られる。
The wafers are sucked from the dicing table by the Bernuich chuck and sent to the next cleaning process by rotating the chuck arm 90 degrees.

第8図AおよびBはチヤツクにより移送された
ウエハの洗浄部を示すもので、真空チヤツク26
によりウエハ1を保持した状態で回転し上下から
ノズル27により水を吹き付けることにより洗浄
する。終了後水を切りBのように回転乾燥させ
る。この洗浄工程によりウエハに付着していた付
着物は除去され、清浄に保たれる。
8A and 8B show the cleaning section for wafers transferred by the chuck, where the vacuum chuck 26
The wafer 1 is rotated while being held by the wafer 1, and water is sprayed from above and below by the nozzle 27, thereby cleaning the wafer. After finishing, drain the water and spin dry as shown in B. This cleaning step removes the deposits on the wafer and keeps it clean.

次にウエハは再びチヤツクにより吸引され、チ
ヤツクアームを90゜回転させることにより、ウエ
ハアンローダ部に移送される。すなわちウエハは
エアシユート上に供給され、ローダの時とは逆の
方向に移送される。エアシユートの端部には空の
カートリツジがセツトされており、ウエハは順次
このカートリツジに供給されていく。
Next, the wafer is again sucked by the chuck and transferred to the wafer unloader section by rotating the chuck arm 90 degrees. That is, the wafer is fed onto the air chute and is transferred in the opposite direction to the loader. An empty cartridge is set at the end of the air chute, and wafers are sequentially supplied to this cartridge.

カートリツジはウエハの供給タイミングに合わ
せて一ピツチずつ自動的に上昇していき、これら
の動作機構はローダの時と逆に動作させれば良
い。カートリツジが満杯になると自動的に警報が
発せられ、作業者は空のカートリツジをセツトす
る。しかしこれらのカートリツジのセツト、リセ
ツトは自動的に操作させることができる。
The cartridge automatically rises one pitch at a time in accordance with the timing of supplying wafers, and these operating mechanisms can be operated in the opposite direction to that of the loader. When the cartridge is full, an alarm is automatically issued and the operator sets an empty cartridge. However, the setting and resetting of these cartridges can be performed automatically.

カートリツジに収納されたウエハは次のブレー
キング工程に送られ、所望の作業が施こされて
個々のペレツトに分離される。
The wafers stored in the cartridges are sent to the next breaking step, where desired operations are performed and the wafers are separated into individual pellets.

以上説明したような本発明によれば、ダイシン
グすべきウエハはロードされる状態からダイシン
グされてアンロードされる状態までのハンドリン
グはすべて自動的に行われ手作業は一度も行われ
ないので、従来のように余分な準備作業に時間を
費やされることはなくなつてダイシング作業自体
が集中的に行えるようになり、着工数が著るしく
増加するようになつた。
According to the present invention as explained above, handling of wafers to be diced from loading to dicing and unloading is all done automatically and no manual work is required, unlike conventional methods. The dicing work itself can now be done more intensively, and the number of starts has increased significantly.

またハンドリングに手作業は不要であるためこ
れが原因で発生していたウエハの機械的損傷は完
全に防止することができた。
Furthermore, since manual handling is not required, mechanical damage to the wafers caused by this can be completely prevented.

更にまたウエハのローダ部とアンローダ部を隣
接して構成することにより装置自体の寸法を極め
てコンパクトに設計できるようになつた。各作業
工程間のウエハを空間的に移送させるためのチヤ
ツク装置の上部空間に設けられているため特に余
部のスペースをとることはない。このチヤツクは
また第9図に示すように常に一定方向に間けつ的
に回転することにより各工程で処理済みのウエハ
を同時に次工程に移送するようになつているため
移動にムダがなく極めて能率的に働く。
Furthermore, by configuring the wafer loader section and unloader section adjacent to each other, the size of the apparatus itself can be designed to be extremely compact. Since it is provided in the upper space of the chuck device for spatially transferring wafers between each work process, it does not take up any extra space. As shown in Figure 9, this chuck always rotates in a fixed direction intermittently so that wafers processed in each process are transferred to the next process at the same time, so there is no waste in movement and it is extremely efficient. work purposefully.

〔効果〕〔effect〕

以上のように、切削の直後にスピン洗浄するこ
とにより、切削くず等の除去をより完全に行なう
ことができる。
As described above, by performing spin cleaning immediately after cutting, cutting debris and the like can be more completely removed.

更に、裏面に洗浄処理を施すことによつて、ペ
レツト付け作業等における作業性および最終製品
の信頼性を向上させることができる。
Furthermore, by performing a cleaning treatment on the back surface, it is possible to improve the workability in pellet attachment work and the reliability of the final product.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図A乃至Eは従来装置を用いてダイシング
作業を行う場合を示す工程図、第2図は本発明を
実施する上で用いられる装置の概要を示す上面
図、第3図A乃至Dはウエハローダ機構を示す断
面図、第4図はウエハ位置合せ機構を示し、A,
C,Dは上面図、B,Eは断面図、第5図はチヤ
ツク機構を示しAは断面図、Bは下面図、第6図
A乃至Dはウエハのダイシングテーブル上への位
置決め方法を示す断面図、第7図はウエハのエア
ブロー機構を示しAは上面図、Bは断面図、第8
図の本発明の要部にあたるAおよびBはウエハの
洗浄機構を示す断面図、第9図はウエハチヤツク
の動作状態を示す軌跡である。 1……ウエハ、2……ケース、3……ピンセツ
ト、4,21……ダイシングテーブル、5……ダ
イシングテーブル、6……カートリツジ、7……
ウエハローダ位置、8……エアシユート、9……
光源、10……フオトトランジスタ、11……モ
ータ、12……位置合せテーブル、13……ガイ
ド、14……位置決め用ピン、15……エアシリ
ンダ、16……ウエハの基準面、17……チヤツ
クの保持面、18,27……ノズル、19,24
……管、20……ストツパ、22……顕微鏡の基
準線、23……ウエハのダイシングエリア、25
……エア、26……真空チヤツク。
FIGS. 1A to 1E are process diagrams showing the case of performing dicing work using a conventional device, FIG. 2 is a top view showing an outline of the device used in carrying out the present invention, and FIGS. A sectional view showing the wafer loader mechanism, FIG. 4 shows the wafer alignment mechanism, and A,
C and D are top views, B and E are cross-sectional views, Figure 5 shows the chuck mechanism, A is a cross-sectional view, B is a bottom view, and Figures 6 A to D show the method of positioning the wafer on the dicing table. 7 shows the wafer air blow mechanism, A is a top view, B is a sectional view, and FIG.
In the figure, A and B, which are the main parts of the present invention, are sectional views showing the wafer cleaning mechanism, and FIG. 9 is a trajectory showing the operating state of the wafer chuck. 1... Wafer, 2... Case, 3... Tweezers, 4, 21... Dicing table, 5... Dicing table, 6... Cartridge, 7...
Wafer loader position, 8...Air shoot, 9...
Light source, 10... Phototransistor, 11... Motor, 12... Positioning table, 13... Guide, 14... Positioning pin, 15... Air cylinder, 16... Wafer reference surface, 17... Chuck holding surface, 18, 27...nozzle, 19, 24
...Tube, 20...Stopper, 22...Microscope reference line, 23...Wafer dicing area, 25
...Air, 26...Vacuum chuck.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 半導体ウエハを第1のテーブルに固定して冷
却液を供給しながら回転ブレードにより前記半導
体ウエハをダイシングするタイシング工程、前記
ダイシング工程によりダイシングされた半導体ウ
エハをダイシング後直ちに前記第1のテーブルと
は別個の第2のテーブルに自動的に移送する移送
工程、前記第2のテーブルに前記半導体ウエハを
固定させて前記第2のテーブルを回転させながら
洗浄液を前記半導体ウエハの表面に吹き付けて前
記半導体ウエハ表面の洗浄を行ないかつその後前
記第2のテーブルの回転によるスピン乾燥を行な
うスピン洗浄乾燥工程を有することを特徴とする
ダイシング及び洗浄方法。
1. A dicing step in which a semiconductor wafer is fixed on a first table and the semiconductor wafer is diced with a rotating blade while supplying a cooling liquid, and the first table is used immediately after dicing the semiconductor wafer diced in the dicing step. a transfer step of automatically transferring the semiconductor wafer to a separate second table; fixing the semiconductor wafer on the second table and spraying a cleaning liquid onto the surface of the semiconductor wafer while rotating the second table; A dicing and cleaning method comprising a spin cleaning and drying step of cleaning the surface and then performing spin drying by rotating the second table.
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