JPS626650B2 - - Google Patents
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- JPS626650B2 JPS626650B2 JP53118958A JP11895878A JPS626650B2 JP S626650 B2 JPS626650 B2 JP S626650B2 JP 53118958 A JP53118958 A JP 53118958A JP 11895878 A JP11895878 A JP 11895878A JP S626650 B2 JPS626650 B2 JP S626650B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- turntable
- spray nozzle
- turn table
- nozzle device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウエハの洗浄装置に関するも
のである。
のである。
一般に半導体ウエハを個々のチツプ（ペレツ
ト）に裁断するいわゆるダイシング工程において
は、ダイシングの後裁断されたウエハを洗浄する
ことが必要不可欠な作業とされている。即ち、ダ
イシングの後の裁断ウエハの表面には、微細なシ
リコン屑が付着してしまい、このシリコン屑を取
り除くことが後の工程の為に必要とされている。
特に、ウエハ上のボンデイング・パツドの部分
は、その部分が他の部分よりもウエハ表面より突
出し、しかもその表面が比較的粗面であるアルミ
の地肌であることから、シリコン屑が他の部分に
比してより付着する傾向がある。ボンデイング・
パツトにおけるシリコン屑の付着はワイヤのボン
デイング不良を招来する虞れがあり、半導体装置
の不良率の増大に至ることから、特に、このボン
デイング・パツト部分は、その洗浄が確実でなけ
ればならないとされている。
ト）に裁断するいわゆるダイシング工程において
は、ダイシングの後裁断されたウエハを洗浄する
ことが必要不可欠な作業とされている。即ち、ダ
イシングの後の裁断ウエハの表面には、微細なシ
リコン屑が付着してしまい、このシリコン屑を取
り除くことが後の工程の為に必要とされている。
特に、ウエハ上のボンデイング・パツドの部分
は、その部分が他の部分よりもウエハ表面より突
出し、しかもその表面が比較的粗面であるアルミ
の地肌であることから、シリコン屑が他の部分に
比してより付着する傾向がある。ボンデイング・
パツトにおけるシリコン屑の付着はワイヤのボン
デイング不良を招来する虞れがあり、半導体装置
の不良率の増大に至ることから、特に、このボン
デイング・パツト部分は、その洗浄が確実でなけ
ればならないとされている。
従来、上述のような要請から、超音波洗浄装置
がウエハの洗浄に用いられていた。この超音波洗
浄装置は超音波をウエハに照射し、ウエハ上のシ
リコン屑をその表面から分離させる装置であつ
て、その当初の目的を達することが可能であつた
が、次のよな問題があることが判明していた。即
ち、しばしば、ダイシングしたウエハが超音波の
振動により割れることがあり、また、ウエハを薄
いフイルム上に固着した後これをダイシングする
工程を含む場合にあつては、これを超音波洗浄し
ようとしても、超音波の振動がフイルムに吸収さ
れ、ウエハの洗浄が不充分となつてしまい、この
ような場合にまで超音波洗浄装置を用い得ないと
いう欠点があつた。
がウエハの洗浄に用いられていた。この超音波洗
浄装置は超音波をウエハに照射し、ウエハ上のシ
リコン屑をその表面から分離させる装置であつ
て、その当初の目的を達することが可能であつた
が、次のよな問題があることが判明していた。即
ち、しばしば、ダイシングしたウエハが超音波の
振動により割れることがあり、また、ウエハを薄
いフイルム上に固着した後これをダイシングする
工程を含む場合にあつては、これを超音波洗浄し
ようとしても、超音波の振動がフイルムに吸収さ
れ、ウエハの洗浄が不充分となつてしまい、この
ような場合にまで超音波洗浄装置を用い得ないと
いう欠点があつた。
この発明は上述の事情に鑑みなされたものであ
つて、回転中心軸を有し、半導体ウエハを保持す
るターン・テーブルと、このターン・テーブルを
回転駆動する駆動装置と、前記ターンテーブル上
のウエハ表面に向けて噴射洗浄液及び乾燥気体を
順次フアン状に吹付けることができる噴射口を有
し、回転可能に支持されたスプレイ・ノズル装置
と、及び前記ターン・テーブルの回転軸から偏心
し、しかもこのターン・テーブルの略回転軸上に
定められた回転中心を中心としてこのスプレイ・
ノズル装置を前記ターン・テーブルに対して逆回
転させて噴射口から噴射される噴射領域を前記タ
ーン・テーブルの回転方向とは反対方向に回転さ
せる回転装置とより成ることを特徴とする半導体
ウエハの洗浄装置であるから、ウエハ上に洗浄液
等が極めて高速、且つ高範囲に噴射され、ウエハ
上の汚れを確実、迅速に取り除くことができる半
導体ウエハの洗浄装置を提供するものである。
つて、回転中心軸を有し、半導体ウエハを保持す
るターン・テーブルと、このターン・テーブルを
回転駆動する駆動装置と、前記ターンテーブル上
のウエハ表面に向けて噴射洗浄液及び乾燥気体を
順次フアン状に吹付けることができる噴射口を有
し、回転可能に支持されたスプレイ・ノズル装置
と、及び前記ターン・テーブルの回転軸から偏心
し、しかもこのターン・テーブルの略回転軸上に
定められた回転中心を中心としてこのスプレイ・
ノズル装置を前記ターン・テーブルに対して逆回
転させて噴射口から噴射される噴射領域を前記タ
ーン・テーブルの回転方向とは反対方向に回転さ
せる回転装置とより成ることを特徴とする半導体
ウエハの洗浄装置であるから、ウエハ上に洗浄液
等が極めて高速、且つ高範囲に噴射され、ウエハ
上の汚れを確実、迅速に取り除くことができる半
導体ウエハの洗浄装置を提供するものである。
以下図面を参照しながらこの発明の一実施例に
係る半導体ウエハの洗浄装置について説明する。
係る半導体ウエハの洗浄装置について説明する。
図は、この発明の一実施例に係る半導体ウエハ
の洗浄装置であつて、２はダイシングされたウエ
ハを示している。このウエハ２は、ターン・テー
ブル６の載置面に載置され、このターン・テーブ
ル６は、このターン・テーブル６を回転駆動する
駆動装置としてのモータ４に回転可能に連結され
ている。ターン・テーブル６の載置面は、ター
ン・テーブル６の回転中心軸Ｙ−Y′に対して直
角な面となつている。このターン・テーブル６
は、その回転速度が可変可能であり、また、前記
ウエハ２を確実にウエハ載置面に保持し得るウエ
ハ保持機構を備えている。図示の例にあつては、
この保持機構は、ウエハ載置面上に穿けた比較的
小さな開孔８、及びこの開孔８に連通してター
ン・テーブル内を延び真空装置に至るパイプ１０
より成り、前記開孔８に負圧を与えることによつ
てウエハ２を吸引保持している。前記ターン・テ
ーブル６上には、ジエツト噴流液を前記ウエハ２
に向けてフアン状に噴射するとともに高圧乾燥気
体を同様にウエハ２に向けてフアン状に噴射する
ことができるスプレイ・ノズル装置１２が位置さ
れている。このスプレイ・ノズル装置１２は、タ
ーン・テーブルの回転軸Ｙ−Y′から偏心し、し
かもこのターン・テーブル１２の略回転軸上に定
められた回転中心を中心としてこのスプレイ・ノ
ズル装置１２を前記ターン・テーブル６に対して
逆回転させる支持軸１４、球面軸受け１６、偏心
カム及びモータ２２から成る回転装置に連結され
ている。即ち、このスプレイ・ノズル装置１２
は、支持軸１４の一端に取り付けられ、この支持
軸１４は、その一端に設けたスプレイ・ノズル装
置１２の噴射口が前記Ｙ−Ｙ軸に対して直角な平
面内で回転運動可能なように球面軸受け１６によ
り支持されている。この支持軸１４には、スプレ
イ・ノズル装置１２の噴射口とターン・テーブル
６の載置面間の距離を調節する軸長調節機構を備
えていても良い。前記支持軸１４の他端には球形
部１８が設けられ、この球形部１８は、装置の中
心軸Ｙ−Y′から偏心した位置で回転可能に偏心
カム２０に取り付けられている。この偏心カム２
０は、モータ２２に連結されている。この偏心カ
ム２０の偏心量は、装置の中心軸Ｙ−Y′に対す
る前記支持軸１４の傾き角θを決定し、この角θ
は、前記スプレイ・ノズル１２の噴射口からター
ン・テーブル６上のウエハ２の面上までの距離
Ｄ、及び前記スプレイ・ノズル装置１２の噴射角
度αに基いて決定される。これらの値は、前記ス
プレイ・ノズル装置１２の噴射口からフアン状に
噴射されたジエツト噴流液及び気体が適当な強さ
でウエハ２に当り、このウエハ２の領域を十分に
おおうように定められている。上記スプレイ・ノ
ズル装置１２には、高圧気体例えば、空気或は窒
素の高圧気体を供給する２方向ソレノイド・バル
ブ２４及び流水並びに高圧乾燥気体を供給する３
方向ソレノイド・バルブ２６に連結されている。
前記モータ４，２２及びソレノイド・バルブ２
４，２６は、次に説明するような動作順序に基い
て適当なタイマ装置或は、プログラム装置（図示
せず）によつて制御される。
の洗浄装置であつて、２はダイシングされたウエ
ハを示している。このウエハ２は、ターン・テー
ブル６の載置面に載置され、このターン・テーブ
ル６は、このターン・テーブル６を回転駆動する
駆動装置としてのモータ４に回転可能に連結され
ている。ターン・テーブル６の載置面は、ター
ン・テーブル６の回転中心軸Ｙ−Y′に対して直
角な面となつている。このターン・テーブル６
は、その回転速度が可変可能であり、また、前記
ウエハ２を確実にウエハ載置面に保持し得るウエ
ハ保持機構を備えている。図示の例にあつては、
この保持機構は、ウエハ載置面上に穿けた比較的
小さな開孔８、及びこの開孔８に連通してター
ン・テーブル内を延び真空装置に至るパイプ１０
より成り、前記開孔８に負圧を与えることによつ
てウエハ２を吸引保持している。前記ターン・テ
ーブル６上には、ジエツト噴流液を前記ウエハ２
に向けてフアン状に噴射するとともに高圧乾燥気
体を同様にウエハ２に向けてフアン状に噴射する
ことができるスプレイ・ノズル装置１２が位置さ
れている。このスプレイ・ノズル装置１２は、タ
ーン・テーブルの回転軸Ｙ−Y′から偏心し、し
かもこのターン・テーブル１２の略回転軸上に定
められた回転中心を中心としてこのスプレイ・ノ
ズル装置１２を前記ターン・テーブル６に対して
逆回転させる支持軸１４、球面軸受け１６、偏心
カム及びモータ２２から成る回転装置に連結され
ている。即ち、このスプレイ・ノズル装置１２
は、支持軸１４の一端に取り付けられ、この支持
軸１４は、その一端に設けたスプレイ・ノズル装
置１２の噴射口が前記Ｙ−Ｙ軸に対して直角な平
面内で回転運動可能なように球面軸受け１６によ
り支持されている。この支持軸１４には、スプレ
イ・ノズル装置１２の噴射口とターン・テーブル
６の載置面間の距離を調節する軸長調節機構を備
えていても良い。前記支持軸１４の他端には球形
部１８が設けられ、この球形部１８は、装置の中
心軸Ｙ−Y′から偏心した位置で回転可能に偏心
カム２０に取り付けられている。この偏心カム２
０は、モータ２２に連結されている。この偏心カ
ム２０の偏心量は、装置の中心軸Ｙ−Y′に対す
る前記支持軸１４の傾き角θを決定し、この角θ
は、前記スプレイ・ノズル１２の噴射口からター
ン・テーブル６上のウエハ２の面上までの距離
Ｄ、及び前記スプレイ・ノズル装置１２の噴射角
度αに基いて決定される。これらの値は、前記ス
プレイ・ノズル装置１２の噴射口からフアン状に
噴射されたジエツト噴流液及び気体が適当な強さ
でウエハ２に当り、このウエハ２の領域を十分に
おおうように定められている。上記スプレイ・ノ
ズル装置１２には、高圧気体例えば、空気或は窒
素の高圧気体を供給する２方向ソレノイド・バル
ブ２４及び流水並びに高圧乾燥気体を供給する３
方向ソレノイド・バルブ２６に連結されている。
前記モータ４，２２及びソレノイド・バルブ２
４，２６は、次に説明するような動作順序に基い
て適当なタイマ装置或は、プログラム装置（図示
せず）によつて制御される。
上記のような構成の半導体ウエハの洗浄装置に
おいては、ダイシングされたウエハ又は、ダイシ
ングされた薄フイルム上に固着されたウエエハ２
がターン・テーブル６上のウエハ載置面上に載置
され、真空装置が作動されてウエハ２がターン・
テーブル６上に確実に保持される。その後、前記
モータ４及び２２が作動され、ターン・テーブル
６及びスプレイ・ノズル装置１２が回転運動を開
始する。前記ターン・テーブル６とスプレイ・ノ
ズル装置１２とは、図示するように互に逆回転方
向に回転する為両者間の相対的回転運動は、極め
て高速となる。その後、前記ソレノイド・バルブ
２４，２６が附勢されて、ソレノイド・バルブ２
４から高圧気体がまた、ソレノイド・バルブ２６
から流水が前記スプレイ・ノズル装置１２に送ら
れ、そのスプレイ・ノズル装置１２の墳射口から
は、噴霧状のジエツト噴流がウエハ２に向けてフ
アン状に噴射される。既に述べたように前記スプ
レイ・ノズル装置１２と前記ターン・テーブル６
との相対運動が極めて高速の為ウエハ２には、洗
浄力の強いジエツト噴流が照射せられ、また、ジ
エツト噴流は、フアン状に噴射せられるのでウエ
ハの隅々まで洗浄作用が及び、更に、この噴流液
は、前記ウエハ上のシリコン屑とともにターン・
テーブル６の遠心力によつてターン・テーブル６
外に流出せられることとなる。前記ウエハ上のシ
リコン屑を取り除くに十分な時間が経過すると、
前記ソレノイド・バルブ２４が消勢せられ、前記
ソレノイド・バルブ２６は、高圧乾燥気体を供給
するモードに切り換えられる。前記ソレノイド・
バルブ２６を介してスプレイ・ノズル装置１２に
送られる高圧乾燥気体は、供給路に残留していた
液体を取り除きながら導びかれ、前記スプレイ・
ノズル装置１２の噴射口から前記ウエハ２に向け
て同様に噴射される。このウエハ２上の残留洗浄
液は、ターン・テーブル６の遠心力と前記高圧乾
燥気体によつて除去されるに至る。この為の十分
な時間が経過すると、前記ソレノイド・バルブ２
６が消勢され、前記モータ４，２２の動作が停止
される。その後、前記真空装置の作動が停止さ
れ、前記ウエハ２は、ターン・テーブル６上から
取り外し可能となり、このウエハ２の洗浄が完了
する。
おいては、ダイシングされたウエハ又は、ダイシ
ングされた薄フイルム上に固着されたウエエハ２
がターン・テーブル６上のウエハ載置面上に載置
され、真空装置が作動されてウエハ２がターン・
テーブル６上に確実に保持される。その後、前記
モータ４及び２２が作動され、ターン・テーブル
６及びスプレイ・ノズル装置１２が回転運動を開
始する。前記ターン・テーブル６とスプレイ・ノ
ズル装置１２とは、図示するように互に逆回転方
向に回転する為両者間の相対的回転運動は、極め
て高速となる。その後、前記ソレノイド・バルブ
２４，２６が附勢されて、ソレノイド・バルブ２
４から高圧気体がまた、ソレノイド・バルブ２６
から流水が前記スプレイ・ノズル装置１２に送ら
れ、そのスプレイ・ノズル装置１２の墳射口から
は、噴霧状のジエツト噴流がウエハ２に向けてフ
アン状に噴射される。既に述べたように前記スプ
レイ・ノズル装置１２と前記ターン・テーブル６
との相対運動が極めて高速の為ウエハ２には、洗
浄力の強いジエツト噴流が照射せられ、また、ジ
エツト噴流は、フアン状に噴射せられるのでウエ
ハの隅々まで洗浄作用が及び、更に、この噴流液
は、前記ウエハ上のシリコン屑とともにターン・
テーブル６の遠心力によつてターン・テーブル６
外に流出せられることとなる。前記ウエハ上のシ
リコン屑を取り除くに十分な時間が経過すると、
前記ソレノイド・バルブ２４が消勢せられ、前記
ソレノイド・バルブ２６は、高圧乾燥気体を供給
するモードに切り換えられる。前記ソレノイド・
バルブ２６を介してスプレイ・ノズル装置１２に
送られる高圧乾燥気体は、供給路に残留していた
液体を取り除きながら導びかれ、前記スプレイ・
ノズル装置１２の噴射口から前記ウエハ２に向け
て同様に噴射される。このウエハ２上の残留洗浄
液は、ターン・テーブル６の遠心力と前記高圧乾
燥気体によつて除去されるに至る。この為の十分
な時間が経過すると、前記ソレノイド・バルブ２
６が消勢され、前記モータ４，２２の動作が停止
される。その後、前記真空装置の作動が停止さ
れ、前記ウエハ２は、ターン・テーブル６上から
取り外し可能となり、このウエハ２の洗浄が完了
する。
以上のようにこの発明によれば、高速洗浄によ
つて、迅速確実にウエハの洗浄をすることができ
る半導体ウエハの洗浄装置が提供される。
つて、迅速確実にウエハの洗浄をすることができ
る半導体ウエハの洗浄装置が提供される。
図はこの発明の一実施例に係る半導体ウエハの
洗浄装置を示す概略図である。 ２…ウエハ、４…モータ、６…ターン・テーブ
ル、８…開孔、１０…パイプ、１２…スプレイ・
ノズル装置、１４…支持軸、１６…球面軸受け、
１８…球形部、２０…偏心カム、２２…モータ、
２４…２方向ソレノイド・バルブ、２６…３方向
ソレノイド・バルブ。
洗浄装置を示す概略図である。 ２…ウエハ、４…モータ、６…ターン・テーブ
ル、８…開孔、１０…パイプ、１２…スプレイ・
ノズル装置、１４…支持軸、１６…球面軸受け、
１８…球形部、２０…偏心カム、２２…モータ、
２４…２方向ソレノイド・バルブ、２６…３方向
ソレノイド・バルブ。
Claims (1)
- １ 回転中心軸を有し、半導体ウエハを保持する
ターン・テーブルと、このターン・テーブルを回
転駆動する駆動装置と、前記ターンテーブル上の
ウエハ表面に向けて噴射洗浄液及び乾燥気体を順
次フアン状に吹付けることができる噴射口を有
し、回転可能に支持されたスプレイ・ノズル装置
と、及び前記ターン・テーブルの回転軸から偏心
し、しかもこのターン・テーブルの略回転軸上に
定められた回転中心を中心としてこのスプレイ・
ノズル装置を前記ターン・テーブルに対して逆回
転させて噴射口から噴射される噴射領域を前記タ
ーン・テーブルの回転方向とは反対方向に回転さ
せる回転装置とより成ることを特徴とする半導体
ウエハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11895878A JPS5544780A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Cleaning device for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11895878A JPS5544780A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Cleaning device for semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5544780A JPS5544780A (en) | 1980-03-29 |
| JPS626650B2 true JPS626650B2 (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=14749478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11895878A Granted JPS5544780A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Cleaning device for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5544780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293245A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-04-04 | Rinnai Corp | 併設型給湯器 |
| JPH02219955A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Toto Ltd | ガス給湯機 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4483040A (en) * | 1982-12-22 | 1984-11-20 | International Business Machines Corporation | In-line mask cleaning system |
| JPS59215729A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-05 | Ulvac Corp | 半導体もしくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置 |
| JPS60163436A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Seiichiro Sogo | 半導体材料の洗浄乾燥方法 |
| US4960140A (en) * | 1984-11-30 | 1990-10-02 | Ishijima Industrial Co., Ltd. | Washing arrangement for and method of washing lead frames |
| JPS61238383A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | 株式会社ミツトヨ | 恒温洗浄装置 |
| JPS6287434U (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-04 | ||
| JPS6420726U (ja) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | ||
| JPH0829287B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1996-03-27 | 東京応化工業株式会社 | 塗布方法及び装置 |
| CN103028566A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-10 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 清洗机摆动喷淋装置及方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5452984A (en) * | 1977-10-04 | 1979-04-25 | Nec Corp | Semiconductor cleansing method |
-
1978
- 1978-09-27 JP JP11895878A patent/JPS5544780A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293245A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-04-04 | Rinnai Corp | 併設型給湯器 |
| JPH02219955A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Toto Ltd | ガス給湯機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5544780A (en) | 1980-03-29 |
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| JPS626650B2 (ja) | ||
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