JPS626650B2 - - Google Patents
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- JPS626650B2 JPS626650B2 JP53118958A JP11895878A JPS626650B2 JP S626650 B2 JPS626650 B2 JP S626650B2 JP 53118958 A JP53118958 A JP 53118958A JP 11895878 A JP11895878 A JP 11895878A JP S626650 B2 JPS626650 B2 JP S626650B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウエハの洗浄装置に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus.
一般に半導体ウエハを個々のチツプ(ペレツ
ト)に裁断するいわゆるダイシング工程において
は、ダイシングの後裁断されたウエハを洗浄する
ことが必要不可欠な作業とされている。即ち、ダ
イシングの後の裁断ウエハの表面には、微細なシ
リコン屑が付着してしまい、このシリコン屑を取
り除くことが後の工程の為に必要とされている。
特に、ウエハ上のボンデイング・パツドの部分
は、その部分が他の部分よりもウエハ表面より突
出し、しかもその表面が比較的粗面であるアルミ
の地肌であることから、シリコン屑が他の部分に
比してより付着する傾向がある。ボンデイング・
パツトにおけるシリコン屑の付着はワイヤのボン
デイング不良を招来する虞れがあり、半導体装置
の不良率の増大に至ることから、特に、このボン
デイング・パツト部分は、その洗浄が確実でなけ
ればならないとされている。 In general, in a so-called dicing process in which a semiconductor wafer is cut into individual chips (pellets), cleaning the cut wafer after dicing is considered to be an essential operation. That is, fine silicon debris adheres to the surface of the cut wafer after dicing, and it is necessary to remove this silicon debris for subsequent steps.
In particular, the bonding pad on the wafer protrudes from the wafer surface more than other parts, and since the surface is made of aluminum with a relatively rough surface, silicon debris can spread to other parts. It tends to stick more than other materials. Bonding・
Adhesion of silicone debris on the pads may lead to defective wire bonding, leading to an increase in the defective rate of semiconductor devices, so it is said that the bonding pads in particular must be cleaned reliably. ing.
従来、上述のような要請から、超音波洗浄装置
がウエハの洗浄に用いられていた。この超音波洗
浄装置は超音波をウエハに照射し、ウエハ上のシ
リコン屑をその表面から分離させる装置であつ
て、その当初の目的を達することが可能であつた
が、次のよな問題があることが判明していた。即
ち、しばしば、ダイシングしたウエハが超音波の
振動により割れることがあり、また、ウエハを薄
いフイルム上に固着した後これをダイシングする
工程を含む場合にあつては、これを超音波洗浄し
ようとしても、超音波の振動がフイルムに吸収さ
れ、ウエハの洗浄が不充分となつてしまい、この
ような場合にまで超音波洗浄装置を用い得ないと
いう欠点があつた。 Conventionally, due to the above-mentioned requirements, ultrasonic cleaning devices have been used to clean wafers. This ultrasonic cleaning device irradiates the wafer with ultrasonic waves to separate silicon debris on the wafer from its surface, and although it was able to achieve its original purpose, it had the following problems. Something was clear. That is, diced wafers often break due to ultrasonic vibrations, and if the process includes dicing the wafer after fixing it on a thin film, even if the wafer is attempted to be ultrasonically cleaned, However, the ultrasonic vibrations are absorbed by the film, resulting in insufficient cleaning of the wafer, and the ultrasonic cleaning apparatus cannot be used even in such cases.
この発明は上述の事情に鑑みなされたものであ
つて、回転中心軸を有し、半導体ウエハを保持す
るターン・テーブルと、このターン・テーブルを
回転駆動する駆動装置と、前記ターンテーブル上
のウエハ表面に向けて噴射洗浄液及び乾燥気体を
順次フアン状に吹付けることができる噴射口を有
し、回転可能に支持されたスプレイ・ノズル装置
と、及び前記ターン・テーブルの回転軸から偏心
し、しかもこのターン・テーブルの略回転軸上に
定められた回転中心を中心としてこのスプレイ・
ノズル装置を前記ターン・テーブルに対して逆回
転させて噴射口から噴射される噴射領域を前記タ
ーン・テーブルの回転方向とは反対方向に回転さ
せる回転装置とより成ることを特徴とする半導体
ウエハの洗浄装置であるから、ウエハ上に洗浄液
等が極めて高速、且つ高範囲に噴射され、ウエハ
上の汚れを確実、迅速に取り除くことができる半
導体ウエハの洗浄装置を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and includes a turntable having a rotation center axis and holding a semiconductor wafer, a drive device for rotationally driving the turntable, and a wafer on the turntable. a spray nozzle device rotatably supported and having a spray nozzle capable of sequentially spraying cleaning liquid and drying gas in a fan-like manner toward a surface; This spray is centered around the rotation center set approximately on the rotation axis of this turntable.
A rotating device for rotating a nozzle device in the opposite direction with respect to the turn table to rotate an injection area ejected from the injection port in a direction opposite to the rotation direction of the turn table. Since this is a cleaning device, the present invention provides a cleaning device for semiconductor wafers that can spray cleaning liquid and the like onto the wafer at extremely high speed and over a wide range, thereby reliably and quickly removing dirt on the wafer.
以下図面を参照しながらこの発明の一実施例に
係る半導体ウエハの洗浄装置について説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図は、この発明の一実施例に係る半導体ウエハ
の洗浄装置であつて、2はダイシングされたウエ
ハを示している。このウエハ2は、ターン・テー
ブル6の載置面に載置され、このターン・テーブ
ル6は、このターン・テーブル6を回転駆動する
駆動装置としてのモータ4に回転可能に連結され
ている。ターン・テーブル6の載置面は、ター
ン・テーブル6の回転中心軸Y−Y′に対して直
角な面となつている。このターン・テーブル6
は、その回転速度が可変可能であり、また、前記
ウエハ2を確実にウエハ載置面に保持し得るウエ
ハ保持機構を備えている。図示の例にあつては、
この保持機構は、ウエハ載置面上に穿けた比較的
小さな開孔8、及びこの開孔8に連通してター
ン・テーブル内を延び真空装置に至るパイプ10
より成り、前記開孔8に負圧を与えることによつ
てウエハ2を吸引保持している。前記ターン・テ
ーブル6上には、ジエツト噴流液を前記ウエハ2
に向けてフアン状に噴射するとともに高圧乾燥気
体を同様にウエハ2に向けてフアン状に噴射する
ことができるスプレイ・ノズル装置12が位置さ
れている。このスプレイ・ノズル装置12は、タ
ーン・テーブルの回転軸Y−Y′から偏心し、し
かもこのターン・テーブル12の略回転軸上に定
められた回転中心を中心としてこのスプレイ・ノ
ズル装置12を前記ターン・テーブル6に対して
逆回転させる支持軸14、球面軸受け16、偏心
カム及びモータ22から成る回転装置に連結され
ている。即ち、このスプレイ・ノズル装置12
は、支持軸14の一端に取り付けられ、この支持
軸14は、その一端に設けたスプレイ・ノズル装
置12の噴射口が前記Y−Y軸に対して直角な平
面内で回転運動可能なように球面軸受け16によ
り支持されている。この支持軸14には、スプレ
イ・ノズル装置12の噴射口とターン・テーブル
6の載置面間の距離を調節する軸長調節機構を備
えていても良い。前記支持軸14の他端には球形
部18が設けられ、この球形部18は、装置の中
心軸Y−Y′から偏心した位置で回転可能に偏心
カム20に取り付けられている。この偏心カム2
0は、モータ22に連結されている。この偏心カ
ム20の偏心量は、装置の中心軸Y−Y′に対す
る前記支持軸14の傾き角θを決定し、この角θ
は、前記スプレイ・ノズル12の噴射口からター
ン・テーブル6上のウエハ2の面上までの距離
D、及び前記スプレイ・ノズル装置12の噴射角
度αに基いて決定される。これらの値は、前記ス
プレイ・ノズル装置12の噴射口からフアン状に
噴射されたジエツト噴流液及び気体が適当な強さ
でウエハ2に当り、このウエハ2の領域を十分に
おおうように定められている。上記スプレイ・ノ
ズル装置12には、高圧気体例えば、空気或は窒
素の高圧気体を供給する2方向ソレノイド・バル
ブ24及び流水並びに高圧乾燥気体を供給する3
方向ソレノイド・バルブ26に連結されている。
前記モータ4,22及びソレノイド・バルブ2
4,26は、次に説明するような動作順序に基い
て適当なタイマ装置或は、プログラム装置(図示
せず)によつて制御される。 The figure shows a semiconductor wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, and numeral 2 indicates a diced wafer. The wafer 2 is placed on a mounting surface of a turn table 6, and the turn table 6 is rotatably connected to a motor 4 serving as a drive device for rotating the turn table 6. The mounting surface of the turn table 6 is a surface perpendicular to the rotation center axis Y-Y' of the turn table 6. This turntable 6
has a variable rotation speed and a wafer holding mechanism that can reliably hold the wafer 2 on the wafer mounting surface. In the illustrated example,
This holding mechanism includes a relatively small hole 8 made on the wafer mounting surface, and a pipe 10 that communicates with the hole 8 and extends inside the turntable to a vacuum device.
By applying negative pressure to the opening 8, the wafer 2 is held by suction. On the turn table 6, a jet liquid is applied to the wafer 2.
A spray nozzle device 12 is positioned which can spray the high-pressure drying gas in a fan-like manner toward the wafer 2 and similarly spray the high-pressure drying gas in a fan-like manner toward the wafer 2 . This spray nozzle device 12 is eccentric from the rotation axis Y-Y' of the turntable, and moreover, the spray nozzle device 12 is rotated about a rotation center defined approximately on the rotation axis of the turntable 12. It is connected to a rotation device consisting of a support shaft 14, a spherical bearing 16, an eccentric cam, and a motor 22 for rotating the turntable 6 in the opposite direction. That is, this spray nozzle device 12
is attached to one end of a support shaft 14, and this support shaft 14 is configured such that the nozzle of the spray nozzle device 12 provided at one end thereof can rotate in a plane perpendicular to the Y-Y axis. It is supported by a spherical bearing 16. This support shaft 14 may be provided with a shaft length adjustment mechanism for adjusting the distance between the spray nozzle device 12 and the mounting surface of the turntable 6. A spherical portion 18 is provided at the other end of the support shaft 14, and this spherical portion 18 is rotatably attached to an eccentric cam 20 at a position eccentric from the central axis Y-Y' of the device. This eccentric cam 2
0 is connected to the motor 22. The amount of eccentricity of this eccentric cam 20 determines the inclination angle θ of the support shaft 14 with respect to the central axis Y-Y' of the device, and this angle θ
is determined based on the distance D from the spray nozzle 12 to the surface of the wafer 2 on the turn table 6, and the spray angle α of the spray nozzle device 12. These values are determined so that the jet liquid and gas sprayed in a fan shape from the spray nozzle device 12 hit the wafer 2 with appropriate strength and sufficiently cover the area of the wafer 2. ing. The spray nozzle device 12 includes a two-way solenoid valve 24 supplying a high-pressure gas, such as air or nitrogen, and a two-way solenoid valve 24 supplying running water and a high-pressure drying gas.
It is connected to a directional solenoid valve 26.
Said motor 4, 22 and solenoid valve 2
4 and 26 are controlled by a suitable timer device or programming device (not shown) based on the order of operation as described below.
上記のような構成の半導体ウエハの洗浄装置に
おいては、ダイシングされたウエハ又は、ダイシ
ングされた薄フイルム上に固着されたウエエハ2
がターン・テーブル6上のウエハ載置面上に載置
され、真空装置が作動されてウエハ2がターン・
テーブル6上に確実に保持される。その後、前記
モータ4及び22が作動され、ターン・テーブル
6及びスプレイ・ノズル装置12が回転運動を開
始する。前記ターン・テーブル6とスプレイ・ノ
ズル装置12とは、図示するように互に逆回転方
向に回転する為両者間の相対的回転運動は、極め
て高速となる。その後、前記ソレノイド・バルブ
24,26が附勢されて、ソレノイド・バルブ2
4から高圧気体がまた、ソレノイド・バルブ26
から流水が前記スプレイ・ノズル装置12に送ら
れ、そのスプレイ・ノズル装置12の墳射口から
は、噴霧状のジエツト噴流がウエハ2に向けてフ
アン状に噴射される。既に述べたように前記スプ
レイ・ノズル装置12と前記ターン・テーブル6
との相対運動が極めて高速の為ウエハ2には、洗
浄力の強いジエツト噴流が照射せられ、また、ジ
エツト噴流は、フアン状に噴射せられるのでウエ
ハの隅々まで洗浄作用が及び、更に、この噴流液
は、前記ウエハ上のシリコン屑とともにターン・
テーブル6の遠心力によつてターン・テーブル6
外に流出せられることとなる。前記ウエハ上のシ
リコン屑を取り除くに十分な時間が経過すると、
前記ソレノイド・バルブ24が消勢せられ、前記
ソレノイド・バルブ26は、高圧乾燥気体を供給
するモードに切り換えられる。前記ソレノイド・
バルブ26を介してスプレイ・ノズル装置12に
送られる高圧乾燥気体は、供給路に残留していた
液体を取り除きながら導びかれ、前記スプレイ・
ノズル装置12の噴射口から前記ウエハ2に向け
て同様に噴射される。このウエハ2上の残留洗浄
液は、ターン・テーブル6の遠心力と前記高圧乾
燥気体によつて除去されるに至る。この為の十分
な時間が経過すると、前記ソレノイド・バルブ2
6が消勢され、前記モータ4,22の動作が停止
される。その後、前記真空装置の作動が停止さ
れ、前記ウエハ2は、ターン・テーブル6上から
取り外し可能となり、このウエハ2の洗浄が完了
する。 In the semiconductor wafer cleaning apparatus configured as described above, a diced wafer or a wafer 2 fixed on a diced thin film is used.
is placed on the wafer placement surface of the turn table 6, and the vacuum device is activated to turn the wafer 2.
It is securely held on the table 6. Thereafter, the motors 4 and 22 are activated, and the turntable 6 and the spray nozzle device 12 begin their rotational movement. Since the turn table 6 and the spray nozzle device 12 rotate in opposite rotational directions as shown in the figure, the relative rotational movement between them becomes extremely high speed. Thereafter, the solenoid valves 24 and 26 are energized, so that the solenoid valve 2
4, high pressure gas is also supplied to the solenoid valve 26.
Flowing water is sent to the spray nozzle device 12, and from the nozzle of the spray nozzle device 12, an atomized jet stream is sprayed toward the wafer 2 in a fan shape. As already mentioned, the spray nozzle device 12 and the turntable 6
The wafer 2 is irradiated with a jet jet with strong cleaning power because the relative movement with the wafer is extremely fast, and since the jet jet is ejected in a fan shape, the cleaning action reaches every corner of the wafer. This jet liquid turns and turns with the silicon chips on the wafer.
Turn table 6 due to centrifugal force of table 6
It will be leaked outside. Once sufficient time has elapsed to remove silicon debris on the wafer,
The solenoid valve 24 is deenergized and the solenoid valve 26 is switched to a mode that supplies high pressure drying gas. The solenoid
The high pressure drying gas sent to the spray nozzle device 12 via the valve 26 is directed while removing any remaining liquid in the supply path, and
The ink is similarly ejected from the ejection opening of the nozzle device 12 toward the wafer 2 . The cleaning liquid remaining on the wafer 2 is removed by the centrifugal force of the turn table 6 and the high pressure drying gas. After sufficient time has elapsed for this purpose, the solenoid valve 2
6 is deenergized, and the operation of the motors 4 and 22 is stopped. Thereafter, the operation of the vacuum device is stopped, and the wafer 2 can be removed from the turntable 6, and cleaning of the wafer 2 is completed.
以上のようにこの発明によれば、高速洗浄によ
つて、迅速確実にウエハの洗浄をすることができ
る半導体ウエハの洗浄装置が提供される。 As described above, according to the present invention, there is provided a semiconductor wafer cleaning apparatus that can quickly and reliably clean wafers by high-speed cleaning.
図はこの発明の一実施例に係る半導体ウエハの
洗浄装置を示す概略図である。
2…ウエハ、4…モータ、6…ターン・テーブ
ル、8…開孔、10…パイプ、12…スプレイ・
ノズル装置、14…支持軸、16…球面軸受け、
18…球形部、20…偏心カム、22…モータ、
24…2方向ソレノイド・バルブ、26…3方向
ソレノイド・バルブ。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. 2... Wafer, 4... Motor, 6... Turn table, 8... Hole, 10... Pipe, 12... Spray
Nozzle device, 14... Support shaft, 16... Spherical bearing,
18... Spherical part, 20... Eccentric cam, 22... Motor,
24...2-way solenoid valve, 26...3-way solenoid valve.
Claims (1)
ターン・テーブルと、このターン・テーブルを回
転駆動する駆動装置と、前記ターンテーブル上の
ウエハ表面に向けて噴射洗浄液及び乾燥気体を順
次フアン状に吹付けることができる噴射口を有
し、回転可能に支持されたスプレイ・ノズル装置
と、及び前記ターン・テーブルの回転軸から偏心
し、しかもこのターン・テーブルの略回転軸上に
定められた回転中心を中心としてこのスプレイ・
ノズル装置を前記ターン・テーブルに対して逆回
転させて噴射口から噴射される噴射領域を前記タ
ーン・テーブルの回転方向とは反対方向に回転さ
せる回転装置とより成ることを特徴とする半導体
ウエハの洗浄装置。1. A turntable having a central axis of rotation and holding a semiconductor wafer, a drive device for rotationally driving this turntable, and a fan-shaped jet of cleaning liquid and dry gas sequentially toward the wafer surface on the turntable. a spray nozzle device rotatably supported having a spray nozzle capable of spraying; and a rotation axis eccentric from the rotational axis of the turntable and defined substantially on the rotational axis of the turntable. Spray this around the center.
A rotating device for rotating a nozzle device in the opposite direction with respect to the turn table to rotate an injection area ejected from the injection port in a direction opposite to the rotation direction of the turn table. cleaning equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11895878A JPS5544780A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Cleaning device for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11895878A JPS5544780A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Cleaning device for semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5544780A JPS5544780A (en) | 1980-03-29 |
| JPS626650B2 true JPS626650B2 (en) | 1987-02-12 |
Family
ID=14749478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11895878A Granted JPS5544780A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Cleaning device for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5544780A (en) |
Cited By (2)
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