JPS629233B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS629233B2 JPS629233B2 JP57000626A JP62682A JPS629233B2 JP S629233 B2 JPS629233 B2 JP S629233B2 JP 57000626 A JP57000626 A JP 57000626A JP 62682 A JP62682 A JP 62682A JP S629233 B2 JPS629233 B2 JP S629233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- cds
- film
- sintered film
- cdte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明はｎ形CdSとｐ形CdTeとのpn接合を用
いた光起電力素子の製造方法に関するものであ
る。 従来、この種の素子の製造方法として、支持基
板上に形成された低抵抗で光透過率の良好なｎ形
CdS焼結膜上に、Cd粉末とTe粉末に粘結剤を加
えて混合し、泥状にしたものをスクリーン印し、
乾燥した後、窒素雰囲気中で焼成してCdTe焼結
膜を形成するものがあつた。そしてこの方法にお
いては、CdTe焼結膜がCd粉末とTe粉末から比
較的低い温度で直接製造することができるため、
印刷するための必要上から粘結剤を添加するにと
どめ、融剤を添加することはなかつた。すなわち
融剤を含まないCd粉末とTe粉末の混合泥状物か
らもそれなりのCdTe焼結膜を形成することが可
能であつた。 本発明は、上記泥状物に関して発明者らが種々
の検討を重ねた結果、この泥状物のCdCl2を融剤
として添加することにより、素子の性能が向上す
ることを見い出したことに基いて成されたもので
ある。 以下、本発明の製造方法について、実施例をあ
げて具体的に説明する。 （実施例） CdS粉末に融剤としてCdCl2を10重量％加え、
それに粘結剤としてプロピレングリコールを加え
て泥状にしたものを、図面に示すようにガラス基
板１上にスクリーン印刷した後、N2雰囲気中に
おいて690℃で20分間焼成することにより、化学
量論比よりCd過剰のｎ形CdS焼結膜２を形成し
た。このようにして得られたｎ形CdS膜の抵抗率
は100〜101Ω・cm程度であつた。次に、このｎ形
CdS焼結膜２上に、Cd粉末とTe粉末をモル比で
１：１に配合し次表に示すような添加量CdCl2
と、適量の粘結剤としてのプロピレングリコール
を加えて混合し、泥状にしたものをスクリーン印
刷し乾燥させた後、N2雰囲気中において、650℃
で30分間焼成することによつてCdTe焼結膜３を
形成した。次にCdTe焼結膜３上に微量のアクセ
プター不純物を添加した泥状カーボンをスクリー
ン印刷して、カーボン膜４を形成させた後、N2
雰囲気中において350℃で30分間熱処理すること
によりカーボン中に含まれているアクセプタ不純
物がCdTe焼結膜３内にドープした。こうしてｎ
形CdS焼結膜２とｐ形CdTe焼結膜３との間に光
起電力効果をもつヘテロ接合を形成した。次に
CdS焼結膜２上およびカーボン膜４上にそれぞれ
オーミツク電極５，６を付けた後、各々電極５，
６からリード線７を引き出した。入射光８はCdS
焼結膜２側から照射する。このようにして得られ
た素子の80mW／cm2のタングステンハロゲン灯光
下での真性変換効率を次表に示す。
いた光起電力素子の製造方法に関するものであ
る。 従来、この種の素子の製造方法として、支持基
板上に形成された低抵抗で光透過率の良好なｎ形
CdS焼結膜上に、Cd粉末とTe粉末に粘結剤を加
えて混合し、泥状にしたものをスクリーン印し、
乾燥した後、窒素雰囲気中で焼成してCdTe焼結
膜を形成するものがあつた。そしてこの方法にお
いては、CdTe焼結膜がCd粉末とTe粉末から比
較的低い温度で直接製造することができるため、
印刷するための必要上から粘結剤を添加するにと
どめ、融剤を添加することはなかつた。すなわち
融剤を含まないCd粉末とTe粉末の混合泥状物か
らもそれなりのCdTe焼結膜を形成することが可
能であつた。 本発明は、上記泥状物に関して発明者らが種々
の検討を重ねた結果、この泥状物のCdCl2を融剤
として添加することにより、素子の性能が向上す
ることを見い出したことに基いて成されたもので
ある。 以下、本発明の製造方法について、実施例をあ
げて具体的に説明する。 （実施例） CdS粉末に融剤としてCdCl2を10重量％加え、
それに粘結剤としてプロピレングリコールを加え
て泥状にしたものを、図面に示すようにガラス基
板１上にスクリーン印刷した後、N2雰囲気中に
おいて690℃で20分間焼成することにより、化学
量論比よりCd過剰のｎ形CdS焼結膜２を形成し
た。このようにして得られたｎ形CdS膜の抵抗率
は100〜101Ω・cm程度であつた。次に、このｎ形
CdS焼結膜２上に、Cd粉末とTe粉末をモル比で
１：１に配合し次表に示すような添加量CdCl2
と、適量の粘結剤としてのプロピレングリコール
を加えて混合し、泥状にしたものをスクリーン印
刷し乾燥させた後、N2雰囲気中において、650℃
で30分間焼成することによつてCdTe焼結膜３を
形成した。次にCdTe焼結膜３上に微量のアクセ
プター不純物を添加した泥状カーボンをスクリー
ン印刷して、カーボン膜４を形成させた後、N2
雰囲気中において350℃で30分間熱処理すること
によりカーボン中に含まれているアクセプタ不純
物がCdTe焼結膜３内にドープした。こうしてｎ
形CdS焼結膜２とｐ形CdTe焼結膜３との間に光
起電力効果をもつヘテロ接合を形成した。次に
CdS焼結膜２上およびカーボン膜４上にそれぞれ
オーミツク電極５，６を付けた後、各々電極５，
６からリード線７を引き出した。入射光８はCdS
焼結膜２側から照射する。このようにして得られ
た素子の80mW／cm2のタングステンハロゲン灯光
下での真性変換効率を次表に示す。
【表】
【表】
表によれば融剤添加の効果は明らかであり、特
に添加量が0.3〜1.5％の範囲で効果が大きいこと
がわかる。 以上説明から明らかなように、本発明の方法に
よれば、高変換効率の光起電力素子を得ることが
できるため、その実用上の価値は大なるものがあ
る。
に添加量が0.3〜1.5％の範囲で効果が大きいこと
がわかる。 以上説明から明らかなように、本発明の方法に
よれば、高変換効率の光起電力素子を得ることが
できるため、その実用上の価値は大なるものがあ
る。
図面は本発明の製造方法により得られる光起電
力素子の一例を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……CdS焼結膜、３……
CdTe焼結膜、４……カーボン膜、５……オーミ
ツク電極、６……オーミツク電極、７……リード
線。
力素子の一例を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……CdS焼結膜、３……
CdTe焼結膜、４……カーボン膜、５……オーミ
ツク電極、６……オーミツク電極、７……リード
線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持基板上にCdSもしくはそれを含む化合物
半導体の焼結膜を形成し、さらにその上にCd粉
末とTe粉末に粘結剤を加えて混合した泥状物を
スクリーン印刷し、これを不活性雰囲気中におい
て焼成してCdTe焼結膜を形成し、しかる後、前
記２つの焼結膜に電極を形成して光起電力素子を
製造するに際し、前記Cd粉末、Te粉末および粘
結剤よりなる泥状物にCdCl2を添加することを特
徴とする光起電力素子の製造方法。 ２ CdCl2の添加量がCd粉末とTe粉末重量の合
計量の0.3〜1.5％であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000626A JPS58118167A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000626A JPS58118167A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118167A JPS58118167A (ja) | 1983-07-14 |
| JPS629233B2 true JPS629233B2 (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=11478931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000626A Granted JPS58118167A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118167A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189969A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-01-07 JP JP57000626A patent/JPS58118167A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118167A (ja) | 1983-07-14 |
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