JPS627265B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS627265B2 JPS627265B2 JP53114988A JP11498878A JPS627265B2 JP S627265 B2 JPS627265 B2 JP S627265B2 JP 53114988 A JP53114988 A JP 53114988A JP 11498878 A JP11498878 A JP 11498878A JP S627265 B2 JPS627265 B2 JP S627265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- sputtering
- rotating body
- mixed gas
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明はスパツタリングによる酸化インジウム
導電膜の製造方法に関し、例えば液晶表示装置用
透明電極基板に用いられるものである。
導電膜の製造方法に関し、例えば液晶表示装置用
透明電極基板に用いられるものである。
＜従来の技術＞
特開昭56−7867号公報には、不活性ガスと酸素
の混合ガス雰囲気内で、インジウム−スズ合金よ
り成るターゲツトを陰極として、スパツタリング
により、ガラス基板上に半透明導電膜を形成させ
る技術が開示されている。
の混合ガス雰囲気内で、インジウム−スズ合金よ
り成るターゲツトを陰極として、スパツタリング
により、ガラス基板上に半透明導電膜を形成させ
る技術が開示されている。
特公昭52−27165号公報には、In2O3とSnO2を
蒸発源としてガラス基板上には被覆を真空蒸着法
により形成させたのち、酸素雰囲気中、例えば空
気中にて300℃〜600℃の温度で焼成することによ
り透過率の高い（77〜85％）導電膜が得られる技
術が開示されている。
蒸発源としてガラス基板上には被覆を真空蒸着法
により形成させたのち、酸素雰囲気中、例えば空
気中にて300℃〜600℃の温度で焼成することによ
り透過率の高い（77〜85％）導電膜が得られる技
術が開示されている。
また、特公昭48−55267号公報には、プラスチ
ツクス表面に酸化インジウムを高真空で蒸着形成
したのち、酸化雰囲気中で例えば250℃の温度で
酸化処理することにより透過度88％の導電膜を得
たことが開示されている。
ツクス表面に酸化インジウムを高真空で蒸着形成
したのち、酸化雰囲気中で例えば250℃の温度で
酸化処理することにより透過度88％の導電膜を得
たことが開示されている。
このように、ガラス基板上にインジウム−スズ
合金で導電膜を形成したのち、この膜の光透過度
を高めるために酸素雰囲気中で焼成処理をするこ
とが知られている。しかし、上記した透明又は半
透明導電膜の製造技術は、被覆される基板をター
ゲツト又は蒸発源と対向させた状態で真空室内に
固定保持して膜形成するものであつて量産には適
用できない。
合金で導電膜を形成したのち、この膜の光透過度
を高めるために酸素雰囲気中で焼成処理をするこ
とが知られている。しかし、上記した透明又は半
透明導電膜の製造技術は、被覆される基板をター
ゲツト又は蒸発源と対向させた状態で真空室内に
固定保持して膜形成するものであつて量産には適
用できない。
これに対し出願人は、ベルジヤ型真空室の側壁
にスパツタリング用ターゲツトを配設し、その内
側に被覆すべきガラス基板等の多数枚を全体とし
て円筒型に配列保持し、これを連続的に回転させ
る方法を発明し、量産用設備として実施してい
る。
にスパツタリング用ターゲツトを配設し、その内
側に被覆すべきガラス基板等の多数枚を全体とし
て円筒型に配列保持し、これを連続的に回転させ
る方法を発明し、量産用設備として実施してい
る。
＜発明が解決しようとする問題点＞
本発明品が使用される液晶表示装置用透明電極
及びそのリード線は、通常はフオトエツチング法
によりパターン形成される。このパターン形成作
業は透明導電膜のユーザにおいて行われることが
多い。従つて、空気中における焼成工程をパター
ン形成後にユーザ側で行う場合、焼成温度、焼成
時間等の焼成条件に合わせたスパツタリングを行
うことが好ましく、さらに、その焼成条件の範囲
が広い方が好ましいが、従来はそれを満足させる
ことは殆んど不可能であり、通常は膜メーカが一
方的に指定した条件で焼成処理が行われていた。
及びそのリード線は、通常はフオトエツチング法
によりパターン形成される。このパターン形成作
業は透明導電膜のユーザにおいて行われることが
多い。従つて、空気中における焼成工程をパター
ン形成後にユーザ側で行う場合、焼成温度、焼成
時間等の焼成条件に合わせたスパツタリングを行
うことが好ましく、さらに、その焼成条件の範囲
が広い方が好ましいが、従来はそれを満足させる
ことは殆んど不可能であり、通常は膜メーカが一
方的に指定した条件で焼成処理が行われていた。
また、透明導電膜の厚さが1000Åないし2000Å
と比較的厚いときは、空気中における焼成工程に
おいて膜の下層部まで充分酸化させることが難か
しく、比較的低温度、又は比較的短時間では充分
な透過度が得られないという問題があつた。
と比較的厚いときは、空気中における焼成工程に
おいて膜の下層部まで充分酸化させることが難か
しく、比較的低温度、又は比較的短時間では充分
な透過度が得られないという問題があつた。
そこで本発明の目的は、所望の光透過度を得る
に要する焼成温度及び焼成時間の幅が広く、その
ため、電極パターンを製造する膜ユーザの多様な
要求に対応しうる、スパツタリングによる酸化イ
ンジウム導電膜の製造方法を提供することであ
る。
に要する焼成温度及び焼成時間の幅が広く、その
ため、電極パターンを製造する膜ユーザの多様な
要求に対応しうる、スパツタリングによる酸化イ
ンジウム導電膜の製造方法を提供することであ
る。
＜問題点を解決するための手段＞
この目的を達成するための本発明方法は、ベル
ジヤ型容器の側壁の一部分に設けられたインジウ
ム−スズ合金より成るターゲツトと、上記容器の
側壁の内側を回転する回転体と、上記容器内を真
空に排気する真空手段と、上記容器内へ不活性ガ
スと酸素の混合ガスを導入するガス雰囲気形成手
段と、上記回転体を回転駆動する動力手段を有す
るスパツタリング装置を用い、導電膜を形成すべ
き被覆体を上記回転体に取り付け、上記真空手段
により容器内が所定の真空度に維持されかつ上記
混合ガスが導入された雰囲気中で、上記回転体を
回転させることにより、上記被覆体表面が上記タ
ーゲツトと対向したときに間欠的にスパツタリン
グが行われ、かつ被覆体の回転中の位置にかかわ
りなく連続的に上記混合ガス雰囲気に曝されなが
ら膜が形成されてゆくことにより特徴づけられ
る。
ジヤ型容器の側壁の一部分に設けられたインジウ
ム−スズ合金より成るターゲツトと、上記容器の
側壁の内側を回転する回転体と、上記容器内を真
空に排気する真空手段と、上記容器内へ不活性ガ
スと酸素の混合ガスを導入するガス雰囲気形成手
段と、上記回転体を回転駆動する動力手段を有す
るスパツタリング装置を用い、導電膜を形成すべ
き被覆体を上記回転体に取り付け、上記真空手段
により容器内が所定の真空度に維持されかつ上記
混合ガスが導入された雰囲気中で、上記回転体を
回転させることにより、上記被覆体表面が上記タ
ーゲツトと対向したときに間欠的にスパツタリン
グが行われ、かつ被覆体の回転中の位置にかかわ
りなく連続的に上記混合ガス雰囲気に曝されなが
ら膜が形成されてゆくことにより特徴づけられ
る。
＜作用＞
本発明の製造方法によれば、回転体の一つの被
覆体に注目すると、第３図に示すように、１回転
ごとに間欠的にスパツタリングを受けることにな
り、酸素雰囲気中でスパツタリングを受ける時間
と、スパツタリングを受けずに酸素雰囲気中に曝
される時間とが交互に繰り返されながら膜が形成
されてゆくから、膜中の酸素含有量が多くなり、
焼成工程における焼成温度が下限が低くなり、或
いは焼成時間が短縮される。また、間欠的にスパ
ツタリングを受けるため1000Å〜2000Åの薄膜を
10分〜20分間の比較的長時間をかけて形成してゆ
くことが可能となり、雰囲気の制御が容易にな
り、制御精度も向上する。
覆体に注目すると、第３図に示すように、１回転
ごとに間欠的にスパツタリングを受けることにな
り、酸素雰囲気中でスパツタリングを受ける時間
と、スパツタリングを受けずに酸素雰囲気中に曝
される時間とが交互に繰り返されながら膜が形成
されてゆくから、膜中の酸素含有量が多くなり、
焼成工程における焼成温度が下限が低くなり、或
いは焼成時間が短縮される。また、間欠的にスパ
ツタリングを受けるため1000Å〜2000Åの薄膜を
10分〜20分間の比較的長時間をかけて形成してゆ
くことが可能となり、雰囲気の制御が容易にな
り、制御精度も向上する。
＜実施例＞
第１図に、本発明の実施例に使用する装置の一
例を示す。
例を示す。
基台１上に、着脱自在のベルジヤ型容器２を装
着して真空室を構成し、その排気孔３は真空ポン
プ等の排気系に連通し、ガス導入孔４は減圧弁を
介してガスボンベ等に連通している。基台１上に
は、内側に歯が刻設された環体５が、ボールベア
リング６を介して回動自在に設けられており、こ
の環体の歯と噛み合う歯車７がモータ８により回
転駆動去れる。環体５の上には、第２図に斜視図
で示すように、篭形の回転体９を固着し、その側
面の全周にわたつて適宜に被覆体ボルダ１０を吊
り下げ、これに被覆体を取り付ける。容器２の側
壁にはターゲツト１１を取り付けると共にその背
後にマグネトロン型マグネツト１２を配設してス
パツタリングに磁気を重畳させる。直流電源１３
の陰極を上記ターゲツト１１に接続し、陽極を容
器２に接続し、容器２、回転体９を介して被覆体
との間に陽極回路を形成させる。このようなター
ゲツト１１及びマグネツト１２を容器２の側壁の
複数個所に配設することができる。
着して真空室を構成し、その排気孔３は真空ポン
プ等の排気系に連通し、ガス導入孔４は減圧弁を
介してガスボンベ等に連通している。基台１上に
は、内側に歯が刻設された環体５が、ボールベア
リング６を介して回動自在に設けられており、こ
の環体の歯と噛み合う歯車７がモータ８により回
転駆動去れる。環体５の上には、第２図に斜視図
で示すように、篭形の回転体９を固着し、その側
面の全周にわたつて適宜に被覆体ボルダ１０を吊
り下げ、これに被覆体を取り付ける。容器２の側
壁にはターゲツト１１を取り付けると共にその背
後にマグネトロン型マグネツト１２を配設してス
パツタリングに磁気を重畳させる。直流電源１３
の陰極を上記ターゲツト１１に接続し、陽極を容
器２に接続し、容器２、回転体９を介して被覆体
との間に陽極回路を形成させる。このようなター
ゲツト１１及びマグネツト１２を容器２の側壁の
複数個所に配設することができる。
この装置を使用するときは、容器２内を真空に
排気すると同時にガス導入孔４から制御された混
合ガスを導入して容器内を所定の雰囲気に調整
し、モータ８により回転体９を回転させ、ターゲ
ツトと被覆体間に直流電圧を印加してスパツタリ
ングを行う。
排気すると同時にガス導入孔４から制御された混
合ガスを導入して容器内を所定の雰囲気に調整
し、モータ８により回転体９を回転させ、ターゲ
ツトと被覆体間に直流電圧を印加してスパツタリ
ングを行う。
第４図は、本発明方法により製造された膜の構
造を模式的に示している。回転中の一つの被覆体
は第３図に示したように回転周期ごとに間欠的に
スパツタリングを受けるがスパツタリングを受け
ない時間中も継続して混合ガス雰囲気中に曝され
るから、酸素をより多く含んだ層１４とそうでな
い層１５とが交互に形成されていく。
造を模式的に示している。回転中の一つの被覆体
は第３図に示したように回転周期ごとに間欠的に
スパツタリングを受けるがスパツタリングを受け
ない時間中も継続して混合ガス雰囲気中に曝され
るから、酸素をより多く含んだ層１４とそうでな
い層１５とが交互に形成されていく。
次にこのようなスパツタリング装置を用いた本
発明の実施例を説明する。
発明の実施例を説明する。
ターゲツト材料としてインジウム80％、スズ20
％モル比の合金を用い、容器内にアルゴン95％、
酸素５％体積比の混合ガスを導入し、到達真空度
１×10-4Toor、ガス圧力１×10-3Torrの雰囲気
に調整した。ターゲツトと被覆体間の最短距離を
20cmにして両極間に600Vを直流電圧を印加し、
25ｍＡ／cm2の電流を通電した。その結果、膜厚
500Åの酸化インジウムを主体とした光透過率30
％以下の半透明導電膜が得られた。
％モル比の合金を用い、容器内にアルゴン95％、
酸素５％体積比の混合ガスを導入し、到達真空度
１×10-4Toor、ガス圧力１×10-3Torrの雰囲気
に調整した。ターゲツトと被覆体間の最短距離を
20cmにして両極間に600Vを直流電圧を印加し、
25ｍＡ／cm2の電流を通電した。その結果、膜厚
500Åの酸化インジウムを主体とした光透過率30
％以下の半透明導電膜が得られた。
これを、350℃の温度で５分間熱処理したとこ
ろ、抵抗800Ω／cm2、光透過率83％（550nｍ波長
の分光光度計による）透明導電膜が得られた。
ろ、抵抗800Ω／cm2、光透過率83％（550nｍ波長
の分光光度計による）透明導電膜が得られた。
＜発明の効果＞
本発明によれば、インジウム−スズ合金より成
るターゲツトをベルジヤ型真空の側壁の一部分に
配設し、その内側に被覆体を連続的に回転させな
がら不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気内で
被覆体表面にスパツタリングによる膜を形成させ
る装置を使用し、酸素を含む混合ガス雰囲気中に
被覆体表面を連続的に曝しながら１回転中に１度
だけ間欠的にスパツタリングを行うようにしたの
で、真空室から取り出された後の焼成工程におけ
る焼成温度が低温側へ拡大され、或いは焼成時間
が短縮化の方へ拡大された。また、間欠的スパツ
タリングのために膜形成時間が拡大され、従つ
て、膜形成開始時から終了時の間に混合ガス雰囲
気を変化させるなどの制御が容易になつた。
るターゲツトをベルジヤ型真空の側壁の一部分に
配設し、その内側に被覆体を連続的に回転させな
がら不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気内で
被覆体表面にスパツタリングによる膜を形成させ
る装置を使用し、酸素を含む混合ガス雰囲気中に
被覆体表面を連続的に曝しながら１回転中に１度
だけ間欠的にスパツタリングを行うようにしたの
で、真空室から取り出された後の焼成工程におけ
る焼成温度が低温側へ拡大され、或いは焼成時間
が短縮化の方へ拡大された。また、間欠的スパツ
タリングのために膜形成時間が拡大され、従つ
て、膜形成開始時から終了時の間に混合ガス雰囲
気を変化させるなどの制御が容易になつた。
第１図は本発明方法の実施に使用される装置の
一例を示す縦断面図である。第２図は第１図の回
転体及び被覆体ホルダ１０の斜視図である。第３
図は本発明方法の作用説明図、第４図は本発明方
法により製造された膜の構造を模式的に示す図で
ある。 １……基台、２……ベルジヤ型容器、３……排
気口、４……混合ガス導入口、６……ボールベア
リング、８……モータ、９……回転体、１０……
被覆体ホルダ、１１……ターゲツト。
一例を示す縦断面図である。第２図は第１図の回
転体及び被覆体ホルダ１０の斜視図である。第３
図は本発明方法の作用説明図、第４図は本発明方
法により製造された膜の構造を模式的に示す図で
ある。 １……基台、２……ベルジヤ型容器、３……排
気口、４……混合ガス導入口、６……ボールベア
リング、８……モータ、９……回転体、１０……
被覆体ホルダ、１１……ターゲツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ベルジヤ型容器の側壁の一部分に設けられた
インジウム−スズ合金より成るターゲツトと、上
記容器の側壁の内側を回転する回転体と、上記容
器内を真空に排気する真空手段と、上記容器内へ
不活性ガスと酸素の混合ガスを導入するガス雰囲
気形成手段と、上記回転体を回転駆動する動力手
段を有するスパツタリング装置を用い、 導電膜を形成すべき被覆体を上記回転体に取り
付け、上記真空手段により容器内が所定の真空度
に維持されかつ上記混合ガスが導入された雰囲気
中で、上記回転体を回転させることにより、 上記被覆体表面が上記ターゲツトと対向したと
きに間欠的にスパツタリングが行われ、かつ被覆
体の回転中の位置にかかわりなく連続的に上記混
合ガス雰囲気に曝されながら膜が形成されてゆく
ことを特徴とする、スパツタリングによる酸化イ
ンジウム導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11498878A JPS5541959A (en) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | Production of indium oxide transparent conductive film through sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11498878A JPS5541959A (en) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | Production of indium oxide transparent conductive film through sputtering |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541959A JPS5541959A (en) | 1980-03-25 |
| JPS627265B2 true JPS627265B2 (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=14651550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11498878A Granted JPS5541959A (en) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | Production of indium oxide transparent conductive film through sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5541959A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130303A (en) * | 1981-02-03 | 1982-08-12 | Sharp Kk | Method of producing transparent conductive film |
| JPS57161727A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-05 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of electrochromatic film |
| US4512864A (en) * | 1983-11-30 | 1985-04-23 | Ppg Industries, Inc. | Low resistance indium oxide films |
| DE4427581A1 (de) * | 1994-08-04 | 1996-02-08 | Leybold Ag | Verfahren zum Aufbringen einer transparenten Metalloxidschicht auf eine Folie |
| US7837843B2 (en) * | 2005-07-12 | 2010-11-23 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fixture for use in a coating operation |
| CN101496117B (zh) * | 2006-07-28 | 2012-04-18 | 株式会社爱发科 | 透明导电膜的成膜方法 |
| US20110194181A1 (en) * | 2008-10-17 | 2011-08-11 | Ulvac, Inc. | Film forming method for antireflection film, antireflection film, and film forming device |
| KR101603303B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
| JP2011066070A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多結晶薄膜、その成膜方法、及び薄膜トランジスタ |
| RU2637044C2 (ru) * | 2016-04-15 | 2017-11-29 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Способ получения покрытия на основе оксида индия и олова |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137667B2 (ja) * | 1971-11-13 | 1976-10-16 | ||
| JPS5024173A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-15 | ||
| US4015724A (en) * | 1975-08-21 | 1977-04-05 | Paper Converting Machine Company | Method and apparatus for handling substacks of business forms to develop balanced stacks |
-
1978
- 1978-09-18 JP JP11498878A patent/JPS5541959A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541959A (en) | 1980-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS627265B2 (ja) | ||
| US4279726A (en) | Process for making electroluminescent films and devices | |
| GB2032641A (en) | Electrochromic films having improved etch resistance and method for making same | |
| JPS62211378A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPS63113585A (ja) | 透明電極ならびにその製法および用途 | |
| KR100408768B1 (ko) | 이온빔 보조전자빔을 갖는 진공증착기로 완성한 수지계평판표시소자 및 그 제조방법 | |
| JPH058527B2 (ja) | ||
| US4527865A (en) | Electrochromic display device | |
| JPS59121119A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| TW201716599A (zh) | 銀線路的黑化方法及顯示裝置 | |
| JPS592004B2 (ja) | 表示体用電極基板の製造方法 | |
| JPS6426821A (en) | Production of electrode plate for color display device | |
| JPS63103060A (ja) | 透明電極付き基板の製造方法 | |
| US3575833A (en) | Hafnium nitride film resistor | |
| JPS6271936A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子とその製造方法 | |
| JP2013012409A (ja) | 透明導電膜の生成方法及び透明導電膜生成装置 | |
| JPH0675236A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS60200959A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPS6329396B2 (ja) | ||
| JP5044766B2 (ja) | 薄膜の色を変更する方法 | |
| JPH0561580B2 (ja) | ||
| JPS63114961A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPS5929924B2 (ja) | 透明電導性電極 | |
| JPH0578160B2 (ja) | ||
| JPH0834125B2 (ja) | 多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |